JPS58194796A - 分子線結晶成長方法及び分子線結晶成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、量産化を可能にした分子線結晶成長方法及
び分子線結晶成長装置に関する。

〔発明の技術的背景〕

従来、研究開発用に用いられてきた分子線結晶成長装置
は第１図に示すように構成されているが、分子線結晶成
長室１を超高真空域にオで排気し、且つ分子線結晶成長
中も超高真空に保つための真空Ｉン！等は省略されてい
る。そして現在、分子線結晶成長による薄膜形成で機能
的な素子を作ることは研究開発段階であシ、このため種
々の分析機器が上記装置には備え付けられている。例え
ば、結晶成長の結晶配列をリアルタイムで観察するため
の中速度電子線回折装置（ＭＦＩ：Ｄ　）や高速反射電
子線回折装置（ＲＨＥＥＤ）　２、分子線結晶成長室！
内のガスの分析を行ない結晶成長前あるいは成長中の不
純物ガスの監視を行なうガス分析計（ＱＭＳ　）　Ｊな
どが、分子線結晶成長室１に設けられている。父、分子
線結晶成長室１には、隣接して分析室４がゲートパルｆ
５を介して配設され、ここでは分子線結晶成長した薄膜
の厚さ方向の組成分析が行なえる２次イオン質量分析針
（ＳＩＭＳ）　６が、他の分析機器例えばＡｕｇ＠ｒ分
析装置などと共に配　　　　　、１役されている。この
ように多くの分析機器が必要とされるのは、上記装置に
よって作られる薄膜の構造中組成と完成した薄膜の性質
が密接な関連があり、狗られる薄膜を所望のものとする
ため、如何に構成をなすべきか、又、このためにどのよ
うに形成するかが現在の重要課題であるからである。

分子線結晶成長における他の重要な要件は、分子線結晶
成長室１内の残留ガスあるいは基板上の吸着ガスなどを
如何に取り除いて、超高真空域内で清浄な基板の上に分
子線結晶成長を行なうかである。このための１つの手段
は、真空ポン！の性能を上げることの他、分子線結晶成
長を行なうための分子線発生源である分子線セル１を液
体窒素シー２ウド８で囲み、分子線セル１からの放熱で
他の部分から発′生ずる吸着ガスの放出を防ぐことであ
る。あるいは基板を大気中から系内に入れる際、予め処
理室９に設けられた基板交換ポート１０から基板を処理
室８に入れ、この処理室８で基板を清浄化した上で、こ
の処理室８と分析室４とを遮断するｒ−トパル！１ノを
経由し、必要に応じて分析室４で基板表面の分析を行な
い、更にｒ−）・肴ルツ５を経由して分子線結晶成長室
１の基板ホルダー１２に基板が取付けられる。父、分子
線結晶成長室１、分析室４あるいは処理室９には、到達
圧力を決める真空ポン！が独立して設けられ、又、各室
を独立にするためのｙ−トパルブ５゜１１が設けられて
いるため、分子線結晶成長室Ｊは大気に曝すことなく基
板の交換が基板交換ポート１０によって可能である。尚
、図中１３は基板移送機構、１４はフランジである。

ところで上記のような分子線結晶成長装置では、分子線
結晶成長室ノ内において基板ホルダー１２上に置かれた
基板の上に、結晶成長を行なうための原料を液体窒素シ
ェラウド８で囲まれた分子線セルフから蒸着する。そし
て、分子線結晶成長によシ形成される素子は薄膜であり
、又、研究開発段階でもあり、多くの素子が必要でなく
、更に１素子が小さいもので目的に達し得る機能素子で
あるため、一度の薄膜形成で多くの素子を作り得る可能
性を持つなどのため、分子線セル１への一度の充填て十
分な目的を達することができる。

一方、分子−セル１は熱エネルギーを真空外から導入し
たヒーターにょシ蒸発材料に与え、これにより蒸発させ
る構造となっている。このため、ヒーターからの放熱が
分子線結晶成長室の他の部分に影響を与え、余分なガス
放出の原因となるのを防ぐため、厳重な熱のシールド板
を設けたり、シールド板からのガス放出が基板−に及ば
ないように、構造上の工夫を加えている。分子線セルフ
はこのような構造を徹底するため１立しておシ、分子線
結晶成長室１には、フランク１４を介して取付けられる
ようになっている。このような構造のため、分子線セル
ｉ内に設けられた結晶成長用材料容器は、高温において
奄ガス放出の少ないノ４イロリティ、りがロンナイトラ
イドを用い、１つの容器を形成している。

分子線セル２が上記のような構造となっているため、分
子線結晶成長を行なうための原料の供給は、分子線結晶
成長室１のフランジ１４部分から分子線セル１を取出し
て行なわれる。

又、分子線結晶成長は、分子線セルフに蒸発材料を充填
した後、分子線結晶成長室１内を真空排気する−０この
分子線結晶成長室１は、分子線セルフに蒸発材料を充填
するために大気に着されるため、超高真空域の分子線結
晶成長がなし得る真空圧力にするためには、長時間のベ
ークアウトと排気を行なう。同じように分子線セルフ及
び蒸発材料についても十分な脱ガスが行なわれる。

〔背景技術の問題点〕

上記従来の装置においては、蒸発材料の補充の除に分子
線結晶成長室！及び分子線セル１が大気に曝されること
が避けられないため、分子線結晶成長室１はその度に長
時間のベークアウトと徐冷時間が必要であり、同じよう
に分子線セルフの大気による汚染が避けられない。とり
＋１ わけ、分子線セルフは蒸発材料を充填した後、この脱ガ
スは原材料の蒸発が避けられないたれ十分な高温にベー
クアウトすることは不ＨＪ能である。従って、蒸発中に
分子線セルフ自身からのガス放出が徐々に行なわれて、
結晶成長薄膜への不純物の混入が避けられない。そして
、漸くガス放出が少なくなった項に、再び蒸発材料の補
充のため大気に曝すことになる訳けである。

この目的のため、ｌ０ＮＩＣ８（１９８１年１１月号）
にも示されているように、いずれのメーカーの装置も分
子線セル１の蒸発材料容器は長大化している。しかしな
がら、このように長大化した分子線セル１は、それだけ
大きな加熱ヒーターが必要とされる。このため、その放
射熱で周辺のガス放出を余計に促すことになると共に、
分子線セルフ自体も大きくなシ、ガス放出源となる各部
分の表面積を増すことになるのである。

〔発明の目的〕

この発明の目的は、分子線結晶成長室及び分子線セルを
大気に曝すことなく、蒸発材料を補給して、装置の稼動
率を上げると共に、生産性を向上した分子線結晶成長方
法及び分子線結晶成長装置を提供することである。

〔発明の概安〕

この発明は、分子線結晶成長を行なう分子線結晶成長室
と、この分子線結晶成長室内に設けられ蒸発材料容器を
有する分子線発生器と、上記蒸発材料容器内に蒸発材料
を注入する搬送器とを少なくとも具備した分子線結晶成
長装置を用い、蒸発材料容器内に蒸発材料を搬送器で注
入した後、基板に分子線結晶成長を行なう分子線結晶成
長方法である。

又、この発明は、分子線結晶成長を行なう分子線結晶成
長室と、この分子線結晶成長室内に設けられ蒸発材料容
器を有する分子線発生器と、上記蒸発材料容器内に蒸発
材料を注入する搬送器とを少なくと４１具備した分子線
結晶成長装置である。

〔発明の実施例〕

この発明の分子線結晶成長方法に用いる分子線結晶成長
装置は第２図に示すように構成されている。即ち、分子
線結晶成長を行なう分子線結晶成長室１５には、下方に
複数の分子１Ｍ発生器ノロが設けられ、この分子線発生
器１６には蒸発材料容器１１が備えられている。又、上
記分子線結晶成長４１５には、パルプノ８を介して予備
室Ｊ９が連結されておシ、この予備室１９ｔＣｄ、＃ル
ノ２ｏを介して真空ポンプ２ノが接続されている。更に
、上記予備室１９内には、外部から一電圧を印加して予
備室１９内に充満したガスに放電を起こさしめ、この放
電による蒸発材料の一部のガス放出を行なうためのｔ極
２２が配設されている。尚、予備室１９内にｔよ、蒸発
材料のガス放出を十分性なうため、加熱ヒーター（図示
せず）を設けることができる。又、上記分子線発生器１
６の蒸発材料容器１２に蒸発材、１！＋を注入する丸め
の搬送器（マンビニレータ）Ｚａが、予備室１９からパ
ルｆｌＢを通って分子線結晶成長室１５へ移動自在に配
設されている。

この搬送＠２３附近を拡大して示すと、第３図及び第４
図のようになり、回転軸２４の先端に有底暗状の搬送器
本体２５が取付けられている。この本体２５の内部には
例えはサファイアやＰ−ＢＮ（Ｄ容器２６が嵌合配設さ
れ、この容器２６内には蒸発材料２１が入れられている
。

そして容器２６に蓋をするように、上記本体２５の開口
端には漏斗２８が嵌着される。蒸発材料２７を分子線発
生器Ｉ６の蒸発材料容器１１内にのみ容易に注入するた
め、漏斗２８を用いているが、第４図から明らかなよう
に漏斗２８の先端２８ｍは、回転軸２４の回転方向２９
に対して、回転軸２４の中心を通る漏斗２８の中心から
ずれるように形成されている。この結果、分子線発生器
）６の蒸発材料容器ノ２内に、容易に蒸発材料２７の粉
末あるいは顆粒などを注入することができる。

上記の場合、蒸発材料２７はＱａ、　Ａｕｔ　Ｉｎ。

Ｔ＠ｎ　Ｐｂ＋　Ｍｇ、Ｓｎ、　ｐｌ　ｓＬ　Ｇｏ、　
Ｍｎ、　ＳＩＳ＋　Ｚｔｔ。

Ｆ＠、　Ｂ＠ｌ　Ａｕｔ　８Ｌ　Ｃｄ＋　Ａｕｔ　Ｃｕ
＋　Ｅｕのうちの１つ又は複数から麦っている。更に、
漏斗２８は容器２６と直接接触して、このショックで瞼
われ走破片が蒸発材料２ｒ内に混入しないようになりて
いる。又、漏斗２８の、枠体３ｏや搬送器本体２５ｉユ
テフロンで作っであるが、分子線結晶成長至ノ５内には
、蒸発材料２７を注入する間たけ存在するだけなので、
実用上例の支障もない。鈑送器りは、動作時に分子線結
晶成長室１５内に搬送され、その後、分子線発生器１６
上で回転し蒸発材料２７は重力で下に落下するが、漏斗
回転を搬送器２３に与えることは今日の技術で困難なこ
とではなく、回転軸２４を同軸状の２軸にし、外側の軸
に直結して搬込器本体２５が回転すればよく、この駆動
に対してｔよ＾９内への各禎の駆動部品が利用できる。

さて、上記の分子線結晶成長装置を用いて分子線結晶成
長を行なうには、先ず分子細結晶成長′４１５内へ清浄
な基板（図示せず）を入れておく。次に、蒸発材料２７
を、予めこの蒸発材料２７の純度や清浄化処理工程で影
響を受けないように容器２６に入れ、この状態で清浄化
処理を行なう。次いで搬送器本体２５内に容器２６を入
社、史に上部から漏斗２８を取付ける。

その後、搬送器υを予備室１９から分子ｉｔ＋＋結晶成
結晶成長へ移動し、回転軸２４により搬送器本体２５を
回転して蒸発材料２７を分子線発生器１６の蒸発材料容
器１７に注入する。そして、この蒸発材料２１によシ上
記基板に分子線結晶成長を行なう。

〔発明の効果〕

この発明によれば、蒸発材料２７が外部からその必要蓋
だけ分子線結晶成長室１５に導くことができるし、或い
は後で補充をすることができる。

この結果、分子線結晶成長の生産性と材料効率を飛躍的
に向上できる。又、この発明によれば分子線結晶成長室
Ｊ５を小さく、或いは分子線発生器１６を小さくでき、
装置の価格を下げることが可能である。

尚、第５図は、蒸発材料２７を災に厳重な前処理を行い
、蒸発材料容器１１を蒸発材料２１の清浄化処理で汚染
しないようにするための考慮をしたものである。即ち、
予め分子＃Ｍ帖晶成畏装置とは別の処理用真空装置１１
３１内を真空処理した後、真空気密をし九まま分子線結
晶成長装置内に持ち込み、搬送器Ｌノで分子線発生器１
５内に蒸発材料２１を注入する。処理のなされていない
蒸発材料２７を入れた容器３２は、熱処理する場合用い
られる石英の容器３３内に置かれ、同じく石英の管３４
に巻かれたヒーター３５で加熱される。この加熱処理で
蒸発材料２７中に含まれる各種のガスが除去される。

このとき、ガスや一部の蒸発材料２７の蒸発あるいは昇
華が他に及ぶのを防ぐため、容器３３の上方にはシャッ
ター３６が設けられている。

このシャッター３６は蒸発材料２７の処理抜、・・ンド
ル３１によシ大気から手動で石英の容器３３の上から除
くことがでさる。その後、石英の容器３３上にはキャッ
プ３８を上方から降ろして載せ、やや押し付けておく。

しかる後、この真空装置３１内を大気にするが、蒸発材
料の容器２２の入った石英の容器３３はキャップ３８に
より内部を気密に保つことができる。この状態で分子−
結晶成長装置の予備室１９に持ち込み、真空中でキャッ
プ３８を取外し、更に蒸発材料の容器３２が搬送器７３
に入れられて分子線結晶成長室１５内に搬入され、しか
るべき分子線発・生器１＃の蒸発材料容器ノー内に注入
される。

又、分子線発生器１６の蒸発材料容器ノーに、他の蒸発
材料容器から蒸発材料を注入する他の方法として、第６
図に示すような容器を用いることができる。即ち、ドラ
イな真空雰囲気内等で清浄化処理の施された蒸発材料２
７は、・母イロリティック〆ロンナイトライドやテファ
イア等で作られた容器３９に溶着固化しているので、図
のように処理された時は逆にさかさにして、注入するだ
めの漏斗４０と共に搬送器の治具４１によって固定され
ている。第６図は分子線結晶成長室１５内に置かれた状
態を示すものであるが、蒸発材料の容器３９のヒーター
４２の漏斗４０のヒーター４Ｊを加熱し、分子−発庄　
　・１ 器１６に設けられた蒸発材料容器ノー内に重力で滴下す
ることができる。そして蒸発材料容器１１の加熱は、分
子線発生器１６自身に設けられたヒーターで加熱して、
分子線発生器１６に設けられた容器内に滴下することが
材料により可能である。例えば、Ｇａ　’Ｐ　Ｉｎなど
は比較的容易である。

又、蒸気圧の高い材料については、既に述べたように、
このための容器を設けておき、真空気密の状態で分子線
結晶成長室１５内に続く予備！１１＃内で蒸発材料を取
出すことにより、処理の手間や労力の節減が可能である
。更に蒸発材料は予備室内で蒸発材料容器の中に入れて
おいて、取出すことが有用である。そして、分子Ｉｉｌ
結晶成長室１５への蒸発材料の搬送器に接続し得るよう
にして、チェイン状に形成された別の搬送器上に蒸発材
料とこの容器と共に乗せておくことができる。

又、第７図はこの発明の変形例を示したもので、真空圧
力を下げる丸め、シール面が金属のｆ−）パルプを用い
るべき所を、シール面がノ母イトン等の有機材料のパル
プを有効に用いている。即ち、大気からの蒸発材料を入
れる予備室１９と分子線結晶成長室１５との間には、シ
ール面がパイトンのパルプ４４を設ける。更ニ、このノ
々ルｆ４４と分子線結晶成長室１５との間には、実効上
の気密封止はできないが、超高真空域におけるパイトン
からの放出ガスの分子線結晶成長室に及ぶのを十分防ぎ
得る外部から動かすことのできる極小コンダクタンスの
可動隔壁４５を設ける。そして、この可動隔壁４５と上
記パルｆ４４との間の空間４６は、例えはチタンサノリ
メーシ璽ン４ング４１によシ、排気されている。このよ
うな構成の変形例においては、蒸発材料の搬送はΔルｆ
４４と可動隔壁４５とを開いて行ない、分子線成長中は
ｒ−）パルプ４４と可動隔壁４５とも閉じた状態にして
おくという用い方をするものである。又、この変形例で
は、特に各々が独立しているため、パルプ４４と可動隔
壁４５とに囲まれた空間４６は大きく描かれているが、
実際はチタンサブリメ−シ冒ンＩング４ｒを小形化して
極く小さくすることも可能である。更に、可動隔壁４５
もペロー゛ズを用いて水冷や液体窒素で冷却して、圧力
低下に寄与し得ることが可能である。

尚、第７図中、第２図と同一箇所は同一符号を付してあ
２る。

上記実施例では、分子線発生器Ｊ６に蒸発材料容器１２
が固定されていた。実際、分子線結晶成長を行なうため
、分子線発生器単体を購入しようとする場合、どうして
もそうしたものし−か入手できないのが一般的であった
。しかし、蒸発材料の真空中での処理をより十分に行な
おうとすると、例えばＡｔなどは蒸発材料の容器として
用いられるノ臂イロリティックノロンナイトンイどのル
ツＩに、融点を越えて熱すると固着してしまうのが普通
である。特に、アルミニウムは、このルツ−との熱膨張
係数の違いで、繰シ返し用いる場合、破壊されてしまう
ことがしはしはある。多くの材料は、一度融点を越えれ
ば昇華性の材料でない限シ、十分な熱処理を行なうこと
がルツＩへの付着は避は難い。このため、これまで述べ
た蒸発材料の容器は、全て分子線発生器１６のルツボ即
ち蒸発材料容器１７そのものを利用することができる訳
けである。

ただ、このルツ♂の容器が弧い場合、分子線発生器１６
内に収めるには、分子線結晶成長室１５に特別な搬送器
が必要となる。そして簡単な機構とするには、分子線発
生器１６の分子線発生方向の基板を取除いた延長方向に
、ルツがの保持と分子線発生器１＃の軸方向への運動を
する機構と、材料搬送器の運動軸を一致させ、組合せて
用いることである。

又、分子線結晶成長室１５の一部に蒸発材料を蓄えてお
き、分子線結晶成長室１５外から搬送器を用いて、蓄え
ておいた蒸発材料を分子線発生器ＩＣの蒸発材料容器１
７に移すように構成することもできる。この場合、必ず
しも十分な蒸発材料を用意できないこと、分子線結晶成
長室１５を大気に曝さなければならない欠点１まある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の分子線結晶成長装置を示す概略構成１゛
、−第２図はこの発明の一実施例に係る分子線結晶成長
装置を示す概略構成図、第３図及び第４図は第２図の装
置における搬送器を示す断面図と側面図、第５図乃至第
７図はこの発明の変形例を示す断面図と概略構成図であ
る。 １５・・・分子線結晶成長室、１６・・・分子線発生器
、１ｒ・・・蒸発材料容器、１８・・・パル！、１９・
・・予備室、２０・・・パルプ、２ノ・・・真空ポンプ
、２２・・・電極、！−３・・・搬送器、２４・・・回
転軸、２５・・・搬送器本体、２６・・・容器、２２・
・・蒸発材料、２８・・・漏斗。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 第５Ｅ 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　分子線結晶成長を行なう分子線結晶成長室と
   、この分子線結晶成長室内に設けられ蒸発材料容器を有
   する分子１ｍ発生器と、上記蒸発材料容器内に蒸発材料
   を注入する搬送器とを少なくとも真備した分子線結晶成
   長装置を用い、蒸発材料容器内に蒸発材料を搬送器で注
   入した後、基板に分子線結晶成長を行なうことを特徴と
   した分子線結晶成長方法。 （２）　　パルプを介して真空Ｉングが接続されている
   予備室を、上記分子線結晶成長室に／４ルブを介して連
   結し、且つ該予備室に大気中から蒸発材料を挿入し、真
   ｇ！排気し友後、皺蒸発材料を上記搬送器で上記分子線
   発生器の蒸発材料容器に注入する特許請求の範囲第１項
   記載の分子線結晶成長方法。 （３）上記予備室内に加熱用ヒーター、或いは希ガスを
   満たしてガス放電を起し得る電極を設け、咳予備室内で
   蒸発材料を清浄化処理する特許請求の範囲第２項記載の
   分子線結晶成長方法。 （４）　　上記搬送器により、上記予備室内で清浄化処
   理のなされた蒸発材料容器を開封して分子線結晶成長室
   に移動し、分子線発生器内の蒸発材料容器に蒸発材料を
   注入する特許請求の範囲第３項記載の分子線結晶成長方
   法。 （５）　　上記予備室内に大気中から入れられた分子線
   結晶成長用基板と蒸発材料とを搬送器により分子−結晶
   成長室に搬入し、該分子線結晶成長室内の分子線結晶成
   長基板の所定位置に分子線結晶用基板を配置する特許請
   求の範囲第２項乃至第４項記載の分子線結晶成長方法。 （６）　　上記分子線発生器Ｏ蒸発材料容器に蒸発材料
   を注入する前の真空状態で分子線結晶成長時の温度より
   ４高い温度で空焼きをなし、その後、蒸発材料を分子線
   発生器の蒸発材料容器内に注入する特許請求の範囲第１
   項乃至第５項配叡の分子線結晶成長方法。 （７）上記蒸発材料は有底筒状容器に溶着固化されてお
   ）、該有底筒状容器を大気から予備室に入れ、骸予備室
   をはｔ！到達圧力にした後、清浄化処理を行ない、その
   後、分子線結晶成長室に入れて該有底筒状容器を加熱し
   、蒸発材料を重力で分子線発生器の蒸発材料容器内に滴
   下する特許請求の範囲第２項乃至１８６項記載の分子線
   結晶成長方法。 （８）　　上記分子線結晶成長室内において、上記有底
   筒状容器の底を上方に向けた上で加熱し、蒸発材料を溶
   滴する特許請求の範囲第７項記載の分子線結晶成長方法
   。 （９）上記有底筒状容器の加熱は、該容器に設は九ヒー
   ターか、或いは分子線発生器自身の加熱による特許請求
   の範囲第７項及び第８項記載の分子線結晶成長方法。 （７）　上記蒸発材料の有底筒状容器への固化溶着は、
   分子線結晶成長装置とは異なる真空装置内で行なう特許
   請求の範囲第７項乃至第９項記載の分子融結ｉ成長方法
   。 ０υ　上記蒸発材料又紘咳蒸発材料を入れた容器を、分
   子線結晶成長装置と異なる別の真空装置内で、真空気密
   となし得る有蓋、有底容器に収納し、内部を真空気密と
   したまま分子線結晶成長装置内に入れ、該装置内で蓋を
   取り、蒸発材料を分子線発生器内の蒸発材料容器に注入
   する特許請求の範囲第１項乃至第１０項記載の分子線結
   晶成長方法。 ａＺ　　上記蒸発材料は、Ｇａ、　Ａｓ＋　Ｅｎ＋　Ｔ
   ｏ＋　Ｐｂ＋Ｍｇ＋　Ｓｎ、　ｐｌ　ｓｔ、　Ｇｅｌ　
   Ｍａｔ　８ｅ、　Ｌ　Ｚｎ＋　）’＠ｌ　Ｂ＠ｙＡＡ、
   　Ｓｂ、　Ｃｄ、ムＳｌ＋　Ｃｕ、　Ｋｎのうちの１つ
   又は複数からなっている特許請求の範囲第１項乃至第１
   １項記載の分子線結晶成長方法。 α謙　上記有底筒状容器に溶着固化され九蒸発材料がＧ
   ａ、　Ｉｎｓ　８１　ｒ　Ｇａ　＋　Ｍｎ＋　Ｚｎ＋　
   Ｆａｎ　ＡＩ−＋　８ｂのうちの少なくとも１つである
   特許請求の範囲　　。 ＋１ 第７項乃至第１０項記載の分子線結晶成長方法。 ａ４　　上記分子線発生器の蒸発材料容器を用いて、蒸
   発材料をメ該蒸発材料容器と共に分子線結晶成長室内に
   入れる特許請求の範囲第１項乃至９１３項記載の分子線
   結晶成長方法。 ａ９　　分子線結晶成長を行なう分子線結晶成長室と、
   この分子線結晶成長室内に設けられ蒸発材料容器を有す
   る分子線発生器と、上記蒸発材料容器内に蒸発材料を注
   入する搬送器とを少なくとも具備することを特徴とした
   分子線結晶成長装置。 αｅ　パル！を介して真空ポンプが接続されている予備
   室を、上記分子線結晶成長室にパルプを介して連結し、
   上記蒸発材料が予備室に大気中から挿入されている特許
   請求の範囲第１５項記載の分子線結晶成長装置。 ０７）上記予備室内に、上記蒸発材料の清浄化処理が可
   能な加熱用ヒーター、あるいは希ガスを満たしてガス放
   電を起し得る電極を設けた特許請求の範囲第１６項記載
   の分子線結晶成長装置Ｏ 賭　上記搬送器は、上記予備室内で既に清浄化処理のな
   された蒸発材料を収め九谷器を開封することができる特
   許請求の範囲第１６項及び第１７項記載の分子線結晶成
   長装置。 σ１　上記予備室内に、分子耐結晶成長室に１度に移さ
   れる量以上の量の蒸発材料を貯えておくことができるよ
   うに構成した特許請求の範囲第１６項乃至第１８項記載
   の分子線結晶成長装置。 （至）上記搬送器により分子線結晶成長室内に移される
   蒸発材料の容器は、分子線発生器の蒸発材料容器その本
   のである特許請求の範囲第１５項乃至第１９項記載の分
   子線結晶成長装置。 Ｑυ　上記分子線結晶成長室と予備室との間に、少なく
   とも１つのバルブと、分子線結晶成長室にｖＩＩ接し閉
   じられたとき殆どコンダクタンスが無視し得、且つ開け
   られたとき蒸発材料や紋蒸発材料を入れた容器が通過し
   得る可動隔壁を設け、更に該所動隔壁と上記バルブとの
   間の通路に独立した真空Ｉングを接続した特許請求の範
   囲第１６項乃至９２１項記載の分子線結晶成長装置。 に）上記真空ポンダは、チタンサ！リメーシ■ン４ング
   である特許請求の範囲第２１項記載の分子線結晶成長装
   置。 （至）上記可動隔壁部分が、水冷又は液体窒素等で冷却
   できるように構成された特許請求の範囲第２１項及び第
   ２２項記載の分子線結晶成長装置。 （財）　上記蒸発材料は、Ｇａ、Ａｓ、夏！ｌ　ｒ　Ｔ
   ＠　＋　Ｐ　ｂ　＋Ｍｇ、　Ｓｎ、　Ｐ＋　８１．　Ｇ
   ｏｏ　Ｍｎ、　Ｂａｒ　Ｌ　Ｚ！ＩＩ　Ｆ＠、　Ｂ＠。 Ａｔ＊　８ｂ＋　Ｃｄ、　Ａｕ、　Ｃｕ、　Ｅｕのうち
   １つ又は複数からなっている特許請求の範囲第１５項乃
   至第２３項記載の分子線結晶成長装置。