JPS5952973B2 - 半導体による光検知回路の温度補償回路 - Google Patents
半導体による光検知回路の温度補償回路Info
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- JPS5952973B2 JPS5952973B2 JP54039046A JP3904679A JPS5952973B2 JP S5952973 B2 JPS5952973 B2 JP S5952973B2 JP 54039046 A JP54039046 A JP 54039046A JP 3904679 A JP3904679 A JP 3904679A JP S5952973 B2 JPS5952973 B2 JP S5952973B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置を用いた光検知回路の温度補償回路
に関するものである。
に関するものである。
半導体装置を用いた光検知回路として本発明者等によつ
て次のような波長検知装置が開発されている。
て次のような波長検知装置が開発されている。
即ち半導体基板の厚さ方向における光吸収の度合が照射
光の波長に依存する性質を利用し、半導体基板内部に深
さを相違させて少なくとも２個のＰＮ接合部を形成し、
各ＰＮ接合部での光電流出力を照射光の波長と対応させ
るものである。第１図は本発明者等によつて開発された
波長検知回路に適用される光半導体装置１の断面図で、
例えばＰ型シリコン基板２にＮ型導電性を示すエピタキ
シャル層３が設けられ、更に該Ｎ型エピタキシャル層３
中に比較的浅くＰ゛拡散が施こされてＰ型領域４が設け
られ、Ｐ型基板２とＮ型エピタキシャル層３との間で深
く位置する第１のＰＮ接合５が形成され、Ｎ型エピタキ
シャル層３とＰ″′領域４との間で浅く位置する第２の
ＰＮ接合が形成されている。従来のホトトランジスタに
おいては、上記第２のＰＮ接合に相当するベース・エミ
ッタ間のＰＮ接合は直ちに光電変換に寄与する処がない
ため半導体領域の極めて限られた領域に設けられていた
が、上記光半導体装置１においては第２のＰＮ接合６か
らも光電流が取り出されるため、Ｎ型エピタキシャル領
域３内の比較的広い範囲にＰＮ接合が生じるように拡散
領域のパターンが設計されている。７はＮ型エピタキシ
ャル層３を貫通して設けられたＰ″′アイソレーシヨン
領域である。
光の波長に依存する性質を利用し、半導体基板内部に深
さを相違させて少なくとも２個のＰＮ接合部を形成し、
各ＰＮ接合部での光電流出力を照射光の波長と対応させ
るものである。第１図は本発明者等によつて開発された
波長検知回路に適用される光半導体装置１の断面図で、
例えばＰ型シリコン基板２にＮ型導電性を示すエピタキ
シャル層３が設けられ、更に該Ｎ型エピタキシャル層３
中に比較的浅くＰ゛拡散が施こされてＰ型領域４が設け
られ、Ｐ型基板２とＮ型エピタキシャル層３との間で深
く位置する第１のＰＮ接合５が形成され、Ｎ型エピタキ
シャル層３とＰ″′領域４との間で浅く位置する第２の
ＰＮ接合が形成されている。従来のホトトランジスタに
おいては、上記第２のＰＮ接合に相当するベース・エミ
ッタ間のＰＮ接合は直ちに光電変換に寄与する処がない
ため半導体領域の極めて限られた領域に設けられていた
が、上記光半導体装置１においては第２のＰＮ接合６か
らも光電流が取り出されるため、Ｎ型エピタキシャル領
域３内の比較的広い範囲にＰＮ接合が生じるように拡散
領域のパターンが設計されている。７はＮ型エピタキシ
ャル層３を貫通して設けられたＰ″′アイソレーシヨン
領域である。
上記Ｐ型基板２、Ｎ型エピタキシャル領域３及びＰ゛領
域フ４には夫々オーミックコンタクトがとられた電極８
、９、１０が設けられ、少なくともＰ゛領域４を被う半
導体層上に反射防止膜等の透光性絶縁膜１１が被着され
ている。上記第１のＰＮ接合５が半導体層の表面に達す
る絶縁膜１１上には、照射、された光エネルギーの内の
短波長成分が表面近傍の第１のＰＮ接合５に吸収される
ことを防止するために、Ａｌ膜等からなる非透光性薄膜
１２が設けられている。該非透光性薄膜１２は、波長検
知時における波長と電極間出力との対応関係における短
波長側の直線性を改善するもので、第２のＰＮ接合６が
半導体表面に達している近傍まで被うことが望ましい。
第２図は上記光半導体装置１の等価回路図で、Ｐ型基板
２とＮ型エピタキシヤル領域３で第１のホトダイオード
ＰＤｌが形成され、Ｎ型エピタキシヤル領域３とＰ＋領
域４とで第２のホトダイオードＰＤ２が形成される。
域フ４には夫々オーミックコンタクトがとられた電極８
、９、１０が設けられ、少なくともＰ゛領域４を被う半
導体層上に反射防止膜等の透光性絶縁膜１１が被着され
ている。上記第１のＰＮ接合５が半導体層の表面に達す
る絶縁膜１１上には、照射、された光エネルギーの内の
短波長成分が表面近傍の第１のＰＮ接合５に吸収される
ことを防止するために、Ａｌ膜等からなる非透光性薄膜
１２が設けられている。該非透光性薄膜１２は、波長検
知時における波長と電極間出力との対応関係における短
波長側の直線性を改善するもので、第２のＰＮ接合６が
半導体表面に達している近傍まで被うことが望ましい。
第２図は上記光半導体装置１の等価回路図で、Ｐ型基板
２とＮ型エピタキシヤル領域３で第１のホトダイオード
ＰＤｌが形成され、Ｎ型エピタキシヤル領域３とＰ＋領
域４とで第２のホトダイオードＰＤ２が形成される。
第３図は上記構造の光半導体装置１における分光感度特
性を示す図で、曲線Ａは深いＰＮ接合をもつ第１のホト
ダイオードＰＤｌから、曲線Ｂは浅いＰＮ接合をもつ第
２のホトダイオードＰＤ２から得られた照射光の波長（
λｍμ）と感度との関係を夫々示し、第１のホトダイオ
ードＰＤｌでは長波長成分が吸収され、第２のホトダイ
オードＰＤ２では短波長成分が吸収されている。
性を示す図で、曲線Ａは深いＰＮ接合をもつ第１のホト
ダイオードＰＤｌから、曲線Ｂは浅いＰＮ接合をもつ第
２のホトダイオードＰＤ２から得られた照射光の波長（
λｍμ）と感度との関係を夫々示し、第１のホトダイオ
ードＰＤｌでは長波長成分が吸収され、第２のホトダイ
オードＰＤ２では短波長成分が吸収されている。
第４図は上記光半導体装置１を用いてなる波長検知回路
で、第１ホトダイオードＰＤｌ及び第２ホトダイオード
ＰＤ２の光出力電流しＤｌ，し。
で、第１ホトダイオードＰＤｌ及び第２ホトダイオード
ＰＤ２の光出力電流しＤｌ，し。
２が夫々導出されて入力インピーダンスの高い演算増幅
回路０Ｐ１及び０Ｐ２に入力される。
回路０Ｐ１及び０Ｐ２に入力される。
該演算増幅回路０Ｐ１及び０Ｐ２にはいずれもフイード
バツク路に対数圧縮特性を備えた対数圧縮ダイオードＤ
ｌ，Ｄ２が接続され、入力されたホトダイオードＰＤｌ
，円λの光比力電流が対数圧縮されて出力される。両演
算増幅回路０Ｐ１，０Ｐ２から導出された出力信゜号Ｖ
ＯＰｌ，ＶＯＰ２は続いて夫々抵抗Ｒ１或いは抵抗Ｒ２
を介してオペアンプ０Ｐ３のｅ端子或いはＯ端子に入力
される。ここでオペアンプ０Ｐ３に接続された抵抗Ｒｌ
，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を各抵抗値が予めＲ１＝Ｒ２、Ｒ３
＝Ｒ４の関係になるように設計することにより、オペア
ンプ出力として上記Ｖ。ＰｌとＶ。Ｐ２を減算した値に
比例するＶ。Ｏｌが得られる。即ち出力ＶＯＵＴは両ホ
トダイオードＰＤｌ，ＰＤ２の光出力電流ＩＰＯｌ，Ｉ
ＰＯ２の比を対数圧縮した値１０ｇＩＰ０２／ＩＰＯｌ
に比例した値として得られる。第５図は上記波長検知回
路出力Ｖ。
バツク路に対数圧縮特性を備えた対数圧縮ダイオードＤ
ｌ，Ｄ２が接続され、入力されたホトダイオードＰＤｌ
，円λの光比力電流が対数圧縮されて出力される。両演
算増幅回路０Ｐ１，０Ｐ２から導出された出力信゜号Ｖ
ＯＰｌ，ＶＯＰ２は続いて夫々抵抗Ｒ１或いは抵抗Ｒ２
を介してオペアンプ０Ｐ３のｅ端子或いはＯ端子に入力
される。ここでオペアンプ０Ｐ３に接続された抵抗Ｒｌ
，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を各抵抗値が予めＲ１＝Ｒ２、Ｒ３
＝Ｒ４の関係になるように設計することにより、オペア
ンプ出力として上記Ｖ。ＰｌとＶ。Ｐ２を減算した値に
比例するＶ。Ｏｌが得られる。即ち出力ＶＯＵＴは両ホ
トダイオードＰＤｌ，ＰＤ２の光出力電流ＩＰＯｌ，Ｉ
ＰＯ２の比を対数圧縮した値１０ｇＩＰ０２／ＩＰＯｌ
に比例した値として得られる。第５図は上記波長検知回
路出力Ｖ。
Ｏｌと波長（λｍμ）との関係を示す図で、ほぼ直線関
係が得られ、照射光の波長に応じた値の出力信号を得る
ことができる。従つて光半導体装置の分光感度特性が予
め決定されれば、光出力と波長の関係は一義的に決定さ
れ、波長が不明な光が光半導体装置に照射された場合に
、波長検知回路の出力によつて波長を測定することがで
きる。しかし、上記波長検知回路において、演算増幅回
路に接続された対数圧縮ダイオードＤ１及びＤ２は相当
に大きい温度係数をもち、通常の抵抗が接続されたまま
の回路では温度変化に対して精度の高い動作を期待する
ことができず、上記波長検知回路の適用条件が制限され
る等実用化には問題があつた。
係が得られ、照射光の波長に応じた値の出力信号を得る
ことができる。従つて光半導体装置の分光感度特性が予
め決定されれば、光出力と波長の関係は一義的に決定さ
れ、波長が不明な光が光半導体装置に照射された場合に
、波長検知回路の出力によつて波長を測定することがで
きる。しかし、上記波長検知回路において、演算増幅回
路に接続された対数圧縮ダイオードＤ１及びＤ２は相当
に大きい温度係数をもち、通常の抵抗が接続されたまま
の回路では温度変化に対して精度の高い動作を期待する
ことができず、上記波長検知回路の適用条件が制限され
る等実用化には問題があつた。
本発明は上記従来回路の問題点に鑑みてなされたもので
簡単な構成の温度補償回路を付加するのみで温度変化に
拘わらず信頼度の高い光検知動作を実行させ得る光検知
回路を提供することを目的とする。
簡単な構成の温度補償回路を付加するのみで温度変化に
拘わらず信頼度の高い光検知動作を実行させ得る光検知
回路を提供することを目的とする。
次に本発明に係る温度補償回路の一実施例を詳細に説明
する。
する。
まず、本発明に係る前提どなる温度補償回路の回路構成
について説明を行なう。
について説明を行なう。
第４図の波長検知回路において、単純化のために接続さ
れた抵抗値をＲ１＝Ｒ２、Ｒ３＝Ｒ４とし、ホトダイオ
ードＰＤｌの短絡電流を１５０１、ホトダイオードＰＤ
２の短絡電流を１５０２とすると、各演算増幅回路０Ｐ
１，０Ｐ２の出力Ｖ。
れた抵抗値をＲ１＝Ｒ２、Ｒ３＝Ｒ４とし、ホトダイオ
ードＰＤｌの短絡電流を１５０１、ホトダイオードＰＤ
２の短絡電流を１５０２とすると、各演算増幅回路０Ｐ
１，０Ｐ２の出力Ｖ。
ｐ，及び゛ＶＯＰ２はＶＯＰｌ１−Ｖα１Ｌ０ｇＩＳＣ
１＋β１Ｖ０Ｐ２１−Ｖ滅ＬＯｇＩｓｃ２＋Ｖ虎 と表わされる。
１＋β１Ｖ０Ｐ２１−Ｖ滅ＬＯｇＩｓｃ２＋Ｖ虎 と表わされる。
ただし、Ｖａｌ、Ｖ，ｌ、Ｖａ２、Ｖ２は定数で、一般
にはＶａｌ＝Ｖａ２＝Ｖａ、ＶＩＪｌ＝Ｖ２＝ＶＩＪと
なる。次に光検知回路の出力Ｖ。
にはＶａｌ＝Ｖａ２＝Ｖａ、ＶＩＪｌ＝Ｖ２＝ＶＩＪと
なる。次に光検知回路の出力Ｖ。
ＵｌはＲ
ＶＯＵＴ］：（０Ｐ！−ＶＯＰ２）
Ｒ
＝Ｖαｍ：（ＬＯｇＩｓｃ２−ＬＯｇＩｓｃｌ）Ｒ＝
Ｖａ−Ｉｉ−[メ@ ＬＯｇ（Ｉｓｃ２／Ｉｓｃｌ）とな
る。
Ｖａ−Ｉｉ−[メ@ ＬＯｇ（Ｉｓｃ２／Ｉｓｃｌ）とな
る。
ここで定数Ｖａは１５０２／１５０１の対数圧縮分につ
いての温度係数をもち、例えば常温で約十０．３４％／
℃程度の値を示す。従つて上記出力Ｖ。Ｕｌが温度補償
された値として出力されるためには、上記式中のＶａ・
Ｒ３Ａ＜，２の値が温度に拘わらずほぼ一定になるよう
に回路設計される必要がある。従つて温度補償された回
路とするために定数Ｖａの温度変化を補正するに充分な
温度係数をもつた抵抗を用いる。この為には定数Ｖａと
抵抗Ｒｌ，Ｒ２の温度係数が同一になる抵抗を選択すれ
ばよい。尚抵抗Ｒ２としては温度係数の大きい抵抗と通
常の回路に接続されている抵抗とを組み合せて利用する
こともできる。また特に高精度が要求されない場合には
抵抗として温度係数が大きいポジスタ、或いはサーミス
タを利用することもできる。第６図に以上の温度補償に
係る技術を用いてなした本発明による実施例を示す。同
図に示す回路は第４図に示した波長検知回路に更に抵抗
Ｒ５を介して演算増幅回路０Ｐ４が接続されてなる。更
に演算増幅器０Ｐ４のＯ入力端子に、抵抗Ｒ６を介して
電圧Ｖ。が印加されると共に、抵抗Ｒ８を介して電圧Ｖ
。が印加される。上記回路において説明を簡略にするた
め各抵抗についてＲ１＝Ｒ２、Ｒ３＝Ｒ４、Ｒ５＝Ｒ６
及びＲ７＝Ｒ８とすると、出力Ｖ″０ｕェはＶＯＰｌ出
−Ｖα１Ｌ０ｇＩＳＣ１＋β１Ｖ０Ｐ２出−Ｖａ２ＬＯ
ｇＩＳＣ２＋Ｖワａ１＝Ｖａ２＝Ｖａ、Ｖｌ３ｌ＝２＝
Ｖ，とすると ＶＯＰ３ Ｒ １二１αＬＯｇ（Ｉｓｃ２／Ｉｓｃｌ） Ｖ′０ＵＴ＝暑二 ＶＤ＋ｏ＋マ？＝卜÷嗣卜嘴ＺＶａ
ＬＯｇ（１８０１Ａ８０２）となる。
いての温度係数をもち、例えば常温で約十０．３４％／
℃程度の値を示す。従つて上記出力Ｖ。Ｕｌが温度補償
された値として出力されるためには、上記式中のＶａ・
Ｒ３Ａ＜，２の値が温度に拘わらずほぼ一定になるよう
に回路設計される必要がある。従つて温度補償された回
路とするために定数Ｖａの温度変化を補正するに充分な
温度係数をもつた抵抗を用いる。この為には定数Ｖａと
抵抗Ｒｌ，Ｒ２の温度係数が同一になる抵抗を選択すれ
ばよい。尚抵抗Ｒ２としては温度係数の大きい抵抗と通
常の回路に接続されている抵抗とを組み合せて利用する
こともできる。また特に高精度が要求されない場合には
抵抗として温度係数が大きいポジスタ、或いはサーミス
タを利用することもできる。第６図に以上の温度補償に
係る技術を用いてなした本発明による実施例を示す。同
図に示す回路は第４図に示した波長検知回路に更に抵抗
Ｒ５を介して演算増幅回路０Ｐ４が接続されてなる。更
に演算増幅器０Ｐ４のＯ入力端子に、抵抗Ｒ６を介して
電圧Ｖ。が印加されると共に、抵抗Ｒ８を介して電圧Ｖ
。が印加される。上記回路において説明を簡略にするた
め各抵抗についてＲ１＝Ｒ２、Ｒ３＝Ｒ４、Ｒ５＝Ｒ６
及びＲ７＝Ｒ８とすると、出力Ｖ″０ｕェはＶＯＰｌ出
−Ｖα１Ｌ０ｇＩＳＣ１＋β１Ｖ０Ｐ２出−Ｖａ２ＬＯ
ｇＩＳＣ２＋Ｖワａ１＝Ｖａ２＝Ｖａ、Ｖｌ３ｌ＝２＝
Ｖ，とすると ＶＯＰ３ Ｒ １二１αＬＯｇ（Ｉｓｃ２／Ｉｓｃｌ） Ｖ′０ＵＴ＝暑二 ＶＤ＋ｏ＋マ？＝卜÷嗣卜嘴ＺＶａ
ＬＯｇ（１８０１Ａ８０２）となる。
従つて抵抗Ｒ５，Ｒ６又はＲ７，Ｒ８を温度係数の秦ｒ
い抵抗又（♂苫コ西スタ等を用いる÷とにより玉ＫＶＤ
の項、椙］上÷Ｖａの項により温度補償が可能になる。
また印加電圧Ｖ。の値により零巴豐？′７当弯Ｘ？？ｉ
）代：？ＶＯは同グラフのｘ軸方向の調整値を意味して
，， Ｒ７いる。
い抵抗又（♂苫コ西スタ等を用いる÷とにより玉ＫＶＤ
の項、椙］上÷Ｖａの項により温度補償が可能になる。
また印加電圧Ｖ。の値により零巴豐？′７当弯Ｘ？？ｉ
）代：？ＶＯは同グラフのｘ軸方向の調整値を意味して
，， Ｒ７いる。
ここでｆ−ＶＤの項は上記した如く温度補償の可能な項
であつて、予め２個のホトダイオードＰＤｌ，ＰＤ２か
らなる光半導体装置１の温度係数に対応させて抵抗（サ
ーミスタ）の値及びＶＤの値を調整することにより温度
補償を行なうことができる。この点は従来のホトダイオ
ードの場合における温度補償と著しく異なるところであ
る。即ち従来の単一のホトダイオードでは温度係数の値
が入射光の波長によつて著しく変化するのでホトダイオ
ード自体の温度による変化に対する温度補償は難しかつ
た。しかし、第１図の構造の光半導体装置１を用い第６
図の如き波長検知回路を構成した場合、その出力Ｖ″０
ｕェは同一素子内に構成された２個のホトダイオードＰ
Ｄｌ，ＰＤ２の光出力電流の比を対数圧縮した値に比例
した形で導出されるもので゛あるので゛、その出力″０
ＵＴにおける２個のホトダイオードＰＤｌ，ＰＤ２から
なる光半導体装置自体が原因の温度による変化は入射光
の波長に±つてほとべ？艷響を受けない。そのような背
景に基いて上記−ＶＤの項が適用された。Ｒ５ 以上本発明によれば対数圧縮ダイオードを接続してなる
光検知回路において、温度係数が大きい抵抗等を接続し
て回路を構成することにより、対数圧縮ダイオードの温
度変化を補償することができ、更に同一素子内部に複数
個のホトダイオードが具備される光半導体装置の温度変
化をも補償することができ、高精度の光検知動作を得る
ことができるものである。
であつて、予め２個のホトダイオードＰＤｌ，ＰＤ２か
らなる光半導体装置１の温度係数に対応させて抵抗（サ
ーミスタ）の値及びＶＤの値を調整することにより温度
補償を行なうことができる。この点は従来のホトダイオ
ードの場合における温度補償と著しく異なるところであ
る。即ち従来の単一のホトダイオードでは温度係数の値
が入射光の波長によつて著しく変化するのでホトダイオ
ード自体の温度による変化に対する温度補償は難しかつ
た。しかし、第１図の構造の光半導体装置１を用い第６
図の如き波長検知回路を構成した場合、その出力Ｖ″０
ｕェは同一素子内に構成された２個のホトダイオードＰ
Ｄｌ，ＰＤ２の光出力電流の比を対数圧縮した値に比例
した形で導出されるもので゛あるので゛、その出力″０
ＵＴにおける２個のホトダイオードＰＤｌ，ＰＤ２から
なる光半導体装置自体が原因の温度による変化は入射光
の波長に±つてほとべ？艷響を受けない。そのような背
景に基いて上記−ＶＤの項が適用された。Ｒ５ 以上本発明によれば対数圧縮ダイオードを接続してなる
光検知回路において、温度係数が大きい抵抗等を接続し
て回路を構成することにより、対数圧縮ダイオードの温
度変化を補償することができ、更に同一素子内部に複数
個のホトダイオードが具備される光半導体装置の温度変
化をも補償することができ、高精度の光検知動作を得る
ことができるものである。
第１図は光半導体装置の断面図、第２図は同装置の等価
回路図、第３図は同装置の分光感度特性図、第４図は光
半導体装置を用いた波長検知装置の回路図、第５図は同
波長検知装置による波長と出力の開係を示す図、第６図
は本発明による実施例を示す回路図、である。 １：光半導体装置、ＰＤｌ：第１ホトダイオード、ＰＤ
２：第２ホトダイオード、０Ｐ１，０Ｐ２，０Ｐ３，０
Ｐ４：演算増幅回路、Ｒ１〜Ｒ８：抵抗、Ｄｌ，Ｄ２：
対数圧縮ダイオード。
回路図、第３図は同装置の分光感度特性図、第４図は光
半導体装置を用いた波長検知装置の回路図、第５図は同
波長検知装置による波長と出力の開係を示す図、第６図
は本発明による実施例を示す回路図、である。 １：光半導体装置、ＰＤｌ：第１ホトダイオード、ＰＤ
２：第２ホトダイオード、０Ｐ１，０Ｐ２，０Ｐ３，０
Ｐ４：演算増幅回路、Ｒ１〜Ｒ８：抵抗、Ｄｌ，Ｄ２：
対数圧縮ダイオード。
Claims (1)
- １ 半導体基板の厚さ方向に深さを相違させて複数のＰ
Ｎ接合が形成され、光が照射された状態で各ＰＮ接合に
生じた光電流を夫々導出する電極が設けられた光半導体
装置と、該光半導体装置の各ＰＮ接合の出力が夫々入力
されて上記出力を対数圧縮する複数の対数圧縮回路と、
該複数の対数圧縮回路の各出力が与えられて入力信号を
減算処理する減算回路とを備えてなる光検知回路に付加
される温度補償回路であつて、上記減算回路に含まれる
抵抗の少なくとも一部に、上記対数圧縮回路内に設けら
れた対数圧縮ダイオードの温度による値の変化を補償す
る温度補償抵抗と、上記光半導体装置自体の温度による
値の変化を補償する温度補償抵抗とを設けたことを特徴
とする半導体による光検知回路の温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54039046A JPS5952973B2 (ja) | 1979-03-30 | 1979-03-30 | 半導体による光検知回路の温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54039046A JPS5952973B2 (ja) | 1979-03-30 | 1979-03-30 | 半導体による光検知回路の温度補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55132078A JPS55132078A (en) | 1980-10-14 |
| JPS5952973B2 true JPS5952973B2 (ja) | 1984-12-22 |
Family
ID=12542172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54039046A Expired JPS5952973B2 (ja) | 1979-03-30 | 1979-03-30 | 半導体による光検知回路の温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952973B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174463U (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826234A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 光波長検出素子 |
| JPS61114135A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-05-31 | Sharp Corp | 照度信号出力端子付色温度検出装置 |
| JPS6193923A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Sharp Corp | 色温度の検出回路 |
| JPS6219725A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Sharp Corp | 半導体カラ−センサ検出回路 |
| JPS62106330A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 色温度情報検出回路 |
| US4681434A (en) * | 1985-11-14 | 1987-07-21 | United Technologies Corporation | Dual spectra optical pyrometer having a serial array of photodectectors |
-
1979
- 1979-03-30 JP JP54039046A patent/JPS5952973B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174463U (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55132078A (en) | 1980-10-14 |
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