JPS5954696A - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
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- JPS5954696A JPS5954696A JP16409782A JP16409782A JPS5954696A JP S5954696 A JPS5954696 A JP S5954696A JP 16409782 A JP16409782 A JP 16409782A JP 16409782 A JP16409782 A JP 16409782A JP S5954696 A JPS5954696 A JP S5954696A
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- Japan
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- crucible
- heater
- shutter
- molecular beam
- crystal growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕 。
この発、明は分子線結晶成長装置１（に関する。
〔発明の技術的Ｎ景〕
一般に、分子線結晶成長法がυを来の真菟蒸着法や（、
′Ａｌ１ｔ′成長法と異なるのは、薄１−４成長過程が
超高真空中で行なわれることである。つまり、薄膜成長
過程で、ＣＯ、、ＣＯ２，ｌｊ、Ｏ、Ｃ。 ０１１１ｍ等の雰囲気残留不純物ガス成分が成長１１負
モルフオロジイーに、°−ジζ影１．ｆ４ｔ （、、与
えたり、１２見坦（薄膜中にｊｌＫ込まれ薄１？Ａの純
１（に悪影響音波ぼ、ずため、清（ｆ、な超高ｃ′Ｊ、
トど２メ囲気が必反と、なる。この超尚真認益囲気は頁
梨１１＋Ｊ、（の排気ンスプーム、ＣＬ ’＋’！ 、
ｌ：’＃ ノ＋Ａ ’Ｉｔ、排気７” ロセ７− ＜’
ｌ ４’？ｌ十分注１Ｃヲ払うことで達成でき、従来技
術が応用できる。しかし、分子線結晶成長装置において
は、超高頁４間ブヤンバー内に□加熱機ｂ・りを付設し
た芥♀線゛〔Ｉｌｌルツボが複数個（３〜８個）設ｉｉ
’ｉ：石れ、それ。 それが１００〜１２００℃の高温にＪＪｎ熱され容１１
（によっては１１固当り敬白Ｗの熱エネルギーをｂし出
しているため、分子ｔＩＡ源用ルツボ１１４１戊＋」賀
乏高ｆＡ：ｌ１点Ｈ料（グラファイト、Ｉ−’−ＢＮ、
Ｗ。 Ｔａ、Ｍｏ）のｉ屯１見の市いものを、用いたり、、周
囲ケ／Ｉｔ体室系冷却シュラウドで囲み、カヌ出不純Ｉ
向ガスを吸看させたり県て清ａ１な、ｌイ（’１４％八
も！イシ囲気を（ト１戊しており、この伎惧が分子・爆
結晶成長装（１イの主要なテーマとなっている。 ＣＴヤＳｊ＋、技術の間１１゛自点〕 ・
従来の分子ねＩ結晶成長シ々１虹においてす」２、分子
ボー源用ルンボの噴出Ｌ１近１ｊ！ｊに付設した分子線
の開閉シャッターに関しては、回らのズ」蛍もとら！じ
Ｃいなかった。このシャッターは、労−Ｊ” Ａｉ’＋
＋ １１１ｉｔ用ルツボヲ除けば、分子線が華（尺に到
−Ｊｔｎするまでの過程で唯一相反作用を行なう箇所で
あり、分子線除用ルツボからの輻射熱と分子線のｆ
′Ａｌ１ｔ′成長法と異なるのは、薄１−４成長過程が
超高真空中で行なわれることである。つまり、薄膜成長
過程で、ＣＯ、、ＣＯ２，ｌｊ、Ｏ、Ｃ。 ０１１１ｍ等の雰囲気残留不純物ガス成分が成長１１負
モルフオロジイーに、°−ジζ影１．ｆ４ｔ （、、与
えたり、１２見坦（薄膜中にｊｌＫ込まれ薄１？Ａの純
１（に悪影響音波ぼ、ずため、清（ｆ、な超高ｃ′Ｊ、
トど２メ囲気が必反と、なる。この超尚真認益囲気は頁
梨１１＋Ｊ、（の排気ンスプーム、ＣＬ ’＋’！ 、
ｌ：’＃ ノ＋Ａ ’Ｉｔ、排気７” ロセ７− ＜’
ｌ ４’？ｌ十分注１Ｃヲ払うことで達成でき、従来技
術が応用できる。しかし、分子線結晶成長装置において
は、超高頁４間ブヤンバー内に□加熱機ｂ・りを付設し
た芥♀線゛〔Ｉｌｌルツボが複数個（３〜８個）設ｉｉ
’ｉ：石れ、それ。 それが１００〜１２００℃の高温にＪＪｎ熱され容１１
（によっては１１固当り敬白Ｗの熱エネルギーをｂし出
しているため、分子ｔＩＡ源用ルツボ１１４１戊＋」賀
乏高ｆＡ：ｌ１点Ｈ料（グラファイト、Ｉ−’−ＢＮ、
Ｗ。 Ｔａ、Ｍｏ）のｉ屯１見の市いものを、用いたり、、周
囲ケ／Ｉｔ体室系冷却シュラウドで囲み、カヌ出不純Ｉ
向ガスを吸看させたり県て清ａ１な、ｌイ（’１４％八
も！イシ囲気を（ト１戊しており、この伎惧が分子・爆
結晶成長装（１イの主要なテーマとなっている。 ＣＴヤＳｊ＋、技術の間１１゛自点〕 ・
従来の分子ねＩ結晶成長シ々１虹においてす」２、分子
ボー源用ルンボの噴出Ｌ１近１ｊ！ｊに付設した分子線
の開閉シャッターに関しては、回らのズ」蛍もとら！じ
Ｃいなかった。このシャッターは、労−Ｊ” Ａｉ’＋
＋ １１１ｉｔ用ルツボヲ除けば、分子線が華（尺に到
−Ｊｔｎするまでの過程で唯一相反作用を行なう箇所で
あり、分子線除用ルツボからの輻射熱と分子線のｆ
【（
〜連動子ネルギーの吸収による発熱と分子線との熱化学
反応生成物の析出等が生じる。発熱したシー？ツタ−か
らは、シャッター購成材料Ω蒸光、内蔵残菫ガスの放出
、反応生成物の・蒸発、付石ｆ図の落Ｆ等により、分子
綿ｌ原則ルツ帰内の材料に不純物が混入し、材料の純度
を低下させることになる。例えば、Ｊ、Ｖａｃ 、Ｓｃ
ｉ ＊Ｔｅｃｈｎｏ６．ｅ基（３）・８゛・／″“°（
１９イ９．） ８４．．７に１員ル５シ１６［Ｕｎｉｎ
ｔｅｎｔｌｏｎａｅｄｏｐａｎｔｓ １ｎｃｏｒｐｏ
ｒａｔｅｄＩｎ ＧａＡｓ ６ａｙｅｒｓ、 ｇｒｏｗ
ｎ ｂｙ ｍｏｅｅｃｕｅａｒｂｅａｍ ｅｐ、１ｔ
ａｙＪという、論：文によれば、Ｇａ分子線源の１６時
間のステン、レスシャッター便用後の不純物をアーク分
光分析とｇＰＩ〜（Ａ分析で７、＋、ｇべた結果、Ｆ
ｅ 、’ＩＭ ｒｌ’、 Ｎ ｉ等の充用前のＱａ杓料
には検出されなかった不１沌物が含まれていることが判
り、成長膜の不純′陣がシャッターから出たものである
ことが′川明した。 〔発明の）」Ｒ’Ｊ ） この発明の］」的は、シャッターを改良し、低ガス放出
機能、低化学反応機能を有″Ｊ−る分子灯結晶成長装ｆ
ｔ’＜ ｋ提供することである。 〔発明の租尤暢専〕 このうこ明は、超高頁′！ど中に設けられ、分子狛）源
な内蔵したルツボを、シャッターで開閉□し、基数」−
に所望のン専ｌｌ！ヘヲ結晶成長させる分子ｆｉ１．’
＋’、結晶成長裟１ｈ、において、上記シャッターケよ
、少なくとも上記ルツボ側がこのルツボと同材質からな
り、且つ１令却又は加熱１幾能を１１シている分子（、
ｉｉｉ結晶成１・ζ装置である。 〔うｄ明の冥）Ｊｌ［凡例〕 この発明の分子Ｘ、・、１（ηｑ１１品成長゛シジ置し
装弔勺１１に示−ｊ−Ｊ、、 ）ニＩｉ’ｆ成す’ｆＬ
、ｉ！：’＜４ （ｒＪｊ貞’Ａ！ チーＹ ７バ一内
ニＭ〜反射円筒′（リフレクタ）１が配設されている。 このＨ＋ｙｊｌ、反射内ν、）１内に（ｒ、Ｉ分子課弾
用ルツボヱが設け１３れ、このルツボ乙の°容器２７内
にｔま分子ａ１１１結晶；戊艮に用いる分子−課１Ｍ
（、ｍ発刊料）、９が内１１戎→ｉＬ’、 ’４・≠４
２７の外側にＩＩｉ然ジら加Ｉγ１〜用ヒーター４が設
け１うれている。つまり、加熱用ヒーター４はルツボ容
器２７と熱反射円筒１との間に位ｉＭ している。この
ようなルツボ且の開口部を開閉するために、ルツボＺの
１方にはシャッタ、−５が設けられ、支持棒６に支持さ
れると共に、回転シャフト７により回転自在になってい
る。 このシャッターΣは、例えばシャッタ一本体層８、加熱
ヒータ一層９、及び冷却層１０からなっている。即ち、
弔１層であるシャッタ一本体層８はルツボ且側に位ｔｆ
！！’、 Ｌ 、ルツボ２の内容２７の材料と同等か或
いは岐れた純度と＋ｉｏ４反応性を有する材實（例えば
Ｐ −１３Ｎ 、グラファイト）か、らなっている。そ
・して、シャッター閉時には、分子線の１）６射方同、
にはルツボの容器２７と同等以上の純度をｆｊする而と
１１タ体窒素シュラウド１１による吸ｋ Ｄ １ ′：
ｚのみが存在する。このようなシーソ本体一本体冶８の
加熱脱ガス清浄化のため、第２１曽として絶ｈＨＡ ９
ａ中にヒータ □− ９ 、ｂを設けてなる加
熱ヒーター肋９がシャッタ〒本体層８の背面に１ｆ″ｉ
ＩＭされている。尚、ヒ−ター９ｂ＆、ｊ、′リニド線
１１３−より＋、、、ｊｉ、’４１ルに１９９続されて
いる。そして、ンヤッター間時に加熱すると、ルッポヱ
へのノｆス放出を１男けることになり、促成のシャッタ
ーよりも高純１比のシー■ツター材’ｌ’ｌ 奮与える
。央にシャッター閉時の輻射熱による発？（−を防ぐた
めに、第３層として、＋１．ｇ却層１０が設けられてお
り、この冷却ｔｒｉ Ｊ Ｏによりンヤンター互からの
１攻出ガスを史に少なくすることができる。この冷却層
１００１′１ソ却媒ｔ」、水或いは液体“室累茹１１ｉ
１１１ ｔ、 、バイブ１４により外１’ｉ’ｌｓか
ら供稽する１、’ｉ’ｊ ｌ・°ｄ力式になっている。 に記の・Ｉｉ舎、加ｎ（シヒーターＴ１１１ｆ嘴９と〆
１１〕４１層ＩＱの位ｉ＋’Ｉ′、ｉ□、ｌ、 、冷却
国光か脱ガス優先かによつ゛Ｃ敢］Ｉ＋３ ；ぐ−るこ
ともできる。又、シャッタ一本体層８に、Ｊ’、 ’＋
）ｊ’シ・；１（旧白１・：４を「♀去するために、゛
凸′ｉ−冒・こ」民外し反ＩＩ・ＩＣきるｊｌ”Ｉｊｌ
’ｉとしでもＪ二い。梵−に、ン・Ｙツタ−ｕ ？ｒ
４＋−ｆｆ ｌ戊゛すｚ〕、川合せとし”Ｃ１シヤツタ
ー木ＮＪＩ ８ 、ｉ／ −ｒ ツ９−＊体１＋”＋
Ｆ？ ＋ ））１＋ ｐＨＨヒー ター １ｒ’ｉ９、
シ・〜′ツター小体層Ｒ４−／′ｎ却層Ｉｎりシャッタ
一本１＋肋８＋加熱ヒーターハ９９−１−冷却ハ・′１
１０扇途、自白うに応じてｌｉ化することが−Ｃ′きる
。 更に、上記熱反射円′Ｍ′ノの外側には、１１り体窒素
□シュラ゛ウド１１７５”−設けられている。父、図中
、１５はＰ −Ｂ ’Ｎ製固定ネジ、′１６はブレキシ
ブ〔発明の効果〕 この発明によれば：シャッター死はシャッタ一本体層８
、ヵ１．熱、−９一層９′及び冷力Ｊ”Ｘ ’ｉ 。 からなっているので、不純物ガスの放出が抑制され、父
、捕仮に形成された結晶成長層へのシャッター祠料不ネ
１シ物の□混入も防止されている。 尚、第２図波び第′Ａ′図は□この発明の庇形例全示し
たもので、上Ｓ１謔実ｈＩＬ例と間挿効果がイリられ即
ち、第２品の場合は、熱反則円ｍｌ １の外側ＶＣも脱
ガス用ヒータ□−１１７が配設され、この脱ガス用ヒー
ター１７の外側にｎｊ１反射円筒（リフレクタ）１８が
配設されている。この熱ノ又５旧円筒ノ８は必□ずしも
設けなくでもよく、又、８シコガス用ヒーター１７１よ
、外側に設けられるノｊ＜冷成るいｅ、Ｌ液体シュラウ
ド表面をベークアウトできるようになっていてもよい。 ルツボＺのｊ氏而面にｔ、１．ヒーターが設けられてい
ないが、ここにも脱ガス１１１ヒーター１７と同様に脱
ガスを目的とし°Ｃヒーターを設けてもよい、ｉ良に、
脱ガス用ヒーター１７は、ルツボ容：： ｆ！’７に用
いて、いる材料と同月１のパイロリプ゛イ？クボロンナ
イトライド伺でできた数本の支柱Ｊ：、９に巻かれる□
形をとり”〔いるが、ガス放１１−■＋ｉ： ｒ、抑え
るためには、この支柱）９もない方が好ま′ニジい。。 改に弔３図の場合艷緑俗□、吟加ｆｆ４ｂ ＋１’、ｌ
ヒーター２岐ルツボ乙のＪセ軸方向←：延ばし表１’Ｍ
ｉ貨である。この（１４・青では、加Ｈ’、ｊ％用ｉ
■ター２：。で力帖される杓Ｔ′ｌが少なく、それだ＋
’ｙ ）ｔス放出が少なくでき、父、力鴫用ヒータ７キ
必゛堤とするスペース金小さくでき、加Ｒｊ〜効果よ」
二げることかできる。即し、この弔３図では、加熱用ヒ
ーター２０、床〜反射内１＋ｉｊ１及び；況ガス月１ヒ
ーター２１を支持体２２．２３で叉持固疋している。こ
の支持体２２．２３は第４図から明らかなように、加熱
用ヒーター２０が】１１する透孔２４と脱ヅＩス１）１
ヒーター２１が位置する円周方向のｌｌ’ｔ２５が背た
れ、且つ、熱反射円筒１が固定されるｉ’＋’？ｊ ２
６が・形成されている。熱反射円筒１は一般に多く設け
ることん：、熱の遮蔽効果が高く、伺料蒸発、のため加
熱用′午−夕Ｔ２０の加熱時の熱が、熱反射円筒ｌの外
側に及んでガス放出を促すことは少なく入る代りに１．
熱反射円筒Ｉ自身が蒸発祠科つまり分子線源凪充填８４
大気、出うオ、えおき紋、青：したガででガ曵放出源と
なるのである。 上記シｊＧ ３図メ、勤合１．熱反射円筒１は３つしか
示していない→ｔ１これを多くして然遮敞効果を高める
ことは、脱ガス用ヒーター２ノの史にレト側に、材料詠
光時、カリ１〜用ヒーター２０からの′ ｆｆ〜が及ぶ
千とを少な七：することができる。たとえ、分子線踪を
ルッ；ｊセヱの容１−２７内に充ｔバした場合でも、こ
（１）熱反射円ｆｊ＋］ １の外７Ｘμに設けられた脱
ガス１１１ヒーター２１で、加熱用ヒーター２θの熱が
及ばない所まで十分な加熱がｉ］能であり、従って脱ガ
スが十分に行ない１８＋る。この結果、分子線結晶成長
時、脱ガス用ピータ−２１の加熱を止めておけば、こｖ
：＞ 、１ｉｒｓ反１（・１円曲１）Ｑびｊ脱ガス用ヒ
ーター２ノの外側に設ｉｉ’ｊされＣいる部材からの税
ｉｆス′を少なくシ、ルレボヱか「）の蒸発ガスの純Ｈ
ＨＩをｔげるのに大きな効果をもたらすことができる。 同ｎｌに、ルツボ２のまわりのｉ’ｊ’ｔ ｒ’Ｊ’
Ｉ霞金唱く一ヒげて、（４を望圧力の１１＆丁を甲、め
、（）ことができる。
〜連動子ネルギーの吸収による発熱と分子線との熱化学
反応生成物の析出等が生じる。発熱したシー？ツタ−か
らは、シャッター購成材料Ω蒸光、内蔵残菫ガスの放出
、反応生成物の・蒸発、付石ｆ図の落Ｆ等により、分子
綿ｌ原則ルツ帰内の材料に不純物が混入し、材料の純度
を低下させることになる。例えば、Ｊ、Ｖａｃ 、Ｓｃ
ｉ ＊Ｔｅｃｈｎｏ６．ｅ基（３）・８゛・／″“°（
１９イ９．） ８４．．７に１員ル５シ１６［Ｕｎｉｎ
ｔｅｎｔｌｏｎａｅｄｏｐａｎｔｓ １ｎｃｏｒｐｏ
ｒａｔｅｄＩｎ ＧａＡｓ ６ａｙｅｒｓ、 ｇｒｏｗ
ｎ ｂｙ ｍｏｅｅｃｕｅａｒｂｅａｍ ｅｐ、１ｔ
ａｙＪという、論：文によれば、Ｇａ分子線源の１６時
間のステン、レスシャッター便用後の不純物をアーク分
光分析とｇＰＩ〜（Ａ分析で７、＋、ｇべた結果、Ｆ
ｅ 、’ＩＭ ｒｌ’、 Ｎ ｉ等の充用前のＱａ杓料
には検出されなかった不１沌物が含まれていることが判
り、成長膜の不純′陣がシャッターから出たものである
ことが′川明した。 〔発明の）」Ｒ’Ｊ ） この発明の］」的は、シャッターを改良し、低ガス放出
機能、低化学反応機能を有″Ｊ−る分子灯結晶成長装ｆ
ｔ’＜ ｋ提供することである。 〔発明の租尤暢専〕 このうこ明は、超高頁′！ど中に設けられ、分子狛）源
な内蔵したルツボを、シャッターで開閉□し、基数」−
に所望のン専ｌｌ！ヘヲ結晶成長させる分子ｆｉ１．’
＋’、結晶成長裟１ｈ、において、上記シャッターケよ
、少なくとも上記ルツボ側がこのルツボと同材質からな
り、且つ１令却又は加熱１幾能を１１シている分子（、
ｉｉｉ結晶成１・ζ装置である。 〔うｄ明の冥）Ｊｌ［凡例〕 この発明の分子Ｘ、・、１（ηｑ１１品成長゛シジ置し
装弔勺１１に示−ｊ−Ｊ、、 ）ニＩｉ’ｆ成す’ｆＬ
、ｉ！：’＜４ （ｒＪｊ貞’Ａ！ チーＹ ７バ一内
ニＭ〜反射円筒′（リフレクタ）１が配設されている。 このＨ＋ｙｊｌ、反射内ν、）１内に（ｒ、Ｉ分子課弾
用ルツボヱが設け１３れ、このルツボ乙の°容器２７内
にｔま分子ａ１１１結晶；戊艮に用いる分子−課１Ｍ
（、ｍ発刊料）、９が内１１戎→ｉＬ’、 ’４・≠４
２７の外側にＩＩｉ然ジら加Ｉγ１〜用ヒーター４が設
け１うれている。つまり、加熱用ヒーター４はルツボ容
器２７と熱反射円筒１との間に位ｉＭ している。この
ようなルツボ且の開口部を開閉するために、ルツボＺの
１方にはシャッタ、−５が設けられ、支持棒６に支持さ
れると共に、回転シャフト７により回転自在になってい
る。 このシャッターΣは、例えばシャッタ一本体層８、加熱
ヒータ一層９、及び冷却層１０からなっている。即ち、
弔１層であるシャッタ一本体層８はルツボ且側に位ｔｆ
！！’、 Ｌ 、ルツボ２の内容２７の材料と同等か或
いは岐れた純度と＋ｉｏ４反応性を有する材實（例えば
Ｐ −１３Ｎ 、グラファイト）か、らなっている。そ
・して、シャッター閉時には、分子線の１）６射方同、
にはルツボの容器２７と同等以上の純度をｆｊする而と
１１タ体窒素シュラウド１１による吸ｋ Ｄ １ ′：
ｚのみが存在する。このようなシーソ本体一本体冶８の
加熱脱ガス清浄化のため、第２１曽として絶ｈＨＡ ９
ａ中にヒータ □− ９ 、ｂを設けてなる加
熱ヒーター肋９がシャッタ〒本体層８の背面に１ｆ″ｉ
ＩＭされている。尚、ヒ−ター９ｂ＆、ｊ、′リニド線
１１３−より＋、、、ｊｉ、’４１ルに１９９続されて
いる。そして、ンヤッター間時に加熱すると、ルッポヱ
へのノｆス放出を１男けることになり、促成のシャッタ
ーよりも高純１比のシー■ツター材’ｌ’ｌ 奮与える
。央にシャッター閉時の輻射熱による発？（−を防ぐた
めに、第３層として、＋１．ｇ却層１０が設けられてお
り、この冷却ｔｒｉ Ｊ Ｏによりンヤンター互からの
１攻出ガスを史に少なくすることができる。この冷却層
１００１′１ソ却媒ｔ」、水或いは液体“室累茹１１ｉ
１１１ ｔ、 、バイブ１４により外１’ｉ’ｌｓか
ら供稽する１、’ｉ’ｊ ｌ・°ｄ力式になっている。 に記の・Ｉｉ舎、加ｎ（シヒーターＴ１１１ｆ嘴９と〆
１１〕４１層ＩＱの位ｉ＋’Ｉ′、ｉ□、ｌ、 、冷却
国光か脱ガス優先かによつ゛Ｃ敢］Ｉ＋３ ；ぐ−るこ
ともできる。又、シャッタ一本体層８に、Ｊ’、 ’＋
）ｊ’シ・；１（旧白１・：４を「♀去するために、゛
凸′ｉ−冒・こ」民外し反ＩＩ・ＩＣきるｊｌ”Ｉｊｌ
’ｉとしでもＪ二い。梵−に、ン・Ｙツタ−ｕ ？ｒ
４＋−ｆｆ ｌ戊゛すｚ〕、川合せとし”Ｃ１シヤツタ
ー木ＮＪＩ ８ 、ｉ／ −ｒ ツ９−＊体１＋”＋
Ｆ？ ＋ ））１＋ ｐＨＨヒー ター １ｒ’ｉ９、
シ・〜′ツター小体層Ｒ４−／′ｎ却層Ｉｎりシャッタ
一本１＋肋８＋加熱ヒーターハ９９−１−冷却ハ・′１
１０扇途、自白うに応じてｌｉ化することが−Ｃ′きる
。 更に、上記熱反射円′Ｍ′ノの外側には、１１り体窒素
□シュラ゛ウド１１７５”−設けられている。父、図中
、１５はＰ −Ｂ ’Ｎ製固定ネジ、′１６はブレキシ
ブ〔発明の効果〕 この発明によれば：シャッター死はシャッタ一本体層８
、ヵ１．熱、−９一層９′及び冷力Ｊ”Ｘ ’ｉ 。 からなっているので、不純物ガスの放出が抑制され、父
、捕仮に形成された結晶成長層へのシャッター祠料不ネ
１シ物の□混入も防止されている。 尚、第２図波び第′Ａ′図は□この発明の庇形例全示し
たもので、上Ｓ１謔実ｈＩＬ例と間挿効果がイリられ即
ち、第２品の場合は、熱反則円ｍｌ １の外側ＶＣも脱
ガス用ヒータ□−１１７が配設され、この脱ガス用ヒー
ター１７の外側にｎｊ１反射円筒（リフレクタ）１８が
配設されている。この熱ノ又５旧円筒ノ８は必□ずしも
設けなくでもよく、又、８シコガス用ヒーター１７１よ
、外側に設けられるノｊ＜冷成るいｅ、Ｌ液体シュラウ
ド表面をベークアウトできるようになっていてもよい。 ルツボＺのｊ氏而面にｔ、１．ヒーターが設けられてい
ないが、ここにも脱ガス１１１ヒーター１７と同様に脱
ガスを目的とし°Ｃヒーターを設けてもよい、ｉ良に、
脱ガス用ヒーター１７は、ルツボ容：： ｆ！’７に用
いて、いる材料と同月１のパイロリプ゛イ？クボロンナ
イトライド伺でできた数本の支柱Ｊ：、９に巻かれる□
形をとり”〔いるが、ガス放１１−■＋ｉ： ｒ、抑え
るためには、この支柱）９もない方が好ま′ニジい。。 改に弔３図の場合艷緑俗□、吟加ｆｆ４ｂ ＋１’、ｌ
ヒーター２岐ルツボ乙のＪセ軸方向←：延ばし表１’Ｍ
ｉ貨である。この（１４・青では、加Ｈ’、ｊ％用ｉ
■ター２：。で力帖される杓Ｔ′ｌが少なく、それだ＋
’ｙ ）ｔス放出が少なくでき、父、力鴫用ヒータ７キ
必゛堤とするスペース金小さくでき、加Ｒｊ〜効果よ」
二げることかできる。即し、この弔３図では、加熱用ヒ
ーター２０、床〜反射内１＋ｉｊ１及び；況ガス月１ヒ
ーター２１を支持体２２．２３で叉持固疋している。こ
の支持体２２．２３は第４図から明らかなように、加熱
用ヒーター２０が】１１する透孔２４と脱ヅＩス１）１
ヒーター２１が位置する円周方向のｌｌ’ｔ２５が背た
れ、且つ、熱反射円筒１が固定されるｉ’＋’？ｊ ２
６が・形成されている。熱反射円筒１は一般に多く設け
ることん：、熱の遮蔽効果が高く、伺料蒸発、のため加
熱用′午−夕Ｔ２０の加熱時の熱が、熱反射円筒ｌの外
側に及んでガス放出を促すことは少なく入る代りに１．
熱反射円筒Ｉ自身が蒸発祠科つまり分子線源凪充填８４
大気、出うオ、えおき紋、青：したガででガ曵放出源と
なるのである。 上記シｊＧ ３図メ、勤合１．熱反射円筒１は３つしか
示していない→ｔ１これを多くして然遮敞効果を高める
ことは、脱ガス用ヒーター２ノの史にレト側に、材料詠
光時、カリ１〜用ヒーター２０からの′ ｆｆ〜が及ぶ
千とを少な七：することができる。たとえ、分子線踪を
ルッ；ｊセヱの容１−２７内に充ｔバした場合でも、こ
（１）熱反射円ｆｊ＋］ １の外７Ｘμに設けられた脱
ガス１１１ヒーター２１で、加熱用ヒーター２θの熱が
及ばない所まで十分な加熱がｉ］能であり、従って脱ガ
スが十分に行ない１８＋る。この結果、分子線結晶成長
時、脱ガス用ピータ−２１の加熱を止めておけば、こｖ
：＞ 、１ｉｒｓ反１（・１円曲１）Ｑびｊ脱ガス用ヒ
ーター２ノの外側に設ｉｉ’ｊされＣいる部材からの税
ｉｆス′を少なくシ、ルレボヱか「）の蒸発ガスの純Ｈ
ＨＩをｔげるのに大きな効果をもたらすことができる。 同ｎｌに、ルツボ２のまわりのｉ’ｊ’ｔ ｒ’Ｊ’
Ｉ霞金唱く一ヒげて、（４を望圧力の１１＆丁を甲、め
、（）ことができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る分子線結晶成長時（
べｔ示す］針曲図、第２図及び弔３図はこの発明の変形
例４示す萌面図、Ｅｊｉ ４図は弔３図の要部全拡大し
て示すＰｌｉ而図面ある。 Ｊ・・・ζ・７１〜ｊえ１討円岱」（リフレクタ）、炙
・・・分子線源用ルツボ１．？・・・分子線（ｉｉｌｊ
（詠発ｔ（“料）、４・・・ＪＪＩＩ ｊ（：’、〜
用ヒーター、互・・・シーソツタ−１８・・・シャッタ
一本１本ハ・１，９・・・加熱ヒータ一層、９ａ・・・
（” ：、＜’。 月、り ｂ ・・・ヒー ター、” ”’ ｔ”＋’ｉ
Ｊｕｌ Ｉｉ”ｉ、７７ ・、、 ｉｉｌ：１ト噌、
←ンユラウド、１２・・・１ν乏自１」、１７・・・１
１妃ガメ用ヒーター、２０・・・加ｊ佑用ヒーター、２
〕・・・脱ガス用ヒーター、２２・・・容器。 出願人代理人 弁理士 鈴 ｄ、、式 淋第２図 第３図 第４図 ５４３−
べｔ示す］針曲図、第２図及び弔３図はこの発明の変形
例４示す萌面図、Ｅｊｉ ４図は弔３図の要部全拡大し
て示すＰｌｉ而図面ある。 Ｊ・・・ζ・７１〜ｊえ１討円岱」（リフレクタ）、炙
・・・分子線源用ルツボ１．？・・・分子線（ｉｉｌｊ
（詠発ｔ（“料）、４・・・ＪＪＩＩ ｊ（：’、〜
用ヒーター、互・・・シーソツタ−１８・・・シャッタ
一本１本ハ・１，９・・・加熱ヒータ一層、９ａ・・・
（” ：、＜’。 月、り ｂ ・・・ヒー ター、” ”’ ｔ”＋’ｉ
Ｊｕｌ Ｉｉ”ｉ、７７ ・、、 ｉｉｌ：１ト噌、
←ンユラウド、１２・・・１ν乏自１」、１７・・・１
１妃ガメ用ヒーター、２０・・・加ｊ佑用ヒーター、２
〕・・・脱ガス用ヒーター、２２・・・容器。 出願人代理人 弁理士 鈴 ｄ、、式 淋第２図 第３図 第４図 ５４３−
Claims (1)
- （１） ’ Ｉｔ＜４．Ｆ！、真？ど雰囲気に作持しつ
るようにＩＩ雰成されたチャンバー内に蒸発分子Ｋ、′
））源が収容され又ルツボが配設され、このルツボの外
□周に加熱ヒータおよび遮熱用リフレクタが設けｌ’）
れ□ るとともに、このルツボ、の開口部に１５Ｆ１１
閉自在ｅごシャッターがとりつけち□れてなる分子？Ｈ
ＩＪ！結晶１戊長装ｊＨ，１において、上記シャッター
な」、上記ルツボに対向する面側が該ルツボと、同種″
１′１で１１≧ｌＪｋさノし、且つそのガ面側に冷却又
Ｃ」、加熱窒素体がとりつけらｉｔてなることを特（ｌ
’＜とする分子１が結晶成長装い、。 ′
□（２） ＋ｔ！（篩１１慴券囲気に保付しうるよう
ＶＣｔｉ￥成σ）したチャンバー内に蒸光分子課１１１
ｉｊが収賓杯れるルツボが配設され、このルツボの夕１
周に加＋グ（５ヒ“−夕および遮熱ＩＩリフ１／クタが
設けられるとともに、このルツボの１５ｔｌ １１部に
開閉目仕にシャッターがとりつけられてなる分子線結晶
成長装置において、上記ルツボはにλ発分子線源が入れ
られる容器、の外周に蒸発相加、熱用リークが設けられ
、その外側に遮熱用リフレ、フタが設けられるとともに
さやにその外側に加熱用ヒータが設けられてなること全
特徴とする分子線結晶成長装置べ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16409782A JPS5954696A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16409782A JPS5954696A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954696A true JPS5954696A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15786705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16409782A Pending JPS5954696A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4646680A (en) * | 1985-12-23 | 1987-03-03 | General Electric Company | Crucible for use in molecular beam epitaxial processing |
| US5976263A (en) * | 1995-08-03 | 1999-11-02 | Thermo Instrument Systems, Inc. | Sources used in molecular beam epitaxy |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16409782A patent/JPS5954696A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4646680A (en) * | 1985-12-23 | 1987-03-03 | General Electric Company | Crucible for use in molecular beam epitaxial processing |
| US5976263A (en) * | 1995-08-03 | 1999-11-02 | Thermo Instrument Systems, Inc. | Sources used in molecular beam epitaxy |
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