JPS5943523A - 半導体エツチング処理における薬液供給方法 - Google Patents

半導体エツチング処理における薬液供給方法

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JPS5943523A
JPS5943523A JP15370682A JP15370682A JPS5943523A JP S5943523 A JPS5943523 A JP S5943523A JP 15370682 A JP15370682 A JP 15370682A JP 15370682 A JP15370682 A JP 15370682A JP S5943523 A JPS5943523 A JP S5943523A
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JP
Japan
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vessel
etching
chemical liquid
buffer
tank
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Pending
Application number
JP15370682A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Sado
佐渡　政彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、゛１′１体観造−１程において製品のエツチ
ング処］：ｊｌｉに用いる基液の供給方法に関するもの
である。
従来のエラチン′り装置は第１図に示すように、エツチ
ング槽１を二重ｔ１〜造にし、ぞの内側にエツチンク処
理用薬液２を貯■（１１さ−１４、その外側にポンプ６
て熱媒体４を熱交換器５を通過させで循還させることに
より、薬液２を熱媒体４て冷却又は加熱し−Ｃイの液）
晶を二Ｊントロールし薬液２の温度を均一に保っていた
。しかし、従来装置では、エンチング槽１から製品を引
き」けるときに薬液２が製品にｆｑ着したまま持ち出さ
れたり又は薬液２が蒸発するためにエツチング槽１内の
液面が下った場合には、途中で薬液を補充しなければな
らないという欠点かあった。さらに、薬液２を間接的に
冷却又は加熱するため、薬液２を交換又は補充１．／た
後からエラ千／グ処理を行なうＵを６１□１に達するま
でに長時間を要し、また液温のバラツキが大きいという
欠点があった。
本発明は前記間顯点を解消するもので、バッファ一槽内
の薬液をポンプて汲み−［、げ、熱交換器、フィルター
を通過させエッチ／り槽内にその１・部より供給し、薬
液をエツチング槽−１５部から３−バーフローさせてバ
ッファ一槽ｖ（＝帰還させることを特徴とするものであ
る。
以下、本発明の一実施例を図ｅこよって説明する。
第２図に示すように、エツチング槽１の（、土かにバッ
ファ一槽６を設置し、該］１ツファ一槽６（・（薬液圧
送用ポンプ７を備えイＮＪＧ′ｊる。また、ポンプ７ヲ
Ｍ’ｒ　交換ｔ’ｔ　８及びフィルタ・−９を通してエ
ツチング槽１の下部に配管し、エツチング槽１とバッフ
ァ槽６との間を’、ｌｉ［ｌ遠用パイプ１０て配管する
。
実施例において、薬液２はバッファ一槽６からポンプ７
て圧送し、熱交換器８で薬液２を直接に加熱又は冷却し
次にフィルター９を通過させて浄化し、その薬液２をエ
ツチング槽１のＦ部から供給してエツチング槽１の」二
部からオーバーフローさせる。エツチング槽１から副−
ハーフローした薬液２はバイブ１０”Ｃバッファ一槽６
に帰還させ、再びポンプ７てエツチング槽１に向りで圧
送して循還させるのである。エツチング槽１ては通常の
如く半導体装置のエツチング処理を行なう。
以」−のように、本発明はバッファ一槽からポンプで薬
液を圧送してエツチング槽内にその下部から供給し、薬
液をエツチング槽上部からオーバーフローさせてバッフ
ァ一槽に１１４１　’１４させるため、バッファ一槽に
液の使用量及び蒸発ｍを見込んで十分な量の薬液を入れ
ておくことによる長時間薬液を補充する必要がなく、薬
液を交換又は補充したするため、薬液の温度を知１１．
ＩＩ間て［」ゎＶ’：　ｌ’＋ｆＡ度に達成させること
ができ、液温のハラツギを小さく　−ｃきる。また、薬
液をフィルターで浄化するため、エツチング槽内の薬液
の清ａｉ度を白子できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のエツチング処理の）【Ｊ−シート、第２
図は本発明のフロータ・−１・である。 １・・・エツチング槽　　２・・・薬液６°′°バツフ
ア一槽　　７・・・ボ／ブ８・・・熱交換器　　　　９
・・・フィルター特許出願人　　　山形１ヨ本電気株式
会社・１１　　□゛・“− 代理人弁理Ｌ　　　菅　野　　　　中：・　ＩＦ、。 ・、１−１・：

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　バッファ一槽内の薬液をポツプて汲み上げ熱
    交換器、フ・イルタ〜を通過さぜエツチング槽内にその
    ト″部より供給し、薬液をコーラ千ング槽上部から珂・
    −バー７「１さゼて前記バッファ一槽に帰ｊ買さセるこ
    とを特徴ど−する土導体エソ千ング処理における蓄液供
    給Ｊｊ法。
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