JPS5962830A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS5962830A JPS5962830A JP12585883A JP12585883A JPS5962830A JP S5962830 A JPS5962830 A JP S5962830A JP 12585883 A JP12585883 A JP 12585883A JP 12585883 A JP12585883 A JP 12585883A JP S5962830 A JPS5962830 A JP S5962830A
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- liquid crystal
- voltage
- layer
- display
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置に閂するものである。
従来、印加電圧の大小を表示面の位置に変換するために
は、例えば印加電圧をアナログ→デジタル変換し、この
デジタル信号を分割された電極群に印加する装置等が考
えられているが、該装置は回路が複雑となるという何i
点があった。
は、例えば印加電圧をアナログ→デジタル変換し、この
デジタル信号を分割された電極群に印加する装置等が考
えられているが、該装置は回路が複雑となるという何i
点があった。
これ等を改良する目的で、液晶を用いた表示装置に於い
てもアナログ信号を直接アナログ表示する装置の提案が
種々なされている。
てもアナログ信号を直接アナログ表示する装置の提案が
種々なされている。
これ等の幾つかは対置した電極間の電界の大きさが距離
の関数であることがら、¥L極を不等間隔で対置させて
、印加電圧の大小によって液晶の動作する場所を異なら
せて表示するものである。
の関数であることがら、¥L極を不等間隔で対置させて
、印加電圧の大小によって液晶の動作する場所を異なら
せて表示するものである。
又、別の表示装置は、分割された電極の各々に閾値特性
の異なる機能的素子を結合した液晶表示装置であって該
機能的素子の外部接続共通端子に電圧を印加すると、電
圧の大小に応じて動作閾値を越えた機能的素子が動作状
部となり、それに接続された液晶表示部が点燈すること
によって電圧の位置表示を直接性なえるものである。
の異なる機能的素子を結合した液晶表示装置であって該
機能的素子の外部接続共通端子に電圧を印加すると、電
圧の大小に応じて動作閾値を越えた機能的素子が動作状
部となり、それに接続された液晶表示部が点燈すること
によって電圧の位置表示を直接性なえるものである。
更に別には液晶表示部に抵抗体を接続した表示装置があ
り、これは電圧降下させて電圧分布を与え、該電圧分布
を直接液晶表示動作に附与するものである。
り、これは電圧降下させて電圧分布を与え、該電圧分布
を直接液晶表示動作に附与するものである。
これ等の液晶表示装置に於いて二つの電極を不等間隔で
対置させた液晶セルを用いて、電圧の大小を位置表示す
る表示装置は、本来液晶が高抵抗物質で電極の抵抗値に
対し充分大きい抵抗値を有するため、対置させた電極間
には電圧分布がほとんど生せず、液晶層に印加される電
圧は一定となる一方、不等間隔に配置4された?+1極
間にある液晶には、その電極間距離に応じた電界が附与
されるので電界強度分布は生ずるが、実際の液晶動作は
液晶層内の電界強度に依存するよりも、電極と液晶境界
向に生ずる電圧によって動作点が決定されるため、現象
的には液晶の動作閾値は不等間隔電極め場所に依らず、
一定の電圧で全表示領域が動作する傾向が強いものであ
る。
対置させた液晶セルを用いて、電圧の大小を位置表示す
る表示装置は、本来液晶が高抵抗物質で電極の抵抗値に
対し充分大きい抵抗値を有するため、対置させた電極間
には電圧分布がほとんど生せず、液晶層に印加される電
圧は一定となる一方、不等間隔に配置4された?+1極
間にある液晶には、その電極間距離に応じた電界が附与
されるので電界強度分布は生ずるが、実際の液晶動作は
液晶層内の電界強度に依存するよりも、電極と液晶境界
向に生ずる電圧によって動作点が決定されるため、現象
的には液晶の動作閾値は不等間隔電極め場所に依らず、
一定の電圧で全表示領域が動作する傾向が強いものであ
る。
面乍ら、この場合不等間隔距離に応じて液晶の動作立上
り応答及び電圧除去による立下り応答が大きく異なり、
然も立上り応答は電圧の大小に応じて変化するため、見
掛上印加電圧の大小によって位置表示を示す如き場合も
生じ得る。
り応答及び電圧除去による立下り応答が大きく異なり、
然も立上り応答は電圧の大小に応じて変化するため、見
掛上印加電圧の大小によって位置表示を示す如き場合も
生じ得る。
然し該表示装置に於いては、閾値以上のNli圧の印加
は時間に依存して表示位置が変り、表示位置の再現性を
得ることが難しいという点がある。
は時間に依存して表示位置が変り、表示位置の再現性を
得ることが難しいという点がある。
又、これ等は製作上の条件を一定化することが困難であ
ると同時に湿度依存性が大きいので動作時に於ける周囲
温度の影響を除去する必要がある等多くの問題点を有し
ている。
ると同時に湿度依存性が大きいので動作時に於ける周囲
温度の影響を除去する必要がある等多くの問題点を有し
ている。
又、液晶の本来の特性を用いず、電圧によって動作の異
なる機能素子を液晶素子と接続した装fFJがあるが、
該装置は原理的な面では本質的に問題がないとしても、
実用上複雑で高価となり商品性の上から芳しいものとは
いえない。
なる機能素子を液晶素子と接続した装fFJがあるが、
該装置は原理的な面では本質的に問題がないとしても、
実用上複雑で高価となり商品性の上から芳しいものとは
いえない。
これ等に対して液晶層に異なる電圧分布を与えて動作さ
せる思想に基づく表示装置は原理的に可能であり、而も
装置的にも簡単化され得ることから最も実現化が望まれ
ている表示装置Mであり、実際これ迄にも該表示部WN
を具体化する提案として、特開昭46−3642や実開
昭49−145644に記載の発明他幾つかの発明が提
案されている。
せる思想に基づく表示装置は原理的に可能であり、而も
装置的にも簡単化され得ることから最も実現化が望まれ
ている表示装置Mであり、実際これ迄にも該表示部WN
を具体化する提案として、特開昭46−3642や実開
昭49−145644に記載の発明他幾つかの発明が提
案されている。
一方の電極上に電圧分布を与え、他方の電極に制御電圧
を与え閾値電圧に等しい位置を境界として閾値以下の領
域と、閾値を越える値域に於いて透明部分と白濁部分と
に依って棒状の位置区別としてアナログ表示化するもの
である。更に該発明の発展させたものとして、前述棒状
表示を多数配列し、各々に時−量変化に応じた電圧信号
を附与し、オシログラフ的表示を行なう装置(特開昭4
6−7377号公報記載の発明)や、その更に改良され
た表示部fL? (特開昭46−7391号公報記載の
発明)等が撮画されている。
を与え閾値電圧に等しい位置を境界として閾値以下の領
域と、閾値を越える値域に於いて透明部分と白濁部分と
に依って棒状の位置区別としてアナログ表示化するもの
である。更に該発明の発展させたものとして、前述棒状
表示を多数配列し、各々に時−量変化に応じた電圧信号
を附与し、オシログラフ的表示を行なう装置(特開昭4
6−7377号公報記載の発明)や、その更に改良され
た表示部fL? (特開昭46−7391号公報記載の
発明)等が撮画されている。
又、分νPI した電極に膜状抵抗体を接続し同様の効
果を期待した装置の提案もなされている(特開昭47−
21097号公報記載の発明)。
果を期待した装置の提案もなされている(特開昭47−
21097号公報記載の発明)。
面乍ら、前述の装置1!に於いては以下に述べる如く種
々の問題点があり、実用化の段階に至っていないのが現
実である。
々の問題点があり、実用化の段階に至っていないのが現
実である。
即ち、第1にDSMを用いると、該1) S Mは透明
と白濁間の状態変化であるので、本質的な色表示ができ
な・い。第2にDSMは透明と白濁間の状態変化である
ために充分に大きなコントラストが得られない。第3に
D S Mの閾値特性は本来緩慢で、表示境界領域が不
鮮明となる。又、これを改善する目的で液晶中に電解質
等のドーピング剤を添加したものは液晶層中を電流が多
く流れ動作上の制約と寿命の低下を招くものである。
と白濁間の状態変化であるので、本質的な色表示ができ
な・い。第2にDSMは透明と白濁間の状態変化である
ために充分に大きなコントラストが得られない。第3に
D S Mの閾値特性は本来緩慢で、表示境界領域が不
鮮明となる。又、これを改善する目的で液晶中に電解質
等のドーピング剤を添加したものは液晶層中を電流が多
く流れ動作上の制約と寿命の低下を招くものである。
更には又、分割された電極によって境界領域の判別を明
確にしようとする表示装置に於いては、一つには連続的
位置変化の表示でなくなり、段階的表示となるため表示
段階の制約を受ける。
確にしようとする表示装置に於いては、一つには連続的
位置変化の表示でなくなり、段階的表示となるため表示
段階の制約を受ける。
二つには見掛上連続的に表示しようとして、分割された
電極を細分化した装置に於いては、本質的に境界領域の
不鮮明さの問題に帰する欠点が生ずる。更には製造面に
於いても細分化した電極を加工するのは高度の技術が要
求され、又製造工程数が増加する等商業的に不都合な点
が少なくない。
電極を細分化した装置に於いては、本質的に境界領域の
不鮮明さの問題に帰する欠点が生ずる。更には製造面に
於いても細分化した電極を加工するのは高度の技術が要
求され、又製造工程数が増加する等商業的に不都合な点
が少なくない。
又、別には前述の特開昭46−3642公報記載の表示
方法を利用し、単にDSMに置き換えて比較的低閾値特
性を有する電界効果(以下FEMと略称する)を採用し
ても、境界領域の不鮮明な半点燈表示は本質的に避けら
れ得るものではない。むしろ、色、輝度の階調表示を行
なう目的に用いられ得る点で特開昭49−98599号
公報、特開昭49−111596号公報等に提案されて
いる発明が類似している。
方法を利用し、単にDSMに置き換えて比較的低閾値特
性を有する電界効果(以下FEMと略称する)を採用し
ても、境界領域の不鮮明な半点燈表示は本質的に避けら
れ得るものではない。むしろ、色、輝度の階調表示を行
なう目的に用いられ得る点で特開昭49−98599号
公報、特開昭49−111596号公報等に提案されて
いる発明が類似している。
これ等を含めて、前述した従来法の第4の改良され得る
点として閾値の温度依存性がある。
点として閾値の温度依存性がある。
これは同じ印加電圧に対しても境界位置が湿度によって
移動するもので、蝉来法に於いてはこれが著しいもので
ある。従って、該影響を避けるだめに温度補償を行なう
等の補助的手段を必要とする等のため装置の複雑化を招
き、従って製造工程数の増加コストの向上となり好まし
い表示装置とはいい難いものである。
移動するもので、蝉来法に於いてはこれが著しいもので
ある。従って、該影響を避けるだめに温度補償を行なう
等の補助的手段を必要とする等のため装置の複雑化を招
き、従って製造工程数の増加コストの向上となり好まし
い表示装置とはいい難いものである。
本発明は以上の点に鑑み成されたものであり、又、本/
(J ut人が先ニ提案L/ タ% 17)511f3
49135648号公報記載の発明を根本的に改良し、
更に同しく本出願人の提案である特願昭50−860号
公報の発明での実用性を高める意味で飛躍的な改良を加
えた新規な液晶表示装置を提供することを主たる目的と
するものである。
(J ut人が先ニ提案L/ タ% 17)511f3
49135648号公報記載の発明を根本的に改良し、
更に同しく本出願人の提案である特願昭50−860号
公報の発明での実用性を高める意味で飛躍的な改良を加
えた新規な液晶表示装置を提供することを主たる目的と
するものである。
本発明の液晶表示装置は、少なくとも一方が透明である
二枚の相対向するノ、(板の電力の基板面に第1の抵抗
層を設け、他方の基板の011記抵抗j7jと対向する
而に導電層又は第2の抵抗層を設け、少なくとも前記第
1の抵抗層と前記導電層又は前記第2の抵抗層との間に
液晶が挟持されており、前記層の中、少なくとも透明基
板面に設りられた層が透明である液晶セルと′電池部、
高圧m源部及び駆動回路部を有する」1を特徴とするも
のである。
二枚の相対向するノ、(板の電力の基板面に第1の抵抗
層を設け、他方の基板の011記抵抗j7jと対向する
而に導電層又は第2の抵抗層を設け、少なくとも前記第
1の抵抗層と前記導電層又は前記第2の抵抗層との間に
液晶が挟持されており、前記層の中、少なくとも透明基
板面に設りられた層が透明である液晶セルと′電池部、
高圧m源部及び駆動回路部を有する」1を特徴とするも
のである。
本発明の液晶表示装置は低電圧で動作し、変換効率が極
めて高いので消費電力が小さく節電タイプであるばかり
でなくlJ1型低型圧電圧電池用が充分可能である、電
池電圧の変動及び負荷変動に対して安定動作域が極めて
広い、小型軽量であるから携帯用の装置に容易に組込む
ことが出来る製造が容易で量産性に向き、信頼性、再現
性が高い、所望とする高いコントラストが容易に得られ
、ネガ、ポジ何等の表示も任意にさせることができる、
二つ以上の制御電圧によってアナログ演算機能を含んだ
表示を行なうことができる、液晶の閾値温度依存性を実
用上無視し得る本質的に電界動作であるので電流動作に
対し液晶セルの寿命及び電極構造上等に多大の利点を有
する、液晶セルの基本的構成に於いては電極を基板面に
単に面状に形成するため製造が極めて容易である(上下
の電極の位置合ゎせ、細分化した電極を形成するための
マスク等を必要としない)等従来の液晶表示装置に比べ
数々の利点を有し、又格段の効果を示すものである。
めて高いので消費電力が小さく節電タイプであるばかり
でなくlJ1型低型圧電圧電池用が充分可能である、電
池電圧の変動及び負荷変動に対して安定動作域が極めて
広い、小型軽量であるから携帯用の装置に容易に組込む
ことが出来る製造が容易で量産性に向き、信頼性、再現
性が高い、所望とする高いコントラストが容易に得られ
、ネガ、ポジ何等の表示も任意にさせることができる、
二つ以上の制御電圧によってアナログ演算機能を含んだ
表示を行なうことができる、液晶の閾値温度依存性を実
用上無視し得る本質的に電界動作であるので電流動作に
対し液晶セルの寿命及び電極構造上等に多大の利点を有
する、液晶セルの基本的構成に於いては電極を基板面に
単に面状に形成するため製造が極めて容易である(上下
の電極の位置合ゎせ、細分化した電極を形成するための
マスク等を必要としない)等従来の液晶表示装置に比べ
数々の利点を有し、又格段の効果を示すものである。
以下、本発明の液晶表示装置を図面を参照し乍ら詳細に
説明する。
説明する。
第1図は、本発明の液晶表示装置の基本的構成を示すブ
ロック図で、電池部0)、高圧電源部(1)、液晶セル
(1)、駆動回路部(IV)から構成されている。但し
、同図に於いては液晶セル(菖)は一方の基板面に設け
られる層が抵抗層3であり、他方の基板面に設けられる
層が導電層5の場合の結線状態で示しであるもので、勿
論5が抵抗層の場合(両基板面に設けられる層が共に抵
抗層の場合)には、後述するが、結線状態は当然第1図
とは異なるものである。
ロック図で、電池部0)、高圧電源部(1)、液晶セル
(1)、駆動回路部(IV)から構成されている。但し
、同図に於いては液晶セル(菖)は一方の基板面に設け
られる層が抵抗層3であり、他方の基板面に設けられる
層が導電層5の場合の結線状態で示しであるもので、勿
論5が抵抗層の場合(両基板面に設けられる層が共に抵
抗層の場合)には、後述するが、結線状態は当然第1図
とは異なるものである。
第2図は液晶セル(1)の基本的構成の一例を示すもの
である。1は第1の偏光板、2は第1の基板、3は該基
板2上に形成された抵抗層、4は電界効果を示すネマチ
ック液晶が充填される空間、6は第2の基板、5は基板
6上に形成された導電層又は抵抗層、7は第2の偏光板
である。
である。1は第1の偏光板、2は第1の基板、3は該基
板2上に形成された抵抗層、4は電界効果を示すネマチ
ック液晶が充填される空間、6は第2の基板、5は基板
6上に形成された導電層又は抵抗層、7は第2の偏光板
である。
第2図に於いては液晶セル(1)は透過型の場合を示し
であるが、反射型液晶セルとする場合には偏光板7の後
方位に拡散反射板が設けられるものである。
であるが、反射型液晶セルとする場合には偏光板7の後
方位に拡散反射板が設けられるものである。
第3図(a)は基板2の平面図で、基板2上に抵抗層3
が形成され、該抵抗層3の少なくとも二つの分離した領
域に良導電性電極部(端子電極)3 a + 3 bが
形成されている。
が形成され、該抵抗層3の少なくとも二つの分離した領
域に良導電性電極部(端子電極)3 a + 3 bが
形成されている。
第3図(1))は基板6の平面図であり、基板6上には
5の導電層又は抵抗層が形成されていて、少なくとも一
つの良導電性電極部(端子電極)5aを有している。液
晶セル(冨)はこれ等二枚のチック液晶を挟持し、前記
端子電極を外部回路と接続可能な状態(第3図(C):
同図に於いては液晶セルは模式的に示してあり、3が基
板2上の抵抗層、5が基板6上の導電層を表わす)にし
て密封シールして成るものである。
5の導電層又は抵抗層が形成されていて、少なくとも一
つの良導電性電極部(端子電極)5aを有している。液
晶セル(冨)はこれ等二枚のチック液晶を挟持し、前記
端子電極を外部回路と接続可能な状態(第3図(C):
同図に於いては液晶セルは模式的に示してあり、3が基
板2上の抵抗層、5が基板6上の導電層を表わす)にし
て密封シールして成るものである。
この様な三端子も’&成の液晶セル(1)は、第1図に
示す様に高圧電源部(II)及び駆動回路部(rV)と
接続される。
示す様に高圧電源部(II)及び駆動回路部(rV)と
接続される。
本発明の液晶表示装置に於ける基本的駆動方法は抵抗層
3に電位分布を附与し、抵抗層3と5の導電層又は抵抗
層との間に′1ニ位差が生じる様、電圧印加し、抵抗層
3と5の導電層又は抵抗層との間の電位差を異ならせて
電位差分布を与え、該電位差分布内の前記液晶の電気光
学的閾値を越え/筐い電位差領域で目的とされる表示を
行なう様、調整された電圧の附与に基づくものであり、
本発明の液晶表示装置は該方法を全ての面に於いて極め
て効率良く実現し得る表示装置である。
3に電位分布を附与し、抵抗層3と5の導電層又は抵抗
層との間に′1ニ位差が生じる様、電圧印加し、抵抗層
3と5の導電層又は抵抗層との間の電位差を異ならせて
電位差分布を与え、該電位差分布内の前記液晶の電気光
学的閾値を越え/筐い電位差領域で目的とされる表示を
行なう様、調整された電圧の附与に基づくものであり、
本発明の液晶表示装置は該方法を全ての面に於いて極め
て効率良く実現し得る表示装置である。
第4図2第5図は本発明の液晶表示装置に用いる液晶セ
ル(I)の電気光学的特性の一例を説明するための図で
ある。第4,5図に於いて横軸は電圧、縦軸は透過光量
を示す。第4図は電界効果ネジレ配向液晶(以下TN効
果と略す)を用いた特性で、第5図は電界効果垂i′F
T、配向液晶(以下1) A P効果と略す)の特性で
ある。TN効果の特性は白色光D A−P効果によるも
のはλ1゜λ2.λ3の三つの波長による単色光で測定
したものである。各々電気光学的変調の生じはじめる電
圧を閾値電圧としVthで示しである。TN効果は■が
1〜3Voet程度と低(f) A P効果では3〜6
Vogt稈度で共にJ)8M効果の8〜15Voetに
比較して充分に低い閾値電圧を有している。この他、低
閾値特性を示す電界効果には、T N 、 i) A
I)効果を変形したものがあり、これ等は液晶の配向に
対する変形や、偏光板等を用いた表示検出方法の変形に
於いて成されたものである。又、二色性色素を液晶層中
に添加し、偏光板を用いずに配向変化による色変化を直
接識別できる方法もある。
ル(I)の電気光学的特性の一例を説明するための図で
ある。第4,5図に於いて横軸は電圧、縦軸は透過光量
を示す。第4図は電界効果ネジレ配向液晶(以下TN効
果と略す)を用いた特性で、第5図は電界効果垂i′F
T、配向液晶(以下1) A P効果と略す)の特性で
ある。TN効果の特性は白色光D A−P効果によるも
のはλ1゜λ2.λ3の三つの波長による単色光で測定
したものである。各々電気光学的変調の生じはじめる電
圧を閾値電圧としVthで示しである。TN効果は■が
1〜3Voet程度と低(f) A P効果では3〜6
Vogt稈度で共にJ)8M効果の8〜15Voetに
比較して充分に低い閾値電圧を有している。この他、低
閾値特性を示す電界効果には、T N 、 i) A
I)効果を変形したものがあり、これ等は液晶の配向に
対する変形や、偏光板等を用いた表示検出方法の変形に
於いて成されたものである。又、二色性色素を液晶層中
に添加し、偏光板を用いずに配向変化による色変化を直
接識別できる方法もある。
本発明の表示装置はこれ等低閾値特性を有する液晶表示
方式の全てに適甫され得るものであるが現在知られてい
る液晶表示方式では最も低い閾値を有するTN効果に殊
に有効な表示装置である。
方式の全てに適甫され得るものであるが現在知られてい
る液晶表示方式では最も低い閾値を有するTN効果に殊
に有効な表示装置である。
第6図(a)は第2図中の抵抗層3の表示面の長辺方向
eを横軸に、電圧を縦軸に取って、第3図AB間の電圧
が均一な抵抗層3によって生ずる電位分布を直線ABに
よって示したものである。
eを横軸に、電圧を縦軸に取って、第3図AB間の電圧
が均一な抵抗層3によって生ずる電位分布を直線ABに
よって示したものである。
一方第3図の5が抵抗層3に比べて十分低い抵抗を有す
る低抵抗層又は導電層からhDる場合には附4 Uた電
圧はeの位置によって?(を圧の変化かないからOC′
の水平な直線で示される。液晶セル(N)内に生ずる電
圧分布は直線ABと直線007間で表わされ、第6図に
於いては数本の矢印を以って示しであるものであるが実
際に於いては電圧分布は連続的なものである。
る低抵抗層又は導電層からhDる場合には附4 Uた電
圧はeの位置によって?(を圧の変化かないからOC′
の水平な直線で示される。液晶セル(N)内に生ずる電
圧分布は直線ABと直線007間で表わされ、第6図に
於いては数本の矢印を以って示しであるものであるが実
際に於いては電圧分布は連続的なものである。
本発明に採用される液晶の電気光学的特性には極性(±
)(方向性)がなく、従ってその閾値は00’を中心に
±vthの巾、即ち2Vthの帯状領域を考え、電位差
を示す矢印が該領域に入る領域であるeI、eI′内で
は電気光学的変調を生しない。
)(方向性)がなく、従ってその閾値は00’を中心に
±vthの巾、即ち2Vthの帯状領域を考え、電位差
を示す矢印が該領域に入る領域であるeI、eI′内で
は電気光学的変調を生しない。
第6図(b)はこの様な場合の表示状態を示したもので
四角に囲った全表示領域に対し、e、 、 I!、’に
相当する非変調領域(1)が表示部を示すものである。
四角に囲った全表示領域に対し、e、 、 I!、’に
相当する非変調領域(1)が表示部を示すものである。
この様に本発明では液晶の閾値を越えない領域(1)に
対し閾値を越える領域(It)を充分大きくすることで
見掛上点状や線状の表示を与えることができるものであ
る。
対し閾値を越える領域(It)を充分大きくすることで
見掛上点状や線状の表示を与えることができるものであ
る。
即ち、本発明の液晶表示装置はA 8間の電位勾配変化
(直、14ABの勾配で示される)やCの電位レベル変
化(直線OC′の上下移動で示される)によって全表示
領域内で任意の位置に任意の線+11で無段階的に表示
できる。即ち完全なアナログ表示ができるものである。
(直、14ABの勾配で示される)やCの電位レベル変
化(直線OC′の上下移動で示される)によって全表示
領域内で任意の位置に任意の線+11で無段階的に表示
できる。即ち完全なアナログ表示ができるものである。
第7図(a)は前述第6図A、 8間の電位勾配を変化
させた時の図を示し、これによって変化した表示を第7
図(b)によって示したものである。添字1,2.3に
従って電位勾配が小さくなる。この時の表示は電位勾配
が大きいイ屋、非変調領域が小さくなり、線[1]が狭
くなってくる。第8図(a)は前述AB間の電位勾配を
一定とし、Cの電位レベルを変化させた時の表示を同図
(1))で示したものである。
させた時の図を示し、これによって変化した表示を第7
図(b)によって示したものである。添字1,2.3に
従って電位勾配が小さくなる。この時の表示は電位勾配
が大きいイ屋、非変調領域が小さくなり、線[1]が狭
くなってくる。第8図(a)は前述AB間の電位勾配を
一定とし、Cの電位レベルを変化させた時の表示を同図
(1))で示したものである。
このように応用に際して、基本動作では、電位分布を附
与する信号と、電位レベルを附与する信号を独立に、又
は両者を併用して用いることができ、位置、巾を単独に
表示したり、両者を同時に表示変化させることによって
、ある種の機能的な表示を与えることができる。例えば
位置の表示に於いてラジオの受信周波数表示を与え、表
示[[コによって送信周波数に対する受信周波数の同調
を表示する如きものも考えられる。
与する信号と、電位レベルを附与する信号を独立に、又
は両者を併用して用いることができ、位置、巾を単独に
表示したり、両者を同時に表示変化させることによって
、ある種の機能的な表示を与えることができる。例えば
位置の表示に於いてラジオの受信周波数表示を与え、表
示[[コによって送信周波数に対する受信周波数の同調
を表示する如きものも考えられる。
又、分光器に於いて分光された光の中心波長を位置で表
示し、その帯域中を線rljで表示する等様々な利用方
法が考えられる。
示し、その帯域中を線rljで表示する等様々な利用方
法が考えられる。
本発明で採用される電気光学効果に就では、前述したが
、ここで要約すれば電界効果型液晶を用い液晶分子の有
するダイポールモーメントが電界に応じて初期の配列状
部から変化するのを良く知られた結晶光学的検出方法等
によって電界印加部分と非電昇印加部分とを識別して成
るものである。従って、前述の光学的検出手段としては
偏光板の使用が最も簡単である。本発明に於いては、偏
光板は見掛上のコントラストや明るさ等の観点からの見
易さによって1lPa時選択決定されることを除けば殊
に限定されるものではない。例えば第1の偏光板1及び
第2の偏光!M、7は直線偏光板を採用することができ
る。
、ここで要約すれば電界効果型液晶を用い液晶分子の有
するダイポールモーメントが電界に応じて初期の配列状
部から変化するのを良く知られた結晶光学的検出方法等
によって電界印加部分と非電昇印加部分とを識別して成
るものである。従って、前述の光学的検出手段としては
偏光板の使用が最も簡単である。本発明に於いては、偏
光板は見掛上のコントラストや明るさ等の観点からの見
易さによって1lPa時選択決定されることを除けば殊
に限定されるものではない。例えば第1の偏光板1及び
第2の偏光!M、7は直線偏光板を採用することができ
る。
直線偏光板は偏光度と透過率の異なる種々の製品が市販
されており容易に面も安価に入手され得るものである。
されており容易に面も安価に入手され得るものである。
その代表的なものはアセテート等のベースフィルムと沃
素を配向させて処理したP V Aフィルムとをラミネ
ートした偏光板であり、これは極めて容易に安価で入手
され得る。これ等の偏光板の配置(偏光面)はTN効果
セルでは第2図の図中に示した矢印によって示される。
素を配向させて処理したP V Aフィルムとをラミネ
ートした偏光板であり、これは極めて容易に安価で入手
され得る。これ等の偏光板の配置(偏光面)はTN効果
セルでは第2図の図中に示した矢印によって示される。
偏光板1上の矢印は、該偏光板の偏光面を抵抗層3上の
点線の突印は、該抵抗層面−ヒの液晶分子の配向方向を
、5上の矢印は前記抵抗層3と対向する層5面上の液晶
分子の配向方向を示すもので、このu釘に充填された液
晶分子は二つの点線で示した矢印のなす角度内で徐々に
捩れた配列をなすものである。偏光板7上の矢印は、該
偏光板の偏光面を表わすものである。この偏光板7は液
晶セルから出た光を検出するものである。第2図に於い
ては液晶分子の配向が90°捩された状態になっている
。
点線の突印は、該抵抗層面−ヒの液晶分子の配向方向を
、5上の矢印は前記抵抗層3と対向する層5面上の液晶
分子の配向方向を示すもので、このu釘に充填された液
晶分子は二つの点線で示した矢印のなす角度内で徐々に
捩れた配列をなすものである。偏光板7上の矢印は、該
偏光板の偏光面を表わすものである。この偏光板7は液
晶セルから出た光を検出するものである。第2図に於い
ては液晶分子の配向が90°捩された状態になっている
。
第2図に於いて紙面上部から入射光Ioは偏光板1の偏
光面に従って偏光面を揃え、抵抗層3から層5の間の液
晶層内を通過する際液晶分子の捩れ配向に応じた角度だ
け偏光面を回転させて第2の偏光板7に入射する。今こ
の時の偏光面と偏光板の偏光面とが90 を成すと、
入射光Ioはここで遮断され、紙面下方の観測者は暗状
態にて識別する。液晶セルに電界が印加されると、液晶
分子はその長軸方向を基板面に対して垂直にして配向し
、この時は入射光■0に対して液晶は等方面であるので
入射光の偏光面の回転は生じない。
光面に従って偏光面を揃え、抵抗層3から層5の間の液
晶層内を通過する際液晶分子の捩れ配向に応じた角度だ
け偏光面を回転させて第2の偏光板7に入射する。今こ
の時の偏光面と偏光板の偏光面とが90 を成すと、
入射光Ioはここで遮断され、紙面下方の観測者は暗状
態にて識別する。液晶セルに電界が印加されると、液晶
分子はその長軸方向を基板面に対して垂直にして配向し
、この時は入射光■0に対して液晶は等方面であるので
入射光の偏光面の回転は生じない。
従って1と7の二枚の偏光板の偏光方向が平行であれば
光は透過し、前述の無印加状態の時に対して明状態とし
て識別できる。
光は透過し、前述の無印加状態の時に対して明状態とし
て識別できる。
この差は二枚の偏光板の偏光方向が平行と直交に配置し
た時の差に対応している。これに対し一方の偏光板だけ
を90’回転させる、即ち、る。
た時の差に対応している。これに対し一方の偏光板だけ
を90’回転させる、即ち、る。
DAP効果を用いたものは電界無印加状態で、液晶分子
は二枚の基板面に対して垂直に配列していて等方性状態
であり、電界印加時は異方性状態となり、TN効果と対
称的関係で明暗表示変化を生じさせることができる。
は二枚の基板面に対して垂直に配列していて等方性状態
であり、電界印加時は異方性状態となり、TN効果と対
称的関係で明暗表示変化を生じさせることができる。
次に、これ等明・暗表示に対して色表示する方法に就で
述べる。
述べる。
色表示する場合には一方の直線偏光板のがわりに円偏光
板を用いるものである。円偏光板は直線偏光板に÷波長
板を検層したもので、液晶セルの変調、非変調領域を通
過した偏光の位イ1差の波長依存度がら二色の色表示を
可能にするものである。又色表示を行なう別法は第1図
中に示したTNセルで分子配列方向に対し偏光板を互イ
ニ45°ずつ一方向に回転させることによって最も効率
よく色を出すことができる。DAP効果では電界による
分子の傾きが序々に変化する傾向が強く、第5図に示し
た如く、単色光によってその特性を示したように波長に
よって電圧特性が異なるところから、閾値近傍又は変調
と非変調境界領域では色の縞模様を生じ易い。
板を用いるものである。円偏光板は直線偏光板に÷波長
板を検層したもので、液晶セルの変調、非変調領域を通
過した偏光の位イ1差の波長依存度がら二色の色表示を
可能にするものである。又色表示を行なう別法は第1図
中に示したTNセルで分子配列方向に対し偏光板を互イ
ニ45°ずつ一方向に回転させることによって最も効率
よく色を出すことができる。DAP効果では電界による
分子の傾きが序々に変化する傾向が強く、第5図に示し
た如く、単色光によってその特性を示したように波長に
よって電圧特性が異なるところから、閾値近傍又は変調
と非変調境界領域では色の縞模様を生じ易い。
TN効果でも類似した現象はあるが、この効果は閾値特
性が小さい程小さくなるので左程問題は生せず、面も本
発明の表示方法では無視し得る程度のもので実用上問題
は起らない。
性が小さい程小さくなるので左程問題は生せず、面も本
発明の表示方法では無視し得る程度のもので実用上問題
は起らない。
円偏光板を用いたり、偏光面を45°ずらせた配置の偏
光板を用いた場合、二枚の基板が非平行配置されたセル
では表示位置によって表示色が異なる、同時多色表示が
可能である。
光板を用いた場合、二枚の基板が非平行配置されたセル
では表示位置によって表示色が異なる、同時多色表示が
可能である。
更に本質的な色表示ではないが、カラー偏光板やカラー
フィルターを用いることによっても明状態の透過光によ
って色表示を行なうことができ、前述と類似の効果を得
ることができる。
フィルターを用いることによっても明状態の透過光によ
って色表示を行なうことができ、前述と類似の効果を得
ることができる。
これ等偏光板を用いて表示を行なう場合の補助手段とし
ては、表示を読み取る時の状況に応じて透過、反射、投
影の各方法に加え、照明、採光等の手段を附加しても良
い。
ては、表示を読み取る時の状況に応じて透過、反射、投
影の各方法に加え、照明、採光等の手段を附加しても良
い。
透過型では外光等、セル背面の光をセル前面より見易く
するために、拡散透過板をセル背面に設ければ一層効果
的である。又、観測者側より外光や照明光が入射する場
合には、セル背面に拡散反射板を設ける方法(反射型)
が一層効果的且つ有効である。
するために、拡散透過板をセル背面に設ければ一層効果
的である。又、観測者側より外光や照明光が入射する場
合には、セル背面に拡散反射板を設ける方法(反射型)
が一層効果的且つ有効である。
更にセル背面に照明光源を設は直線又は光学系(レンズ
系)を介して透過型スクリーン又は反射型スクリーン上
に投影表示する方法も適時採用される。基板2及び6と
しては導電層や抵抗層形成可能な基板材料が使用され、
通常は透明基板材料が使用されるものであるが反射型液
晶セルの場合には少なくと°もセル110面の基板が透
明であれば良いもので二枚共透明であること平面性に優
れていることからガラスが一般的であるがその他透明、
半透明、不透明セラミック、石芙、プラスチック等が使
用される。
系)を介して透過型スクリーン又は反射型スクリーン上
に投影表示する方法も適時採用される。基板2及び6と
しては導電層や抵抗層形成可能な基板材料が使用され、
通常は透明基板材料が使用されるものであるが反射型液
晶セルの場合には少なくと°もセル110面の基板が透
明であれば良いもので二枚共透明であること平面性に優
れていることからガラスが一般的であるがその他透明、
半透明、不透明セラミック、石芙、プラスチック等が使
用される。
本発明に使用される液晶としては、本発明の液晶表示装
置に適う液晶であれば全て採用することができるもので
あるが殊にT N効果、DAP効果を示すネマチック液
晶が好適である。
置に適う液晶であれば全て採用することができるもので
あるが殊にT N効果、DAP効果を示すネマチック液
晶が好適である。
TN用液晶としては、液晶分子のダイポールモーメント
が液晶分子の長ti4h方向にある正の誘電的異方性を
持つネマチック液晶(Np液晶と略記する)が用いられ
る。この種の液晶には、組成物とした場合に組成物が結
果的に正の誘電的異方性を有すれば良いものであるから
、他の効果を附加する意味で負の誘電異方性物質を混入
したり、配向を助ける添加剤を混入し、でも差支えない
。
が液晶分子の長ti4h方向にある正の誘電的異方性を
持つネマチック液晶(Np液晶と略記する)が用いられ
る。この種の液晶には、組成物とした場合に組成物が結
果的に正の誘電的異方性を有すれば良いものであるから
、他の効果を附加する意味で負の誘電異方性物質を混入
したり、配向を助ける添加剤を混入し、でも差支えない
。
本発明に使用される好ましい正のAIHTu的異方性を
示す液晶としては、シッフ基糸、−エステル系、アゾ系
、アゾキシ系、ビフェニル系の液晶から選択される。そ
の代表的なものを吹に列挙する。
示す液晶としては、シッフ基糸、−エステル系、アゾ系
、アゾキシ系、ビフェニル系の液晶から選択される。そ
の代表的なものを吹に列挙する。
ト0OII = N +ON
但し肋0nHzn+ s COO−2≦n≦8OnH2
n++ −1≦n≦8 0nHzn+ t O−3≦11≦8 RつN=UH@−ON 但しR:0nHzn+x −1≦n≦80nH2n+*
0− 1 ≦n≦8但しR:0n
H2n+t −4≦n≦90nH2n+sO−5≦n≦
9 0nl−1zn+x’ COO−4≦n≦70nH2n
+so 000− 5≦n≦7但し R:0nH2
n+1− 4≦n≦80nH2n+ 10
− 5≦n≦81しつCOO−く区=Σ
)aoo@、tも2R,()(殖ON 但しR:0n142n+t −4≦n≦90nH2n+
10− 4≦n≦8但し几:0nH2
n+x 4≦n≦8これ等の液晶は
単体で使用され得るのみならず所望の電気光学的特性や
ネマチック液晶温度範囲、寿命等を得る目的で適宜選択
混合される。
n++ −1≦n≦8 0nHzn+ t O−3≦11≦8 RつN=UH@−ON 但しR:0nHzn+x −1≦n≦80nH2n+*
0− 1 ≦n≦8但しR:0n
H2n+t −4≦n≦90nH2n+sO−5≦n≦
9 0nl−1zn+x’ COO−4≦n≦70nH2n
+so 000− 5≦n≦7但し R:0nH2
n+1− 4≦n≦80nH2n+ 10
− 5≦n≦81しつCOO−く区=Σ
)aoo@、tも2R,()(殖ON 但しR:0n142n+t −4≦n≦90nH2n+
10− 4≦n≦8但し几:0nH2
n+x 4≦n≦8これ等の液晶は
単体で使用され得るのみならず所望の電気光学的特性や
ネマチック液晶温度範囲、寿命等を得る目的で適宜選択
混合される。
DAP用の液晶としては、負の誘電的異方性を有するネ
マグーツク液晶(Nn液晶と略記する)が用いられる。
マグーツク液晶(Nn液晶と略記する)が用いられる。
更にこれ等のn1成物とした場合に、組成物が結果的に
負の、!8電的異方性を示せば良・いものであるから、
この種の液晶に、他の効果を附与する目的で他の添加剤
を混合しても良い。その代表的なものを以下に列挙する
。
負の、!8電的異方性を示せば良・いものであるから、
この種の液晶に、他の効果を附与する目的で他の添加剤
を混合しても良い。その代表的なものを以下に列挙する
。
几l −ぐ〒シ←ott = N + )も2これ笠の
液晶は単体のみで使用されるばかシではなく所望せる電
気光学的特性・液晶温度範囲及びその他の特性を得る目
的で混合1史用されるものである。
液晶は単体のみで使用されるばかシではなく所望せる電
気光学的特性・液晶温度範囲及びその他の特性を得る目
的で混合1史用されるものである。
尚、不発明で1史用されるTN用液晶組成物としてはネ
マチック液晶温度1jα囲が広く、動作寿命が長く安定
であることが基本的条件であるが、Q:jに低量特性を
有するものが好適に使用され得る。この意味から、TN
用液晶としては誘電異方性の大きいもの、即ち分子軸方
向のダイポールモーメントの大きいものが好ましいもの
である。
マチック液晶温度1jα囲が広く、動作寿命が長く安定
であることが基本的条件であるが、Q:jに低量特性を
有するものが好適に使用され得る。この意味から、TN
用液晶としては誘電異方性の大きいもの、即ち分子軸方
向のダイポールモーメントの大きいものが好ましいもの
である。
抵抗層3としては、例えばIn2α+ SnO2+ S
iO+S io2. ZrtOs * Tidy 、
Fet Os r Cot’s r Cr2O5l
CdO+Y、08等の金属酸化物が好ましい材料として
1史用される。又、必要に応じてその導電性金高める目
的で、純度を^めたシ、ドーピングを行なうことも有効
でちる。前記の金属酸化物の大半はn型半導体の特性を
示すので、高い抵抗値のものを得るためには、これ等の
物質のアクセプターに相当するドーパントを添加、即ち
例えばI n20sに対してはCd 、 Zn 、 H
g等を添加すると有効な場合がある。
iO+S io2. ZrtOs * Tidy 、
Fet Os r Cot’s r Cr2O5l
CdO+Y、08等の金属酸化物が好ましい材料として
1史用される。又、必要に応じてその導電性金高める目
的で、純度を^めたシ、ドーピングを行なうことも有効
でちる。前記の金属酸化物の大半はn型半導体の特性を
示すので、高い抵抗値のものを得るためには、これ等の
物質のアクセプターに相当するドーパントを添加、即ち
例えばI n20sに対してはCd 、 Zn 、 H
g等を添加すると有効な場合がある。
又、詳述する迄もなく、抵抗層3の抵抗値は膜厚によつ
−Cも制も叩でき、更には被膜化の条件、例えば熱処理
条件等によっても抵抗値が調整され得るものであるから
所望に応じて;la時材料及び成膜条件が選択されるも
のである。
−Cも制も叩でき、更には被膜化の条件、例えば熱処理
条件等によっても抵抗値が調整され得るものであるから
所望に応じて;la時材料及び成膜条件が選択されるも
のである。
更には、耐久性、被膜性、透明性、#Y・清快等の観点
からも選択され?!7るものである。
からも選択され?!7るものである。
又、抵抗層形成材料としては透光性有機半導体を用いる
こともでき、例えば良く知られたアントラセン、ポリビ
ニルカルバゾール等が使用され得る。これ等は液晶に悪
影響ケ与えない様なものを選択することはいうまでもな
い。
こともでき、例えば良く知られたアントラセン、ポリビ
ニルカルバゾール等が使用され得る。これ等は液晶に悪
影響ケ与えない様なものを選択することはいうまでもな
い。
更に、Nえはポリビニルピレン、ポリビニルアクリジン
、ポリビニルアントラセン等は被膜性があり好ましいも
のである。
、ポリビニルアントラセン等は被膜性があり好ましいも
のである。
尚、以上の有機、無機材料で形成された被膜抵抗層の抵
抗値は比較的高いものが好オしい。
抗値は比較的高いものが好オしい。
則ち、抵抗層に印加される電圧によって電流が流れ、こ
れが所謂ジュール熱の発生を起し、液晶の動作温度以上
に熱上昇を引き起す場合がある点と、消失1J(力が大
きくなる点とからである。
れが所謂ジュール熱の発生を起し、液晶の動作温度以上
に熱上昇を引き起す場合がある点と、消失1J(力が大
きくなる点とからである。
この意味から抵抗層3の抵抗値としては端子間で通常1
0にΩ〜100MΩの範囲で使用される。
0にΩ〜100MΩの範囲で使用される。
又、5を抵抗値とする場合は、抵抗層5の材料及び条件
等は抵抗層3と同様である。更に5を導電層とする場合
には5n02 、 In2O5等の導電性金属酸化膜又
はAu 、 At* Ag等の金属薄膜が採用される。
等は抵抗層3と同様である。更に5を導電層とする場合
には5n02 、 In2O5等の導電性金属酸化膜又
はAu 、 At* Ag等の金属薄膜が採用される。
これ等、抵抗層及び導電層の面積は駆動する周波数に応
じて容量全考慮してその大小を変化させる等の工夫が必
要である。又、同時に容量の大きさに関しては対極間の
距離を変化させて容量変化させることもできる、。
じて容量全考慮してその大小を変化させる等の工夫が必
要である。又、同時に容量の大きさに関しては対極間の
距離を変化させて容量変化させることもできる、。
又、更に附記するならば5を導電層とする場合には、抵
抗層3に比して相対的に低い抵抗値のものを用いるだけ
で本質的な材料での差よシ低抵抗1直の材料から選択さ
れ得るものである。
抗層3に比して相対的に低い抵抗値のものを用いるだけ
で本質的な材料での差よシ低抵抗1直の材料から選択さ
れ得るものである。
従って、前記物質及び通常の製造伯仲では所望する導電
層(低抵抗層)が得られない場合には、非常に薄膜化し
た金属膜やドーノシンドとしてドナーとなる添加物、し
1]えばIntO*に対するSb。
層(低抵抗層)が得られない場合には、非常に薄膜化し
た金属膜やドーノシンドとしてドナーとなる添加物、し
1]えばIntO*に対するSb。
Bi、As、P等をり」;ミ加1吏用することは有効で
ある。
ある。
3a、3b、5aに於ける、良否tL性物質で形成され
る端子電極は、外部との電気接続に適し、前記抵抗層や
導電層に所望の電圧分布を附与するために設けられるも
ので、これは3,5の抵抗層や導電層をそのまi延長し
て用いる場合もあるが端子電極3813b l Saの
抵抗値が篩い場合には外部との電気接続の位置や接触面
積等による3又は5への印加電圧の不均一さを生ずる恐
れもあるので、その場合には目的とする電圧分布が得ら
れる様、別種の材料が用いられる。
る端子電極は、外部との電気接続に適し、前記抵抗層や
導電層に所望の電圧分布を附与するために設けられるも
ので、これは3,5の抵抗層や導電層をそのまi延長し
て用いる場合もあるが端子電極3813b l Saの
抵抗値が篩い場合には外部との電気接続の位置や接触面
積等による3又は5への印加電圧の不均一さを生ずる恐
れもあるので、その場合には目的とする電圧分布が得ら
れる様、別種の材料が用いられる。
又、リード線接続や端子の電気的接触をより完全にする
目的で良尋電性材料を処理する場合もある。これは前述
の抵抗層、導電層形成材料の他に各種金属、例えばAA
、Ni 、Cr、Au、Ag、Cu等を単独又は合金と
して、或いは積層等に19i用される。又3a、3b、
5aには導電性ペイント、ノ1ンダ附、導電性接着剤を
リード線接着を兼ねて用いることもできる。不発明に1
史用される液晶セルの製造方法としては所定の基板上に
形成された抵抗層と、その対極に形成された導電層又は
抵抗層と全所定のスベーザー厚で挾持し、周囲をシール
して設けられた空隙に注入口(刊気口)を通して液晶を
圧入、吸引2毛管現象等を利用して充填し、後封孔、ソ
ールして作る方法が一般的である。
目的で良尋電性材料を処理する場合もある。これは前述
の抵抗層、導電層形成材料の他に各種金属、例えばAA
、Ni 、Cr、Au、Ag、Cu等を単独又は合金と
して、或いは積層等に19i用される。又3a、3b、
5aには導電性ペイント、ノ1ンダ附、導電性接着剤を
リード線接着を兼ねて用いることもできる。不発明に1
史用される液晶セルの製造方法としては所定の基板上に
形成された抵抗層と、その対極に形成された導電層又は
抵抗層と全所定のスベーザー厚で挾持し、周囲をシール
して設けられた空隙に注入口(刊気口)を通して液晶を
圧入、吸引2毛管現象等を利用して充填し、後封孔、ソ
ールして作る方法が一般的である。
スペーサーとして、マイラーやポリエステルフィルム等
の他、種々のフィルム、形状力均一なガラスファイバー
やガラス球、又シール剤そのものを用いて基板間の厚さ
く液晶層の厚さ)を保持したり、又はガラス基板の一方
をガラスエツチングによって凹面加工して所定厚さを得
る等の手段が用いられる。
の他、種々のフィルム、形状力均一なガラスファイバー
やガラス球、又シール剤そのものを用いて基板間の厚さ
く液晶層の厚さ)を保持したり、又はガラス基板の一方
をガラスエツチングによって凹面加工して所定厚さを得
る等の手段が用いられる。
シール剤としては有機接着、剤、有機接着ソート、ガラ
スフラットを用いるガラスシール、ガラスハンダ等の金
属シールが密着性、気密性。
スフラットを用いるガラスシール、ガラスハンダ等の金
属シールが密着性、気密性。
信頼性の観点で好適なものとして選択される。
又、液晶セル全体を透明プラスチック等でモールドシー
ルすることも可能である。
ルすることも可能である。
電界効果液晶セルでは液晶分子を所定の分子配列にして
置くことが必要であシ、TNでは基板境界面で液晶分子
が基板面にその長袖を平行に而も一方向に配列させる必
要がある。該配列は基板面に物理的、化学的又は両者の
配向処理を施こすことによって成される。配向の生ずる
正確な機構は末だ不明確な点であって詳細に説明し得る
ものではないが、物理的配向は、液晶の接する面上の微
細な均−一定方向の溝に分子が弾性力学的挙動によって
、そあ溝方向に細長い液晶分子が配列して生ずるものと
推察されるもので、液晶分子を配向させるには、基板等
の液晶分子の接する面上を様械的に一方向に擦したり、
又は面に対して斜め方向から配向剤を蒸着して蒸着膜の
結晶成長方向に応じて一定方向の溝を形成する等の手段
がある。この様な手段は抵抗層導電層が直接担うことも
できるが、これ等の層上に更に別種の配向層を設けるこ
とも有効である。又基板面上に比+1夕的前記溝を形成
し易い贋金形成し、この層表面を接する等して溝を形成
する方法もある。
置くことが必要であシ、TNでは基板境界面で液晶分子
が基板面にその長袖を平行に而も一方向に配列させる必
要がある。該配列は基板面に物理的、化学的又は両者の
配向処理を施こすことによって成される。配向の生ずる
正確な機構は末だ不明確な点であって詳細に説明し得る
ものではないが、物理的配向は、液晶の接する面上の微
細な均−一定方向の溝に分子が弾性力学的挙動によって
、そあ溝方向に細長い液晶分子が配列して生ずるものと
推察されるもので、液晶分子を配向させるには、基板等
の液晶分子の接する面上を様械的に一方向に擦したり、
又は面に対して斜め方向から配向剤を蒸着して蒸着膜の
結晶成長方向に応じて一定方向の溝を形成する等の手段
がある。この様な手段は抵抗層導電層が直接担うことも
できるが、これ等の層上に更に別種の配向層を設けるこ
とも有効である。又基板面上に比+1夕的前記溝を形成
し易い贋金形成し、この層表面を接する等して溝を形成
する方法もある。
又、化学的には液晶の分子に対して親和力の大きい物質
金円いて基板上に配向層を形成して該層表面を擦する等
、の配列効果を出し得る処理を施こして液晶分子が接触
した面で自然に配向する様にするものである。
金円いて基板上に配向層を形成して該層表面を擦する等
、の配列効果を出し得る処理を施こして液晶分子が接触
した面で自然に配向する様にするものである。
この鍾の効果ケもたらすものに、各種の界面活性剤、ポ
リマー、表面処理剤等がある。又対向基板間での捩れを
均一化する目的で対向基板間での配向角度に90°以下
に保った9、厚さの制御をし、飾光性物質を液晶中に添
加する等の補助的手段が講じられる。
リマー、表面処理剤等がある。又対向基板間での捩れを
均一化する目的で対向基板間での配向角度に90°以下
に保った9、厚さの制御をし、飾光性物質を液晶中に添
加する等の補助的手段が講じられる。
DAPでは液晶分子がその長袖を基板面に垂直な配向を
する様にする必をがあυ、該配列は、基板表面の清浄化
や酸、アへカリ処理、更には抵抗層や導電層上に更に金
属酸化物を蒸着した。
する様にする必をがあυ、該配列は、基板表面の清浄化
や酸、アへカリ処理、更には抵抗層や導電層上に更に金
属酸化物を蒸着した。
す、界面活性剤、その他の表面処理剤全前記層上に塗布
したシ又は液晶層中へ直ぐに配向剤を添加することによ
って垂直配向効果をもたらすことができる。
したシ又は液晶層中へ直ぐに配向剤を添加することによ
って垂直配向効果をもたらすことができる。
以上の様にして構成された液晶セルは前記偏光板、拡散
板フィルター及び照明、採光の補助的手段と共に、該セ
ルと一体的に固定したシ、接着することができ、又光路
中に各々適宜離散的に配置することによって用いること
もできる。
板フィルター及び照明、採光の補助的手段と共に、該セ
ルと一体的に固定したシ、接着することができ、又光路
中に各々適宜離散的に配置することによって用いること
もできる。
以上詳述した如くに構成される液晶セル0■は前述した
が第1図に示す如く高圧電源部(IL11駆動回路部(
財)と接続される。第1図のブロック図は液晶セルの二
枚の基板の対向面に設けられる層の一方が導電層(図で
は5)である場合の例である。高圧電源部(If)は液
晶セル(至)の抵抗層3に適当な電位勾配を与える為の
ものである。
が第1図に示す如く高圧電源部(IL11駆動回路部(
財)と接続される。第1図のブロック図は液晶セルの二
枚の基板の対向面に設けられる層の一方が導電層(図で
は5)である場合の例である。高圧電源部(If)は液
晶セル(至)の抵抗層3に適当な電位勾配を与える為の
ものである。
以下本発明液晶表示装置を具体例を挙げ乍ら詳述する。
第9図は本発明の液晶表示装置の実施形態の一例を示す
回路図である。
回路図である。
(1)は電池部、(II)は高圧電源部、(至)は液晶
セル、(財)は駆動回路部である。
セル、(財)は駆動回路部である。
第9図に於いては前述した様に液晶セル側の表示を細か
い帯状にするには抵抗層3の両端に印加する電圧は高い
程有利であるので高圧電源部(II)として電源部(1
)の直流電圧Eを適当な交流高電圧に昇圧する為のI)
C−ACインバータ(別名トランジスター型インパーク
)等の昇圧回路が示されている。該外圧回路の動作を簡
単に説明すると、例えば図示されているトランジスター
型インバータは基本的にはバイブレータによるインバー
タであり1、トランスの磁性拐料の飽和特性を利用して
トランジスターのスイッチ作用を持続させ、特定の直流
電圧がら任M1d圧、任意周波数の方形波の交流電圧全
トランスの二次側に取り田す回路である。該回路の詳細
な動作説明に就では、本発明の主旨から逸脱するのでこ
こでは省略する。
い帯状にするには抵抗層3の両端に印加する電圧は高い
程有利であるので高圧電源部(II)として電源部(1
)の直流電圧Eを適当な交流高電圧に昇圧する為のI)
C−ACインバータ(別名トランジスター型インパーク
)等の昇圧回路が示されている。該外圧回路の動作を簡
単に説明すると、例えば図示されているトランジスター
型インバータは基本的にはバイブレータによるインバー
タであり1、トランスの磁性拐料の飽和特性を利用して
トランジスターのスイッチ作用を持続させ、特定の直流
電圧がら任M1d圧、任意周波数の方形波の交流電圧全
トランスの二次側に取り田す回路である。該回路の詳細
な動作説明に就では、本発明の主旨から逸脱するのでこ
こでは省略する。
第9図に於いては駆動回路1部勃としては測光回路が採
用されるものでおり、例えば同図に示す様に直列に接続
された可変抵抗VRと光導電素子P、Cで構成され、該
測光回路の両端には液晶セル佃)の抵抗層3の両端に印
加される高圧の交流電圧が共通に印加され、光2.4電
素子P、Cと可変抵抗VRの中点は液晶セル(ト)のノ
、l¥電層5と図示しである様に接続される。
用されるものでおり、例えば同図に示す様に直列に接続
された可変抵抗VRと光導電素子P、Cで構成され、該
測光回路の両端には液晶セル佃)の抵抗層3の両端に印
加される高圧の交流電圧が共通に印加され、光2.4電
素子P、Cと可変抵抗VRの中点は液晶セル(ト)のノ
、l¥電層5と図示しである様に接続される。
この様に結線することで液晶セル(ト)の抵抗層3には
適当な電位勾配が与えられ、該抵抗層3に対向する導電
層5には測光回路(ト)の光導電素子P、Cが受光する
光の強弱に従ってその抵抗値ケ変化させるので受光強度
の変化を電圧レベルの変化として広い範囲で印加され、
測光値を細い帯状の表示として直線的に移動させること
が出来るものである。又、測光回路の可変抵抗VRf:
i化させると液晶セル(1111の表示する位置を任意
に変えることが可能で該可変抵抗VRの回転角に対する
抵抗値変化を対数的にすることによシ、該可変抵抗を例
えばカメラに於ける撮影情報としてのA’SA感度、ン
ヤソタースピード、場合によっては絞り情報等に用いる
ことが出来る。更に又、液晶セル価の抵抗層3の抵抗値
を対数的な分布にし、図のA、B間を対数自り電位勾配
とすれは、該液晶セル(Ill) l/)表示を対数表
示することも出来る。
適当な電位勾配が与えられ、該抵抗層3に対向する導電
層5には測光回路(ト)の光導電素子P、Cが受光する
光の強弱に従ってその抵抗値ケ変化させるので受光強度
の変化を電圧レベルの変化として広い範囲で印加され、
測光値を細い帯状の表示として直線的に移動させること
が出来るものである。又、測光回路の可変抵抗VRf:
i化させると液晶セル(1111の表示する位置を任意
に変えることが可能で該可変抵抗VRの回転角に対する
抵抗値変化を対数的にすることによシ、該可変抵抗を例
えばカメラに於ける撮影情報としてのA’SA感度、ン
ヤソタースピード、場合によっては絞り情報等に用いる
ことが出来る。更に又、液晶セル価の抵抗層3の抵抗値
を対数的な分布にし、図のA、B間を対数自り電位勾配
とすれは、該液晶セル(Ill) l/)表示を対数表
示することも出来る。
第10図(a) 、 (b) 、 (e) 、 (d)
は第9図の測光回路の別の実施形態及びその特性を示し
たものである。
は第9図の測光回路の別の実施形態及びその特性を示し
たものである。
第10図(a)は、光導電素子に三端子の光導電素子P
CI、PC7を用いたもので、該光導電素子pc、 、
pc、を直列に接続して元入力の対数値に対するP点
の電圧仙が直線的に変化する様に成したものであり可変
抵抗VR2は光導電素子Pctの光入力の低照度側の特
性を補償する為の抵抗である。
CI、PC7を用いたもので、該光導電素子pc、 、
pc、を直列に接続して元入力の対数値に対するP点
の電圧仙が直線的に変化する様に成したものであり可変
抵抗VR2は光導電素子Pctの光入力の低照度側の特
性を補償する為の抵抗である。
第10図(b)は、光導電素子PC+、PC2を並列に
接続した場合の別の実施形態であって目的効果は第10
図(a)の場合と略々同じである。ここで、該光導電素
子PC+ 、 Pctの明るさに対する動作を更に詳し
く説明する。第9甲に於いて、液晶セル[相]の導電層
5に印加される光導電素子PCと可変抵抗VRの分割点
の電圧は、該光導電素子PCの抵抗値が明るさの対数に
対してIf I’! i*糸宝この特性をカメラ用の広
帯域直線型露出計に適用するためには前記分割点の出力
電圧の直線性を更に広げる。ととが望ましい。このため
には、カメラ等に於いては複合型の光導電素子音用いる
例えば第10図(a) 、 (b)に示すものが採用さ
れる。該第10図(a) 、 (b)に於いて、pc、
は主に高輝度域を担当する光導電素子であり、PCzは
主に低輝度域を担当する該素子で、これらの素子を使用
すると、(d)図の如き拡大された直線的出力電圧ケ得
ることが出来る。通常、光導電素子PC1の抵抗値は、
光導電素子PC2のそれの10倍程度である。
接続した場合の別の実施形態であって目的効果は第10
図(a)の場合と略々同じである。ここで、該光導電素
子PC+ 、 Pctの明るさに対する動作を更に詳し
く説明する。第9甲に於いて、液晶セル[相]の導電層
5に印加される光導電素子PCと可変抵抗VRの分割点
の電圧は、該光導電素子PCの抵抗値が明るさの対数に
対してIf I’! i*糸宝この特性をカメラ用の広
帯域直線型露出計に適用するためには前記分割点の出力
電圧の直線性を更に広げる。ととが望ましい。このため
には、カメラ等に於いては複合型の光導電素子音用いる
例えば第10図(a) 、 (b)に示すものが採用さ
れる。該第10図(a) 、 (b)に於いて、pc、
は主に高輝度域を担当する光導電素子であり、PCzは
主に低輝度域を担当する該素子で、これらの素子を使用
すると、(d)図の如き拡大された直線的出力電圧ケ得
ることが出来る。通常、光導電素子PC1の抵抗値は、
光導電素子PC2のそれの10倍程度である。
この種の複合型光導電素子を用いれば、第10図(a)
、 (b)の可変抵抗VR,金、そのIO1転角に対
する抵抗値変化が対数的であるような可変抵抗と成すこ
とによシ、該可変抵抗V R+を流れる電流が、明るさ
の対数に対して直線的に変イヒするので、同図の2点よ
多分割出力を取り出し、該分割点の位置によシ、撮影情
報としてのASA感度、シャッター秒時、絞υ等の情報
値をリニアーに設定することが可能である。
、 (b)の可変抵抗VR,金、そのIO1転角に対
する抵抗値変化が対数的であるような可変抵抗と成すこ
とによシ、該可変抵抗V R+を流れる電流が、明るさ
の対数に対して直線的に変イヒするので、同図の2点よ
多分割出力を取り出し、該分割点の位置によシ、撮影情
報としてのASA感度、シャッター秒時、絞υ等の情報
値をリニアーに設定することが可能である。
第11図は第9図の変形実施形態であって、高圧電源部
(It)は昇圧電源回路(a−1)、整流回路(a−2
)、継続回路(a−3)、保護回路(a−6)、パルス
発振回路(a−7)から構成されている。
(It)は昇圧電源回路(a−1)、整流回路(a−2
)、継続回路(a−3)、保護回路(a−6)、パルス
発振回路(a−7)から構成されている。
液晶セル1m)は液晶の物性的特性上印加される交流電
圧の周波数が高くなると例えば液晶分子自身のiム答速
度等の原因から細い帯状の表示を鮮明に表示することが
出来なくなる場合が度々生ずることがあるので、仁の様
な場合には液晶セル(2)に印加する交流電圧の周波数
を特定の同波数以下にして動作させる必要が生ずるが、
第11図はこれを効果的に実現する実施形態の一例を示
したものである。
圧の周波数が高くなると例えば液晶分子自身のiム答速
度等の原因から細い帯状の表示を鮮明に表示することが
出来なくなる場合が度々生ずることがあるので、仁の様
な場合には液晶セル(2)に印加する交流電圧の周波数
を特定の同波数以下にして動作させる必要が生ずるが、
第11図はこれを効果的に実現する実施形態の一例を示
したものである。
第11図の昇圧電源回路(a−1)は例えば数100乃
至数1000Hzで発振する発振器で構成され、該発振
器の発振周波数を数100Hz以下で動作させることは
発振トランスのコアが超大になったシ、トランジスター
及びコア等の電力損失が増加する等によシ効率が低下す
るので実用的ではない。従って不発明に於いては第11
図に示す如く昇圧電源回路(a〜1)f、高い周波数で
発振させ、発振l・ランスの2次側の交流電圧を整流し
て高圧直流電圧に変換し、その直流玉圧定別に設けた低
周波パルス発振器の信号で0N−OFI;’することに
より断続して、低周波交流電圧を得る様に成したもので
ある。
至数1000Hzで発振する発振器で構成され、該発振
器の発振周波数を数100Hz以下で動作させることは
発振トランスのコアが超大になったシ、トランジスター
及びコア等の電力損失が増加する等によシ効率が低下す
るので実用的ではない。従って不発明に於いては第11
図に示す如く昇圧電源回路(a〜1)f、高い周波数で
発振させ、発振l・ランスの2次側の交流電圧を整流し
て高圧直流電圧に変換し、その直流玉圧定別に設けた低
周波パルス発振器の信号で0N−OFI;’することに
より断続して、低周波交流電圧を得る様に成したもので
ある。
第11図に於いて整流回路(a−2)の利用は、発振ト
ランスの2次側の電圧を倍電圧整流することによシ、前
記発振トランスの2次側巻線の巻数が非常に少なくて済
み、該発振トランスをレーク等で構成もれる低周波のパ
ルス発振回路(a−7)の信号で該断続回路は断続駆動
され低周波の交流電圧を得る為の回路でちる。即ち第1
1図に於いてはパルス発振回路(a−7)としは0N−
OFF動作を繰返す詰りトランジスタTrsOON時に
は、トランジスタTr+はOFFとなシ、トランジスタ
Tr+のエミッタの電圧に零となる。次にトランジスタ
TrsがOFFになるとンジスタTr2はコンデンサC
に充電された電圧を放電させる為に用いるものであり、
トランジスタTr、とTrtはON、OFF’を交互に
繰り返すことによシ、コンデンサCの出力には低周波の
交流電圧が得られる。保護回路(a−6)は以下に説明
する理由から設けられる。昇圧電源回路(a−1)のト
ランスの二次(IL即ち発振トランスの負荷側が短絡し
たり、その他の原因で電流が流れ過ぎると、断続回路(
a−3)のトランジスタTr+の電力損失が増加して破
損したり発振トランスの一次側に過大電流が流れて、ス
イッチングトランジスタの破損等が発生する危険がある
。その為に断続回路(a−3)のトランジスタTr+を
OFFにして負荷側にかかる電圧を零にすることが必要
となるものである。この為に設けられる保護回路(a−
6)の動作を簡単に説明すれば、過電流検出抵抗Roで
通常電流を超えた電流を検出すると、前記抵抗■え0の
両MiMに電圧降下が生じ、トランジスタl1lr4の
適当な電圧に設定されたエミッタ′11.圧よりもベー
ス屯圧が高くなシ、トランジスタTr4はONとなる。
ランスの2次側の電圧を倍電圧整流することによシ、前
記発振トランスの2次側巻線の巻数が非常に少なくて済
み、該発振トランスをレーク等で構成もれる低周波のパ
ルス発振回路(a−7)の信号で該断続回路は断続駆動
され低周波の交流電圧を得る為の回路でちる。即ち第1
1図に於いてはパルス発振回路(a−7)としは0N−
OFF動作を繰返す詰りトランジスタTrsOON時に
は、トランジスタTr+はOFFとなシ、トランジスタ
Tr+のエミッタの電圧に零となる。次にトランジスタ
TrsがOFFになるとンジスタTr2はコンデンサC
に充電された電圧を放電させる為に用いるものであり、
トランジスタTr、とTrtはON、OFF’を交互に
繰り返すことによシ、コンデンサCの出力には低周波の
交流電圧が得られる。保護回路(a−6)は以下に説明
する理由から設けられる。昇圧電源回路(a−1)のト
ランスの二次(IL即ち発振トランスの負荷側が短絡し
たり、その他の原因で電流が流れ過ぎると、断続回路(
a−3)のトランジスタTr+の電力損失が増加して破
損したり発振トランスの一次側に過大電流が流れて、ス
イッチングトランジスタの破損等が発生する危険がある
。その為に断続回路(a−3)のトランジスタTr+を
OFFにして負荷側にかかる電圧を零にすることが必要
となるものである。この為に設けられる保護回路(a−
6)の動作を簡単に説明すれば、過電流検出抵抗Roで
通常電流を超えた電流を検出すると、前記抵抗■え0の
両MiMに電圧降下が生じ、トランジスタl1lr4の
適当な電圧に設定されたエミッタ′11.圧よりもベー
ス屯圧が高くなシ、トランジスタTr4はONとなる。
従ってパルス発振回路(a −′y )のトランジスタ
Traのベース電圧が殆んど零゛11L位となり、トラ
ンジスタTraはOFFとなる。とれによってパルス発
振回路(a−7)は発振を停止し、トランジスタTr、
はOFFとなるとトランジスタTr、 。
Traのベース電圧が殆んど零゛11L位となり、トラ
ンジスタTraはOFFとなる。とれによってパルス発
振回路(a−7)は発振を停止し、トランジスタTr、
はOFFとなるとトランジスタTr、 。
TrsがON状態に保持され、トランジスタTr。
はOFFとなシ、出力電圧は零となって回路全体が保護
される。
される。
尚、図中の(2)は液晶セルであり(a−5)は測光回
路を示すものである。
路を示すものである。
第12図は本発明の別の実施形態を示すものである。同
図に於いて(b−1)乃至(b−3)及び(b −5)
乃至(b−7)、(2)は第11図に示す(a−1)乃
至(a−3)及び(a−’5)乃至(a −y )、’
IIDに各々対応するものである。
図に於いて(b−1)乃至(b−3)及び(b −5)
乃至(b−7)、(2)は第11図に示す(a−1)乃
至(a−3)及び(a−’5)乃至(a −y )、’
IIDに各々対応するものである。
(b−s )は測ブL回路(b−s)の測光信号を断続
信号に変換する測光信号断続回路であり、高電圧(7)
MI MF回路(b−3)を駆動するパルス発振回路
(b−7)の信号で同期f)llI御を行なっている。
信号に変換する測光信号断続回路であり、高電圧(7)
MI MF回路(b−3)を駆動するパルス発振回路
(b−7)の信号で同期f)llI御を行なっている。
従って該断続回路(b−8)の出力には測光回路(b−
5)の測光出力に対応した振幅変化するパルス電圧が生
じる。(b−9)は信号増幅回路で、前記パルス電圧を
適当な振幅に増幅1.、(p号−IE回路(b〜10)
に入力する。
5)の測光出力に対応した振幅変化するパルス電圧が生
じる。(b−9)は信号増幅回路で、前記パルス電圧を
適当な振幅に増幅1.、(p号−IE回路(b〜10)
に入力する。
該回路は充分な低周波までパスするイ古号トランスで4
j、7成され、l・ランスの2次側電圧の最大値は液晶
セル(2)の抵抗層3に印加される電圧に等しい値迄昇
圧され、前記液晶セル(1111の導電層5に印加され
る。この回路は次の様な利点がある。
j、7成され、l・ランスの2次側電圧の最大値は液晶
セル(2)の抵抗層3に印加される電圧に等しい値迄昇
圧され、前記液晶セル(1111の導電層5に印加され
る。この回路は次の様な利点がある。
即ち、第12図に示す様に測光回路(b−5)が液晶セ
ル面の電源部であるところの昇圧電源回路(b−1)の
負荷とならない為、昇圧電源回路(b−1)の−例とし
て示しであるトランジスターインパークの容量が小さく
て済み非常に小型に出来ることである。又、測光回路(
b−5)の光導電素子の両端にががる電圧が低いので耐
圧の低い光導電素子が使える。
ル面の電源部であるところの昇圧電源回路(b−1)の
負荷とならない為、昇圧電源回路(b−1)の−例とし
て示しであるトランジスターインパークの容量が小さく
て済み非常に小型に出来ることである。又、測光回路(
b−5)の光導電素子の両端にががる電圧が低いので耐
圧の低い光導電素子が使える。
第13図は本発明の更に別の実力m形態を示すものであ
る。第13図に於いては、高圧電源部(U)は昇圧電源
回路(c−i)、整流回路(c−2)、断続回路(c−
’3)、保護回路(C−6)、パルス発振回路(C−7
)で構成され、駆動回路部動は測光回路(’c−5)、
情報設定回路(c−11)、切替スイッチCC−12)
、分周回路(c’−13)で構成される。尚、同図に於
いて(C−1)乃至(c−3)及び((!−’5)乃至
(C−7)、[相]は第11に示す(a〜1)乃至(a
−3)及び(a−5)乃至(a−7)、(坤に各々対応
するものである。情報設定回路<c−11)は例えばカ
メラ撮影に於けるASA感度、シャック−スピード、絞
シ等の撮影情報等を入れる回路であシ、分周回路(c−
13)はパルス発振回路(C−7)の繰シ返しパルスの
周期を適当な周期に変換するフリップフロップ等で4′
汚成されるものである。切替スイッチ(c−12)は測
光回路(C−5)と情報設定回路(c−11)の出力を
交互に切替えて液晶セル(llI)の導電層5に印加す
る為のものである。
る。第13図に於いては、高圧電源部(U)は昇圧電源
回路(c−i)、整流回路(c−2)、断続回路(c−
’3)、保護回路(C−6)、パルス発振回路(C−7
)で構成され、駆動回路部動は測光回路(’c−5)、
情報設定回路(c−11)、切替スイッチCC−12)
、分周回路(c’−13)で構成される。尚、同図に於
いて(C−1)乃至(c−3)及び((!−’5)乃至
(C−7)、[相]は第11に示す(a〜1)乃至(a
−3)及び(a−5)乃至(a−7)、(坤に各々対応
するものである。情報設定回路<c−11)は例えばカ
メラ撮影に於けるASA感度、シャック−スピード、絞
シ等の撮影情報等を入れる回路であシ、分周回路(c−
13)はパルス発振回路(C−7)の繰シ返しパルスの
周期を適当な周期に変換するフリップフロップ等で4′
汚成されるものである。切替スイッチ(c−12)は測
光回路(C−5)と情報設定回路(c−11)の出力を
交互に切替えて液晶セル(llI)の導電層5に印加す
る為のものである。
この様に構成された駆動回路部帖による液晶セル(lI
Llの表示i[Tυ作を以下に説明する。
Llの表示i[Tυ作を以下に説明する。
切替スイッチ(c−12)を駆動する分周回路〜(c−
13)の周期はパルス発振回路(c−7)の繰り返し周
期よりも充分遅くなる様設定される。測光回路(1,−
5)の点M+の電位と情報設定回路(e−11)の点隔
の電位を予め異ならせておけば、切替スイッチ(e−1
2)の切替周期を適当な周期にすることにより液晶セル
(2)に表示される状態はある間隔を有する二本の細い
帯状表示とすることが出来る。今、情報設定回路<c−
if)の点M、の電位を適当な電位に設定しておき、そ
の電圧に対応する液晶セル価の表示値を、例えばカメラ
撮影に於ける適性露出値とした場合、測光回路(C−5
)の出力電位に対応する表示値との差を零にして、前記
両出力を一致させる様な操作か度々用いられる(追付動
作)が、この場合は前記測光回路((!−5)の出力電
圧を前記情報設定回路((!−11)の出力電圧に一致
せしめれば良いもので、従って、前記測光回路(C−5
)の光導電素子に入射する光の強度を例えば絞シ機構等
で円節してこの目的を達成することが出来るものである
7゜更にこの様な方法に於いては前記の如く両出力が一
致した点が液晶セル[相]上の表示位置の移動を以って
、撮影情報等を知ることも出来る。
13)の周期はパルス発振回路(c−7)の繰り返し周
期よりも充分遅くなる様設定される。測光回路(1,−
5)の点M+の電位と情報設定回路(e−11)の点隔
の電位を予め異ならせておけば、切替スイッチ(e−1
2)の切替周期を適当な周期にすることにより液晶セル
(2)に表示される状態はある間隔を有する二本の細い
帯状表示とすることが出来る。今、情報設定回路<c−
if)の点M、の電位を適当な電位に設定しておき、そ
の電圧に対応する液晶セル価の表示値を、例えばカメラ
撮影に於ける適性露出値とした場合、測光回路(C−5
)の出力電位に対応する表示値との差を零にして、前記
両出力を一致させる様な操作か度々用いられる(追付動
作)が、この場合は前記測光回路((!−5)の出力電
圧を前記情報設定回路((!−11)の出力電圧に一致
せしめれば良いもので、従って、前記測光回路(C−5
)の光導電素子に入射する光の強度を例えば絞シ機構等
で円節してこの目的を達成することが出来るものである
7゜更にこの様な方法に於いては前記の如く両出力が一
致した点が液晶セル[相]上の表示位置の移動を以って
、撮影情報等を知ることも出来る。
或いは又切替スイッチ(c−12)の切替周期を速くし
ておけば前記両回路の出力電圧に差がある]場合には成
品セル(2)の応答速度の遅れを利用して指示状態とし
、前記両回路の出力電圧が一致した時点で表示状態とす
ることも出来るものである。
ておけば前記両回路の出力電圧に差がある]場合には成
品セル(2)の応答速度の遅れを利用して指示状態とし
、前記両回路の出力電圧が一致した時点で表示状態とす
ることも出来るものである。
第14図は本発明の液晶表示装置に於いて第2図の液晶
セルに於いて5が抵抗層である場合、即ち二枚の基板2
,6上に設けられる層が共に抵抗層である場合の液晶セ
ルを使用した時の基本的回路図であって点線の枠で示し
だ■力(液晶セル錨の電源部であシ、L 、Rtは抵抗
、pc、 、 pc。
セルに於いて5が抵抗層である場合、即ち二枚の基板2
,6上に設けられる層が共に抵抗層である場合の液晶セ
ルを使用した時の基本的回路図であって点線の枠で示し
だ■力(液晶セル錨の電源部であシ、L 、Rtは抵抗
、pc、 、 pc。
は光導電素子であり液晶セル[有]はこれ等のフ゛リッ
ジ回路によって駆動されるものである。
ジ回路によって駆動されるものである。
この場合に使用される液晶セル価の表示原理に就て第1
5図(a) 、 (b)を用いて簡単に説明すれば、表
示長tに対し同一側の両端に端子AB。
5図(a) 、 (b)を用いて簡単に説明すれば、表
示長tに対し同一側の両端に端子AB。
DEを設は各々第15Z(b)で示す様に画線AB。
DEとが好ましくは逆勾配になる様電圧を印加する。こ
の時の電極間で生じる電位差分布は二本の直線で囲まれ
た矢印になる。この様にすると、AB又はDE間の電圧
を第7図の様に大きくとらずに実質的に大きな電位差分
布を与えることができる。勿論直線AB1.DEとが同
一、方向の勾配になる様に電圧印加しても良い。
の時の電極間で生じる電位差分布は二本の直線で囲まれ
た矢印になる。この様にすると、AB又はDE間の電圧
を第7図の様に大きくとらずに実質的に大きな電位差分
布を与えることができる。勿論直線AB1.DEとが同
一、方向の勾配になる様に電圧印加しても良い。
第16図は第14図の電源部Mの一1’、 11m形な
りを図示したものであって、電源部Mは昇圧電源回路(
d−1)、整数回路(d−2)、断続回路(d−3)、
保護回路(d−6)、パルス発振回路(d−7)から構
成され、X点、Y点は第14図に於けるX点、Y点と接
続されるものである。各回路の働きは第11図で述べた
場合と同様である。
りを図示したものであって、電源部Mは昇圧電源回路(
d−1)、整数回路(d−2)、断続回路(d−3)、
保護回路(d−6)、パルス発振回路(d−7)から構
成され、X点、Y点は第14図に於けるX点、Y点と接
続されるものである。各回路の働きは第11図で述べた
場合と同様である。
次に本発明で使用される液晶ヒルの表示形態の変形例を
示す。第17図(a)は前記抵抗層に電位分布を直線上
に配置せず、円周状とした抵抗層に配置した例である。
示す。第17図(a)は前記抵抗層に電位分布を直線上
に配置せず、円周状とした抵抗層に配置した例である。
熱色部が表示部、斜線部が端子電極部で以下同様である
。第17図(b)は電位勾配が上下不均一になるbP
Mila子電極都電極部に不等間隔で配置した例であシ
、第17図(e)は扇状に多数本の抵抗体を配列し、指
針表示の長さを見掛上長くでき、然もメーター表示の如
き動作をする様にしたものである。第17図の(a)や
(C)のものは従来のメーター表示によく類似させたも
のであり、(e)の全面扇状にした場合は、電気力線が
最短経路をとるためむしろ(b)の様な表示になること
を示している。(b)の様な表示は指針表示の先端が尖
鋭な感じとなり、位置の正確な読み取りを行なうのを助
ける。又(b)の変形として端子電極部の形状を種々形
成することが可能で、設計、デザイン上の冗長度が大き
い。(d)は多数の棒状表示部を配列し、各抵抗層毎に
異なる電位レベルを付与した場合である。
。第17図(b)は電位勾配が上下不均一になるbP
Mila子電極都電極部に不等間隔で配置した例であシ
、第17図(e)は扇状に多数本の抵抗体を配列し、指
針表示の長さを見掛上長くでき、然もメーター表示の如
き動作をする様にしたものである。第17図の(a)や
(C)のものは従来のメーター表示によく類似させたも
のであり、(e)の全面扇状にした場合は、電気力線が
最短経路をとるためむしろ(b)の様な表示になること
を示している。(b)の様な表示は指針表示の先端が尖
鋭な感じとなり、位置の正確な読み取りを行なうのを助
ける。又(b)の変形として端子電極部の形状を種々形
成することが可能で、設計、デザイン上の冗長度が大き
い。(d)は多数の棒状表示部を配列し、各抵抗層毎に
異なる電位レベルを付与した場合である。
文具なる電位分布を附与することによって特定の機能表
示を行なう変形も示唆し得る。これらの例は直線状1曲
線状の位置表示によって示される例であるが、第18図
Ca)は面状抵抗層の各四角にA、B、D、Eの端子電
極部を配置し、各々に異なる電圧を附与した時の等電圧
線を点線状で示しである。この様にすると平面内のノ(
ターンの変化によって、複数な電位のボランスや、又各
々時間的に変化したり、次元の異なる現象の相関を見る
のに有効な利用となり得る。
示を行なう変形も示唆し得る。これらの例は直線状1曲
線状の位置表示によって示される例であるが、第18図
Ca)は面状抵抗層の各四角にA、B、D、Eの端子電
極部を配置し、各々に異なる電圧を附与した時の等電圧
線を点線状で示しである。この様にすると平面内のノ(
ターンの変化によって、複数な電位のボランスや、又各
々時間的に変化したり、次元の異なる現象の相関を見る
のに有効な利用となり得る。
更に(b)は扇状の中心部と外周部に電極部を設けた場
合で、同心円上の半径の異なる表示を任意に示すことが
できる。
合で、同心円上の半径の異なる表示を任意に示すことが
できる。
第19図は第2図で示した基本構成の液晶セルを二組重
ね合わせた場合の表示状態を示したものである。この補
力液晶セルを使用することによυ本発明の液晶表示装置
は広範囲の応用が可能となるものである。
ね合わせた場合の表示状態を示したものである。この補
力液晶セルを使用することによυ本発明の液晶表示装置
は広範囲の応用が可能となるものである。
以下図面に従って説明すれば第19図の液晶セルは一方
の電位勾配をxx′方向、他方をyy’方向とし、第1
9図(C)で示される断面図で構成されている。8は第
1の偏光板、9は第1の液晶セル、10は第2の偏ブC
板、11は第2の液晶セル、12は第3の偏光板である
。第19図(a、)は表示部が線状の暗部13と14で
示された場合を示し、図中の矢印方向に動作し得るもの
である。同図(b)は明部15と16が表示され両者の
交点17のみが明部として残り、とれによってx、y平
面の任意の点をアナログ的に走査し得るものである。
の電位勾配をxx′方向、他方をyy’方向とし、第1
9図(C)で示される断面図で構成されている。8は第
1の偏光板、9は第1の液晶セル、10は第2の偏ブC
板、11は第2の液晶セル、12は第3の偏光板である
。第19図(a、)は表示部が線状の暗部13と14で
示された場合を示し、図中の矢印方向に動作し得るもの
である。同図(b)は明部15と16が表示され両者の
交点17のみが明部として残り、とれによってx、y平
面の任意の点をアナログ的に走査し得るものである。
本発明の液晶表示装置は以上の如く具イ本的(fC例を
挙げて説明した様に極めて優izたう゛そ示4J4置で
あるばかりか応用範囲が広く甚だ有効な表示装置であっ
て商業上著しく高い評価を得るものである。
挙げて説明した様に極めて優izたう゛そ示4J4置で
あるばかりか応用範囲が広く甚だ有効な表示装置であっ
て商業上著しく高い評価を得るものである。
本発明の液晶表示装置は液晶セルを指示計器として例え
ばカメラ分野に応用した場合には、露出計、音量側、距
離計、フラッシュメータ。
ばカメラ分野に応用した場合には、露出計、音量側、距
離計、フラッシュメータ。
バッテリチェッカ等に利用出来、更に他の応用例として
は、温度計、圧力計、速度計、アナログ表示時制、磁束
計等が掌げられる。
は、温度計、圧力計、速度計、アナログ表示時制、磁束
計等が掌げられる。
第1図は本発明の液晶表示装置の基本的構成を示すブロ
ック図、第2図及び第3図は本発明に便用される液晶セ
ルの基本的構成を説明する為の模式図、第4図及び第5
図は本発明の液晶表示装置に使用される液晶セルに電圧
を印加した場合の印加電圧と透過光量との関係を示す説
明図、第6図乃至第8図及び第14図、第15第16図
は本発明液晶表示装置の実施形態の回路図、第17図乃
至第19図は不発明液晶表示装置の表示形態の変形例を
説明する為の模式的説明図である。 1.7・・ ・・偏光板 2,6・・・・・・・・基
板3・・・・・・・抵抗層 3a 、 3b 、
5a・・・・・1′t:jg子組電極4・・・・・・
・空隙 5・・・・・・・・導電層又は抵抗層
8.10.12 ・・偏光板9,11・ ・液晶セル
13.14 ・ 暗部 15.16・・・・・明部
17・・・・・15と16の父差部分。 出願人 キャノン株式会社 閉?凹 第3図 T。 、W (θ) 器 第40 (。ン 3 第 5 口 V、ハ 第q 図 (II) 4丁)(H) 第ε園 (C) 一明なるさく7′j数) 図 (b) (d) −明カろざ (地目反) 第75図 ((1) 、( D E (し) −−1 (し) (C) (d) 第72図 tb> 2
ック図、第2図及び第3図は本発明に便用される液晶セ
ルの基本的構成を説明する為の模式図、第4図及び第5
図は本発明の液晶表示装置に使用される液晶セルに電圧
を印加した場合の印加電圧と透過光量との関係を示す説
明図、第6図乃至第8図及び第14図、第15第16図
は本発明液晶表示装置の実施形態の回路図、第17図乃
至第19図は不発明液晶表示装置の表示形態の変形例を
説明する為の模式的説明図である。 1.7・・ ・・偏光板 2,6・・・・・・・・基
板3・・・・・・・抵抗層 3a 、 3b 、
5a・・・・・1′t:jg子組電極4・・・・・・
・空隙 5・・・・・・・・導電層又は抵抗層
8.10.12 ・・偏光板9,11・ ・液晶セル
13.14 ・ 暗部 15.16・・・・・明部
17・・・・・15と16の父差部分。 出願人 キャノン株式会社 閉?凹 第3図 T。 、W (θ) 器 第40 (。ン 3 第 5 口 V、ハ 第q 図 (II) 4丁)(H) 第ε園 (C) 一明なるさく7′j数) 図 (b) (d) −明カろざ (地目反) 第75図 ((1) 、( D E (し) −−1 (し) (C) (d) 第72図 tb> 2
Claims (1)
- 少なくとも一方が透明である二枚の相対向する基板の一
方の基板面に第1の抵抗層を設け、他方の基板の前記抵
抗層と対向する面に導電層又は第2の抵抗層を設け、少
なくとも前記第1の抵抗層と前記導電層又は前記第2の
抵抗層との間に液晶が挟持されており、前記@1の抵抗
・層と導電層又は第2の抵抗層のうち、少なくとも透明
基板面に設けられた層を透明とした液晶セルと前記第1
の抵抗層の長さ方向に前記液晶の閾値電圧より高い電圧
をその極性を交互に変えて印加する第1の手段および前
記第1の抵抗層と前記導電層又は第2の抵抗層の間に駆
動回路部より出力をその極性を前記第1の手段と同期し
て交互に変えて印加する第2の手段を有することを特徴
とする液晶表示′装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12585883A JPS5962830A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12585883A JPS5962830A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9405775A Division JPS5217846A (en) | 1975-07-31 | 1975-07-31 | Liquid crystal indicator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5962830A true JPS5962830A (ja) | 1984-04-10 |
Family
ID=14920680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12585883A Pending JPS5962830A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5962830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752100A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-02-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | スペーサの打抜き供給方法及び装置 |
| JP2017227675A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 調光フィルム |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP12585883A patent/JPS5962830A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752100A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-02-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | スペーサの打抜き供給方法及び装置 |
| JP2017227675A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 大日本印刷株式会社 | 調光フィルム |
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