JPS5950094A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JPS5950094A JPS5950094A JP15779282A JP15779282A JPS5950094A JP S5950094 A JPS5950094 A JP S5950094A JP 15779282 A JP15779282 A JP 15779282A JP 15779282 A JP15779282 A JP 15779282A JP S5950094 A JPS5950094 A JP S5950094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- samples
- temp
- heat
- susceptor
- supplied
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
試料の表面にエビタキシャル層を形成するための気相成
長方法に係り、特に前記試料の加熱に関するものである
。
長方法に係り、特に前記試料の加熱に関するものである
。
従来、高周波誘導加熱方式による気相成長装置は、半導
体材料からなる試料を黒鉛などの導電性物質製のサセプ
タ上に設置し、このサセプタを高周波誘導加熱コイルに
て誘導加熱し、このサセプタの発熱により試料を間接的
に加熱して所定の反応温度にするようにしていた。しか
しながら、このような加熱方式は、サセプタの熱容量が
大きくかつ間接的な加熱であり、かつ試料の片面からの
加熱であるため、迅速にして精密な温度制御ができない
と共に熱効率が低い欠点があった。
体材料からなる試料を黒鉛などの導電性物質製のサセプ
タ上に設置し、このサセプタを高周波誘導加熱コイルに
て誘導加熱し、このサセプタの発熱により試料を間接的
に加熱して所定の反応温度にするようにしていた。しか
しながら、このような加熱方式は、サセプタの熱容量が
大きくかつ間接的な加熱であり、かつ試料の片面からの
加熱であるため、迅速にして精密な温度制御ができない
と共に熱効率が低い欠点があった。
本発明は、前述したような点に鑑みなされたもので、試
料を支持するサセプタを絶縁物製として高周波電力によ
りサセプタが発熱しないようにし、半導体材料からなる
試料中に発生するうず電流により試料を直接発熱させて
所定の反応温度にし、気相成長を行なうようにしたもの
である。
料を支持するサセプタを絶縁物製として高周波電力によ
りサセプタが発熱しないようにし、半導体材料からなる
試料中に発生するうず電流により試料を直接発熱させて
所定の反応温度にし、気相成長を行なうようにしたもの
である。
以下本発明の一実施態様を示す図により詳細に説明する
。１は反応容器で、石英などの絶縁物で形成され、図に
おいて左端はフタ２により開閉可能になされ、右端には
排気口３が設けられている。
。１は反応容器で、石英などの絶縁物で形成され、図に
おいて左端はフタ２により開閉可能になされ、右端には
排気口３が設けられている。
この反応容器１内にはノズル４が挿入されている。
ノズル４には適宜個数のノズル孔５が開口され、バージ
ガスや反応ガスを吹き出すようになっている。
ガスや反応ガスを吹き出すようになっている。
反応容器Ｉ内にはサセプタ６が出入可能にセソトされる
ようになっている。このサセプタ６は、試料７を反応容
器１の長手方向に対してほぼ垂直に位置させ、図示のよ
うに多数の試料７を比較的小さな間隔を置いて拡散炉の
場合と同様に配列するようになっている。該サセプタ６
は絶縁物にて形成され、後述する高周波誘導加熱コイル
（以下ワークコイルという）９による発熱作用を生じ々
いようになっている。
ようになっている。このサセプタ６は、試料７を反応容
器１の長手方向に対してほぼ垂直に位置させ、図示のよ
うに多数の試料７を比較的小さな間隔を置いて拡散炉の
場合と同様に配列するようになっている。該サセプタ６
は絶縁物にて形成され、後述する高周波誘導加熱コイル
（以下ワークコイルという）９による発熱作用を生じ々
いようになっている。
反応容器１の外周には冷却配管８が設けられると共に、
その外方に高周波電力を卯加されるワークコイル９が巻
回されている。また、反応容器１の外表面には、輻射熱
を反応容器１の内部へ反射させるために、 ＭｇＯな
どの赤外光反射率の良い絶縁性の反射膜１２が設けられ
ている。
その外方に高周波電力を卯加されるワークコイル９が巻
回されている。また、反応容器１の外表面には、輻射熱
を反応容器１の内部へ反射させるために、 ＭｇＯな
どの赤外光反射率の良い絶縁性の反射膜１２が設けられ
ている。
次いで本装置の作用について説明する。フタ２を開き、
図示のように試料７を配列したサセプタ６を反応容器１
内にセントし、フタ２を閉じる。
図示のように試料７を配列したサセプタ６を反応容器１
内にセントし、フタ２を閉じる。
次に排気口３から排気しつつ、ノズル４からパージガス
を供給して空気を排出すると共にワークコイル９に高周
波電力を供給し、気相成長のための一連の作業を開始す
る。
を供給して空気を排出すると共にワークコイル９に高周
波電力を供給し、気相成長のための一連の作業を開始す
る。
ワークコイル９へ高周波電力を供給すると、反応容器１
はもちろんサセプタ６も絶縁物で形成されているため、
これらは誘導加熱による発熱を生じない。ところが、試
料７は半導体材料であるため、うず電流音生じ、いわゆ
る誘導加熱されて発熱する。半導体材料は、一般に温度
が上昇すると抵抗値が下がるため、誘導加熱による昇温
に伴ってより大きなうず電流を生じ、所定の反応温度ま
で加熱される。
はもちろんサセプタ６も絶縁物で形成されているため、
これらは誘導加熱による発熱を生じない。ところが、試
料７は半導体材料であるため、うず電流音生じ、いわゆ
る誘導加熱されて発熱する。半導体材料は、一般に温度
が上昇すると抵抗値が下がるため、誘導加熱による昇温
に伴ってより大きなうず電流を生じ、所定の反応温度ま
で加熱される。
この加熱は、試料７を直接誘導加熱することによって行
なわれ、かつ試料７は薄い板であって熱容量が小さいた
め、熱効率が良いと共に、ワークコイル９への給電制御
による該試料７の温度制御は迅速かつ精密に行なわれる
。
なわれ、かつ試料７は薄い板であって熱容量が小さいた
め、熱効率が良いと共に、ワークコイル９への給電制御
による該試料７の温度制御は迅速かつ精密に行なわれる
。
試料７からの輻射熱は、反射膜１０によって反射され、
反応容器１内へ戻されるので、外部の昇温を防ぐと共に
試料６に対してより有効に作用する。
反応容器１内へ戻されるので、外部の昇温を防ぐと共に
試料６に対してより有効に作用する。
なお、冷却配管８には、ワークコイル９への給電と共に
冷却水を流し、ワークコイル９および反応容器１の周囲
の昇温をより低く押える。
冷却水を流し、ワークコイル９および反応容器１の周囲
の昇温をより低く押える。
こうして、試料７が所定温度になされたところで、ノズ
ル４から反応ガスを供給して気相成長を行なう。
ル４から反応ガスを供給して気相成長を行なう。
以上述べたように本発明によれば、導電性物質で形成し
たサセプタ等の誘導加熱用の特別な部材を用いることな
く、半導体材料からなる試料中に生ずるうず電流のみで
該試料を誘導加熱するようにしたため、熱効率が良く、
シかも被加熱体である試料は熱容量が小さく直接誘導加
熱されるために迅速にして精密な温度制御が可能になり
、試料内の欠陥発生を押えられるなどの効果が得られる
。
たサセプタ等の誘導加熱用の特別な部材を用いることな
く、半導体材料からなる試料中に生ずるうず電流のみで
該試料を誘導加熱するようにしたため、熱効率が良く、
シかも被加熱体である試料は熱容量が小さく直接誘導加
熱されるために迅速にして精密な温度制御が可能になり
、試料内の欠陥発生を押えられるなどの効果が得られる
。
図は本発明による気相成長方法を実施するための装置の
一例を示す概要縦断面図である。 １・・・反応容器、 ２・・・フタ、 ３・・・排気口、 ４・・・ノズル、５・・・ノズル
孔、 ６・・・サセプタ、７・・・試料、 ８・・
・冷却配管、９・・・高周波誘導加熱コイル（ワークコ
イル）、１０・・・反射膜。 出願人 東芝機械株式会社
一例を示す概要縦断面図である。 １・・・反応容器、 ２・・・フタ、 ３・・・排気口、 ４・・・ノズル、５・・・ノズル
孔、 ６・・・サセプタ、７・・・試料、 ８・・
・冷却配管、９・・・高周波誘導加熱コイル（ワークコ
イル）、１０・・・反射膜。 出願人 東芝機械株式会社
Claims (1)
- 半導体材料からなる試料の表面に気相成長を行なわせる
に際し、前記試料を絶縁物製のサセプタにて支持し、該
試料を高周波誘導加熱コイルにより直接発熱させて所定
の反応温度にし、気相成長させることを特徴とする気相
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15779282A JPS5950094A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15779282A JPS5950094A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950094A true JPS5950094A (ja) | 1984-03-22 |
Family
ID=15657384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15779282A Pending JPS5950094A (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950094A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647565U (ja) * | 1991-05-29 | 1994-06-28 | シュング・ルー、チェン | 窓装置 |
| JP2002289536A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sony Corp | 熱ｃｖｄ装置および薄膜半導体素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15779282A patent/JPS5950094A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647565U (ja) * | 1991-05-29 | 1994-06-28 | シュング・ルー、チェン | 窓装置 |
| JP2002289536A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sony Corp | 熱ｃｖｄ装置および薄膜半導体素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5965047A (en) | Rapid thermal processing (RTP) system with rotating substrate | |
| US20090145890A1 (en) | Treatment apparatus, treatment method, and storage medium | |
| TWI427724B (zh) | 處理設備及處理方法 | |
| US20110248024A1 (en) | Heat treatment apparatus | |
| US20030038127A1 (en) | System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing | |
| US11127608B2 (en) | Heating element, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
| WO2019186655A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
| KR20210022499A (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| JPS5950094A (ja) | 気相成長方法 | |
| WO2013145932A1 (ja) | 加熱機構、ならびに成膜装置および成膜方法 | |
| WO2018173197A1 (ja) | 発熱体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| US20090202720A1 (en) | Film Forming and Cleaning Method | |
| JP5021347B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS60189927A (ja) | 気相反応容器 | |
| JPH01216522A (ja) | 半導体基板の熱処理方法及びそれに用いる熱処理装置 | |
| JP2005072468A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JPS5950093A (ja) | 拡散炉型減圧気相成長装置 | |
| JP2004014892A (ja) | 高温加熱装置 | |
| WO1985002417A1 (en) | Method and apparatus for chemical vapor deposition | |
| JPH06232138A (ja) | 加熱アニール装置 | |
| JP3886320B2 (ja) | 半導体処理装置及びウェハの加熱制御方法 | |
| JP2022182381A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法およびプログラム | |
| JP4161959B2 (ja) | 被処理体の熱処理方法 | |
| JPH0736386B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2003133319A (ja) | 高圧アニール装置 |