JPS5952425A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPS5952425A JPS5952425A JP16100482A JP16100482A JPS5952425A JP S5952425 A JPS5952425 A JP S5952425A JP 16100482 A JP16100482 A JP 16100482A JP 16100482 A JP16100482 A JP 16100482A JP S5952425 A JPS5952425 A JP S5952425A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic material
- flux density
- shielding member
- magnetoresistive head
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、再生減磁を低減した短波長記録再生に好適な
磁気抵抗効果を有する磁気ヘッドに関する。
磁気抵抗効果を有する磁気ヘッドに関する。
近年の磁気記録の重要な課題は、いかに短波長領域の記
録再生を実現するかである。記録媒体に記録された信号
磁界に感磁し電気抵抗の変化どして出力する磁気抵抗効
果ヘッド（以下ＭＲヘッノドする。）において、特に短
波長領域に有効な従来例としては、特公昭５６−１０６
８３号公報に示される磁気シールド付のＭＲヘッノドあ
る。
録再生を実現するかである。記録媒体に記録された信号
磁界に感磁し電気抵抗の変化どして出力する磁気抵抗効
果ヘッド（以下ＭＲヘッノドする。）において、特に短
波長領域に有効な従来例としては、特公昭５６−１０６
８３号公報に示される磁気シールド付のＭＲヘッノドあ
る。
以下従来のＭＲヘッノド第１図、第２図を参照して説明
する。第１図はＭＲヘッノド要部断面図を示し％１は膜
厚０．０４〜０．１μｍのパーマロイ薄膜よりなる磁気
抵抗素子、２αはフェライト等から７よる磁気シールド
部材、 ２ｈは膜厚数μ扉のパーマａ、イ薄膜よりなる
磁気シールド部材、５は上記の磁気抵抗素子１を磁気バ
イアスするためのバイアス手段、４は記録媒体、５α、
５ｂは絶蘇体である。磁気抵抗素子１は一対の磁気シ
ールド部材２α、 ２ｈ間にあるために、記録媒体４に
記録され□た短波長の信号を有効に再生することができ
る。
する。第１図はＭＲヘッノド要部断面図を示し％１は膜
厚０．０４〜０．１μｍのパーマロイ薄膜よりなる磁気
抵抗素子、２αはフェライト等から７よる磁気シールド
部材、 ２ｈは膜厚数μ扉のパーマａ、イ薄膜よりなる
磁気シールド部材、５は上記の磁気抵抗素子１を磁気バ
イアスするためのバイアス手段、４は記録媒体、５α、
５ｂは絶蘇体である。磁気抵抗素子１は一対の磁気シ
ールド部材２α、 ２ｈ間にあるために、記録媒体４に
記録され□た短波長の信号を有効に再生することができ
る。
第２図は、第１図の平面図であり、同図の上端面が記録
媒体の摺約面と駁・つている。１１は記録媒体からジご
生すイ）信号磁界である。一般に、磁気抵抗索子１は、
素子の長さ方向に一軸性の容易軸を持つように形成され
、その磁気特性（Ｂ−Ｍ特性）は磁界１１を信号磁界１
１の方向に励磁した場合第３図の特性曲瞼６のようにな
る。一方、磁気シールド部材２ｂは。
媒体の摺約面と駁・つている。１１は記録媒体からジご
生すイ）信号磁界である。一般に、磁気抵抗索子１は、
素子の長さ方向に一軸性の容易軸を持つように形成され
、その磁気特性（Ｂ−Ｍ特性）は磁界１１を信号磁界１
１の方向に励磁した場合第３図の特性曲瞼６のようにな
る。一方、磁気シールド部材２ｂは。
７の磁気特性（Ｂ −１１１臣性）で示されるような等
方向あるいは、６で示されろ磁気抵抗素子１の磁気特性
と同程度のものとなる。その理由は磁気シールド部材２
ｂと磁気抵抗素子１は牛もにパーマロイ膜よりなってい
るためである。
方向あるいは、６で示されろ磁気抵抗素子１の磁気特性
と同程度のものとなる。その理由は磁気シールド部材２
ｂと磁気抵抗素子１は牛もにパーマロイ膜よりなってい
るためである。
このような構成の従来例では、外乱磁界が発生した場合
や、記録媒体の低波長の大信号を再生１−だ場合１Ｍ６
図に示すように屑の磁界が入ったと想定すると、磁気抵
抗素子１ではＢ２．磁気シールド部材２ｂではＢ、の磁
束密度（ＢＩ＞８２）となり、第２図に示すように磁気
シールド部材２ｂの記録媒体槽ｗＪ面にＢ、の磁束密度
に相応する磁荷が発生する。このため、磁気シールド部
材２ｈが帯磁することにより。
や、記録媒体の低波長の大信号を再生１−だ場合１Ｍ６
図に示すように屑の磁界が入ったと想定すると、磁気抵
抗素子１ではＢ２．磁気シールド部材２ｂではＢ、の磁
束密度（ＢＩ＞８２）となり、第２図に示すように磁気
シールド部材２ｂの記録媒体槽ｗＪ面にＢ、の磁束密度
に相応する磁荷が発生する。このため、磁気シールド部
材２ｈが帯磁することにより。
短波長領域で最も問題となる再生減磁（該記録の短波長
領域のイ百号のレベルダウン）が生ずる欠点がある。
領域のイ百号のレベルダウン）が生ずる欠点がある。
不発明の目的は、上記した従来技術の欠点をすくシ、短
波長領域で光分・圧用に耐え得るＭＲヘッノド提供する
にある。
波長領域で光分・圧用に耐え得るＭＲヘッノド提供する
にある。
本発明の特徴は磁気抵わ１：索子と磁気シールド部材の
少なくとも一方に一軸性の磁化容易軸を持たせたことに
あり、磁気シールド部材には非晶質磁性体または低磁束
密度の軟磁性体を用いたことである。
少なくとも一方に一軸性の磁化容易軸を持たせたことに
あり、磁気シールド部材には非晶質磁性体または低磁束
密度の軟磁性体を用いたことである。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。本発明
のＭＲヘッノド構造は、第１図（ＤＭＲヘッドの構造と
ほぼ同一である。異なる点は、磁気シールド部材２ｂと
して数μｍのトラック幅方向に容易軸を持つ、Ｃｏ −
Ｎｂ 、 Ｃ。
のＭＲヘッノド構造は、第１図（ＤＭＲヘッドの構造と
ほぼ同一である。異なる点は、磁気シールド部材２ｂと
して数μｍのトラック幅方向に容易軸を持つ、Ｃｏ −
Ｎｂ 、 Ｃ。
−Ｖ 、 Ｃｏ−Ｔａ 、 Ｃｏ−Ｔｔ 、 Ｃｏ−Ｔ
ａ−Ｚｒ、 ’Ｃｏ −Ｎｏ −Ｚｒ 系等の非
晶５に磁性薄膜をスパッタリング等の方法で形成したこ
とである。
ａ−Ｚｒ、 ’Ｃｏ −Ｎｏ −Ｚｒ 系等の非
晶５に磁性薄膜をスパッタリング等の方法で形成したこ
とである。
または磁気シールド部材２ｂとして低磁束密度化を計る
ために少量のＭＯ、Ｊ／？Ｌ 、 Ｃｕ 、 Ｃ’ｒ。
ために少量のＭＯ、Ｊ／？Ｌ 、 Ｃｕ 、 Ｃ’ｒ。
Ｖ、ＩＦ’等をＦｔ −Ｎｉ合金基材に含有した磁性薄
膜を用いたことである。以下、これらの実施例について
第１図を参照して説明する。
膜を用いたことである。以下、これらの実施例について
第１図を参照して説明する。
（第１の実施、例）
本実施例では磁気シールドの一方を成す磁性体基板２α
として、飽和磁束密１（Ｂａ）が約４０００Ｇ、保磁力
（Ｈｃ） ｏ、１０ｇ 、７）低磁束密度のＮｉ −Ｚ
ｎ系フェライト基板を用いている。基板上には０，５〜
０．５μ７７Ｌ膜厚程度のＳｉｎ、あるいはＡｔ２０８
等の絶縁層を介して磁気抵抗素子１のＦｇ −Ｎｉ合金
膜（８０〜８４％ Ｎｉ ）を蒸着あるいはスパッタリ
ングで磁場中で形成しである。
として、飽和磁束密１（Ｂａ）が約４０００Ｇ、保磁力
（Ｈｃ） ｏ、１０ｇ 、７）低磁束密度のＮｉ −Ｚ
ｎ系フェライト基板を用いている。基板上には０，５〜
０．５μ７７Ｌ膜厚程度のＳｉｎ、あるいはＡｔ２０８
等の絶縁層を介して磁気抵抗素子１のＦｇ −Ｎｉ合金
膜（８０〜８４％ Ｎｉ ）を蒸着あるいはスパッタリ
ングで磁場中で形成しである。
更に、磁気抵抗素子１を磁気バイアスする手段３を形成
した後、同じ＜０．３〜０．５岬の膜厚の絶縁層を介し
て磁気シールド部材２ｂを蒸着あるいはスパッタリング
等で形成しである。
した後、同じ＜０．３〜０．５岬の膜厚の絶縁層を介し
て磁気シールド部材２ｂを蒸着あるいはスパッタリング
等で形成しである。
磁気シールド部材２ｂの形成時においても磁場中で形成
する方が、本実施例の効果が太きい。
する方が、本実施例の効果が太きい。
ここでスパッタリングの条件（ガス圧、投入パワー、基
板温度、磁界強度方向等）や材料の組成を適切に選ぶこ
とにより、磁気シールド部材２ｈの磁気特性（Ｂ−Ｈ％
性）を制御することが可能である。
板温度、磁界強度方向等）や材料の組成を適切に選ぶこ
とにより、磁気シールド部材２ｈの磁気特性（Ｂ−Ｈ％
性）を制御することが可能である。
第４図は本発明の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気特
性を示−す特性図であり、８はＣ。
性を示−す特性図であり、８はＣ。
−Ｎｂ非晶質磁性薄膜を磁気シールド部材２ｂとした場
合の磁気特性曲線、６はパーマロイ膜よりなる磁気抵抗
素子の磁気特性曲線である。
合の磁気特性曲線、６はパーマロイ膜よりなる磁気抵抗
素子の磁気特性曲線である。
パーマロイ族で形成した磁気抵抗素子１の異方性磁界Ｈ
ｋ２は、形成榮件を変えても材料自体の限界から一般に
は２〜５工ルステツド程度である。それに比較してＣｏ
−Ｎｂ非晶質磁性薄膜よりなる磁気シールド部材２ｂ
の異方性磁界Ｈｋ１は１０工ルステツド程度にすること
が容易で Ｅ’に１＞ Ｈｋ２ の胸係式が実現できる。パーマロイ膜およびＣｏ −Ｉ
Ｖｂ等の非晶質磁性薄膜の飽和蝋束密度は同程厩である
ため、外乱磁界等の磁界ｆｆ。
ｋ２は、形成榮件を変えても材料自体の限界から一般に
は２〜５工ルステツド程度である。それに比較してＣｏ
−Ｎｂ非晶質磁性薄膜よりなる磁気シールド部材２ｂ
の異方性磁界Ｈｋ１は１０工ルステツド程度にすること
が容易で Ｅ’に１＞ Ｈｋ２ の胸係式が実現できる。パーマロイ膜およびＣｏ −Ｉ
Ｖｂ等の非晶質磁性薄膜の飽和蝋束密度は同程厩である
ため、外乱磁界等の磁界ｆｆ。
が本実施例の構成のＭＲヘッノド加わった時には、第４
図に見られるように磁気シールド部材２ｈの磁束密度Ｂ
ｓは磁気抵抗効果素子１の磁束密度Ｂ２より小さくなる
。従って、従来間ふとなった磁気シールド部材２ｂ（Ｄ
記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂｓに比例）の
発生が本実施例の構成では低減でき、短波長領域での再
生減磁の問題点キ解決することができる。
図に見られるように磁気シールド部材２ｈの磁束密度Ｂ
ｓは磁気抵抗効果素子１の磁束密度Ｂ２より小さくなる
。従って、従来間ふとなった磁気シールド部材２ｂ（Ｄ
記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂｓに比例）の
発生が本実施例の構成では低減でき、短波長領域での再
生減磁の問題点キ解決することができる。
第５図は、Ｃｏ −Ｎｂ系の非晶質磁性薄膜の異方性磁
界ＥｋｉをＮｈ含有量（原子チ）の依存性を示す特性図
で、１０はそれを関数として示したものである。ここで
Ｎｂを１０〜２０％とすることによりパーマロイ族の場
合の異方性磁界Ｈ＆２（％性９）より大きくすることが
できる。
界ＥｋｉをＮｈ含有量（原子チ）の依存性を示す特性図
で、１０はそれを関数として示したものである。ここで
Ｎｂを１０〜２０％とすることによりパーマロイ族の場
合の異方性磁界Ｈ＆２（％性９）より大きくすることが
できる。
尚５本実施例では磁気抵抗素子１を磁気ノくイアスする
手段６が一対の磁気シールド部材２α、 ２ｈ間隔内に
ある例を示したが永久磁石等による磁気バイアス手段を
上記磁気シールド部材間隔外に設ける構成とした場合で
も本発明の実施例の効果は全く変わらない。更に磁気シ
ールド部材２αはフェライト（Ｈｃ −０，０１ｇの軟
磁性を示す）としたが、磁気シールド２αを磁気シール
ド２ｂと同一材料としても本発明の一実施例の効果は全
く変わらない。
手段６が一対の磁気シールド部材２α、 ２ｈ間隔内に
ある例を示したが永久磁石等による磁気バイアス手段を
上記磁気シールド部材間隔外に設ける構成とした場合で
も本発明の実施例の効果は全く変わらない。更に磁気シ
ールド部材２αはフェライト（Ｈｃ −０，０１ｇの軟
磁性を示す）としたが、磁気シールド２αを磁気シール
ド２ｂと同一材料としても本発明の一実施例の効果は全
く変わらない。
（第２の実施例）
第１の実施例では磁気シールド部材として非晶質磁性材
を使用したものであるが、＆ｉ気シールド部材として低
磁束密度の軟磁性材を使用しても同様の効果を期待する
ことができる。その軟磁性材（磁気′シールド材）の例
を下表に示す。
を使用したものであるが、＆ｉ気シールド部材として低
磁束密度の軟磁性材を使用しても同様の効果を期待する
ことができる。その軟磁性材（磁気′シールド材）の例
を下表に示す。
（以下余白）
表には磁気シールド材の組成、Ｂｅ、初透磁率（Ｊｆｉ
）を余してあり、該表において各埴は、バルク材の値で
あるが、薄膜化すると一般的に、Ｂｓ 、 Ｍｉともに
低下する。表の材料以外でも、一般にＦ ｇ −Ｎｉ合
金基材に、Ｎｏ 、 Ｍｕ。
）を余してあり、該表において各埴は、バルク材の値で
あるが、薄膜化すると一般的に、Ｂｓ 、 Ｍｉともに
低下する。表の材料以外でも、一般にＦ ｇ −Ｎｉ合
金基材に、Ｎｏ 、 Ｍｕ。
Ｃ１Ｌ 、 Ｃｒ 、 Ｃｒ 、 Ｖ 、Ｆ等の含有量
を増すと１３ｇが低くなり、Ｆ ｅ −＃シ合金膜（ａ
ｏ〜８４−旬の８０００Ｇに比較して４０００Ｇ程度の
低磁束密度の磁気シールド部材２ｂを得ることも可能で
ある。
を増すと１３ｇが低くなり、Ｆ ｅ −＃シ合金膜（ａ
ｏ〜８４−旬の８０００Ｇに比較して４０００Ｇ程度の
低磁束密度の磁気シールド部材２ｂを得ることも可能で
ある。
第６図は本実施例の磁気抵抗素子１と、磁気シールド部
材２ｂのＢ−Ｈ％性を示す特性図である。磁界Ｈの方向
は第２図における矢印１１の方向である。容易軸の方向
は共にトラック鴨方向（磁気抵抗効果素子の長手方間）
である。磁気抵抗素子１および磁気シールド部材２ｂの
異方性磁界Ｈｋは約２〜５エルステツドで同程度であり
、Ｂ、５′の１直がそれぞれ叱２キ８０００Ｇ、” Ｂ
ｉＢ中’４０００Ｇ トナッテい７）。従ッ℃外乱磁界
等の磁界病が本実Ｍ例のＭＲヘッノド加わった時には第
６図のＢ、、Ｂ、の磁束密度が磁気抵抗素子１および磁
気シールド部材２ｂに励磁される。第６図のＢ−Ｈ特性
に見られるように磁気シールド部材２ｂは低磁束密度の
磁性体で構成されていることから、常にＢ、〉Ｂ。
材２ｂのＢ−Ｈ％性を示す特性図である。磁界Ｈの方向
は第２図における矢印１１の方向である。容易軸の方向
は共にトラック鴨方向（磁気抵抗効果素子の長手方間）
である。磁気抵抗素子１および磁気シールド部材２ｂの
異方性磁界Ｈｋは約２〜５エルステツドで同程度であり
、Ｂ、５′の１直がそれぞれ叱２キ８０００Ｇ、” Ｂ
ｉＢ中’４０００Ｇ トナッテい７）。従ッ℃外乱磁界
等の磁界病が本実Ｍ例のＭＲヘッノド加わった時には第
６図のＢ、、Ｂ、の磁束密度が磁気抵抗素子１および磁
気シールド部材２ｂに励磁される。第６図のＢ−Ｈ特性
に見られるように磁気シールド部材２ｂは低磁束密度の
磁性体で構成されていることから、常にＢ、〉Ｂ。
の関係がなり立ち、従来問題となった。磁気シールド部
材２ｚの記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂ、も
しくは残留磁束密度Ｂ、に比例）の発生が低減でき、短
波長領域での再生減磁の問題点を解決することができる
。
材２ｚの記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂ、も
しくは残留磁束密度Ｂ、に比例）の発生が低減でき、短
波長領域での再生減磁の問題点を解決することができる
。
尚本実施例では、磁気抵抗素子１を磁気バイアスする手
段は一対の磁気シールド部材２α。
段は一対の磁気シールド部材２α。
２ｂ間隔内にある例を示したが、永久磁石等の磁気バイ
アス手段を上韻蝋気シールド部材…］隔外に設ける構成
とした場合でも１本発明の実施例の効果は全く変わらな
い。更に１本実施例では磁気シールド部材２ｂとしてＰ
ｇ −Ｎｉ合金基材の磁性薄膜を取り上けたが、磁気抵
抗素子に用いるＦｅ−温合金膜の磁束密度より小さい磁
束密度を有する磁性膜であれはよい。例えば、低磁束密
度の非晶質薄膜を用いても本実施例の効果は全く変わら
ない。史に磁気シールド部材２αはＮｉ −Ｚｎフェラ
イト基板としたが、磁気シールド部材２ｈと同一の材料
を用いてもよいことは第１の実施例と同様である。
アス手段を上韻蝋気シールド部材…］隔外に設ける構成
とした場合でも１本発明の実施例の効果は全く変わらな
い。更に１本実施例では磁気シールド部材２ｂとしてＰ
ｇ −Ｎｉ合金基材の磁性薄膜を取り上けたが、磁気抵
抗素子に用いるＦｅ−温合金膜の磁束密度より小さい磁
束密度を有する磁性膜であれはよい。例えば、低磁束密
度の非晶質薄膜を用いても本実施例の効果は全く変わら
ない。史に磁気シールド部材２αはＮｉ −Ｚｎフェラ
イト基板としたが、磁気シールド部材２ｈと同一の材料
を用いてもよいことは第１の実施例と同様である。
以上述べたように本発明によれは、磁気シールド部材の
少なくとも一方に、−軸性の容易軸を持たせ磁性体とし
ているため、短波長領域での磁気シールドの帯磁による
再生減磁を低減し１元分に使用に耐え得るＭＲヘッノド
得ることができる。
少なくとも一方に、−軸性の容易軸を持たせ磁性体とし
ているため、短波長領域での磁気シールドの帯磁による
再生減磁を低減し１元分に使用に耐え得るＭＲヘッノド
得ることができる。
纂１図は本発明の説明に供するＭＲヘッノド要部断面図
、第２図はその平面図、第３図は従来の磁気シールドと
磁気抵抗素子の磁気特性図、鵠４図は本発明の一実施例
の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気特性図、第５図は
Ｃｏ −Ｎｂ非品質磁性薄膜の異方性出界Ｈｋ、のＮｈ
９有電の依存性のデータを示す％性１．第６図は本発明
の他の実施例の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気！時
性図である、 １・・・磁気抵抗効果素子 ２α、 ２ｂ・・・磁気シールド部材 ４・・・記録媒体 ５ａ 、 ５ｂ・・・絶縁体 代理人弁理士 薄 １）利 幸 、Δフｋ。 遣 （国 蓋２口 １３ 凹 第４図 嶌 ５ 叱 ）１ ら じ］
、第２図はその平面図、第３図は従来の磁気シールドと
磁気抵抗素子の磁気特性図、鵠４図は本発明の一実施例
の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気特性図、第５図は
Ｃｏ −Ｎｂ非品質磁性薄膜の異方性出界Ｈｋ、のＮｈ
９有電の依存性のデータを示す％性１．第６図は本発明
の他の実施例の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気！時
性図である、 １・・・磁気抵抗効果素子 ２α、 ２ｂ・・・磁気シールド部材 ４・・・記録媒体 ５ａ 、 ５ｂ・・・絶縁体 代理人弁理士 薄 １）利 幸 、Δフｋ。 遣 （国 蓋２口 １３ 凹 第４図 嶌 ５ 叱 ）１ ら じ］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 記録媒体上に磁化された領域として記録されてい
る複数の波長の磁気的データの垂直成分を読取るために
読取られるべき記録データの最短波長より短い間隔をお
いて対面して設けられ、各々の端部が同一平面内におか
れた一対の磁気シールド部材と、上記間隔内に配置され
上記シールド部材端部と同一平面内に一端をおかれた磁
気抵抗素子よりなる磁気ヘッドにおいて、上記磁気シー
ルド部材の少なくとも一方な一軸性の磁化容易軸を持つ
磁性体としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ２、 上記磁性体が非晶質磁性体であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 五 上記磁性体は該磁性体の磁化容易軸の方向が、トラ
ック幅方向と平行でありかつ該磁性体の異方性磁界Ｈｋ
１ と上記磁気抵抗素子の異方性磁界Ｈｋ、とには Ｈｋｌ〉Ｈｋ。 の関係が成り立つことを特徴とする特許請求の範囲第１
または第２項記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 ４、 上記の一軸性の容易軸を持つ磁性体は、 Ｃ。 −Ｎｂ 、 Ｃｏ−Ｖ 、 Ｃｏ−Ｔａ、 Ｃｏ −Ｔ
ｉ 、 Ｃｏ −Ｔａ −Ｚｒ 、 Ｃｏ −Ｎｏ −
Ｚｒ系９等の非晶質磁性薄膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項〜第６項のいずれか記載の磁気抵抗
効果型ヘッド。 ５、上記磁性体が低磁束密度の軟磁性材であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 ＆ 上記磁気シールド部材に使用される低磁束密度の軟
磁性材がＦｇ−ｈ”ｉ合金基材に少なくもＮｏ 、 Ｍ
ｎ 、 Ｃｕ 、 Ｃｒ 、 Ｖ 、 Ｆ等のいずれか
を含有しくいる磁性薄膜であることを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載の磁気抵抗効来世ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16100482A JPS5952425A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16100482A JPS5952425A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952425A true JPS5952425A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15726744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16100482A Pending JPS5952425A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952425A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107006U (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-19 | ||
| US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
| CN112432588A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-03-02 | 电子科技大学 | 一种通过磁饱和特性测量吸波涂层厚度的方法 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16100482A patent/JPS5952425A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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