JPS5944055A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS5944055A JPS5944055A JP15424482A JP15424482A JPS5944055A JP S5944055 A JPS5944055 A JP S5944055A JP 15424482 A JP15424482 A JP 15424482A JP 15424482 A JP15424482 A JP 15424482A JP S5944055 A JPS5944055 A JP S5944055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- charge
- tellurium
- cgl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば電子写真又は電光変換素子等に好適な
{感光体に関するものてあ名。
{感光体に関するものてあ名。
iX来、電子写真用の感光体として、セレンにテルルを
添加したセ1/ンーテルル合金(Se−Te)からなる
感光体が知られている。このSe−Te感光体はテルル
の含有によって特に長波長域で良好な感度を示す。
添加したセ1/ンーテルル合金(Se−Te)からなる
感光体が知られている。このSe−Te感光体はテルル
の含有によって特に長波長域で良好な感度を示す。
例えば、特開昭56 1264’?号においては、S
e−’l’ eからなる電荷輸送!(以下、CTLと
称する。)の表面に、このCTLよりTe含有皺のラい
Se−Teからなる電荷発生層(以下、CG Lと称す
る。)が設りられてなる感光体が記載されている。しか
しながら、この公知の感光゜体について本発明者が検討
を加えたところ、上記CTLとCGLとの間でT.e含
有量が急激に変化するために、両Pgi間でのバンドギ
ャップ差が太き《なキャリア(1寺にホール)がCTL
へl主入され鮨くなることが判ロバした。この結果、光
感1kが悪くなると共に、CGL中にホールが残り、残
留電位が生じてしまい、さらにくり返しによって、蓄積
されてしまい、連続コピ一時にカフリとな−2てコピー
画像に欠陥を生じる。
e−’l’ eからなる電荷輸送!(以下、CTLと
称する。)の表面に、このCTLよりTe含有皺のラい
Se−Teからなる電荷発生層(以下、CG Lと称す
る。)が設りられてなる感光体が記載されている。しか
しながら、この公知の感光゜体について本発明者が検討
を加えたところ、上記CTLとCGLとの間でT.e含
有量が急激に変化するために、両Pgi間でのバンドギ
ャップ差が太き《なキャリア(1寺にホール)がCTL
へl主入され鮨くなることが判ロバした。この結果、光
感1kが悪くなると共に、CGL中にホールが残り、残
留電位が生じてしまい、さらにくり返しによって、蓄積
されてしまい、連続コピ一時にカフリとな−2てコピー
画像に欠陥を生じる。
従フて、本発明の目的は、5e−Te感光体において光
感度を向上させ、残留電位の」−昇を+rllえると同
時に、感光層の電荷保持能の温度依存性をも少なくする
ことにある。
感度を向上させ、残留電位の」−昇を+rllえると同
時に、感光層の電荷保持能の温度依存性をも少なくする
ことにある。
この目的は、本発明による感光体、即ち、テルル含有迄
が3〜8重猿%のセレン−テルル合金からなる電荷輸送
層(CTL)と、テルル含有尿かX0〜25重足%のセ
1ノンーテルル含金からなる電荷発生層(CGL)とを
有し、前記CTLから前記CGLにかけてテルル含有w
h<増加しているセlノンーテルル合金からなる厚さ1
〜10μmの遷移層が前記CTLと前記CG Lとの間
に設けられていることを持i¥9とする感光体によって
’1h2される。
が3〜8重猿%のセレン−テルル合金からなる電荷輸送
層(CTL)と、テルル含有尿かX0〜25重足%のセ
1ノンーテルル含金からなる電荷発生層(CGL)とを
有し、前記CTLから前記CGLにかけてテルル含有w
h<増加しているセlノンーテルル合金からなる厚さ1
〜10μmの遷移層が前記CTLと前記CG Lとの間
に設けられていることを持i¥9とする感光体によって
’1h2される。
本発明によれば、上記遷移層を1〜10μmの厚みに設
けると共にそのTe@有蓋(又は濃度)を上記CTLか
らCGLにかけて増加させているので、CTLとCGL
との曲のエネルギーパンYギャップ差が比較的なだらか
に度イヒし、急激なギャップ差が存在してはおらす、両
l會凹の界面特性も良好となる。これによフて、CGL
からCTLへの光キャリf(特にホール)の注入を行1
1い易くなり、光感度が向上する。しかも、CTLのT
e1dをイに下さVても残留電イめが上昇することはな
いから、残電特性の劣化なしにCTLのTetni、賊
らVる上に、乙のTermの低下に基いて温度上程に伴
fJう帯電電位の低下を少なくすることがてきる。1並
フて、$8B月における上i己遷1多層は、特1こホー
ルG CT L側へ効果的に注入し得るホール注入層と
し″r磯lit l、 、この機能によフて公知の感光
体では回避し得ない静電特性の劣化を防止しているの゛
である。
けると共にそのTe@有蓋(又は濃度)を上記CTLか
らCGLにかけて増加させているので、CTLとCGL
との曲のエネルギーパンYギャップ差が比較的なだらか
に度イヒし、急激なギャップ差が存在してはおらす、両
l會凹の界面特性も良好となる。これによフて、CGL
からCTLへの光キャリf(特にホール)の注入を行1
1い易くなり、光感度が向上する。しかも、CTLのT
e1dをイに下さVても残留電イめが上昇することはな
いから、残電特性の劣化なしにCTLのTetni、賊
らVる上に、乙のTermの低下に基いて温度上程に伴
fJう帯電電位の低下を少なくすることがてきる。1並
フて、$8B月における上i己遷1多層は、特1こホー
ルG CT L側へ効果的に注入し得るホール注入層と
し″r磯lit l、 、この機能によフて公知の感光
体では回避し得ない静電特性の劣化を防止しているの゛
である。
l′l下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に
二8H月する。
二8H月する。
第1図に例示するSe−Teg光体によれば、アルミニ
ウム等の導電性支持基板11に、Te含有嵐が3〜8重
鳳%で厚さ30μm以上の5e−TeからなるCTL2
と、Te含有垣が10〜25を麓%で厚さ2〜5μ併牧
e −T eからなるCGL3とが設けられ、かつCT
L2とCGL3との間にはTe含有鳳がCTL2からC
GL3に向けられている。
ウム等の導電性支持基板11に、Te含有嵐が3〜8重
鳳%で厚さ30μm以上の5e−TeからなるCTL2
と、Te含有垣が10〜25を麓%で厚さ2〜5μ併牧
e −T eからなるCGL3とが設けられ、かつCT
L2とCGL3との間にはTe含有鳳がCTL2からC
GL3に向けられている。
ここで注目すべきことは、上記8層におけるTeの濃度
プロファイルが第2図に示す如くに設定されていること
である。CTL2の最下面側のTe J度を(Te)丁
、その最上面側のTe濃度を〔T e )丁、CGL:
3の遷移層4との界面側のTe濃度を[Te]q、その
最上面側のTe1iH1itを(Te)’6とする。上
記したことから、Te/IAIfについては、 (Tea丁≧ 2重重% [Te丘≦ E1足% 〔Te′J、(≧ 10重置% [Te]り≦25重童% となり、8Wの厚みについては、 X、230μm X−−XIS; l Oμm 2μm≦L X−≦=5μm となっている。そして、第2図によれば、CTLとCG
Lとの間に介在せしめられる遷移層のTe濃度はCG
L側へ連続的又は直線的に増加していて、その平均濃
1y勾配は、 ([Te]9− (Te);)/ (Xz−X+)と
して表わされ、最大で(25−2)/1=23(画成%
/μrn)、最小で(10−8)/10−〇2 (亜属
%/μm)となフている。i%って、遷移層のTe寂1
ffiの勾配は0.3〜18の範囲に設定されている。
プロファイルが第2図に示す如くに設定されていること
である。CTL2の最下面側のTe J度を(Te)丁
、その最上面側のTe濃度を〔T e )丁、CGL:
3の遷移層4との界面側のTe濃度を[Te]q、その
最上面側のTe1iH1itを(Te)’6とする。上
記したことから、Te/IAIfについては、 (Tea丁≧ 2重重% [Te丘≦ E1足% 〔Te′J、(≧ 10重置% [Te]り≦25重童% となり、8Wの厚みについては、 X、230μm X−−XIS; l Oμm 2μm≦L X−≦=5μm となっている。そして、第2図によれば、CTLとCG
Lとの間に介在せしめられる遷移層のTe濃度はCG
L側へ連続的又は直線的に増加していて、その平均濃
1y勾配は、 ([Te]9− (Te);)/ (Xz−X+)と
して表わされ、最大で(25−2)/1=23(画成%
/μrn)、最小で(10−8)/10−〇2 (亜属
%/μm)となフている。i%って、遷移層のTe寂1
ffiの勾配は0.3〜18の範囲に設定されている。
勾配がこのii8囲内にあれば遷移層の厚さが前記した
1〜10μmより小さい場合でも、実質」二遷移11と
しての機能を有するのでかまわない。
1〜10μmより小さい場合でも、実質」二遷移11と
しての機能を有するのでかまわない。
このようなiff勾配を有する遷移層の存在によフて、
CTLとCGLとの間ではTe含有鼠が従来品の如(急
激には変化すす、連続的に変化することになるから、C
TLとCGLとの聞のエネルーギバンドギャップ差が紛
和され、かつ両層間の界面特性も良好となりて急激な濃
度差に起因する局在準位の密度が大幅に薦少する。この
結果、感光体の実使用時に例えは、CGLの表面上を正
帯電させ、光を照射してCGLに光キャリア(電子−ホ
ール対)を発生させた場合、電子の方はC,GL衣表面
容易に移!!II L、て表面の正電荷を効率良く中和
せしめ、他方ホールは上記したバンド卆ヤップ差の綴和
及び界面特性の向FにJってCGLから遷移層を通して
CTLへQノ果的に注入され易くなる。従フて、感光体
としての光H233を向上させることができると共に、
C,TLのTe@有■が少な(できるため、ホールの移
tl+に有利であり、そのため、残留型も“Iの上昇を
抑えることか可能となる。しかも、残電特性を劣化させ
ることなしにCTLのTeM’z尻少さセ得るが、この
Te足のバグに伴なりて感光層の電荷保持能の温度依存
性を矛少なくすることもてきる。
CTLとCGLとの間ではTe含有鼠が従来品の如(急
激には変化すす、連続的に変化することになるから、C
TLとCGLとの聞のエネルーギバンドギャップ差が紛
和され、かつ両層間の界面特性も良好となりて急激な濃
度差に起因する局在準位の密度が大幅に薦少する。この
結果、感光体の実使用時に例えは、CGLの表面上を正
帯電させ、光を照射してCGLに光キャリア(電子−ホ
ール対)を発生させた場合、電子の方はC,GL衣表面
容易に移!!II L、て表面の正電荷を効率良く中和
せしめ、他方ホールは上記したバンド卆ヤップ差の綴和
及び界面特性の向FにJってCGLから遷移層を通して
CTLへQノ果的に注入され易くなる。従フて、感光体
としての光H233を向上させることができると共に、
C,TLのTe@有■が少な(できるため、ホールの移
tl+に有利であり、そのため、残留型も“Iの上昇を
抑えることか可能となる。しかも、残電特性を劣化させ
ることなしにCTLのTeM’z尻少さセ得るが、この
Te足のバグに伴なりて感光層の電荷保持能の温度依存
性を矛少なくすることもてきる。
こうした顕著な作用効果を得るには、上記遷移層の厚み
は1〜10μm1好ましくは3〜5μmに設定されるべ
きである。即ち、この厚みが1μm未満ては上ヨ己涙度
勾配を実質的に確保することができず、また10μmを
超えると実質的にCTLのT e J gを高める結果
と1ぷり好ましくない。
は1〜10μm1好ましくは3〜5μmに設定されるべ
きである。即ち、この厚みが1μm未満ては上ヨ己涙度
勾配を実質的に確保することができず、また10μmを
超えると実質的にCTLのT e J gを高める結果
と1ぷり好ましくない。
また、上記CTLのTe含有足は一般に低くするのが電
荷輸送能(更には電荷保持能)を良好にする上てりJ果
があり、この意味で3〜8重虱%とずべきである。
荷輸送能(更には電荷保持能)を良好にする上てりJ果
があり、この意味で3〜8重虱%とずべきである。
CGLのTe含有足は感光層としての光感■yを良くす
る上で重要であり、このために10重量%以上とずべき
であるが、その上限はCGLの[181a IJ’Fが
電荷保持能に支障をきたさないことを考1屯して25重
鑞%とすべきである。これ以上のTe含有鼠とすると、
(沼光層のgl荷保持能が著しく低下し、実用に供せf
fい。厚みについては、CTLは30μm以上ないとそ
の機能が不充分となり、他方CG Lは光感1v等の面
から2〜5μmとするのが望ソしい。
る上で重要であり、このために10重量%以上とずべき
であるが、その上限はCGLの[181a IJ’Fが
電荷保持能に支障をきたさないことを考1屯して25重
鑞%とすべきである。これ以上のTe含有鼠とすると、
(沼光層のgl荷保持能が著しく低下し、実用に供せf
fい。厚みについては、CTLは30μm以上ないとそ
の機能が不充分となり、他方CG Lは光感1v等の面
から2〜5μmとするのが望ソしい。
なお、上記しk J Ifプロファイルにおいて、CT
Lは低Teff1にてほぼ平坦であることが宝前輸送能
が向上し、すたCGLのTeff1は高くて少なくとも
表面付近てほぼ平坦となりていることが望ましい。
Lは低Teff1にてほぼ平坦であることが宝前輸送能
が向上し、すたCGLのTeff1は高くて少なくとも
表面付近てほぼ平坦となりていることが望ましい。
第3図には、上記した411!造及U淵度プロファイル
を有する感光体(但、ドラム杖)を保蔵するlこめの蒸
着装置の要部が冊略的に示されている。
を有する感光体(但、ドラム杖)を保蔵するlこめの蒸
着装置の要部が冊略的に示されている。
この蒸着装置では、ペルジャー(図示Vす)内に蒸発源
5とこれに対向した被蒸着用ドラム6とが配される。蒸
発源5は、容器7内にTe9が例えば5重重%の第1の
5e−Te蒸発材料8とTe濃1yが例えば22,5重
足%の第2のS e −T e蒸発4/l料9とを収容
している。これらの蒸発材思上にはヒーター10.11
が夫々配され、ヒーターの熱で蒸発した材料が容器7上
部の+tn口12から制御されながらドラム6に向フて
te #+aするようになされている。
5とこれに対向した被蒸着用ドラム6とが配される。蒸
発源5は、容器7内にTe9が例えば5重重%の第1の
5e−Te蒸発材料8とTe濃1yが例えば22,5重
足%の第2のS e −T e蒸発4/l料9とを収容
している。これらの蒸発材思上にはヒーター10.11
が夫々配され、ヒーターの熱で蒸発した材料が容器7上
部の+tn口12から制御されながらドラム6に向フて
te #+aするようになされている。
蒸着操作に陳しては、まず低TeIA度の蒸発柑隼′4
8苓ヒーターlOで所定mJxに加熱すると、蒸発材料
8の揮発度がほば1とな、て、複相と気相とか平tli
になった状態で蒸気が生じるので、上述した如(Te粛
度が低く (はぼ5重重%)でほぼ一定なCT L ’
E蒸着することができる。次に、この第1の蒸発材料8
の蒸″1終了前の所定時間内に菓2の蒸発44料9をヒ
ーター11で更に高温に加熱すると、上記所定時間に対
応した時間内に蒸気中のTeJ皮か漸次増加し、上述し
た遷移層が形成され、更に次の時間内に高’r e 世
のCG Lが形成される。得られたCGLのT e J
1.fかはは平坦とfiる理由は、第2の蒸発材料9
からます蒸発し易いSeが優先的に蒸発するが、蒸発飼
料9中の80足がΔシるにtjlフてその内部にSe蒸
蒸発炉Se供1834とが均(組するレベルが生じるか
らである。
8苓ヒーターlOで所定mJxに加熱すると、蒸発材料
8の揮発度がほば1とな、て、複相と気相とか平tli
になった状態で蒸気が生じるので、上述した如(Te粛
度が低く (はぼ5重重%)でほぼ一定なCT L ’
E蒸着することができる。次に、この第1の蒸発材料8
の蒸″1終了前の所定時間内に菓2の蒸発44料9をヒ
ーター11で更に高温に加熱すると、上記所定時間に対
応した時間内に蒸気中のTeJ皮か漸次増加し、上述し
た遷移層が形成され、更に次の時間内に高’r e 世
のCG Lが形成される。得られたCGLのT e J
1.fかはは平坦とfiる理由は、第2の蒸発材料9
からます蒸発し易いSeが優先的に蒸発するが、蒸発飼
料9中の80足がΔシるにtjlフてその内部にSe蒸
蒸発炉Se供1834とが均(組するレベルが生じるか
らである。
即ち、この均衡レベルによって、Se蒸蒸発炉抑えられ
(或いはほは一定となり)、Te蒸発量が相対的に増大
し、ついには一定となるから、得られ/こCG LのT
e 174度を少なくとも表面側で一定にヂることが7
きる。このためには蒸発の目安となるレイリー数を例え
ば1700以下に設定して蒸発材料に対流を生じないよ
うにする必要がある。
(或いはほは一定となり)、Te蒸発量が相対的に増大
し、ついには一定となるから、得られ/こCG LのT
e 174度を少なくとも表面側で一定にヂることが7
きる。このためには蒸発の目安となるレイリー数を例え
ば1700以下に設定して蒸発材料に対流を生じないよ
うにする必要がある。
次に、本発明の具体的な実施例を比較例と共に説8月す
る。
る。
異体例
表面に酸化処理を施した外径120mmの円筒形Aβ基
体を真空蒸着槽(ペルジャー)内の回転軸に装着し、ヒ
ーターで70″ Cに保持した。一方、上記の第1の蒸
発材料としてTenが5%の5e−Te合金を300g
、上記の第2の蒸発4/11.4としてTe1iiが2
2.5重置%の5e−Te合金を2゜0g夫々装填した
。そして、談ず第1の蒸発材料を10° C/m:nの
砕温速度て捉温し、29o。
体を真空蒸着槽(ペルジャー)内の回転軸に装着し、ヒ
ーターで70″ Cに保持した。一方、上記の第1の蒸
発材料としてTenが5%の5e−Te合金を300g
、上記の第2の蒸発4/11.4としてTe1iiが2
2.5重置%の5e−Te合金を2゜0g夫々装填した
。そして、談ず第1の蒸発材料を10° C/m:nの
砕温速度て捉温し、29o。
Cに40分間保持するごとによってCGLを所定厚さに
基体上に形成した。第2の蒸発4イ料は、第1の蒸発キ
イ料の蒸着終了5分前に10°(’、/m:nの桿温速
度で300°Ct″c″昇温し、この後1゜分間300
″ Cに保)だ。このとき、最初の5分間で蒸気中のT
e濃度は漸次増加し、上述した遷移層が蒸着され、更に
次の5分間てCGLが形成されノこ。
基体上に形成した。第2の蒸発4イ料は、第1の蒸発キ
イ料の蒸着終了5分前に10°(’、/m:nの桿温速
度で300°Ct″c″昇温し、この後1゜分間300
″ Cに保)だ。このとき、最初の5分間で蒸気中のT
e濃度は漸次増加し、上述した遷移層が蒸着され、更に
次の5分間てCGLが形成されノこ。
こうして得られた感光体のT e J fプロファイル
をX線マイクロアナライザーで測定したところ、第4図
の如くになフ/こ。このプロファイルより、T e丁−
5%であり、Te’q=15%であり、遷移層は?、O
tirr)でTepfl勾配は(15−5)/7〜1.
4%/μmである。この感光体を電子写真複写4ルU−
B i X3000 (小西六写真工糸(株)動)に装
着し、23°C560%RHの環境のもとr、?J)1
1I帯電電位を850vとして1000回の繰返し帯電
試験を実施した結果、残留電位は5■から+5Vに1稈
したにすぎなかった。
をX線マイクロアナライザーで測定したところ、第4図
の如くになフ/こ。このプロファイルより、T e丁−
5%であり、Te’q=15%であり、遷移層は?、O
tirr)でTepfl勾配は(15−5)/7〜1.
4%/μmである。この感光体を電子写真複写4ルU−
B i X3000 (小西六写真工糸(株)動)に装
着し、23°C560%RHの環境のもとr、?J)1
1I帯電電位を850vとして1000回の繰返し帯電
試験を実施した結果、残留電位は5■から+5Vに1稈
したにすぎなかった。
Te濃度プロファイルの測定には、波長分散型X線マイ
クロアナライザー(島浬製作所製EMχ−S M 7
以下、XMAと略す。)を用いた。測定の際の電子線
加速電圧は、15KVとした。通常の感光層の断面での
プロファイル測定では、膜厚方向に対して、1μm程度
の分子4q能しか得られないので、前記試料の測定には
感光層断面を角度研磨しく研磨角度θ:、Co sθ−
1/10)、刃具厚方向を10倍に拡大した試料を用い
て行なつだ。
クロアナライザー(島浬製作所製EMχ−S M 7
以下、XMAと略す。)を用いた。測定の際の電子線
加速電圧は、15KVとした。通常の感光層の断面での
プロファイル測定では、膜厚方向に対して、1μm程度
の分子4q能しか得られないので、前記試料の測定には
感光層断面を角度研磨しく研磨角度θ:、Co sθ−
1/10)、刃具厚方向を10倍に拡大した試料を用い
て行なつだ。
その結果、膜方向のプロファイルの分解能は0.1μm
となり、遷移層の長さ及びテルル濃度(Te)勾配を悄
度良く求められる。尚、試料送り速度は研磨面に旅いて
2μ/m:nとした。上記具体例の感光体の蒸着条件に
於いてCGL形成用蒸発l原の@温速度と、開口部面積
のtg1節による蒸発速度のコントロールを行なうこと
により、遷移層でのテルルill!If(Te)勾配及
び厚ざを変化させることができる。このようにして、遷
移層の形態が異なった感光体を作製した。この感光体の
残111i電位特性と帯電電位の温度依存性を調べた。
となり、遷移層の長さ及びテルル濃度(Te)勾配を悄
度良く求められる。尚、試料送り速度は研磨面に旅いて
2μ/m:nとした。上記具体例の感光体の蒸着条件に
於いてCGL形成用蒸発l原の@温速度と、開口部面積
のtg1節による蒸発速度のコントロールを行なうこと
により、遷移層でのテルルill!If(Te)勾配及
び厚ざを変化させることができる。このようにして、遷
移層の形態が異なった感光体を作製した。この感光体の
残111i電位特性と帯電電位の温度依存性を調べた。
残留電位+;tU−B i X30001m感光体をM
!し、23゜C160%RHの環境のもとて、初期帯電
電位を850Vとし、連続1000@の帯電テスlを行
ない、測定した。
!し、23゜C160%RHの環境のもとて、初期帯電
電位を850Vとし、連続1000@の帯電テスlを行
ない、測定した。
J、た、帯電電位のiMIV依存性については、初期帯
電位を850vにして、環境温度を10’C土騨させた
蝶の帯電電位の低下量により評価した。
電位を850vにして、環境温度を10’C土騨させた
蝶の帯電電位の低下量により評価した。
4〔連続1000回での残電
** 23゛C→33°Cの温度変化時の電位低下上記
によれば、遷移層のTe1Iff勾配が過大になると、
残留電位が大きくなることがわかる。
によれば、遷移層のTe1Iff勾配が過大になると、
残留電位が大きくなることがわかる。
また、遷移層の厚さが20μmを越えると、JMIlf
上稈による帯電電位低下が大きくなることがわかる。
上稈による帯電電位低下が大きくなることがわかる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の1支術
6′つ周、想に暴いて更に変形が可能である。
6′つ周、想に暴いて更に変形が可能である。
例えば、上述の遷移層のTeaytプロファイルは直線
吠、曲綿伏、或いはステップ吠等の如く種々に変化させ
ることができる。また、感光体を製造するのに用いる蒸
発源の構造や、蒸発材料及びヒーターのai! ffi
Wも変更してよい。
吠、曲綿伏、或いはステップ吠等の如く種々に変化させ
ることができる。また、感光体を製造するのに用いる蒸
発源の構造や、蒸発材料及びヒーターのai! ffi
Wも変更してよい。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示すものであって、榮1図は5
e−Te感感光の断面図、 第2図はこの感光体のTe114度プロファイルを示す
図、 第3図は感光体製造用の真空蒸@摸作の要部側路図、 第4図は本発明の具体例にJ、る感光体のTe7度プロ
ファイルを示す図、 第5図は比較例(CY来例)による感光体のTe1度プ
ロファイルを示す図である。 flお、図面に示されている肴号において、1.6−・
・・基板 2・・・・・・・C,TL (電荷輸送層)3−一−−
−−・CGL (電荷発生層)4・・・−・−遷移Pt
I(ホール注入層)8−−−一第1の5e−Teffi
発44149−・−・・第2の5e−Te蒸発材料10
.11 ・・・・・・・・ヒーターである。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 厚打
e−Te感感光の断面図、 第2図はこの感光体のTe114度プロファイルを示す
図、 第3図は感光体製造用の真空蒸@摸作の要部側路図、 第4図は本発明の具体例にJ、る感光体のTe7度プロ
ファイルを示す図、 第5図は比較例(CY来例)による感光体のTe1度プ
ロファイルを示す図である。 flお、図面に示されている肴号において、1.6−・
・・基板 2・・・・・・・C,TL (電荷輸送層)3−一−−
−−・CGL (電荷発生層)4・・・−・−遷移Pt
I(ホール注入層)8−−−一第1の5e−Teffi
発44149−・−・・第2の5e−Te蒸発材料10
.11 ・・・・・・・・ヒーターである。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 厚打
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、テルル含有量が3〜8重臆%のセレン−テルル合金
からなる電荷輸送層と、テルル含有量が10〜25重量
%のセレン−テルル合金からなる電荷発生層とを有し、
前記電荷輸送mから前記電荷発生層にかけてテルル含有
量が増加しているセレン−テルル合金からなる厚さ1〜
20μmの遷移層が前記電荷輸送層と前記電荷発生層と
の間に設けられていることを特許とする感光体。 2゜遷移層のテルル含有量が電荷輸送層からii!荷発
生層にかけて連続的に増加している、特許請求の範囲の
第1項に記載した感光体。 3、遷移層のテルル含有量が0.1〜22*tth%/
μmの平均A勾配で増加している、特許請求の範囲の第
2項に記載した感光体。 4、電荷輸送層の厚みが30μrn以上、電荷発生層の
摩みが2〜5μmである、特許請求の範囲第1項〜第3
頂のいずれか1項に記載した感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15424482A JPS5944055A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15424482A JPS5944055A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5944055A true JPS5944055A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15579981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15424482A Pending JPS5944055A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5944055A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61200543A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6223049A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6250837A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50142036A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
JPS5612647A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP15424482A patent/JPS5944055A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50142036A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
JPS5612647A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61200543A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6223049A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6250837A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5944055A (ja) | 感光体 | |
US4705733A (en) | Member having light receiving layer and substrate with overlapping subprojections | |
JPH0962020A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
JPH0217021B2 (ja) | ||
JPS636865B2 (ja) | ||
JPS5944056A (ja) | 感光体 | |
JPH0740138B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6064357A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
JPS6354171B2 (ja) | ||
JPH073596B2 (ja) | 電子写真用感光体およびその製造方法 | |
JPS5816245A (ja) | 電子写真部材 | |
JP2536734B2 (ja) | 光受容部材 | |
JPH01316750A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH0683091A (ja) | 電子写真感光体及びその製造法 | |
JP2558210B2 (ja) | 電子写真用像形成部材 | |
JPS62294253A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS5882250A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS63210946A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
JPS63187258A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0261741B2 (ja) | ||
JPS63121058A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
JPS63200157A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
JPS62258466A (ja) | 画像形成機能の改善された光受容部材 | |
JPS6151154A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02171756A (ja) | 電子写真用感光体の真空蒸発源容器 |