JPS5950714B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPS5950714B2 JPS5950714B2 JP49010732A JP1073274A JPS5950714B2 JP S5950714 B2 JPS5950714 B2 JP S5950714B2 JP 49010732 A JP49010732 A JP 49010732A JP 1073274 A JP1073274 A JP 1073274A JP S5950714 B2 JPS5950714 B2 JP S5950714B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- dielectric anisotropy
- crystal composition
- cyanobenzylidene
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なネマチツク液晶組成物に関する。
更に詳しくはビフェニル系の正の誘電的異方性を有する
ネマチツク液晶とベンジリデン系の正の誘電的意力性を
有するネマチツク液晶とを主成分とする液晶組成物に関
するものである。ネマチツク液晶はその誘電的性質に依
つて２つに分類される。
ネマチツク液晶とベンジリデン系の正の誘電的意力性を
有するネマチツク液晶とを主成分とする液晶組成物に関
するものである。ネマチツク液晶はその誘電的性質に依
つて２つに分類される。
即ち、一つは誘電的異方性が分子軸と垂直方向にある、
負の誘電的異方性を有するＮｎ型液晶であり、他は誘電
的意力性が分子軸と平行である正の誘電的異方性を有す
るＮｐ型液晶である。Ｎｎ型誘電は、１９６８年にＲ、
Ｃ、Ａ社のＨｅｉｌｍｅｉｅにによつて、その動的散乱
モードを利用したパネル型の表示装置に応用されて以来
急激に研究開発が進み時計、卓上電子計算機等に実用化
されている。
負の誘電的異方性を有するＮｎ型液晶であり、他は誘電
的意力性が分子軸と平行である正の誘電的異方性を有す
るＮｐ型液晶である。Ｎｎ型誘電は、１９６８年にＲ、
Ｃ、Ａ社のＨｅｉｌｍｅｉｅにによつて、その動的散乱
モードを利用したパネル型の表示装置に応用されて以来
急激に研究開発が進み時計、卓上電子計算機等に実用化
されている。
一方Ｎｐ型液晶は動的散乱を示さ無い為開発が遅れてい
たが、１９７１年、ホフマン・ラ・ロツシユのＭ−Ｓｃ
ｈａｄｔ）とＷ−Ｈｅｌｆｒｉｃｈにより発表された、
（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓｌｅををｅにａ、１８
、（４）、１２７３１９７１）ツィステッド・ネマチツ
ク方式（Ｔ、Ｎ、方式）に依り注目を引く様になつた。
たが、１９７１年、ホフマン・ラ・ロツシユのＭ−Ｓｃ
ｈａｄｔ）とＷ−Ｈｅｌｆｒｉｃｈにより発表された、
（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓｌｅををｅにａ、１８
、（４）、１２７３１９７１）ツィステッド・ネマチツ
ク方式（Ｔ、Ｎ、方式）に依り注目を引く様になつた。
このＴＮ方式のセル製造方法は、前記文献及び特開昭４
７−１１７３７に詳述されているが、略記すると少く共
一方が透明な二枚の電極間に、スペーサーを介して液晶
物質が挾持され、電極面には液晶を方向付ける様な処理
が為されて居り、且つ、該電極面上に配向した液晶の分
子軸が互いに直角になる様に方向付けられ、偏光板を使
用して表示可能とした製造を有するセルで、液晶分子は
、その分子軸が電極面に平行で一方の面から他方の面に
９００螺旋を巻く構造になつている。勿論、配向処理の
方向を変える事によつて角度は自由に変えられる。この
ＴＮ方式の良い点は、従来の「ねじれていない」電界効
果型液晶セルに比べてレスポンスが良くなる事である。
７−１１７３７に詳述されているが、略記すると少く共
一方が透明な二枚の電極間に、スペーサーを介して液晶
物質が挾持され、電極面には液晶を方向付ける様な処理
が為されて居り、且つ、該電極面上に配向した液晶の分
子軸が互いに直角になる様に方向付けられ、偏光板を使
用して表示可能とした製造を有するセルで、液晶分子は
、その分子軸が電極面に平行で一方の面から他方の面に
９００螺旋を巻く構造になつている。勿論、配向処理の
方向を変える事によつて角度は自由に変えられる。この
ＴＮ方式の良い点は、従来の「ねじれていない」電界効
果型液晶セルに比べてレスポンスが良くなる事である。
以上述べた様に、近年Ｎｐ型液晶が特に注目を浴びる様
になつたが、従来良く知られている、べンジリデン系、
アゾ系、アゾキシ系、カルボン酸エステル系のＮｐ型液
晶には幾つかの欠点があつた。
になつたが、従来良く知られている、べンジリデン系、
アゾ系、アゾキシ系、カルボン酸エステル系のＮｐ型液
晶には幾つかの欠点があつた。
第一に液晶相を示す温度範囲（以後Ｍ．Ｒ．と称す）が
高温側に片寄つて居り、固相と液晶相との転移点（以後
Ｓ−＋Ｎ点と称す）が高く、常温或いは低温で液晶相を
示さない。
高温側に片寄つて居り、固相と液晶相との転移点（以後
Ｓ−＋Ｎ点と称す）が高く、常温或いは低温で液晶相を
示さない。
この為に従来のものの多くは、ｐ−メトキシベンジリデ
ン−ｐ／−ｎーブチルアニリン等のＮｏ型の低温結晶を
混合して、Ｍ．Ｒ．を低温領域まで広げていた。併乍ら
、Ｎｎ型液晶を混入したＮｐ型液晶は、Ｎｐ型液晶単独
或いはＮｐ型同志の混合液晶と比べた場合レスポンジ等
の性能面に欠点を有していた。第二に前記Ｎｐ型液晶を
使用した電界効果型セルは動的散乱モードを応用したセ
ルと比較して低電圧駆動できる事（一般的には３〜６■
）、電流が流れ難い事で、比較的寿命が長くなるが、電
気化学的反応や紫外線の影響を受ける為、従来のニキシ
ー管Ｌ．Ｅ．Ｄ等に比べ短寿命であつた。
ン−ｐ／−ｎーブチルアニリン等のＮｏ型の低温結晶を
混合して、Ｍ．Ｒ．を低温領域まで広げていた。併乍ら
、Ｎｎ型液晶を混入したＮｐ型液晶は、Ｎｐ型液晶単独
或いはＮｐ型同志の混合液晶と比べた場合レスポンジ等
の性能面に欠点を有していた。第二に前記Ｎｐ型液晶を
使用した電界効果型セルは動的散乱モードを応用したセ
ルと比較して低電圧駆動できる事（一般的には３〜６■
）、電流が流れ難い事で、比較的寿命が長くなるが、電
気化学的反応や紫外線の影響を受ける為、従来のニキシ
ー管Ｌ．Ｅ．Ｄ等に比べ短寿命であつた。
第三に誘電異方性が大きい程電気的性能が良いのである
が従来の液晶物質では誘電異方性が０〜＋３、程度で実
用上充分な値には到つていなかつた。第四に液晶物質は
一般に高粘度で、これが電圧印加、消去時の応答性（即
ちレスポンス）、特に消去時の立ち下りに大きな影響を
及ぼして居り、低粘性の液晶物質が必要である。
が従来の液晶物質では誘電異方性が０〜＋３、程度で実
用上充分な値には到つていなかつた。第四に液晶物質は
一般に高粘度で、これが電圧印加、消去時の応答性（即
ちレスポンス）、特に消去時の立ち下りに大きな影響を
及ぼして居り、低粘性の液晶物質が必要である。
前記諸問題を有する液晶に対し、最近下記の構造を有す
るビフエニル系のＮｐ型液晶が発表され（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，旦（５）８ｔｈＭａｒｃ
ｈ１９７３）。
るビフエニル系のＮｐ型液晶が発表され（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，旦（５）８ｔｈＭａｒｃ
ｈ１９７３）。
該液晶物質は、従来の液晶物質と比較して、二つのフエ
ニル基間に官能基を持たず、化学的安定性の面で、充分
なる効果があり、誘電異方性が＋１０と大きく、又捩粘
性が従来の液晶より低く、比較的低温で液晶相を示し、
週冷却も大きい液晶物質である。併乍ら、例えば−２℃
〜＋３７℃とＭ．Ｒ．が狭く且つ低温側に片寄つて居り
、実用性の面からは未だ不充分であつた。本発明は上記
の諸点を鑑みて、低温で液晶相を示す液晶で且つ液晶温
度範囲（Ｍ．Ｒ．）が広く化学的に安定な構造を有し、
誘電的異方性が大きく優れた電気光学的性能を有する液
晶組成物を提供することを目的とするものである。
ニル基間に官能基を持たず、化学的安定性の面で、充分
なる効果があり、誘電異方性が＋１０と大きく、又捩粘
性が従来の液晶より低く、比較的低温で液晶相を示し、
週冷却も大きい液晶物質である。併乍ら、例えば−２℃
〜＋３７℃とＭ．Ｒ．が狭く且つ低温側に片寄つて居り
、実用性の面からは未だ不充分であつた。本発明は上記
の諸点を鑑みて、低温で液晶相を示す液晶で且つ液晶温
度範囲（Ｍ．Ｒ．）が広く化学的に安定な構造を有し、
誘電的異方性が大きく優れた電気光学的性能を有する液
晶組成物を提供することを目的とするものである。
本発明の液晶組成物は一般式（１）で示されるビフエニ
ル系の正の誘電的異方性を有するネマチツク液晶物質の
少なくとも一種と一般式（２）又は（３）で示されるべ
ンジリデン系の正の誘電的異方性を有する物質から選択
される物質の少なくとも一種とから構成される。
ル系の正の誘電的異方性を有するネマチツク液晶物質の
少なくとも一種と一般式（２）又は（３）で示されるべ
ンジリデン系の正の誘電的異方性を有する物質から選択
される物質の少なくとも一種とから構成される。
〔但し、Ｒ：ＣｎＨ２ｎ＋１−，Ｒ′：ＣｎＨ２ｎ＋１
−，ｃｎＨ２ｎ＋１０−，ｃｎＨ２ｎ＋１ｃｏｏ−，ｎ
：正整数〕本発明の特徴は一般式（１）で示される液晶
物質と一般式（２）又は（３）で示される液晶物質とか
ら構成される液晶組成物がＭ．Ｒ．が充分広く且つ低温
領域で液晶相を示し過冷却、正の誘電異方性が大きく粘
性の低い優れた液晶組成物であることを見出した点にあ
る。
−，ｃｎＨ２ｎ＋１０−，ｃｎＨ２ｎ＋１ｃｏｏ−，ｎ
：正整数〕本発明の特徴は一般式（１）で示される液晶
物質と一般式（２）又は（３）で示される液晶物質とか
ら構成される液晶組成物がＭ．Ｒ．が充分広く且つ低温
領域で液晶相を示し過冷却、正の誘電異方性が大きく粘
性の低い優れた液晶組成物であることを見出した点にあ
る。
本発明に好ましく使用できる一般式（１）で示される液
晶の具体例としては例えば次の様なものがある。
晶の具体例としては例えば次の様なものがある。
４／−ｎ−ブチル−４−シアノビフエニル４′−ｎ−ぺ
ンチル−４−シアノビフエニル４７−ｎ−ヘキシル−４
−シアノビフエニルアニリン４′−ｎ−ベンチルオキシ
ベンジリデン−４−シアノアニリン４′−ｎ−ヘキシル
オキシベンジリデン−４−シアノアニリン４′−ｎ−ヘ
プチルオキシベンジリデン−４ーシアノアニリン４′−
ｎ−オクチルオキシベンジリデン−４−シアノアニリン
４′−ｎ−デシルオキシベンジリデン−４−シアノアニ
リンｐ−（ｐ−シアノフエニルアゾメチン）フエニルブ
タノエートｐ−（ｐ−シアノフエニルアゾメチン）フエ
ニルヘキサノエートｐ−（ｐ−シアノフエニルアゾメチ
ン）フエニルヘプタノエートｐ−（ｐ−シアノフエニル
アゾメチン）フエニルオクタノエートｐ−（ｐ−シアノ
フエニルアゾメチン）フエニルデカノエート４′−プロ
ピルベンジリデン−４−シアノアニリン４′−ブチルベ
ンジリデン−４−シアノアニリン４′−ペンチルベンジ
リデン−４−シアノアニリン４／−オクチルベンジリデ
ン−４−シアノアニリン４′−シアノベンジリデン ４−メトキシアニ リン ４′−シアノベンジリデン−４−エトキシアニリン４′
−シアノベンジリデン−４−ブトキシアニリン４′−シ
アノベンジリデン−４−グロピルアニリン４′−シアノ
ベンジリデン−４−ブチルアニリン４／−シアノベンジ
リデン−４−ぺンチルアニリン４′−シアノベンジリデ
ン−４−ヘキシルアニリン４／−シアノベンジリデン−
４−ヘプチルアニリン４′−シアノベンジリデン−４−
デシルアニリン４′−シアノベンジリデン−４−プロピ
オニルオキシアニリン４１−シアノベンジリデン−４−
ぺンタノイルオキシアニリン４′−シアノベンジリデン
−４−ヘキサノイルオキシアニリン４′−シアノベンジ
リデン−４−オクタノイルオキシアニリン４′−シアノ
ベンジリデン−４−ノナノイルオキシアニリン本発明の
液晶組成物は所望の性能に応じて任意に混合する事が出
来るが応答性の面の改良にはビフエニル系のネマチツク
液晶が多い方が良く、Ｍ．Ｒ．の改良の点に就てはべン
ジリデン系のネマチツク液晶が多い方が良いが、ビフエ
ニル系のネマ ニチツク液晶が少量含まれるだけでも本
発明の目的に適う。
ンチル−４−シアノビフエニル４７−ｎ−ヘキシル−４
−シアノビフエニルアニリン４′−ｎ−ベンチルオキシ
ベンジリデン−４−シアノアニリン４′−ｎ−ヘキシル
オキシベンジリデン−４−シアノアニリン４′−ｎ−ヘ
プチルオキシベンジリデン−４ーシアノアニリン４′−
ｎ−オクチルオキシベンジリデン−４−シアノアニリン
４′−ｎ−デシルオキシベンジリデン−４−シアノアニ
リンｐ−（ｐ−シアノフエニルアゾメチン）フエニルブ
タノエートｐ−（ｐ−シアノフエニルアゾメチン）フエ
ニルヘキサノエートｐ−（ｐ−シアノフエニルアゾメチ
ン）フエニルヘプタノエートｐ−（ｐ−シアノフエニル
アゾメチン）フエニルオクタノエートｐ−（ｐ−シアノ
フエニルアゾメチン）フエニルデカノエート４′−プロ
ピルベンジリデン−４−シアノアニリン４′−ブチルベ
ンジリデン−４−シアノアニリン４′−ペンチルベンジ
リデン−４−シアノアニリン４／−オクチルベンジリデ
ン−４−シアノアニリン４′−シアノベンジリデン ４−メトキシアニ リン ４′−シアノベンジリデン−４−エトキシアニリン４′
−シアノベンジリデン−４−ブトキシアニリン４′−シ
アノベンジリデン−４−グロピルアニリン４′−シアノ
ベンジリデン−４−ブチルアニリン４／−シアノベンジ
リデン−４−ぺンチルアニリン４′−シアノベンジリデ
ン−４−ヘキシルアニリン４／−シアノベンジリデン−
４−ヘプチルアニリン４′−シアノベンジリデン−４−
デシルアニリン４′−シアノベンジリデン−４−プロピ
オニルオキシアニリン４１−シアノベンジリデン−４−
ぺンタノイルオキシアニリン４′−シアノベンジリデン
−４−ヘキサノイルオキシアニリン４′−シアノベンジ
リデン−４−オクタノイルオキシアニリン４′−シアノ
ベンジリデン−４−ノナノイルオキシアニリン本発明の
液晶組成物は所望の性能に応じて任意に混合する事が出
来るが応答性の面の改良にはビフエニル系のネマチツク
液晶が多い方が良く、Ｍ．Ｒ．の改良の点に就てはべン
ジリデン系のネマチツク液晶が多い方が良いが、ビフエ
ニル系のネマ ニチツク液晶が少量含まれるだけでも本
発明の目的に適う。
更にビフエニル系のネマチツク液晶の添加量が１！）〜
９９％であることが好ましく特に５％〜９６％であるこ
とが好ましい。以下、実施例をもつて本発明を具体的に
説明する。
９９％であることが好ましく特に５％〜９６％であるこ
とが好ましい。以下、実施例をもつて本発明を具体的に
説明する。
実施例 １
第１図に、４／−ｎ−ぺンチル−４−シアノビフエニル
３重量部と４′−ｎ−ヘプチル−４−シアノビフエニル
２重量部とよりなるビフエニル液晶（以後Ｂ′Ｐ−Ｐ３
２と称す）と４′−。
３重量部と４′−ｎ−ヘプチル−４−シアノビフエニル
２重量部とよりなるビフエニル液晶（以後Ｂ′Ｐ−Ｐ３
２と称す）と４′−。
ーブチルベンジリデン−４−シアノアニリン２重量部と
４′−シアノフエニルアゾメチン−４−フエニルヘプチ
ノエート１重量部よりなるべンジリデン液晶（以後Ｂ−
Ｂ−Ｃ２１と称す）を混合した場合の組成物のＭ．Ｒ．
を示す。この混合系では特に低温側が改良されて居りー
２０℃〜５０℃程度の混合物は容易に得られる。
４′−シアノフエニルアゾメチン−４−フエニルヘプチ
ノエート１重量部よりなるべンジリデン液晶（以後Ｂ−
Ｂ−Ｃ２１と称す）を混合した場合の組成物のＭ．Ｒ．
を示す。この混合系では特に低温側が改良されて居りー
２０℃〜５０℃程度の混合物は容易に得られる。
又これら混合組成物は過冷却が大きく−３０℃で２〜３
日放置しても液晶相を維持し混合比によつては−４０℃
で十数時間も液晶相を示した。実施例 ２実施例１で使
用したＢ−Ｐ−Ｐ３２液晶と一般式（２）又は（３）で
示される液晶とを３：１の重量比で混合してＭ．Ｒ．を
測定したところ第１表の様な結果が得られた。
日放置しても液晶相を維持し混合比によつては−４０℃
で十数時間も液晶相を示した。実施例 ２実施例１で使
用したＢ−Ｐ−Ｐ３２液晶と一般式（２）又は（３）で
示される液晶とを３：１の重量比で混合してＭ．Ｒ．を
測定したところ第１表の様な結果が得られた。
第１表からも明らかな様に本発明になる液晶組成物はＭ
．Ｒ．が広く且つ低温でも液晶相を示すことが判かる。
．Ｒ．が広く且つ低温でも液晶相を示すことが判かる。
肯、一般式（２）及び（３）で示される液晶物質として
第２表に示してある液晶を用いた場合にも略ぼ同様の結
果を得た。
第２表に示してある液晶を用いた場合にも略ぼ同様の結
果を得た。
実施例 ３
実施例１で使用したＢ−Ｂ−Ｃ２１液晶と一般式（１）
で示される下記の液晶とを１：３の重量比で混合しＭ．
Ｒ．の温度を測定したところ略ぼ実施例２と同様の結果
を得た。
で示される下記の液晶とを１：３の重量比で混合しＭ．
Ｒ．の温度を測定したところ略ぼ実施例２と同様の結果
を得た。
実施例 ４
ＢＰＰ３２とＢＢＣ２１とを混合した液晶組成物を用い
て２枚のＩｎ２０３電極をラビングして作つたＴＮ型液
晶セルを二枚の偏光板の間に配置して応答性を測定した
ところ第３表に示される結果が得られた。
て２枚のＩｎ２０３電極をラビングして作つたＴＮ型液
晶セルを二枚の偏光板の間に配置して応答性を測定した
ところ第３表に示される結果が得られた。
条件は、温度１７℃、印加電圧ＡＯ５■、スペーサ−６
μとした。これより従来のべンジリデン系液晶を用いた
場合と比べ応答性が大幅に改良されている事が判かる。
μとした。これより従来のべンジリデン系液晶を用いた
場合と比べ応答性が大幅に改良されている事が判かる。
又該セルを交流６■で連続通電し、長時間性能に変化が
無い事を確認した。この様に本発明に於ける液晶組成物
は、低温液晶で且つ液晶温度範囲が実用温度域にまで拡
大され電気的性能、化学的安定性に優れた非常に有用な
もので、該液晶組成物を用いた液晶セルは優秀な性能を
有し幾多の応用が考えられる。
無い事を確認した。この様に本発明に於ける液晶組成物
は、低温液晶で且つ液晶温度範囲が実用温度域にまで拡
大され電気的性能、化学的安定性に優れた非常に有用な
もので、該液晶組成物を用いた液晶セルは優秀な性能を
有し幾多の応用が考えられる。
例示すれば、電気光学的装置光シヤツター等に更に詳し
くは、電子卓上計算機や電子時計に用いるアルフアニユ
ーメリツクなデイスプレイ素子、画像表示素子、カラー
表示素子に適している。
くは、電子卓上計算機や電子時計に用いるアルフアニユ
ーメリツクなデイスプレイ素子、画像表示素子、カラー
表示素子に適している。
又特に電気的性能が優れて居るので、マトリツクス・デ
イスプレイ、ダイナミツクドライブへの応用が考えられ
る。
イスプレイ、ダイナミツクドライブへの応用が考えられ
る。
第１図は本発明の液晶組成物の一実施態様であるＢＰＰ
３２とＢＢＣ２１の混合組成物の固相、■転移点（Ｓ−
＋Ｎ点）及び液晶相液相転移点したものである。
３２とＢＢＣ２１の混合組成物の固相、■転移点（Ｓ−
＋Ｎ点）及び液晶相液相転移点したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（１）で示されるビフェニル系の正の誘電的
異方性を有するネマチツク液晶物質の少なくとも一種と
一般式（２）又は（３）で示されるベンジリデン系の正
の誘電的異方性を有するネマチツク液晶物質から選択さ
れる物質の少なくとも一種を含有する事を特徴とする液
晶組成物。 （１）▲数式、化学式、表等があります▼（２）▲数式
、化学式、表等があります▼（３）▲数式、化学式、表
等があります▼〔但しＲ：ＣｎＨ＿２ｎ＿＋＿１、Ｒ′
：ＣｎＨ＿２ｎ＿＋＿１，ＣｎＨ＿２ｎ＿＋＿１，Ｃｎ
Ｈ＿２ｎ＿＋＿１Ｏ，ＣｎＨ＿２ｎ＿＋＿１ＣＯＯ，ｎ
：正整数〕
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49010732A JPS5950714B2 (ja) | 1974-01-25 | 1974-01-25 | 液晶組成物 |
| US05/543,431 US4137192A (en) | 1974-01-25 | 1975-01-23 | Liquid crystalline composition |
| DE19752502904 DE2502904A1 (de) | 1974-01-25 | 1975-01-24 | Fluessigkristall-zusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49010732A JPS5950714B2 (ja) | 1974-01-25 | 1974-01-25 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50104780A JPS50104780A (ja) | 1975-08-19 |
| JPS5950714B2 true JPS5950714B2 (ja) | 1984-12-10 |
Family
ID=11758453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49010732A Expired JPS5950714B2 (ja) | 1974-01-25 | 1974-01-25 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950714B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50150684A (ja) * | 1974-05-25 | 1975-12-03 |
-
1974
- 1974-01-25 JP JP49010732A patent/JPS5950714B2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ELECTRONICS LETTERS=1973 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50104780A (ja) | 1975-08-19 |
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