JPS5948766A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5948766A JPS5948766A JP57158783A JP15878382A JPS5948766A JP S5948766 A JPS5948766 A JP S5948766A JP 57158783 A JP57158783 A JP 57158783A JP 15878382 A JP15878382 A JP 15878382A JP S5948766 A JPS5948766 A JP S5948766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- polyvinylidene fluoride
- light
- circuit
- ultraviolet rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0002—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for manufacturing artworks for printed circuits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は)第1・マスクに関するものである。
近年、産業機器の発達は目覚しく、それと共に電気回路
を基板上に印刷したいわゆるプリント基板の使用+14
も増大している。従来、プリント基板は銅張り積層板の
−ににインクで回路を印刷し、インクの印刷されてない
部分の銅をエツチングにより取り除くことにより製造さ
れていた。しかし、近年、回路の集積度が高くなり、小
形化が求められる(即ち、回路の微少化)に従いインク
を印刷する方法では十分対応することが困難になってき
た。その為に透明板上に描いた回路を光を用いて銅張り
積層板上の感光性樹脂層に転写する方法が取られるよう
になっている。この際に用いられる回路図を描いた透B
JT板をフォトマスクと称する。フォトマスクとしては
光透過性が良く、かつ寸法安定性が良好なこと及び回路
)比較的容易に描く手段があること等が要求され、その
為に従来はガラス板あるいはポリエチレンテレフタレー
ト(以下PETと1賂ず)ンートが用いられていた。
を基板上に印刷したいわゆるプリント基板の使用+14
も増大している。従来、プリント基板は銅張り積層板の
−ににインクで回路を印刷し、インクの印刷されてない
部分の銅をエツチングにより取り除くことにより製造さ
れていた。しかし、近年、回路の集積度が高くなり、小
形化が求められる(即ち、回路の微少化)に従いインク
を印刷する方法では十分対応することが困難になってき
た。その為に透明板上に描いた回路を光を用いて銅張り
積層板上の感光性樹脂層に転写する方法が取られるよう
になっている。この際に用いられる回路図を描いた透B
JT板をフォトマスクと称する。フォトマスクとしては
光透過性が良く、かつ寸法安定性が良好なこと及び回路
)比較的容易に描く手段があること等が要求され、その
為に従来はガラス板あるいはポリエチレンテレフタレー
ト(以下PETと1賂ず)ンートが用いられていた。
ガラス板では一ヒ記条件を十分醒、Jたしているが、割
れやすいこと、重いこと等問題があり、高度に精密度が
要求される場合以外はPETシートが用いられている。
れやすいこと、重いこと等問題があり、高度に精密度が
要求される場合以外はPETシートが用いられている。
最近は更に回路の細密化が求められ、回路の線d]に対
する精度も1.am以下が要求されるようになり、銅張
り積層板上に転写するのに用いる光も従来の白色光では
十分精度が得ら才1ないので、紫外線領域の光が用いら
れるようになつている。ところか、PETでは300n
m以下の波長の光をすべて吸収してし捷うため、精度に
対する要求に応えられなくなっており、改めて200〜
b マスク用材料が求められるに致った。即ち、フ第1・マ
スクとしては紫外線を良く通し、紫外線で変質1〜ない
ことが前記条件r(加え要求されている。
する精度も1.am以下が要求されるようになり、銅張
り積層板上に転写するのに用いる光も従来の白色光では
十分精度が得ら才1ないので、紫外線領域の光が用いら
れるようになつている。ところか、PETでは300n
m以下の波長の光をすべて吸収してし捷うため、精度に
対する要求に応えられなくなっており、改めて200〜
b マスク用材料が求められるに致った。即ち、フ第1・マ
スクとしては紫外線を良く通し、紫外線で変質1〜ない
ことが前記条件r(加え要求されている。
本発明者らd、かかる情況下にフォトマスク用材料につ
き鋭意検討した結果、ポリフッ化ビニリチン(以下PV
DFと略す)が紫外線を良く通すことを見出し、更に研
究を続は遂に本発明を完成するに致った。
き鋭意検討した結果、ポリフッ化ビニリチン(以下PV
DFと略す)が紫外線を良く通すことを見出し、更に研
究を続は遂に本発明を完成するに致った。
即ち、本発明に従って、ポリフッ化ビニリチンシートか
らなるフォトマスクが提供される。
らなるフォトマスクが提供される。
本発明に用いるPVDFとは、フッ化ビニリデンの重合
物であり、共重合可能なビニル化合物50重計係以下と
の共重合物も含む。更に、PVDFにはその性質を改善
するためPVDFと相溶性のあるポリマーを50重fi
t%以下を添加しても−良い。また必要に応じ、安定剤
、可塑剤、着色剤、界面活性剤、帯電防市剤等を添加し
ておくことが望せしい。
物であり、共重合可能なビニル化合物50重計係以下と
の共重合物も含む。更に、PVDFにはその性質を改善
するためPVDFと相溶性のあるポリマーを50重fi
t%以下を添加しても−良い。また必要に応じ、安定剤
、可塑剤、着色剤、界面活性剤、帯電防市剤等を添加し
ておくことが望せしい。
PVT)F’を7−トとするには、押出し法、カレンダ
ー法、溶媒キャスト法等公知の加工法によることができ
る。また、P V’ D Fシートは少なくとも1軸方
向に延伸することによりPVDFの結晶性が増しシート
の硬度が向上し、かつ厚み精度が得られるようになるの
で、延伸したものの方が好捷しい。PVDF’を延伸/
−]・とするためには通常の押出し、延伸法で良く、延
伸法にはロール法、テンター法、チューブラ−法等があ
り、いずれも可能である。又、−軸延伸としてはたて、
よこ、又他の軸いずれでも良く、二軸以上の延伸として
は逐次、同時いずれでも良い。延伸温度としては100
〜250℃、好ましくは120〜180℃で、延伸倍率
(面積倍率)が2倍以−ヒより好ましくは2.5〜10
倍が適当である。
ー法、溶媒キャスト法等公知の加工法によることができ
る。また、P V’ D Fシートは少なくとも1軸方
向に延伸することによりPVDFの結晶性が増しシート
の硬度が向上し、かつ厚み精度が得られるようになるの
で、延伸したものの方が好捷しい。PVDF’を延伸/
−]・とするためには通常の押出し、延伸法で良く、延
伸法にはロール法、テンター法、チューブラ−法等があ
り、いずれも可能である。又、−軸延伸としてはたて、
よこ、又他の軸いずれでも良く、二軸以上の延伸として
は逐次、同時いずれでも良い。延伸温度としては100
〜250℃、好ましくは120〜180℃で、延伸倍率
(面積倍率)が2倍以−ヒより好ましくは2.5〜10
倍が適当である。
PVDFは紫外線透過性が良好で、耐紫外線・1′1.
にも#’i I’tでいる。史にPV l) Fはポリ
4フツ化エチレン等の他のフッ素樹脂に比べ加工性に優
れ、有機溶媒との相互作用も有している。
にも#’i I’tでいる。史にPV l) Fはポリ
4フツ化エチレン等の他のフッ素樹脂に比べ加工性に優
れ、有機溶媒との相互作用も有している。
かような性質を有するPVD+”ソートをフォ回路の精
度か良好となる。
度か良好となる。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例1
ポリフッ化ビニリチン(クレハ化学株式会社製、+(F
プリマー)を口径40mm(jの押出機により300
℃で押出し、T型の口金を通し厚さ300 /+ mの
7−トを得た。この/−1・を130℃に加熱したクロ
ームメッキされたロール」二を通し加熱し、2本のロー
ルの間でたて方向に2.5倍延伸し、次いて150’C
のオーブン中で再加熱し、よこ方向に2,5倍延伸した
。これにまり合訓約6倍の延伸倍率となり、)9さ約6
0 /I mの延伸フィルムをイ(Iた。この延伸フィ
ルムの厚み精度−一±5係であった。また、このフィル
1、の光透過率を第1図に示す。
プリマー)を口径40mm(jの押出機により300
℃で押出し、T型の口金を通し厚さ300 /+ mの
7−トを得た。この/−1・を130℃に加熱したクロ
ームメッキされたロール」二を通し加熱し、2本のロー
ルの間でたて方向に2.5倍延伸し、次いて150’C
のオーブン中で再加熱し、よこ方向に2,5倍延伸した
。これにまり合訓約6倍の延伸倍率となり、)9さ約6
0 /I mの延伸フィルムをイ(Iた。この延伸フィ
ルムの厚み精度−一±5係であった。また、このフィル
1、の光透過率を第1図に示す。
この延伸フィルムはフォトマスクとして良好であった。
比較のだめPETノート(厚さ約60 /l rn )
の光透過率も第1図に示し/こ。
の光透過率も第1図に示し/こ。
第1図にみられるように、P V D F /−(□は
紫外線をよく透過し、P E T /−1・ては困難な
短波長の光での焼付けが可能である。
紫外線をよく透過し、P E T /−1・ては困難な
短波長の光での焼付けが可能である。
丑だ、P V D F ン−t□はIC,LSI等の製
作にも)第1・マスクとして用いうろことけ勿論である
。
作にも)第1・マスクとして用いうろことけ勿論である
。
第1図はPVDF/−ト(符号1)及びPETンーシー
(符号2)の光透過率を示す図である。 なお、4t〜軸は光の波長(λ、qi位nm)であり、
縦軸は光透過率(T1単位係)である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
(符号2)の光透過率を示す図である。 なお、4t〜軸は光の波長(λ、qi位nm)であり、
縦軸は光透過率(T1単位係)である。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l ポリフッ化ビニリチンソートからなるフォトマスク
。 2 ポリフッ化ビニリデンン−1・が少なくとも1軸方
向に延伸されたものである特許J+ >J(の範囲第1
項記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57158783A JPS5948766A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57158783A JPS5948766A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | フオトマスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5948766A true JPS5948766A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15679234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57158783A Pending JPS5948766A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | フオトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5948766A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4729846A (en) * | 1986-01-17 | 1988-03-08 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing lepidocrocite |
WO2002093261A1 (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Use of partially fluorinated polymers in applications requiring transparency in the ultraviolet and vacuum ultraviolet |
US6770404B1 (en) | 1999-11-17 | 2004-08-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses |
US6824930B1 (en) | 1999-11-17 | 2004-11-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57158783A patent/JPS5948766A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4729846A (en) * | 1986-01-17 | 1988-03-08 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing lepidocrocite |
US6770404B1 (en) | 1999-11-17 | 2004-08-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses |
US6824930B1 (en) | 1999-11-17 | 2004-11-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ultraviolet and vacuum ultraviolet transparent polymer compositions and their uses |
WO2002093261A1 (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Use of partially fluorinated polymers in applications requiring transparency in the ultraviolet and vacuum ultraviolet |
US7438995B2 (en) | 2001-05-14 | 2008-10-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Use of partially fluorinated polymers in applications requiring transparency in the ultraviolet and vacuum ultraviolet |
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