JPS5944055A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS5944055A JPS5944055A JP15424482A JP15424482A JPS5944055A JP S5944055 A JPS5944055 A JP S5944055A JP 15424482 A JP15424482 A JP 15424482A JP 15424482 A JP15424482 A JP 15424482A JP S5944055 A JPS5944055 A JP S5944055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- charge
- tellurium
- cgl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば電子写真又は電光変換素子等に好適な
｛感光体に関するものてあ名。
｛感光体に関するものてあ名。
ｉＸ来、電子写真用の感光体として、セレンにテルルを
添加したセ１／ンーテルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からなる
感光体が知られている。このＳｅ−Ｔｅ感光体はテルル
の含有によって特に長波長域で良好な感度を示す。
添加したセ１／ンーテルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からなる
感光体が知られている。このＳｅ−Ｔｅ感光体はテルル
の含有によって特に長波長域で良好な感度を示す。
例えば、特開昭５６ １２６４’？号においては、Ｓ
ｅ−’ｌ’ ｅからなる電荷輸送！（以下、ＣＴＬと
称する。）の表面に、このＣＴＬよりＴｅ含有皺のラい
Ｓｅ−Ｔｅからなる電荷発生層（以下、ＣＧ Ｌと称す
る。）が設りられてなる感光体が記載されている。しか
しながら、この公知の感光゜体について本発明者が検討
を加えたところ、上記ＣＴＬとＣＧＬとの間でＴ．ｅ含
有量が急激に変化するために、両Ｐｇｉ間でのバンドギ
ャップ差が太き《なキャリア（１寺にホール）がＣＴＬ
へｌ主入され鮨くなることが判ロバした。この結果、光
感１ｋが悪くなると共に、ＣＧＬ中にホールが残り、残
留電位が生じてしまい、さらにくり返しによって、蓄積
されてしまい、連続コピ一時にカフリとな−２てコピー
画像に欠陥を生じる。
ｅ−’ｌ’ ｅからなる電荷輸送！（以下、ＣＴＬと
称する。）の表面に、このＣＴＬよりＴｅ含有皺のラい
Ｓｅ−Ｔｅからなる電荷発生層（以下、ＣＧ Ｌと称す
る。）が設りられてなる感光体が記載されている。しか
しながら、この公知の感光゜体について本発明者が検討
を加えたところ、上記ＣＴＬとＣＧＬとの間でＴ．ｅ含
有量が急激に変化するために、両Ｐｇｉ間でのバンドギ
ャップ差が太き《なキャリア（１寺にホール）がＣＴＬ
へｌ主入され鮨くなることが判ロバした。この結果、光
感１ｋが悪くなると共に、ＣＧＬ中にホールが残り、残
留電位が生じてしまい、さらにくり返しによって、蓄積
されてしまい、連続コピ一時にカフリとな−２てコピー
画像に欠陥を生じる。
従フて、本発明の目的は、５ｅ−Ｔｅ感光体において光
感度を向上させ、残留電位の」−昇を＋ｒｌｌえると同
時に、感光層の電荷保持能の温度依存性をも少なくする
ことにある。
感度を向上させ、残留電位の」−昇を＋ｒｌｌえると同
時に、感光層の電荷保持能の温度依存性をも少なくする
ことにある。
この目的は、本発明による感光体、即ち、テルル含有迄
が３〜８重猿％のセレン−テルル合金からなる電荷輸送
層（ＣＴＬ）と、テルル含有尿かＸ０〜２５重足％のセ
１ノンーテルル含金からなる電荷発生層（ＣＧＬ）とを
有し、前記ＣＴＬから前記ＣＧＬにかけてテルル含有ｗ
ｈ＜増加しているセｌノンーテルル合金からなる厚さ１
〜１０μｍの遷移層が前記ＣＴＬと前記ＣＧ Ｌとの間
に設けられていることを持ｉ￥９とする感光体によって
’１ｈ２される。
が３〜８重猿％のセレン−テルル合金からなる電荷輸送
層（ＣＴＬ）と、テルル含有尿かＸ０〜２５重足％のセ
１ノンーテルル含金からなる電荷発生層（ＣＧＬ）とを
有し、前記ＣＴＬから前記ＣＧＬにかけてテルル含有ｗ
ｈ＜増加しているセｌノンーテルル合金からなる厚さ１
〜１０μｍの遷移層が前記ＣＴＬと前記ＣＧ Ｌとの間
に設けられていることを持ｉ￥９とする感光体によって
’１ｈ２される。
本発明によれば、上記遷移層を１〜１０μｍの厚みに設
けると共にそのＴｅ＠有蓋（又は濃度）を上記ＣＴＬか
らＣＧＬにかけて増加させているので、ＣＴＬとＣＧＬ
との曲のエネルギーパンＹギャップ差が比較的なだらか
に度イヒし、急激なギャップ差が存在してはおらす、両
ｌ會凹の界面特性も良好となる。これによフて、ＣＧＬ
からＣＴＬへの光キャリｆ（特にホール）の注入を行１
１い易くなり、光感度が向上する。しかも、ＣＴＬのＴ
ｅ１ｄをイに下さＶても残留電イめが上昇することはな
いから、残電特性の劣化なしにＣＴＬのＴｅｔｎｉ、賊
らＶる上に、乙のＴｅｒｍの低下に基いて温度上程に伴
ｆＪう帯電電位の低下を少なくすることがてきる。１並
フて、＄８Ｂ月における上ｉ己遷１多層は、特１こホー
ルＧ ＣＴ Ｌ側へ効果的に注入し得るホール注入層と
し″ｒ磯ｌｉｔ ｌ、 、この機能によフて公知の感光
体では回避し得ない静電特性の劣化を防止しているの゛
である。
けると共にそのＴｅ＠有蓋（又は濃度）を上記ＣＴＬか
らＣＧＬにかけて増加させているので、ＣＴＬとＣＧＬ
との曲のエネルギーパンＹギャップ差が比較的なだらか
に度イヒし、急激なギャップ差が存在してはおらす、両
ｌ會凹の界面特性も良好となる。これによフて、ＣＧＬ
からＣＴＬへの光キャリｆ（特にホール）の注入を行１
１い易くなり、光感度が向上する。しかも、ＣＴＬのＴ
ｅ１ｄをイに下さＶても残留電イめが上昇することはな
いから、残電特性の劣化なしにＣＴＬのＴｅｔｎｉ、賊
らＶる上に、乙のＴｅｒｍの低下に基いて温度上程に伴
ｆＪう帯電電位の低下を少なくすることがてきる。１並
フて、＄８Ｂ月における上ｉ己遷１多層は、特１こホー
ルＧ ＣＴ Ｌ側へ効果的に注入し得るホール注入層と
し″ｒ磯ｌｉｔ ｌ、 、この機能によフて公知の感光
体では回避し得ない静電特性の劣化を防止しているの゛
である。
ｌ′ｌ下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に
二８Ｈ月する。
二８Ｈ月する。
第１図に例示するＳｅ−Ｔｅｇ光体によれば、アルミニ
ウム等の導電性支持基板１１に、Ｔｅ含有嵐が３〜８重
鳳％で厚さ３０μｍ以上の５ｅ−ＴｅからなるＣＴＬ２
と、Ｔｅ含有垣が１０〜２５を麓％で厚さ２〜５μ併牧
ｅ −Ｔ ｅからなるＣＧＬ３とが設けられ、かつＣＴ
Ｌ２とＣＧＬ３との間にはＴｅ含有鳳がＣＴＬ２からＣ
ＧＬ３に向けられている。
ウム等の導電性支持基板１１に、Ｔｅ含有嵐が３〜８重
鳳％で厚さ３０μｍ以上の５ｅ−ＴｅからなるＣＴＬ２
と、Ｔｅ含有垣が１０〜２５を麓％で厚さ２〜５μ併牧
ｅ −Ｔ ｅからなるＣＧＬ３とが設けられ、かつＣＴ
Ｌ２とＣＧＬ３との間にはＴｅ含有鳳がＣＴＬ２からＣ
ＧＬ３に向けられている。
ここで注目すべきことは、上記８層におけるＴｅの濃度
プロファイルが第２図に示す如くに設定されていること
である。ＣＴＬ２の最下面側のＴｅ Ｊ度を（Ｔｅ）丁
、その最上面側のＴｅ濃度を〔Ｔ ｅ ）丁、ＣＧＬ：
３の遷移層４との界面側のＴｅ濃度を［Ｔｅ］ｑ、その
最上面側のＴｅ１ｉＨ１ｉｔを（Ｔｅ）’６とする。上
記したことから、Ｔｅ／ＩＡＩｆについては、 （Ｔｅａ丁≧ ２重重％ ［Ｔｅ丘≦ Ｅ１足％ 〔Ｔｅ′Ｊ、（≧ １０重置％ ［Ｔｅ］り≦２５重童％ となり、８Ｗの厚みについては、 Ｘ、２３０μｍ Ｘ−−ＸＩＳ； ｌ Ｏμｍ ２μｍ≦Ｌ Ｘ−≦＝５μｍ となっている。そして、第２図によれば、ＣＴＬとＣＧ
Ｌとの間に介在せしめられる遷移層のＴｅ濃度はＣＧ
Ｌ側へ連続的又は直線的に増加していて、その平均濃
１ｙ勾配は、 （［Ｔｅ］９− （Ｔｅ）；）／ （Ｘｚ−Ｘ＋）と
して表わされ、最大で（２５−２）／１＝２３（画成％
／μｒｎ）、最小で（１０−８）／１０−〇２ （亜属
％／μｍ）となフている。ｉ％って、遷移層のＴｅ寂１
ｆｆｉの勾配は０．３〜１８の範囲に設定されている。
プロファイルが第２図に示す如くに設定されていること
である。ＣＴＬ２の最下面側のＴｅ Ｊ度を（Ｔｅ）丁
、その最上面側のＴｅ濃度を〔Ｔ ｅ ）丁、ＣＧＬ：
３の遷移層４との界面側のＴｅ濃度を［Ｔｅ］ｑ、その
最上面側のＴｅ１ｉＨ１ｉｔを（Ｔｅ）’６とする。上
記したことから、Ｔｅ／ＩＡＩｆについては、 （Ｔｅａ丁≧ ２重重％ ［Ｔｅ丘≦ Ｅ１足％ 〔Ｔｅ′Ｊ、（≧ １０重置％ ［Ｔｅ］り≦２５重童％ となり、８Ｗの厚みについては、 Ｘ、２３０μｍ Ｘ−−ＸＩＳ； ｌ Ｏμｍ ２μｍ≦Ｌ Ｘ−≦＝５μｍ となっている。そして、第２図によれば、ＣＴＬとＣＧ
Ｌとの間に介在せしめられる遷移層のＴｅ濃度はＣＧ
Ｌ側へ連続的又は直線的に増加していて、その平均濃
１ｙ勾配は、 （［Ｔｅ］９− （Ｔｅ）；）／ （Ｘｚ−Ｘ＋）と
して表わされ、最大で（２５−２）／１＝２３（画成％
／μｒｎ）、最小で（１０−８）／１０−〇２ （亜属
％／μｍ）となフている。ｉ％って、遷移層のＴｅ寂１
ｆｆｉの勾配は０．３〜１８の範囲に設定されている。
勾配がこのｉｉ８囲内にあれば遷移層の厚さが前記した
１〜１０μｍより小さい場合でも、実質」二遷移１１と
しての機能を有するのでかまわない。
１〜１０μｍより小さい場合でも、実質」二遷移１１と
しての機能を有するのでかまわない。
このようなｉｆｆ勾配を有する遷移層の存在によフて、
ＣＴＬとＣＧＬとの間ではＴｅ含有鼠が従来品の如（急
激には変化すす、連続的に変化することになるから、Ｃ
ＴＬとＣＧＬとの聞のエネルーギバンドギャップ差が紛
和され、かつ両層間の界面特性も良好となりて急激な濃
度差に起因する局在準位の密度が大幅に薦少する。この
結果、感光体の実使用時に例えは、ＣＧＬの表面上を正
帯電させ、光を照射してＣＧＬに光キャリア（電子−ホ
ール対）を発生させた場合、電子の方はＣ，ＧＬ衣表面
容易に移！！ＩＩ Ｌ、て表面の正電荷を効率良く中和
せしめ、他方ホールは上記したバンド卆ヤップ差の綴和
及び界面特性の向ＦにＪってＣＧＬから遷移層を通して
ＣＴＬへＱノ果的に注入され易くなる。従フて、感光体
としての光Ｈ２３３を向上させることができると共に、
Ｃ，ＴＬのＴｅ＠有■が少な（できるため、ホールの移
ｔｌ＋に有利であり、そのため、残留型も“Ｉの上昇を
抑えることか可能となる。しかも、残電特性を劣化させ
ることなしにＣＴＬのＴｅＭ’ｚ尻少さセ得るが、この
Ｔｅ足のバグに伴なりて感光層の電荷保持能の温度依存
性を矛少なくすることもてきる。
ＣＴＬとＣＧＬとの間ではＴｅ含有鼠が従来品の如（急
激には変化すす、連続的に変化することになるから、Ｃ
ＴＬとＣＧＬとの聞のエネルーギバンドギャップ差が紛
和され、かつ両層間の界面特性も良好となりて急激な濃
度差に起因する局在準位の密度が大幅に薦少する。この
結果、感光体の実使用時に例えは、ＣＧＬの表面上を正
帯電させ、光を照射してＣＧＬに光キャリア（電子−ホ
ール対）を発生させた場合、電子の方はＣ，ＧＬ衣表面
容易に移！！ＩＩ Ｌ、て表面の正電荷を効率良く中和
せしめ、他方ホールは上記したバンド卆ヤップ差の綴和
及び界面特性の向ＦにＪってＣＧＬから遷移層を通して
ＣＴＬへＱノ果的に注入され易くなる。従フて、感光体
としての光Ｈ２３３を向上させることができると共に、
Ｃ，ＴＬのＴｅ＠有■が少な（できるため、ホールの移
ｔｌ＋に有利であり、そのため、残留型も“Ｉの上昇を
抑えることか可能となる。しかも、残電特性を劣化させ
ることなしにＣＴＬのＴｅＭ’ｚ尻少さセ得るが、この
Ｔｅ足のバグに伴なりて感光層の電荷保持能の温度依存
性を矛少なくすることもてきる。
こうした顕著な作用効果を得るには、上記遷移層の厚み
は１〜１０μｍ１好ましくは３〜５μｍに設定されるべ
きである。即ち、この厚みが１μｍ未満ては上ヨ己涙度
勾配を実質的に確保することができず、また１０μｍを
超えると実質的にＣＴＬのＴ ｅ Ｊ ｇを高める結果
と１ぷり好ましくない。
は１〜１０μｍ１好ましくは３〜５μｍに設定されるべ
きである。即ち、この厚みが１μｍ未満ては上ヨ己涙度
勾配を実質的に確保することができず、また１０μｍを
超えると実質的にＣＴＬのＴ ｅ Ｊ ｇを高める結果
と１ぷり好ましくない。
また、上記ＣＴＬのＴｅ含有足は一般に低くするのが電
荷輸送能（更には電荷保持能）を良好にする上てりＪ果
があり、この意味で３〜８重虱％とずべきである。
荷輸送能（更には電荷保持能）を良好にする上てりＪ果
があり、この意味で３〜８重虱％とずべきである。
ＣＧＬのＴｅ含有足は感光層としての光感■ｙを良くす
る上で重要であり、このために１０重量％以上とずべき
であるが、その上限はＣＧＬの［１８１ａ ＩＪ’Ｆが
電荷保持能に支障をきたさないことを考１屯して２５重
鑞％とすべきである。これ以上のＴｅ含有鼠とすると、
（沼光層のｇｌ荷保持能が著しく低下し、実用に供せｆ
ｆい。厚みについては、ＣＴＬは３０μｍ以上ないとそ
の機能が不充分となり、他方ＣＧ Ｌは光感１ｖ等の面
から２〜５μｍとするのが望ソしい。
る上で重要であり、このために１０重量％以上とずべき
であるが、その上限はＣＧＬの［１８１ａ ＩＪ’Ｆが
電荷保持能に支障をきたさないことを考１屯して２５重
鑞％とすべきである。これ以上のＴｅ含有鼠とすると、
（沼光層のｇｌ荷保持能が著しく低下し、実用に供せｆ
ｆい。厚みについては、ＣＴＬは３０μｍ以上ないとそ
の機能が不充分となり、他方ＣＧ Ｌは光感１ｖ等の面
から２〜５μｍとするのが望ソしい。
なお、上記しｋ Ｊ Ｉｆプロファイルにおいて、ＣＴ
Ｌは低Ｔｅｆｆ１にてほぼ平坦であることが宝前輸送能
が向上し、すたＣＧＬのＴｅｆｆ１は高くて少なくとも
表面付近てほぼ平坦となりていることが望ましい。
Ｌは低Ｔｅｆｆ１にてほぼ平坦であることが宝前輸送能
が向上し、すたＣＧＬのＴｅｆｆ１は高くて少なくとも
表面付近てほぼ平坦となりていることが望ましい。
第３図には、上記した４１１！造及Ｕ淵度プロファイル
を有する感光体（但、ドラム杖）を保蔵するｌこめの蒸
着装置の要部が冊略的に示されている。
を有する感光体（但、ドラム杖）を保蔵するｌこめの蒸
着装置の要部が冊略的に示されている。
この蒸着装置では、ペルジャー（図示Ｖす）内に蒸発源
５とこれに対向した被蒸着用ドラム６とが配される。蒸
発源５は、容器７内にＴｅ９が例えば５重重％の第１の
５ｅ−Ｔｅ蒸発材料８とＴｅ濃１ｙが例えば２２，５重
足％の第２のＳ ｅ −Ｔ ｅ蒸発４／ｌ料９とを収容
している。これらの蒸発材思上にはヒーター１０．１１
が夫々配され、ヒーターの熱で蒸発した材料が容器７上
部の＋ｔｎ口１２から制御されながらドラム６に向フて
ｔｅ ＃＋ａするようになされている。
５とこれに対向した被蒸着用ドラム６とが配される。蒸
発源５は、容器７内にＴｅ９が例えば５重重％の第１の
５ｅ−Ｔｅ蒸発材料８とＴｅ濃１ｙが例えば２２，５重
足％の第２のＳ ｅ −Ｔ ｅ蒸発４／ｌ料９とを収容
している。これらの蒸発材思上にはヒーター１０．１１
が夫々配され、ヒーターの熱で蒸発した材料が容器７上
部の＋ｔｎ口１２から制御されながらドラム６に向フて
ｔｅ ＃＋ａするようになされている。
蒸着操作に陳しては、まず低ＴｅＩＡ度の蒸発柑隼′４
８苓ヒーターｌＯで所定ｍＪｘに加熱すると、蒸発材料
８の揮発度がほば１とな、て、複相と気相とか平ｔｌｉ
になった状態で蒸気が生じるので、上述した如（Ｔｅ粛
度が低く （はぼ５重重％）でほぼ一定なＣＴ Ｌ ’
Ｅ蒸着することができる。次に、この第１の蒸発材料８
の蒸″１終了前の所定時間内に菓２の蒸発４４料９をヒ
ーター１１で更に高温に加熱すると、上記所定時間に対
応した時間内に蒸気中のＴｅＪ皮か漸次増加し、上述し
た遷移層が形成され、更に次の時間内に高’ｒ ｅ 世
のＣＧ Ｌが形成される。得られたＣＧＬのＴ ｅ Ｊ
１．ｆかはは平坦とｆｉる理由は、第２の蒸発材料９
からます蒸発し易いＳｅが優先的に蒸発するが、蒸発飼
料９中の８０足がΔシるにｔｊｌフてその内部にＳｅ蒸
蒸発炉Ｓｅ供１８３４とが均（組するレベルが生じるか
らである。
８苓ヒーターｌＯで所定ｍＪｘに加熱すると、蒸発材料
８の揮発度がほば１とな、て、複相と気相とか平ｔｌｉ
になった状態で蒸気が生じるので、上述した如（Ｔｅ粛
度が低く （はぼ５重重％）でほぼ一定なＣＴ Ｌ ’
Ｅ蒸着することができる。次に、この第１の蒸発材料８
の蒸″１終了前の所定時間内に菓２の蒸発４４料９をヒ
ーター１１で更に高温に加熱すると、上記所定時間に対
応した時間内に蒸気中のＴｅＪ皮か漸次増加し、上述し
た遷移層が形成され、更に次の時間内に高’ｒ ｅ 世
のＣＧ Ｌが形成される。得られたＣＧＬのＴ ｅ Ｊ
１．ｆかはは平坦とｆｉる理由は、第２の蒸発材料９
からます蒸発し易いＳｅが優先的に蒸発するが、蒸発飼
料９中の８０足がΔシるにｔｊｌフてその内部にＳｅ蒸
蒸発炉Ｓｅ供１８３４とが均（組するレベルが生じるか
らである。
即ち、この均衡レベルによって、Ｓｅ蒸蒸発炉抑えられ
（或いはほは一定となり）、Ｔｅ蒸発量が相対的に増大
し、ついには一定となるから、得られ／こＣＧ ＬのＴ
ｅ １７４度を少なくとも表面側で一定にヂることが７
きる。このためには蒸発の目安となるレイリー数を例え
ば１７００以下に設定して蒸発材料に対流を生じないよ
うにする必要がある。
（或いはほは一定となり）、Ｔｅ蒸発量が相対的に増大
し、ついには一定となるから、得られ／こＣＧ ＬのＴ
ｅ １７４度を少なくとも表面側で一定にヂることが７
きる。このためには蒸発の目安となるレイリー数を例え
ば１７００以下に設定して蒸発材料に対流を生じないよ
うにする必要がある。
次に、本発明の具体的な実施例を比較例と共に説８月す
る。
る。
異体例
表面に酸化処理を施した外径１２０ｍｍの円筒形Ａβ基
体を真空蒸着槽（ペルジャー）内の回転軸に装着し、ヒ
ーターで７０″ Ｃに保持した。一方、上記の第１の蒸
発材料としてＴｅｎが５％の５ｅ−Ｔｅ合金を３００ｇ
、上記の第２の蒸発４／１１．４としてＴｅ１ｉｉが２
２．５重置％の５ｅ−Ｔｅ合金を２゜０ｇ夫々装填した
。そして、談ず第１の蒸発材料を１０° Ｃ／ｍ：ｎの
砕温速度て捉温し、２９ｏ。
体を真空蒸着槽（ペルジャー）内の回転軸に装着し、ヒ
ーターで７０″ Ｃに保持した。一方、上記の第１の蒸
発材料としてＴｅｎが５％の５ｅ−Ｔｅ合金を３００ｇ
、上記の第２の蒸発４／１１．４としてＴｅ１ｉｉが２
２．５重置％の５ｅ−Ｔｅ合金を２゜０ｇ夫々装填した
。そして、談ず第１の蒸発材料を１０° Ｃ／ｍ：ｎの
砕温速度て捉温し、２９ｏ。
Ｃに４０分間保持するごとによってＣＧＬを所定厚さに
基体上に形成した。第２の蒸発４イ料は、第１の蒸発キ
イ料の蒸着終了５分前に１０°（’、／ｍ：ｎの桿温速
度で３００°Ｃｔ″ｃ″昇温し、この後１゜分間３００
″ Ｃに保）だ。このとき、最初の５分間で蒸気中のＴ
ｅ濃度は漸次増加し、上述した遷移層が蒸着され、更に
次の５分間てＣＧＬが形成されノこ。
基体上に形成した。第２の蒸発４イ料は、第１の蒸発キ
イ料の蒸着終了５分前に１０°（’、／ｍ：ｎの桿温速
度で３００°Ｃｔ″ｃ″昇温し、この後１゜分間３００
″ Ｃに保）だ。このとき、最初の５分間で蒸気中のＴ
ｅ濃度は漸次増加し、上述した遷移層が蒸着され、更に
次の５分間てＣＧＬが形成されノこ。
こうして得られた感光体のＴ ｅ Ｊ ｆプロファイル
をＸ線マイクロアナライザーで測定したところ、第４図
の如くになフ／こ。このプロファイルより、Ｔ ｅ丁−
５％であり、Ｔｅ’ｑ＝１５％であり、遷移層は？、Ｏ
ｔｉｒｒ）でＴｅｐｆｌ勾配は（１５−５）／７〜１．
４％／μｍである。この感光体を電子写真複写４ルＵ−
Ｂ ｉ Ｘ３０００ （小西六写真工糸（株）動）に装
着し、２３°Ｃ５６０％ＲＨの環境のもとｒ、？Ｊ）１
１Ｉ帯電電位を８５０ｖとして１０００回の繰返し帯電
試験を実施した結果、残留電位は５■から＋５Ｖに１稈
したにすぎなかった。
をＸ線マイクロアナライザーで測定したところ、第４図
の如くになフ／こ。このプロファイルより、Ｔ ｅ丁−
５％であり、Ｔｅ’ｑ＝１５％であり、遷移層は？、Ｏ
ｔｉｒｒ）でＴｅｐｆｌ勾配は（１５−５）／７〜１．
４％／μｍである。この感光体を電子写真複写４ルＵ−
Ｂ ｉ Ｘ３０００ （小西六写真工糸（株）動）に装
着し、２３°Ｃ５６０％ＲＨの環境のもとｒ、？Ｊ）１
１Ｉ帯電電位を８５０ｖとして１０００回の繰返し帯電
試験を実施した結果、残留電位は５■から＋５Ｖに１稈
したにすぎなかった。
Ｔｅ濃度プロファイルの測定には、波長分散型Ｘ線マイ
クロアナライザー（島浬製作所製ＥＭχ−Ｓ Ｍ ７
以下、ＸＭＡと略す。）を用いた。測定の際の電子線
加速電圧は、１５ＫＶとした。通常の感光層の断面での
プロファイル測定では、膜厚方向に対して、１μｍ程度
の分子４ｑ能しか得られないので、前記試料の測定には
感光層断面を角度研磨しく研磨角度θ：、Ｃｏ ｓθ−
１／１０）、刃具厚方向を１０倍に拡大した試料を用い
て行なつだ。
クロアナライザー（島浬製作所製ＥＭχ−Ｓ Ｍ ７
以下、ＸＭＡと略す。）を用いた。測定の際の電子線
加速電圧は、１５ＫＶとした。通常の感光層の断面での
プロファイル測定では、膜厚方向に対して、１μｍ程度
の分子４ｑ能しか得られないので、前記試料の測定には
感光層断面を角度研磨しく研磨角度θ：、Ｃｏ ｓθ−
１／１０）、刃具厚方向を１０倍に拡大した試料を用い
て行なつだ。
その結果、膜方向のプロファイルの分解能は０．１μｍ
となり、遷移層の長さ及びテルル濃度（Ｔｅ）勾配を悄
度良く求められる。尚、試料送り速度は研磨面に旅いて
２μ／ｍ：ｎとした。上記具体例の感光体の蒸着条件に
於いてＣＧＬ形成用蒸発ｌ原の＠温速度と、開口部面積
のｔｇ１節による蒸発速度のコントロールを行なうこと
により、遷移層でのテルルｉｌｌ！Ｉｆ（Ｔｅ）勾配及
び厚ざを変化させることができる。このようにして、遷
移層の形態が異なった感光体を作製した。この感光体の
残１１１ｉ電位特性と帯電電位の温度依存性を調べた。
となり、遷移層の長さ及びテルル濃度（Ｔｅ）勾配を悄
度良く求められる。尚、試料送り速度は研磨面に旅いて
２μ／ｍ：ｎとした。上記具体例の感光体の蒸着条件に
於いてＣＧＬ形成用蒸発ｌ原の＠温速度と、開口部面積
のｔｇ１節による蒸発速度のコントロールを行なうこと
により、遷移層でのテルルｉｌｌ！Ｉｆ（Ｔｅ）勾配及
び厚ざを変化させることができる。このようにして、遷
移層の形態が異なった感光体を作製した。この感光体の
残１１１ｉ電位特性と帯電電位の温度依存性を調べた。
残留電位＋；ｔＵ−Ｂ ｉ Ｘ３０００１ｍ感光体をＭ
！し、２３゜Ｃ１６０％ＲＨの環境のもとて、初期帯電
電位を８５０Ｖとし、連続１０００＠の帯電テスｌを行
ない、測定した。
！し、２３゜Ｃ１６０％ＲＨの環境のもとて、初期帯電
電位を８５０Ｖとし、連続１０００＠の帯電テスｌを行
ない、測定した。
Ｊ、た、帯電電位のｉＭＩＶ依存性については、初期帯
電位を８５０ｖにして、環境温度を１０’Ｃ土騨させた
蝶の帯電電位の低下量により評価した。
電位を８５０ｖにして、環境温度を１０’Ｃ土騨させた
蝶の帯電電位の低下量により評価した。
４〔連続１０００回での残電
＊＊ ２３゛Ｃ→３３°Ｃの温度変化時の電位低下上記
によれば、遷移層のＴｅ１Ｉｆｆ勾配が過大になると、
残留電位が大きくなることがわかる。
によれば、遷移層のＴｅ１Ｉｆｆ勾配が過大になると、
残留電位が大きくなることがわかる。
また、遷移層の厚さが２０μｍを越えると、ＪＭＩｌｆ
上稈による帯電電位低下が大きくなることがわかる。
上稈による帯電電位低下が大きくなることがわかる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の１支術
６′つ周、想に暴いて更に変形が可能である。
６′つ周、想に暴いて更に変形が可能である。
例えば、上述の遷移層のＴｅａｙｔプロファイルは直線
吠、曲綿伏、或いはステップ吠等の如く種々に変化させ
ることができる。また、感光体を製造するのに用いる蒸
発源の構造や、蒸発材料及びヒーターのａｉ！ ｆｆｉ
Ｗも変更してよい。
吠、曲綿伏、或いはステップ吠等の如く種々に変化させ
ることができる。また、感光体を製造するのに用いる蒸
発源の構造や、蒸発材料及びヒーターのａｉ！ ｆｆｉ
Ｗも変更してよい。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示すものであって、榮１図は５
ｅ−Ｔｅ感感光の断面図、 第２図はこの感光体のＴｅ１１４度プロファイルを示す
図、 第３図は感光体製造用の真空蒸＠摸作の要部側路図、 第４図は本発明の具体例にＪ、る感光体のＴｅ７度プロ
ファイルを示す図、 第５図は比較例（ＣＹ来例）による感光体のＴｅ１度プ
ロファイルを示す図である。 ｆｌお、図面に示されている肴号において、１．６−・
・・基板 ２・・・・・・・Ｃ，ＴＬ （電荷輸送層）３−一−−
−−・ＣＧＬ （電荷発生層）４・・・−・−遷移Ｐｔ
Ｉ（ホール注入層）８−−−一第１の５ｅ−Ｔｅｆｆｉ
発４４１４９−・−・・第２の５ｅ−Ｔｅ蒸発材料１０
．１１ ・・・・・・・・ヒーターである。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第１図 第２図 厚打
ｅ−Ｔｅ感感光の断面図、 第２図はこの感光体のＴｅ１１４度プロファイルを示す
図、 第３図は感光体製造用の真空蒸＠摸作の要部側路図、 第４図は本発明の具体例にＪ、る感光体のＴｅ７度プロ
ファイルを示す図、 第５図は比較例（ＣＹ来例）による感光体のＴｅ１度プ
ロファイルを示す図である。 ｆｌお、図面に示されている肴号において、１．６−・
・・基板 ２・・・・・・・Ｃ，ＴＬ （電荷輸送層）３−一−−
−−・ＣＧＬ （電荷発生層）４・・・−・−遷移Ｐｔ
Ｉ（ホール注入層）８−−−一第１の５ｅ−Ｔｅｆｆｉ
発４４１４９−・−・・第２の５ｅ−Ｔｅ蒸発材料１０
．１１ ・・・・・・・・ヒーターである。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第１図 第２図 厚打
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、テルル含有量が３〜８重臆％のセレン−テルル合金
からなる電荷輸送層と、テルル含有量が１０〜２５重量
％のセレン−テルル合金からなる電荷発生層とを有し、
前記電荷輸送ｍから前記電荷発生層にかけてテルル含有
量が増加しているセレン−テルル合金からなる厚さ１〜
２０μｍの遷移層が前記電荷輸送層と前記電荷発生層と
の間に設けられていることを特許とする感光体。 ２゜遷移層のテルル含有量が電荷輸送層からｉｉ！荷発
生層にかけて連続的に増加している、特許請求の範囲の
第１項に記載した感光体。 ３、遷移層のテルル含有量が０．１〜２２＊ｔｔｈ％／
μｍの平均Ａ勾配で増加している、特許請求の範囲の第
２項に記載した感光体。 ４、電荷輸送層の厚みが３０μｒｎ以上、電荷発生層の
摩みが２〜５μｍである、特許請求の範囲第１項〜第３
頂のいずれか１項に記載した感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15424482A JPS5944055A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15424482A JPS5944055A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944055A true JPS5944055A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15579981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15424482A Pending JPS5944055A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944055A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61200543A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6223049A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6250837A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142036A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
| JPS5612647A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP15424482A patent/JPS5944055A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142036A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
| JPS5612647A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61200543A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6223049A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6250837A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5944055A (ja) | 感光体 | |
| US4705733A (en) | Member having light receiving layer and substrate with overlapping subprojections | |
| JPH0962020A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPH0217021B2 (ja) | ||
| JPS636865B2 (ja) | ||
| JPS5944056A (ja) | 感光体 | |
| JPH0740138B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6064357A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JPS6354171B2 (ja) | ||
| JPH073596B2 (ja) | 電子写真用感光体およびその製造方法 | |
| JPS5816245A (ja) | 電子写真部材 | |
| JP2536734B2 (ja) | 光受容部材 | |
| JPH01316750A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0683091A (ja) | 電子写真感光体及びその製造法 | |
| JP2558210B2 (ja) | 電子写真用像形成部材 | |
| JPS62294253A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS5882250A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS63210946A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPS63187258A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0261741B2 (ja) | ||
| JPS63121058A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPS63200157A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPS62258466A (ja) | 画像形成機能の改善された光受容部材 | |
| JPS6151154A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH02171756A (ja) | 電子写真用感光体の真空蒸発源容器 |