JPS5952425A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPS5952425A JPS5952425A JP16100482A JP16100482A JPS5952425A JP S5952425 A JPS5952425 A JP S5952425A JP 16100482 A JP16100482 A JP 16100482A JP 16100482 A JP16100482 A JP 16100482A JP S5952425 A JPS5952425 A JP S5952425A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic material
- flux density
- shielding member
- magnetoresistive head
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、再生減磁を低減した短波長記録再生に好適な
磁気抵抗効果を有する磁気ヘッドに関する。
磁気抵抗効果を有する磁気ヘッドに関する。
近年の磁気記録の重要な課題は、いかに短波長領域の記
録再生を実現するかである。記録媒体に記録された信号
磁界に感磁し電気抵抗の変化どして出力する磁気抵抗効
果ヘッド（以下ＭＲヘッノドする。）において、特に短
波長領域に有効な従来例としては、特公昭５６−１０６
８３号公報に示される磁気シールド付のＭＲヘッノドあ
る。
録再生を実現するかである。記録媒体に記録された信号
磁界に感磁し電気抵抗の変化どして出力する磁気抵抗効
果ヘッド（以下ＭＲヘッノドする。）において、特に短
波長領域に有効な従来例としては、特公昭５６−１０６
８３号公報に示される磁気シールド付のＭＲヘッノドあ
る。
以下従来のＭＲヘッノド第１図、第２図を参照して説明
する。第１図はＭＲヘッノド要部断面図を示し％１は膜
厚０．０４〜０．１μｍのパーマロイ薄膜よりなる磁気
抵抗素子、２αはフェライト等から７よる磁気シールド
部材、 ２ｈは膜厚数μ扉のパーマａ、イ薄膜よりなる
磁気シールド部材、５は上記の磁気抵抗素子１を磁気バ
イアスするためのバイアス手段、４は記録媒体、５α、
５ｂは絶蘇体である。磁気抵抗素子１は一対の磁気シ
ールド部材２α、 ２ｈ間にあるために、記録媒体４に
記録され□た短波長の信号を有効に再生することができ
る。
する。第１図はＭＲヘッノド要部断面図を示し％１は膜
厚０．０４〜０．１μｍのパーマロイ薄膜よりなる磁気
抵抗素子、２αはフェライト等から７よる磁気シールド
部材、 ２ｈは膜厚数μ扉のパーマａ、イ薄膜よりなる
磁気シールド部材、５は上記の磁気抵抗素子１を磁気バ
イアスするためのバイアス手段、４は記録媒体、５α、
５ｂは絶蘇体である。磁気抵抗素子１は一対の磁気シ
ールド部材２α、 ２ｈ間にあるために、記録媒体４に
記録され□た短波長の信号を有効に再生することができ
る。
第２図は、第１図の平面図であり、同図の上端面が記録
媒体の摺約面と駁・つている。１１は記録媒体からジご
生すイ）信号磁界である。一般に、磁気抵抗索子１は、
素子の長さ方向に一軸性の容易軸を持つように形成され
、その磁気特性（Ｂ−Ｍ特性）は磁界１１を信号磁界１
１の方向に励磁した場合第３図の特性曲瞼６のようにな
る。一方、磁気シールド部材２ｂは。
媒体の摺約面と駁・つている。１１は記録媒体からジご
生すイ）信号磁界である。一般に、磁気抵抗索子１は、
素子の長さ方向に一軸性の容易軸を持つように形成され
、その磁気特性（Ｂ−Ｍ特性）は磁界１１を信号磁界１
１の方向に励磁した場合第３図の特性曲瞼６のようにな
る。一方、磁気シールド部材２ｂは。
７の磁気特性（Ｂ −１１１臣性）で示されるような等
方向あるいは、６で示されろ磁気抵抗素子１の磁気特性
と同程度のものとなる。その理由は磁気シールド部材２
ｂと磁気抵抗素子１は牛もにパーマロイ膜よりなってい
るためである。
方向あるいは、６で示されろ磁気抵抗素子１の磁気特性
と同程度のものとなる。その理由は磁気シールド部材２
ｂと磁気抵抗素子１は牛もにパーマロイ膜よりなってい
るためである。
このような構成の従来例では、外乱磁界が発生した場合
や、記録媒体の低波長の大信号を再生１−だ場合１Ｍ６
図に示すように屑の磁界が入ったと想定すると、磁気抵
抗素子１ではＢ２．磁気シールド部材２ｂではＢ、の磁
束密度（ＢＩ＞８２）となり、第２図に示すように磁気
シールド部材２ｂの記録媒体槽ｗＪ面にＢ、の磁束密度
に相応する磁荷が発生する。このため、磁気シールド部
材２ｈが帯磁することにより。
や、記録媒体の低波長の大信号を再生１−だ場合１Ｍ６
図に示すように屑の磁界が入ったと想定すると、磁気抵
抗素子１ではＢ２．磁気シールド部材２ｂではＢ、の磁
束密度（ＢＩ＞８２）となり、第２図に示すように磁気
シールド部材２ｂの記録媒体槽ｗＪ面にＢ、の磁束密度
に相応する磁荷が発生する。このため、磁気シールド部
材２ｈが帯磁することにより。
短波長領域で最も問題となる再生減磁（該記録の短波長
領域のイ百号のレベルダウン）が生ずる欠点がある。
領域のイ百号のレベルダウン）が生ずる欠点がある。
不発明の目的は、上記した従来技術の欠点をすくシ、短
波長領域で光分・圧用に耐え得るＭＲヘッノド提供する
にある。
波長領域で光分・圧用に耐え得るＭＲヘッノド提供する
にある。
本発明の特徴は磁気抵わ１：索子と磁気シールド部材の
少なくとも一方に一軸性の磁化容易軸を持たせたことに
あり、磁気シールド部材には非晶質磁性体または低磁束
密度の軟磁性体を用いたことである。
少なくとも一方に一軸性の磁化容易軸を持たせたことに
あり、磁気シールド部材には非晶質磁性体または低磁束
密度の軟磁性体を用いたことである。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。本発明
のＭＲヘッノド構造は、第１図（ＤＭＲヘッドの構造と
ほぼ同一である。異なる点は、磁気シールド部材２ｂと
して数μｍのトラック幅方向に容易軸を持つ、Ｃｏ −
Ｎｂ 、 Ｃ。
のＭＲヘッノド構造は、第１図（ＤＭＲヘッドの構造と
ほぼ同一である。異なる点は、磁気シールド部材２ｂと
して数μｍのトラック幅方向に容易軸を持つ、Ｃｏ −
Ｎｂ 、 Ｃ。
−Ｖ 、 Ｃｏ−Ｔａ 、 Ｃｏ−Ｔｔ 、 Ｃｏ−Ｔ
ａ−Ｚｒ、 ’Ｃｏ −Ｎｏ −Ｚｒ 系等の非
晶５に磁性薄膜をスパッタリング等の方法で形成したこ
とである。
ａ−Ｚｒ、 ’Ｃｏ −Ｎｏ −Ｚｒ 系等の非
晶５に磁性薄膜をスパッタリング等の方法で形成したこ
とである。
または磁気シールド部材２ｂとして低磁束密度化を計る
ために少量のＭＯ、Ｊ／？Ｌ 、 Ｃｕ 、 Ｃ’ｒ。
ために少量のＭＯ、Ｊ／？Ｌ 、 Ｃｕ 、 Ｃ’ｒ。
Ｖ、ＩＦ’等をＦｔ −Ｎｉ合金基材に含有した磁性薄
膜を用いたことである。以下、これらの実施例について
第１図を参照して説明する。
膜を用いたことである。以下、これらの実施例について
第１図を参照して説明する。
（第１の実施、例）
本実施例では磁気シールドの一方を成す磁性体基板２α
として、飽和磁束密１（Ｂａ）が約４０００Ｇ、保磁力
（Ｈｃ） ｏ、１０ｇ 、７）低磁束密度のＮｉ −Ｚ
ｎ系フェライト基板を用いている。基板上には０，５〜
０．５μ７７Ｌ膜厚程度のＳｉｎ、あるいはＡｔ２０８
等の絶縁層を介して磁気抵抗素子１のＦｇ −Ｎｉ合金
膜（８０〜８４％ Ｎｉ ）を蒸着あるいはスパッタリ
ングで磁場中で形成しである。
として、飽和磁束密１（Ｂａ）が約４０００Ｇ、保磁力
（Ｈｃ） ｏ、１０ｇ 、７）低磁束密度のＮｉ −Ｚ
ｎ系フェライト基板を用いている。基板上には０，５〜
０．５μ７７Ｌ膜厚程度のＳｉｎ、あるいはＡｔ２０８
等の絶縁層を介して磁気抵抗素子１のＦｇ −Ｎｉ合金
膜（８０〜８４％ Ｎｉ ）を蒸着あるいはスパッタリ
ングで磁場中で形成しである。
更に、磁気抵抗素子１を磁気バイアスする手段３を形成
した後、同じ＜０．３〜０．５岬の膜厚の絶縁層を介し
て磁気シールド部材２ｂを蒸着あるいはスパッタリング
等で形成しである。
した後、同じ＜０．３〜０．５岬の膜厚の絶縁層を介し
て磁気シールド部材２ｂを蒸着あるいはスパッタリング
等で形成しである。
磁気シールド部材２ｂの形成時においても磁場中で形成
する方が、本実施例の効果が太きい。
する方が、本実施例の効果が太きい。
ここでスパッタリングの条件（ガス圧、投入パワー、基
板温度、磁界強度方向等）や材料の組成を適切に選ぶこ
とにより、磁気シールド部材２ｈの磁気特性（Ｂ−Ｈ％
性）を制御することが可能である。
板温度、磁界強度方向等）や材料の組成を適切に選ぶこ
とにより、磁気シールド部材２ｈの磁気特性（Ｂ−Ｈ％
性）を制御することが可能である。
第４図は本発明の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気特
性を示−す特性図であり、８はＣ。
性を示−す特性図であり、８はＣ。
−Ｎｂ非晶質磁性薄膜を磁気シールド部材２ｂとした場
合の磁気特性曲線、６はパーマロイ膜よりなる磁気抵抗
素子の磁気特性曲線である。
合の磁気特性曲線、６はパーマロイ膜よりなる磁気抵抗
素子の磁気特性曲線である。
パーマロイ族で形成した磁気抵抗素子１の異方性磁界Ｈ
ｋ２は、形成榮件を変えても材料自体の限界から一般に
は２〜５工ルステツド程度である。それに比較してＣｏ
−Ｎｂ非晶質磁性薄膜よりなる磁気シールド部材２ｂ
の異方性磁界Ｈｋ１は１０工ルステツド程度にすること
が容易で Ｅ’に１＞ Ｈｋ２ の胸係式が実現できる。パーマロイ膜およびＣｏ −Ｉ
Ｖｂ等の非晶質磁性薄膜の飽和蝋束密度は同程厩である
ため、外乱磁界等の磁界ｆｆ。
ｋ２は、形成榮件を変えても材料自体の限界から一般に
は２〜５工ルステツド程度である。それに比較してＣｏ
−Ｎｂ非晶質磁性薄膜よりなる磁気シールド部材２ｂ
の異方性磁界Ｈｋ１は１０工ルステツド程度にすること
が容易で Ｅ’に１＞ Ｈｋ２ の胸係式が実現できる。パーマロイ膜およびＣｏ −Ｉ
Ｖｂ等の非晶質磁性薄膜の飽和蝋束密度は同程厩である
ため、外乱磁界等の磁界ｆｆ。
が本実施例の構成のＭＲヘッノド加わった時には、第４
図に見られるように磁気シールド部材２ｈの磁束密度Ｂ
ｓは磁気抵抗効果素子１の磁束密度Ｂ２より小さくなる
。従って、従来間ふとなった磁気シールド部材２ｂ（Ｄ
記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂｓに比例）の
発生が本実施例の構成では低減でき、短波長領域での再
生減磁の問題点キ解決することができる。
図に見られるように磁気シールド部材２ｈの磁束密度Ｂ
ｓは磁気抵抗効果素子１の磁束密度Ｂ２より小さくなる
。従って、従来間ふとなった磁気シールド部材２ｂ（Ｄ
記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂｓに比例）の
発生が本実施例の構成では低減でき、短波長領域での再
生減磁の問題点キ解決することができる。
第５図は、Ｃｏ −Ｎｂ系の非晶質磁性薄膜の異方性磁
界ＥｋｉをＮｈ含有量（原子チ）の依存性を示す特性図
で、１０はそれを関数として示したものである。ここで
Ｎｂを１０〜２０％とすることによりパーマロイ族の場
合の異方性磁界Ｈ＆２（％性９）より大きくすることが
できる。
界ＥｋｉをＮｈ含有量（原子チ）の依存性を示す特性図
で、１０はそれを関数として示したものである。ここで
Ｎｂを１０〜２０％とすることによりパーマロイ族の場
合の異方性磁界Ｈ＆２（％性９）より大きくすることが
できる。
尚５本実施例では磁気抵抗素子１を磁気ノくイアスする
手段６が一対の磁気シールド部材２α、 ２ｈ間隔内に
ある例を示したが永久磁石等による磁気バイアス手段を
上記磁気シールド部材間隔外に設ける構成とした場合で
も本発明の実施例の効果は全く変わらない。更に磁気シ
ールド部材２αはフェライト（Ｈｃ −０，０１ｇの軟
磁性を示す）としたが、磁気シールド２αを磁気シール
ド２ｂと同一材料としても本発明の一実施例の効果は全
く変わらない。
手段６が一対の磁気シールド部材２α、 ２ｈ間隔内に
ある例を示したが永久磁石等による磁気バイアス手段を
上記磁気シールド部材間隔外に設ける構成とした場合で
も本発明の実施例の効果は全く変わらない。更に磁気シ
ールド部材２αはフェライト（Ｈｃ −０，０１ｇの軟
磁性を示す）としたが、磁気シールド２αを磁気シール
ド２ｂと同一材料としても本発明の一実施例の効果は全
く変わらない。
（第２の実施例）
第１の実施例では磁気シールド部材として非晶質磁性材
を使用したものであるが、＆ｉ気シールド部材として低
磁束密度の軟磁性材を使用しても同様の効果を期待する
ことができる。その軟磁性材（磁気′シールド材）の例
を下表に示す。
を使用したものであるが、＆ｉ気シールド部材として低
磁束密度の軟磁性材を使用しても同様の効果を期待する
ことができる。その軟磁性材（磁気′シールド材）の例
を下表に示す。
（以下余白）
表には磁気シールド材の組成、Ｂｅ、初透磁率（Ｊｆｉ
）を余してあり、該表において各埴は、バルク材の値で
あるが、薄膜化すると一般的に、Ｂｓ 、 Ｍｉともに
低下する。表の材料以外でも、一般にＦ ｇ −Ｎｉ合
金基材に、Ｎｏ 、 Ｍｕ。
）を余してあり、該表において各埴は、バルク材の値で
あるが、薄膜化すると一般的に、Ｂｓ 、 Ｍｉともに
低下する。表の材料以外でも、一般にＦ ｇ −Ｎｉ合
金基材に、Ｎｏ 、 Ｍｕ。
Ｃ１Ｌ 、 Ｃｒ 、 Ｃｒ 、 Ｖ 、Ｆ等の含有量
を増すと１３ｇが低くなり、Ｆ ｅ −＃シ合金膜（ａ
ｏ〜８４−旬の８０００Ｇに比較して４０００Ｇ程度の
低磁束密度の磁気シールド部材２ｂを得ることも可能で
ある。
を増すと１３ｇが低くなり、Ｆ ｅ −＃シ合金膜（ａ
ｏ〜８４−旬の８０００Ｇに比較して４０００Ｇ程度の
低磁束密度の磁気シールド部材２ｂを得ることも可能で
ある。
第６図は本実施例の磁気抵抗素子１と、磁気シールド部
材２ｂのＢ−Ｈ％性を示す特性図である。磁界Ｈの方向
は第２図における矢印１１の方向である。容易軸の方向
は共にトラック鴨方向（磁気抵抗効果素子の長手方間）
である。磁気抵抗素子１および磁気シールド部材２ｂの
異方性磁界Ｈｋは約２〜５エルステツドで同程度であり
、Ｂ、５′の１直がそれぞれ叱２キ８０００Ｇ、” Ｂ
ｉＢ中’４０００Ｇ トナッテい７）。従ッ℃外乱磁界
等の磁界病が本実Ｍ例のＭＲヘッノド加わった時には第
６図のＢ、、Ｂ、の磁束密度が磁気抵抗素子１および磁
気シールド部材２ｂに励磁される。第６図のＢ−Ｈ特性
に見られるように磁気シールド部材２ｂは低磁束密度の
磁性体で構成されていることから、常にＢ、〉Ｂ。
材２ｂのＢ−Ｈ％性を示す特性図である。磁界Ｈの方向
は第２図における矢印１１の方向である。容易軸の方向
は共にトラック鴨方向（磁気抵抗効果素子の長手方間）
である。磁気抵抗素子１および磁気シールド部材２ｂの
異方性磁界Ｈｋは約２〜５エルステツドで同程度であり
、Ｂ、５′の１直がそれぞれ叱２キ８０００Ｇ、” Ｂ
ｉＢ中’４０００Ｇ トナッテい７）。従ッ℃外乱磁界
等の磁界病が本実Ｍ例のＭＲヘッノド加わった時には第
６図のＢ、、Ｂ、の磁束密度が磁気抵抗素子１および磁
気シールド部材２ｂに励磁される。第６図のＢ−Ｈ特性
に見られるように磁気シールド部材２ｂは低磁束密度の
磁性体で構成されていることから、常にＢ、〉Ｂ。
の関係がなり立ち、従来問題となった。磁気シールド部
材２ｚの記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂ、も
しくは残留磁束密度Ｂ、に比例）の発生が低減でき、短
波長領域での再生減磁の問題点を解決することができる
。
材２ｚの記録媒体摺動面での磁局（はぼ磁束密度Ｂ、も
しくは残留磁束密度Ｂ、に比例）の発生が低減でき、短
波長領域での再生減磁の問題点を解決することができる
。
尚本実施例では、磁気抵抗素子１を磁気バイアスする手
段は一対の磁気シールド部材２α。
段は一対の磁気シールド部材２α。
２ｂ間隔内にある例を示したが、永久磁石等の磁気バイ
アス手段を上韻蝋気シールド部材…］隔外に設ける構成
とした場合でも１本発明の実施例の効果は全く変わらな
い。更に１本実施例では磁気シールド部材２ｂとしてＰ
ｇ −Ｎｉ合金基材の磁性薄膜を取り上けたが、磁気抵
抗素子に用いるＦｅ−温合金膜の磁束密度より小さい磁
束密度を有する磁性膜であれはよい。例えば、低磁束密
度の非晶質薄膜を用いても本実施例の効果は全く変わら
ない。史に磁気シールド部材２αはＮｉ −Ｚｎフェラ
イト基板としたが、磁気シールド部材２ｈと同一の材料
を用いてもよいことは第１の実施例と同様である。
アス手段を上韻蝋気シールド部材…］隔外に設ける構成
とした場合でも１本発明の実施例の効果は全く変わらな
い。更に１本実施例では磁気シールド部材２ｂとしてＰ
ｇ −Ｎｉ合金基材の磁性薄膜を取り上けたが、磁気抵
抗素子に用いるＦｅ−温合金膜の磁束密度より小さい磁
束密度を有する磁性膜であれはよい。例えば、低磁束密
度の非晶質薄膜を用いても本実施例の効果は全く変わら
ない。史に磁気シールド部材２αはＮｉ −Ｚｎフェラ
イト基板としたが、磁気シールド部材２ｈと同一の材料
を用いてもよいことは第１の実施例と同様である。
以上述べたように本発明によれは、磁気シールド部材の
少なくとも一方に、−軸性の容易軸を持たせ磁性体とし
ているため、短波長領域での磁気シールドの帯磁による
再生減磁を低減し１元分に使用に耐え得るＭＲヘッノド
得ることができる。
少なくとも一方に、−軸性の容易軸を持たせ磁性体とし
ているため、短波長領域での磁気シールドの帯磁による
再生減磁を低減し１元分に使用に耐え得るＭＲヘッノド
得ることができる。
纂１図は本発明の説明に供するＭＲヘッノド要部断面図
、第２図はその平面図、第３図は従来の磁気シールドと
磁気抵抗素子の磁気特性図、鵠４図は本発明の一実施例
の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気特性図、第５図は
Ｃｏ −Ｎｂ非品質磁性薄膜の異方性出界Ｈｋ、のＮｈ
９有電の依存性のデータを示す％性１．第６図は本発明
の他の実施例の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気！時
性図である、 １・・・磁気抵抗効果素子 ２α、 ２ｂ・・・磁気シールド部材 ４・・・記録媒体 ５ａ 、 ５ｂ・・・絶縁体 代理人弁理士 薄 １）利 幸 、Δフｋ。 遣 （国 蓋２口 １３ 凹 第４図 嶌 ５ 叱 ）１ ら じ］
、第２図はその平面図、第３図は従来の磁気シールドと
磁気抵抗素子の磁気特性図、鵠４図は本発明の一実施例
の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気特性図、第５図は
Ｃｏ −Ｎｂ非品質磁性薄膜の異方性出界Ｈｋ、のＮｈ
９有電の依存性のデータを示す％性１．第６図は本発明
の他の実施例の磁気シールドと磁気抵抗素子の磁気！時
性図である、 １・・・磁気抵抗効果素子 ２α、 ２ｂ・・・磁気シールド部材 ４・・・記録媒体 ５ａ 、 ５ｂ・・・絶縁体 代理人弁理士 薄 １）利 幸 、Δフｋ。 遣 （国 蓋２口 １３ 凹 第４図 嶌 ５ 叱 ）１ ら じ］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 記録媒体上に磁化された領域として記録されてい
る複数の波長の磁気的データの垂直成分を読取るために
読取られるべき記録データの最短波長より短い間隔をお
いて対面して設けられ、各々の端部が同一平面内におか
れた一対の磁気シールド部材と、上記間隔内に配置され
上記シールド部材端部と同一平面内に一端をおかれた磁
気抵抗素子よりなる磁気ヘッドにおいて、上記磁気シー
ルド部材の少なくとも一方な一軸性の磁化容易軸を持つ
磁性体としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ２、 上記磁性体が非晶質磁性体であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 五 上記磁性体は該磁性体の磁化容易軸の方向が、トラ
ック幅方向と平行でありかつ該磁性体の異方性磁界Ｈｋ
１ と上記磁気抵抗素子の異方性磁界Ｈｋ、とには Ｈｋｌ〉Ｈｋ。 の関係が成り立つことを特徴とする特許請求の範囲第１
または第２項記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 ４、 上記の一軸性の容易軸を持つ磁性体は、 Ｃ。 −Ｎｂ 、 Ｃｏ−Ｖ 、 Ｃｏ−Ｔａ、 Ｃｏ −Ｔ
ｉ 、 Ｃｏ −Ｔａ −Ｚｒ 、 Ｃｏ −Ｎｏ −
Ｚｒ系９等の非晶質磁性薄膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項〜第６項のいずれか記載の磁気抵抗
効果型ヘッド。 ５、上記磁性体が低磁束密度の軟磁性材であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型ヘ
ッド。 ＆ 上記磁気シールド部材に使用される低磁束密度の軟
磁性材がＦｇ−ｈ”ｉ合金基材に少なくもＮｏ 、 Ｍ
ｎ 、 Ｃｕ 、 Ｃｒ 、 Ｖ 、 Ｆ等のいずれか
を含有しくいる磁性薄膜であることを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載の磁気抵抗効来世ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16100482A JPS5952425A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16100482A JPS5952425A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952425A true JPS5952425A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15726744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16100482A Pending JPS5952425A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952425A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107006U (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-19 | ||
| US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
| CN112432588A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-03-02 | 电子科技大学 | 一种通过磁饱和特性测量吸波涂层厚度的方法 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP16100482A patent/JPS5952425A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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