JPS594654U - 薄膜半導体装置の製造装置 - Google Patents

薄膜半導体装置の製造装置

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JPS594654U
JPS594654U JP10031182U JP10031182U JPS594654U JP S594654 U JPS594654 U JP S594654U JP 10031182 U JP10031182 U JP 10031182U JP 10031182 U JP10031182 U JP 10031182U JP S594654 U JPS594654 U JP S594654U
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semiconductor devices
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JP10031182U
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埴岡　登
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シャープ株式会社
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例である搬送のための製造装置
の一部の断面図、第２図は本考案の他の一実施例である
搬送・位置決めのための製造装置の一部の断面図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・薄膜半導体層、３
・・・・・・ローラ、４・・・・・・隔壁、５・・・・
・・間隙、６・−・・・・プレス金型、７・・・・・・
セルチップ、８・・・・・・搬送治具、９・・・・・・
固定治具、１０・・・・・・透明シート、１１・・・・
・・搬送装置。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）積層構造の一部に磁性材料が含まれてなる薄膜半
    導体装置を製造する装置において、製造工程中の薄膜半
    導体装置が通過位置に、磁性材料を吸引する磁石が設け
    られてなる薄膜半導体装置の製造装置。
  2. （２）前記製造工程中の薄膜半導体装置が通過する位置
    は、薄膜半導体装置を搬送する機構を備えてなる請求の
    範囲第１項記載の薄膜半導体装置の製造装置。
  3. （３）　　前記製造工程中の薄膜半導体装置が通過する
    位置は、薄膜半導体装置を位置決めする機構を備えてな
    る請求の範囲第１項記載の薄膜半導体装置の製造装置。
JP10031182U 1982-07-01 1982-07-01 薄膜半導体装置の製造装置 Granted JPS594654U (ja)

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JPS6348127Y2 JPS6348127Y2 (ja) 1988-12-12

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4991190A (ja) * 1972-12-29 1974-08-30

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS4991190A (ja) * 1972-12-29 1974-08-30

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