JPS5945642A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS5945642A JPS5945642A JP57154575A JP15457582A JPS5945642A JP S5945642 A JPS5945642 A JP S5945642A JP 57154575 A JP57154575 A JP 57154575A JP 15457582 A JP15457582 A JP 15457582A JP S5945642 A JPS5945642 A JP S5945642A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- optical information
- information recording
- light absorbing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な構成の光吸収層を有する光情報記録媒体
に関する。
に関する。
元情報記録媒体の材料として必要な特性は、光を反射す
ることと光を吸収し光を吸収した部分で状態変化または
形状を変化させその光反射特性を照射前後で変化させろ
ことである。そこで、従来光情報記録媒体の記録層とし
ては低融点金属または金属微粒子樹脂分散１−の４層で
１ｑケ成さ扛ているものあるいは反射層が金属からなシ
そして吸収層が色累からなる二層で構成されているもの
などが知らｎているが、いずれもＳ／Ｎ 、保存性およ
び記録感度の点でいまだ十分でなかった。また、半導体
レーザを光記録に用いることは光記録用ヘッド、光ピツ
クアップの小型化に有用であるが現在のところその波長
域はせいぜい７９０ｎｍ近傍であってそれ以上可視領域
に中心波長があるものは開発されていない。
ることと光を吸収し光を吸収した部分で状態変化または
形状を変化させその光反射特性を照射前後で変化させろ
ことである。そこで、従来光情報記録媒体の記録層とし
ては低融点金属または金属微粒子樹脂分散１−の４層で
１ｑケ成さ扛ているものあるいは反射層が金属からなシ
そして吸収層が色累からなる二層で構成されているもの
などが知らｎているが、いずれもＳ／Ｎ 、保存性およ
び記録感度の点でいまだ十分でなかった。また、半導体
レーザを光記録に用いることは光記録用ヘッド、光ピツ
クアップの小型化に有用であるが現在のところその波長
域はせいぜい７９０ｎｍ近傍であってそれ以上可視領域
に中心波長があるものは開発されていない。
さらに、従来光吸収層として用いられる色累や顔料は可
視領域において光吸収金示すものがほとんどで半導体レ
ーザの波長領域で高い吸収を示すものは希有であった。
視領域において光吸収金示すものがほとんどで半導体レ
ーザの波長領域で高い吸収を示すものは希有であった。
本発ψＪは上記問題に鑑みてなされたものであって、光
吸収層として半導体レーザの波長領域で十分吸収を有す
る金Ｍ超微粉末分散層を用いることにより特に半導体レ
ーザを使用する光記録に適合しかつ感度、Ｏ／Ｎおよび
保存性のすぐれた光情報ｉｆ’： ＆’ｌ媒体を提供す
イ）ことを目的とする。
吸収層として半導体レーザの波長領域で十分吸収を有す
る金Ｍ超微粉末分散層を用いることにより特に半導体レ
ーザを使用する光記録に適合しかつ感度、Ｏ／Ｎおよび
保存性のすぐれた光情報ｉｆ’： ＆’ｌ媒体を提供す
イ）ことを目的とする。
すなわち、本発明の光情報記録媒体は基板上に任黙の順
序で反射層および光吸収ハ４を不しぞして前記光吸収層
が金属微粒子分散層で構成されていることを特徴とす／
！、）ものである。
序で反射層および光吸収ハ４を不しぞして前記光吸収層
が金属微粒子分散層で構成されていることを特徴とす／
！、）ものである。
金属は本来低い屈折率と高い消衰係数を有するため空気
と°ガラス、プラスチックとの界面で高い光反射を示す
ものであ４〕。しかしながらｔ金属なガラス、プラスチ
ックおよび色素などに分散すイ）と屈折率が高くｌり消
衰係数が低下−するため上記のような界面における反別
率が低下する。本発明はかかる現象にもとづくものであ
って、金属超微粉末を消衰係数が約０．２乃至６．０の
範囲になるように分散媒中ｒ（分１孜丁、５ことによっ
てその目的’ｌ： ４１）児−Ｊ−４〕ことができる。
と°ガラス、プラスチックとの界面で高い光反射を示す
ものであ４〕。しかしながらｔ金属なガラス、プラスチ
ックおよび色素などに分散すイ）と屈折率が高くｌり消
衰係数が低下−するため上記のような界面における反別
率が低下する。本発明はかかる現象にもとづくものであ
って、金属超微粉末を消衰係数が約０．２乃至６．０の
範囲になるように分散媒中ｒ（分１孜丁、５ことによっ
てその目的’ｌ： ４１）児−Ｊ−４〕ことができる。
消衰係数が０，２以下になると、光吸収層が１１１ｍの
厚さでも光の１０％は透過してしまい記録感Ｉ￥が低く
なってくる。甘だ、７１′１衰係数が３．０以上になる
と、ノ＋Ｊｉ折率が２程度でも光反射率が５０％以−ヒ
にノ゛トしてし１い、結果として記録感Ｌ８１が低下す
ることになる。
厚さでも光の１０％は透過してしまい記録感Ｉ￥が低く
なってくる。甘だ、７１′１衰係数が３．０以上になる
と、ノ＋Ｊｉ折率が２程度でも光反射率が５０％以−ヒ
にノ゛トしてし１い、結果として記録感Ｌ８１が低下す
ることになる。
本発明では全屈超微粉末を光吸収層に１リコ用するため
できるだけうすい膜厚で光を吸収させることができるの
で感度向上に有利である。また、全屈分散系は熱による
変形を生じる温度が分散媒によってコントロールできる
ので熱変形温度を下げることができこｉ’Ｌも感度向上
に好都合である。さらｒ（、金属そのものも熱や酸化に
強い材料を選定できるので保存性の向上にも有利である
。
できるだけうすい膜厚で光を吸収させることができるの
で感度向上に有利である。また、全屈分散系は熱による
変形を生じる温度が分散媒によってコントロールできる
ので熱変形温度を下げることができこｉ’Ｌも感度向上
に好都合である。さらｒ（、金属そのものも熱や酸化に
強い材料を選定できるので保存性の向上にも有利である
。
次に、図面について本発明の光情報記録媒体の構成を簡
明する。
明する。
第１図は、透明）？５板１に金属微粒子分散層２を設け
たものを示し、そしてこのタイプのものｔよ光吸収し［
するが光反射がはとＸ７どないので、透過型の光記録に
用いられる。第２図は透明基板１に反射層３を形成しさ
らにその上に金属１歳粒子分散増２を設けたものを示し
％ Ｊｙ、豹型の光記録に用いられる。この場合、Ｊ文
躬層は十分うずくして金属微粒子分散層に４、で光が届
き光吸収によって熱′が発生し、反則層が変化するが、
金属微粒子分散層の変化によって反’ｌＪＪ祭に変化を
与えるようにしなけれはならない。ｈ己録読み出しは基
板１０１１から行うのがよいが基板と反対１１１すから
も記録読み出しは可能である。；４４３図は基板１（虚
聞でなくてもよい）に金属微粒子分散層ム１２を設け、
さらにこの上に反９」層６と設けたものを示す。反射層
に要求さ！′Ｌろ条件は第２図の場合と同様である・記
＠、沈み出しをュ基板と反対１１！＋１から行うのがよ
いが、基板がｙＲ・夕１な場合ｔ」、基板（１ｉ１から
も可能である。
たものを示し、そしてこのタイプのものｔよ光吸収し［
するが光反射がはとＸ７どないので、透過型の光記録に
用いられる。第２図は透明基板１に反射層３を形成しさ
らにその上に金属１歳粒子分散増２を設けたものを示し
％ Ｊｙ、豹型の光記録に用いられる。この場合、Ｊ文
躬層は十分うずくして金属微粒子分散層に４、で光が届
き光吸収によって熱′が発生し、反則層が変化するが、
金属微粒子分散層の変化によって反’ｌＪＪ祭に変化を
与えるようにしなけれはならない。ｈ己録読み出しは基
板１０１１から行うのがよいが基板と反対１１１すから
も記録読み出しは可能である。；４４３図は基板１（虚
聞でなくてもよい）に金属微粒子分散層ム１２を設け、
さらにこの上に反９」層６と設けたものを示す。反射層
に要求さ！′Ｌろ条件は第２図の場合と同様である・記
＠、沈み出しをュ基板と反対１１！＋１から行うのがよ
いが、基板がｙＲ・夕１な場合ｔ」、基板（１ｉ１から
も可能である。
本発明において光吸収層に用いられる全編超微粉の材料
としては、Ｎｉ、Ａｕ％Ａｇ％Ａｔ、Ｃｏ、Ｃ！ｕ。
としては、Ｎｉ、Ａｕ％Ａｇ％Ａｔ、Ｃｏ、Ｃ！ｕ。
Ｓｅ ％ｓｎ ｓ工ｎ ｂ）３１ 、Ｔｅ ％Ｃ！ｄ
％Ｐｂあるいはこれらを含む合金などが用いら７’Ｌ石
。これらの金属微粒子粉末Ｉｔ、ｉＡ！ｉ＋々市販され
ているが、不活性ガス中での蒸着やスパッタ法などで微
粉化し補集する方法−金屈鳩水溶液中で還元剤を用いて
還元する方法あるい＆、Ｉ：電気化学的に還元する方法
などに、しってｄＣ！！Ｊ告−ｊ／！０ことができる。
％Ｐｂあるいはこれらを含む合金などが用いら７’Ｌ石
。これらの金属微粒子粉末Ｉｔ、ｉＡ！ｉ＋々市販され
ているが、不活性ガス中での蒸着やスパッタ法などで微
粉化し補集する方法−金屈鳩水溶液中で還元剤を用いて
還元する方法あるい＆、Ｉ：電気化学的に還元する方法
などに、しってｄＣ！！Ｊ告−ｊ／！０ことができる。
金属微粒子の大きさの、粒径２ｏｏｏｉ以下が好′まし
い。また、金属超微（分を分散させるり〕散媒としては
樹脂、色素、顔オ↓およびそ扛らの組合せなどが用いら
ｎる。（（１脂が１１゛ηに好ましく、前記金属を分散
できるものならど扛でもよいが、光の例としてセラチン
、ＰＶＡ、酸１淑セルロース、ブチラール樹脂、アクリ
ル系樹脂、塩化ヒニルイか１脂、酢酸ビニル樹脂、塙化
ビニルー〆ｊ” ＣＩ！ビニル共１「合体樹脂、ポリス
チレン、ボリウレタ７などｋあげることができる。
い。また、金属超微（分を分散させるり〕散媒としては
樹脂、色素、顔オ↓およびそ扛らの組合せなどが用いら
ｎる。（（１脂が１１゛ηに好ましく、前記金属を分散
できるものならど扛でもよいが、光の例としてセラチン
、ＰＶＡ、酸１淑セルロース、ブチラール樹脂、アクリ
ル系樹脂、塩化ヒニルイか１脂、酢酸ビニル樹脂、塙化
ビニルー〆ｊ” ＣＩ！ビニル共１「合体樹脂、ポリス
チレン、ボリウレタ７などｋあげることができる。
分散法としては、ボールごル、アトライター４ホモゲ゛
ナイザー、サノドｉル、超音波分数などが用いられる。
ナイザー、サノドｉル、超音波分数などが用いられる。
イ１ｉ１脂に対すゐｈｊ＋媒としてｌ−Ｊ、−γルコー
ル填、セロソルフ類、ケトンｍ 、へ７ セ／。
ル填、セロソルフ類、ケトンｍ 、へ７ セ／。
トルエンなど°金柑いろことができる。この１＋ｒｇに
分散剤として界面活性剤、消泡剤［４Ｕえｌｒン１ノコ
ーンオイルおよび平Ｃけ剤ν１−１えυ」、／リコーノ
オイルなと金円いてもよい。
分散剤として界面活性剤、消泡剤［４Ｕえｌｒン１ノコ
ーンオイルおよび平Ｃけ剤ν１−１えυ」、／リコーノ
オイルなと金円いてもよい。
本う（）明に用いら扛る基板←Ｌ当朱省に知ら７したも
のであって、ガラス、ノラスチツクス、紙、板状寸たは
箔状の釜属などの−ｊ１艮の４ｊ科が１史用でき、特に
ブ、ラスチツクスか好ノ薗である。坊明基板としては、
ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート、塙化ビニル
、ｌ’ｌ’ｌ ＩＮビニル、メククリル拉１脂、ボリブ
ｒ１ピレン、ポリエステル、二ｌ・ロセルロース、ポリ
エチレン、ボリアｉＦ、ボリイ好ド、エポキシ（！Ｉｉ
ｌ］旨などが月１いられる。
のであって、ガラス、ノラスチツクス、紙、板状寸たは
箔状の釜属などの−ｊ１艮の４ｊ科が１史用でき、特に
ブ、ラスチツクスか好ノ薗である。坊明基板としては、
ガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート、塙化ビニル
、ｌ’ｌ’ｌ ＩＮビニル、メククリル拉１脂、ボリブ
ｒ１ピレン、ポリエステル、二ｌ・ロセルロース、ポリ
エチレン、ボリアｉＦ、ボリイ好ド、エポキシ（！Ｉｉ
ｌ］旨などが月１いられる。
透明であることを要請しない場合は、アルミニウム４ｉ
、ｔｌＩ）板、鉄板なども用いることができる。
、ｔｌＩ）板、鉄板なども用いることができる。
基板の欠陥やキスをうめろために下引層を設けてもよい
。−ぞ゛の利料としては、ブチラール樹脂、ニトロセル
ロース、ポリスチレン、スチレン−ブタジェノ共山合体
、フェノール樹脂、アクリル樹脂、けい皮酸エステル、
エポキシ樹脂などが用いられろ。
。−ぞ゛の利料としては、ブチラール樹脂、ニトロセル
ロース、ポリスチレン、スチレン−ブタジェノ共山合体
、フェノール樹脂、アクリル樹脂、けい皮酸エステル、
エポキシ樹脂などが用いられろ。
次に、本発明において用いられる反射層について説明す
る。
る。
１、 反別層が金角微粒子膚である場合反射層は、！Ｎ
板上に金属の微粒子（望ましくは粒径ｚｏｏｏＸ以下の
もの）の単層あるいは積層もしくは金＃４微粒子をバイ
ンダー中に分散したものである。形成法として幻、 ；
＋！ｉ＃ ｍ、−Ｉ Ｍ’ｌメッキや。
板上に金属の微粒子（望ましくは粒径ｚｏｏｏＸ以下の
もの）の単層あるいは積層もしくは金＃４微粒子をバイ
ンダー中に分散したものである。形成法として幻、 ；
＋！ｉ＃ ｍ、−Ｉ Ｍ’ｌメッキや。
フｊ（１％ Ｈ（メッキ類位の方法が月Ｊいら朴もしく
幻金１・らコロイドの形成などによって形／Ｊｖ、さ２
Ｉ″ｌる。
幻金１・らコロイドの形成などによって形／Ｊｖ、さ２
Ｉ″ｌる。
金属倣粒子層としで用いｃ７れる金４−ｊｉとしては金
、銭、銅、ニッケル、鉄、コバル）％ｌｌｌ・鉛、鉛、
錫、インジウム、あるい幻、こ右、らの合金例えばニッ
ケルーコバルトなどかメ／１げられろ。全組コロイドと
しても同様のものが用いらノア、ゐ。
、銭、銅、ニッケル、鉄、コバル）％ｌｌｌ・鉛、鉛、
錫、インジウム、あるい幻、こ右、らの合金例えばニッ
ケルーコバルトなどかメ／１げられろ。全組コロイドと
しても同様のものが用いらノア、ゐ。
２、 反射層が低融点金属で矛１、小場合低１誠点金属
は蒸治などによって形成されろ。
は蒸治などによって形成されろ。
低融点金属としては、銀、テルル、；（１〜、９．凱セ
１／）、ヒスマス、インジウム、ゲルマニウムなどある
いはこ柱らの合金など７１月１いられる。
１／）、ヒスマス、インジウム、ゲルマニウムなどある
いはこ柱らの合金など７１月１いられる。
３、 反射層がブロンズ光沢（メタリックな１（躬）を
示す有機材料の場合 有機材料としてはシアニン色Ａ 、） ｕ フェニルメ
タン、キサンテン系色素、スクオレニウム、フタロシア
ニンなどの色素あるい１ｒま顔峯斗々どが用いらＪｔ＾
。反射層はこれらの有枦材料をへ着や湿式コーティング
などによって傅）１）として形成 さ 才し ４） 。
示す有機材料の場合 有機材料としてはシアニン色Ａ 、） ｕ フェニルメ
タン、キサンテン系色素、スクオレニウム、フタロシア
ニンなどの色素あるい１ｒま顔峯斗々どが用いらＪｔ＾
。反射層はこれらの有枦材料をへ着や湿式コーティング
などによって傅）１）として形成 さ 才し ４） 。
以下に実線ゼ１１によって本発明をさらに詳しく説明す
るがこれに限市されるものではない。例中、部は”Ｊ
■ｉ、 ７＜Ｂによって示す。
るがこれに限市されるものではない。例中、部は”Ｊ
■ｉ、 ７＜Ｂによって示す。
実絢例 １
ガラスＪ、！： ４Ｊｊ−ににシ丁二ノ色素ＮＫ２Ｏ１
４（日本感光鰐口 のジクロルエフタンが４和溶液を２００ Ｏｒｐｍでス
ピンコートシた。さらに、１１′・均χ＼ｌ打２００久
ｔＩずｂ鉄コバルトの超微粉（日本０；窄冶金製）９０
部をｎｔ）ｋビニル−Ｅｍ ｆヒビニルコポリマー１ｏ
音１ｊととイ、に１ｊ′［酸エチル、酢ｒ賀ｎ−ブチル
、トルエンの混合溶媒に混合し力故剤を加えて超音波分
散し、スピナーで塗布し、約０．７ ｔｔの膜厚を１（
ｔた０ かくして８００ｎｍで反射層ベロ５′＞−の６１″録媒
イホがイ勾ら７’Ｌだ。次に、半導体レーウノで用いて
照射面パワー７ ｍＷ’、ビーム径１．６ ｔｔｍで斗
き込んだところ（ｏ、 ｓ ＭＨｚ ｓデユティ比１：
１、ｉｉ］−座２ ｒｎ／ ｓｅｃ ） ０．７ ｍＷ
の読出し５′Ａ、で５０ｄＢＬＪ）Ｃ／Ｎが肖られ瓦。
４（日本感光鰐口 のジクロルエフタンが４和溶液を２００ Ｏｒｐｍでス
ピンコートシた。さらに、１１′・均χ＼ｌ打２００久
ｔＩずｂ鉄コバルトの超微粉（日本０；窄冶金製）９０
部をｎｔ）ｋビニル−Ｅｍ ｆヒビニルコポリマー１ｏ
音１ｊととイ、に１ｊ′［酸エチル、酢ｒ賀ｎ−ブチル
、トルエンの混合溶媒に混合し力故剤を加えて超音波分
散し、スピナーで塗布し、約０．７ ｔｔの膜厚を１（
ｔた０ かくして８００ｎｍで反射層ベロ５′＞−の６１″録媒
イホがイ勾ら７’Ｌだ。次に、半導体レーウノで用いて
照射面パワー７ ｍＷ’、ビーム径１．６ ｔｔｍで斗
き込んだところ（ｏ、 ｓ ＭＨｚ ｓデユティ比１：
１、ｉｉ］−座２ ｒｎ／ ｓｅｃ ） ０．７ ｍＷ
の読出し５′Ａ、で５０ｄＢＬＪ）Ｃ／Ｎが肖られ瓦。
実姉ｆ１１２
アクリル基板にＴｅ １２ ＭＦＩ 荀１７函の距１ノ
計から抵抗加熱により蒸着した。
計から抵抗加熱により蒸着した。
実り型側１で作成した鉄コバルトの／Ｉ）肢液を実施例
１と同様の条件でコートした。
１と同様の条件でコートした。
書込み条件を半帳体し−ザ照躬面パワー５ ｍＷ（てし
た以外に←を実ＩＡ例１と同様に１−２で」込んだとこ
ろ１ｍＷの読出し、光で、４５ｄＢのＣ／）ＪがＶ７）
られた。
た以外に←を実ＩＡ例１と同様に１−２で」込んだとこ
ろ１ｍＷの読出し、光で、４５ｄＢのＣ／）ＪがＶ７）
られた。
実姉例 ３
ＰＶＡ ９ ％水層液 ２５２１＜ｇＮＯｙ、
５ Ｏｆ’ホルムアミド
４０ ｍｅ２８％アンモニア水 ４０ｍ
１ ブドウ糖５０％水溶液 ５２ｍ１上記、ｒ（１成
の浴？（５を透明アクリル板−ヒにスピンコードし、６
０℃で５分間加熱して、釧粒子層を形成した。
５ Ｏｆ’ホルムアミド
４０ ｍｅ２８％アンモニア水 ４０ｍ
１ ブドウ糖５０％水溶液 ５２ｍ１上記、ｒ（１成
の浴？（５を透明アクリル板−ヒにスピンコードし、６
０℃で５分間加熱して、釧粒子層を形成した。
さらに、−七の上にＯ＋ｉ粉末（７００λ）９０部およ
びポリビニルブチラール１０部”ｔ−１ツブロバノール
、ｎ−ブタノールおよびトルエンの混合浴媒で混合し、
スピンコード（２０００ｒｐｍ ） Ｌ。
びポリビニルブチラール１０部”ｔ−１ツブロバノール
、ｎ−ブタノールおよびトルエンの混合浴媒で混合し、
スピンコード（２０００ｒｐｍ ） Ｌ。
たＯ
実／＄ｆ＋ｉ１と同一条件で■込んだところ３５ｄＢの
Ｏ／Ｎが得られた。
Ｏ／Ｎが得られた。
実砲例 ４
実施例３においてｂｏｕ粉体中に色素ブＩＪ ＩＪアン
トグリーン５部を添カロした以外は同様に（７てｔ４Ｆ
＋録媒体を形成した。
トグリーン５部を添カロした以外は同様に（７てｔ４Ｆ
＋録媒体を形成した。
ｎｏ−↑Ｊｅ （５ｍＷ）レーザを月Ｊいた以外に辷１
．’ Ｔ ／＃ｉ例１と同様に゛して書込んだところ４
５ｄＢの０／Ｎが得られた。
．’ Ｔ ／＃ｉ例１と同様に゛して書込んだところ４
５ｄＢの０／Ｎが得られた。
４、図面の罰１単な＃５７．明
第１１ン１ないし第３図は本＜１４）（ｉ叫の光情報記
録媒体の杓ｒ ／ｒ （ｆ′）梠′成を示す断面１ｔ、
ｉである。
録媒体の杓ｒ ／ｒ （ｆ′）梠′成を示す断面１ｔ、
ｉである。
１・・・基板、２・・・光吸収ノ曽、６・・・反射層。
特許出願人 株式会社 リ コ −第１図
第２図
Claims (1)
- 基板上に任意の順序で反射層および光吸収層を有ししか
も前記光吸収層が金属超微粉末分散層で構成されている
ことを特徴とする、光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154575A JPS5945642A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154575A JPS5945642A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945642A true JPS5945642A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15587218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154575A Pending JPS5945642A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945642A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195991A (ja) * | 1984-10-13 | 1986-05-14 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | 情報記憶用の不可逆光学媒体およびその製造方法 |
| EP0186506A2 (en) * | 1984-12-27 | 1986-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical memory medium |
| FR2580233A1 (fr) * | 1985-04-12 | 1986-10-17 | Rhone Alpes Projets Plast | Procede pour rendre une matiere plastique sensible au rayon laser et permettre son marquage au laser et article obtenu notamment pour le marquage des animaux |
| EP0404599A2 (en) * | 1989-06-22 | 1990-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP57154575A patent/JPS5945642A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6195991A (ja) * | 1984-10-13 | 1986-05-14 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | 情報記憶用の不可逆光学媒体およびその製造方法 |
| EP0186506A2 (en) * | 1984-12-27 | 1986-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical memory medium |
| FR2580233A1 (fr) * | 1985-04-12 | 1986-10-17 | Rhone Alpes Projets Plast | Procede pour rendre une matiere plastique sensible au rayon laser et permettre son marquage au laser et article obtenu notamment pour le marquage des animaux |
| EP0404599A2 (en) * | 1989-06-22 | 1990-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device |
| US5338646A (en) * | 1989-06-22 | 1994-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical memory device having an improved light reflection or optical memory layer |
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