JPS5946420B2 - ガラス封止半導体装置 - Google Patents
ガラス封止半導体装置Info
- Publication number
- JPS5946420B2 JPS5946420B2 JP55100240A JP10024080A JPS5946420B2 JP S5946420 B2 JPS5946420 B2 JP S5946420B2 JP 55100240 A JP55100240 A JP 55100240A JP 10024080 A JP10024080 A JP 10024080A JP S5946420 B2 JPS5946420 B2 JP S5946420B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dumet
- glass
- glass tube
- semiconductor device
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子装置特にガラス封止半導体装置に関する
。
。
例えば、ガラス封止半導体装置はガラス管内にデユメツ
トスタツドで挾持された半導体素子を封入した構造とな
つている。
トスタツドで挾持された半導体素子を封入した構造とな
つている。
ガラス管とデユメツトスタツドとは５５０℃〜７００℃
の温度で加熱することにより融着されている。このため
半導体素子は外気と遮断され気密に保たれたガラス管に
封止されることになる。デユメツトスタツドは第１図に
示すように鉄ＦｅニッケルＮｉ合金からなる心材１の外
周に銅Ｃｕ層２を形成し、更にその外周に亜酸化銅ＣＵ
２Ｏ層３を設けたものである。また、亜酸化銅Ｃ１１２
０とガラス管とのぬれをよくするためさらに硼砂Ｎａ２
Ｂ４０Ｔ層（図示せず）を設ける場合もある。このよう
な構造のガラス封止半導体装置を多湿ふん囲気中に置く
と半導体装置端部に水滴が付着することがあるが、この
状態で半導体装置を逆バイアス動作させると水滴が逆バ
イアス電圧で電気分解し、次のように２Ｈ２０→２Ｈ２
０２ 水素Ｈ２と酸素Ｏ２を生じる。
の温度で加熱することにより融着されている。このため
半導体素子は外気と遮断され気密に保たれたガラス管に
封止されることになる。デユメツトスタツドは第１図に
示すように鉄ＦｅニッケルＮｉ合金からなる心材１の外
周に銅Ｃｕ層２を形成し、更にその外周に亜酸化銅ＣＵ
２Ｏ層３を設けたものである。また、亜酸化銅Ｃ１１２
０とガラス管とのぬれをよくするためさらに硼砂Ｎａ２
Ｂ４０Ｔ層（図示せず）を設ける場合もある。このよう
な構造のガラス封止半導体装置を多湿ふん囲気中に置く
と半導体装置端部に水滴が付着することがあるが、この
状態で半導体装置を逆バイアス動作させると水滴が逆バ
イアス電圧で電気分解し、次のように２Ｈ２０→２Ｈ２
０２ 水素Ｈ２と酸素Ｏ２を生じる。
ここで生じた水素Ｈ２はデユメツトスタツド表面の亜酸
化銅ＣＵ２Ｏと次のような反応をしＣＵ２Ｏ＋Ｈ２→２
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ 亜酸化銅ＣＵ２Ｏは銅Ｃｕに還元さわる。
化銅ＣＵ２Ｏと次のような反応をしＣＵ２Ｏ＋Ｈ２→２
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ 亜酸化銅ＣＵ２Ｏは銅Ｃｕに還元さわる。
すなわち、陰極還元作用によりデユメツトスタツド表面
の亜酸化銅ＣＵ２Ｏが還元され腐食を生じる。この腐食
によりガラス管ど亜酸化銅ＣＵ２Ｏ層３との融着が損な
われるため封止の気密性が破れ、腐食部分よりガラス管
内部に水分が侵入し、半導体素子の逆電流を大きくした
りショート状態に至らしめる欠点がある。また、電子管
の電極ピンとガラスステムとの間でも同様の還元作用が
生じた場合には電子管の気密性が低下することによつて
真空度が低下する欠点がある。
の亜酸化銅ＣＵ２Ｏが還元され腐食を生じる。この腐食
によりガラス管ど亜酸化銅ＣＵ２Ｏ層３との融着が損な
われるため封止の気密性が破れ、腐食部分よりガラス管
内部に水分が侵入し、半導体素子の逆電流を大きくした
りショート状態に至らしめる欠点がある。また、電子管
の電極ピンとガラスステムとの間でも同様の還元作用が
生じた場合には電子管の気密性が低下することによつて
真空度が低下する欠点がある。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、デユメツトス
タツドとガラス菅との融着部の腐食を防止し得るガラス
封止半導体装置を提供することを目的とする。
タツドとガラス菅との融着部の腐食を防止し得るガラス
封止半導体装置を提供することを目的とする。
第２図において、４はガラス管である。
５は半導体素子である。
６はデユメツトスタツドであり半導体素子５を挾持して
おり、ガラス管１とは融着している。
おり、ガラス管１とは融着している。
７は導電リードであり、デユメツトスタツド６の両端に
接続されている。
接続されている。
８は耐湿性樹脂であり、モールドによりガラス管４、デ
ユメツトスタツド６を包囲している。
ユメツトスタツド６を包囲している。
デユメツトスタツド６は耐湿性樹脂８に包囲されている
ため外気と遮助されている。
ため外気と遮助されている。
そのため多湿ふん囲気中にあつてもデユメツトスタツド
６に水滴が付着するようなことは起らない。従つて融着
部における陰極還元作用による腐食も起らないのでガラ
ス管４内に水分が浸人し、半導体装置の特性を損うこと
はない。本発明者がガラス封止半導体装置について耐湿
性樹脂モールドを行なつた本発明品と従来品とをＪＩＳ
Ｃ５Ｏ２３「電子部品の耐湿性（定常状態）試験方法］
に基ずき、逆バイアス電圧１００ボルト 相対湿度９５
〜９８％ 温度４０±２℃の試験条件で試験したところ
、従来品は９６時間経過後に１０％が不良となり、１０
００時間経過後には全数が不良となつたにもかかわらず
、本発明品は１０００時間経過後においても全く不良品
は出なかつた。
６に水滴が付着するようなことは起らない。従つて融着
部における陰極還元作用による腐食も起らないのでガラ
ス管４内に水分が浸人し、半導体装置の特性を損うこと
はない。本発明者がガラス封止半導体装置について耐湿
性樹脂モールドを行なつた本発明品と従来品とをＪＩＳ
Ｃ５Ｏ２３「電子部品の耐湿性（定常状態）試験方法］
に基ずき、逆バイアス電圧１００ボルト 相対湿度９５
〜９８％ 温度４０±２℃の試験条件で試験したところ
、従来品は９６時間経過後に１０％が不良となり、１０
００時間経過後には全数が不良となつたにもかかわらず
、本発明品は１０００時間経過後においても全く不良品
は出なかつた。
第２図においては、耐湿性樹脂８はモールド１こより被
覆しているが、モールドにかえてコーテイングによつて
もよく、また第３図のように導電り−ド７が導出されデ
ユメツトスタツド６が外気にふれる両端面のみ耐湿性樹
脂８で被覆してもよい。
覆しているが、モールドにかえてコーテイングによつて
もよく、また第３図のように導電り−ド７が導出されデ
ユメツトスタツド６が外気にふれる両端面のみ耐湿性樹
脂８で被覆してもよい。
ガラス管４の両端において露呈される前記ガラス管４と
デユメツトスタツド６との保持部分が外気と庶断さわて
おれば陰極還元反応による腐食は起こらないことは言う
までもない。なお、本発明は、ガラス封止半導体装置に
限らず陰極還元作用が起り得る構成の電子装置であれば
適用でき、例えば電子管や陰極線管等の電極ピンについ
ても適用できる。
デユメツトスタツド６との保持部分が外気と庶断さわて
おれば陰極還元反応による腐食は起こらないことは言う
までもない。なお、本発明は、ガラス封止半導体装置に
限らず陰極還元作用が起り得る構成の電子装置であれば
適用でき、例えば電子管や陰極線管等の電極ピンについ
ても適用できる。
以上のように、本発明は耐湿性樹脂で被覆することによ
つて外気を遮断する構成としたので電子装置における陰
極還元作用による腐食を防止することができる。
つて外気を遮断する構成としたので電子装置における陰
極還元作用による腐食を防止することができる。
第１図はデユメツトスタツドの構造を示す断面図、第２
図は本発明の実施例を示す断面図、第３図は他の実施例
を示す助面図である。 ４・・・・・・ガラス管、６・・・・・・デユメツトス
タツド、８・・・・・・耐湿性樹脂。
図は本発明の実施例を示す断面図、第３図は他の実施例
を示す助面図である。 ４・・・・・・ガラス管、６・・・・・・デユメツトス
タツド、８・・・・・・耐湿性樹脂。
Claims (1)
- １ 鉄、ニッケルクロムとの合金を心材として該心材の
外周に銅層と亜酸化銅層とを形成してなり、互いに一方
の端面が向かい合うように並設されてある一対のデユメ
ツトスタツドと、前記両デユメツトスタツトの前記一方
の端面間に挾持される半導体素子と、前記デユメツトス
タンドの他方の端面に接続された導電リード線と、前記
半導体素子を挾持した両デユメツトスタツドを内面で封
止保持するガラス管と、該ガラス管の両端において露呈
される前記ガラス管とデユメツトスタンドとの保持部分
を防湿するように被覆してなる耐湿性樹脂よりなるガラ
ス封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55100240A JPS5946420B2 (ja) | 1980-07-21 | 1980-07-21 | ガラス封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55100240A JPS5946420B2 (ja) | 1980-07-21 | 1980-07-21 | ガラス封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5724549A JPS5724549A (en) | 1982-02-09 |
| JPS5946420B2 true JPS5946420B2 (ja) | 1984-11-12 |
Family
ID=14268720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55100240A Expired JPS5946420B2 (ja) | 1980-07-21 | 1980-07-21 | ガラス封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946420B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01207958A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fuji Electric Co Ltd | Ｄｈｄ型ガラス封止ダイオード |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218662B2 (ja) * | 1971-11-15 | 1977-05-23 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS556131Y2 (ja) * | 1975-07-28 | 1980-02-12 |
-
1980
- 1980-07-21 JP JP55100240A patent/JPS5946420B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218662B2 (ja) * | 1971-11-15 | 1977-05-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5724549A (en) | 1982-02-09 |
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