JPS5943326A - 半導体圧力検出器 - Google Patents
半導体圧力検出器Info
- Publication number
- JPS5943326A JPS5943326A JP15261082A JP15261082A JPS5943326A JP S5943326 A JPS5943326 A JP S5943326A JP 15261082 A JP15261082 A JP 15261082A JP 15261082 A JP15261082 A JP 15261082A JP S5943326 A JPS5943326 A JP S5943326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strain
- diaphragm
- pressure
- housing
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧力、差圧検出器に係り、特に半導体自体をダ
イヤフラムとする半導体圧力検出に関する。
イヤフラムとする半導体圧力検出に関する。
従来のＳｉダイヤフラム形圧力、差圧検出器に用いられ
る測定ダイヤフラムはＳｉ単結晶よりなり中央に第１の
肉厚部、それを囲む肉薄部、さらに前記肉薄部を囲む第
２の肉厚部を有し、前記肉薄部の一主面側に複数のゲー
ジ抵抗が通常のＩＣプロセスにより形成されている。こ
のＳｉダイヤフラムの第２の肉厚部の表面は、ダイヤフ
ラムと熱膨張係数の類似した中央に通気孔のあるシリコ
ンやガラスよりなる第１の支持体に接合され、この支持
体は受圧室を形成するハウジングに通気孔のある第２の
支持体を介し結合されている。このＳｉダイヤフラム形
圧力、差圧検出器はＩＣ技術を応用できるので量産性に
優れ、かつＳｉ単結晶が理想的な弾性材料であるためヒ
ステリシスがなく再現性に優れている特長がある。
る測定ダイヤフラムはＳｉ単結晶よりなり中央に第１の
肉厚部、それを囲む肉薄部、さらに前記肉薄部を囲む第
２の肉厚部を有し、前記肉薄部の一主面側に複数のゲー
ジ抵抗が通常のＩＣプロセスにより形成されている。こ
のＳｉダイヤフラムの第２の肉厚部の表面は、ダイヤフ
ラムと熱膨張係数の類似した中央に通気孔のあるシリコ
ンやガラスよりなる第１の支持体に接合され、この支持
体は受圧室を形成するハウジングに通気孔のある第２の
支持体を介し結合されている。このＳｉダイヤフラム形
圧力、差圧検出器はＩＣ技術を応用できるので量産性に
優れ、かつＳｉ単結晶が理想的な弾性材料であるためヒ
ステリシスがなく再現性に優れている特長がある。
しかしながら、かかる構成の測定ダイヤフラムにあって
は、極めて低い圧力の測定をおこなう場合、圧力と出力
との直線性が悪くなる欠点がある。
は、極めて低い圧力の測定をおこなう場合、圧力と出力
との直線性が悪くなる欠点がある。
この原因は、低圧領域の測定のためには、測定ダイヤフ
ラムの起歪部の肉厚をより薄くする必要があるため、薄
肉化すればするほど起歪部のたわみが大きくなり、測定
ダイヤフラムが伸びるバルーン効果が生じるためである
。
ラムの起歪部の肉厚をより薄くする必要があるため、薄
肉化すればするほど起歪部のたわみが大きくなり、測定
ダイヤフラムが伸びるバルーン効果が生じるためである
。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、低
圧測定値でも圧力と出力との直線関係が優れた半導体圧
力、差圧センサを提供するにある。
圧測定値でも圧力と出力との直線関係が優れた半導体圧
力、差圧センサを提供するにある。
上記目的を達成するため、本発明は、内側および外側に
肉厚部、前記各肉厚部の間に圧力をとめるために充分な
薄さの薄肉部が形成されたＳｉダイヤフラムと前記薄肉
部の変位にともなってその変位を規制しながら変位する
Ｓｉ起歪はりと、このＳｉ起歪はり上に形成されたゲ−
ジ抵抗とを有し、前記Ｓｉ起歪はりは、前記ゲージ抵抗
が形成されている領域に応力を集中させるため他の領域
に剛性をもたせて構成されているものである。
肉厚部、前記各肉厚部の間に圧力をとめるために充分な
薄さの薄肉部が形成されたＳｉダイヤフラムと前記薄肉
部の変位にともなってその変位を規制しながら変位する
Ｓｉ起歪はりと、このＳｉ起歪はり上に形成されたゲ−
ジ抵抗とを有し、前記Ｓｉ起歪はりは、前記ゲージ抵抗
が形成されている領域に応力を集中させるため他の領域
に剛性をもたせて構成されているものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明による半導体圧力検出器の一実施例を示
す断面図である。単結晶Ｓｉからなる測定ダイヤフラム
１０は中空の第１の支持部材１２、中空の第２の支持部
材１４を介してハウジング１６に取付けられている。第
１の支持部材１２は測定ダイヤフラム１０のハウジング
１６からの電気的絶縁およびハウジング１６からの熱膨
張係数の違いによる熱歪を考慮し、Ｓｉと熱膨張係数の
近似したたとえば硼珪酸ガラスが使用されている。
す断面図である。単結晶Ｓｉからなる測定ダイヤフラム
１０は中空の第１の支持部材１２、中空の第２の支持部
材１４を介してハウジング１６に取付けられている。第
１の支持部材１２は測定ダイヤフラム１０のハウジング
１６からの電気的絶縁およびハウジング１６からの熱膨
張係数の違いによる熱歪を考慮し、Ｓｉと熱膨張係数の
近似したたとえば硼珪酸ガラスが使用されている。
また、第２の支持部材１４は、熱膨張係数およびハウジ
ング１６への溶接による取付けを考慮し、Ｓｉと熱膨張
係数の近似したたとえばＦｅ−Ｎｉ合金あるいはＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金が使用されている。これらの測定ダイヤ
フラムと第１支持部材１２、及び第１支持部材１２と第
２支持部材１４間はたとえば陽極給合法で接合されてい
る。
ング１６への溶接による取付けを考慮し、Ｓｉと熱膨張
係数の近似したたとえばＦｅ−Ｎｉ合金あるいはＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金が使用されている。これらの測定ダイヤ
フラムと第１支持部材１２、及び第１支持部材１２と第
２支持部材１４間はたとえば陽極給合法で接合されてい
る。
測定ダイヤフラム１０からの電気的出力は、リード線１
８及びハウジング１６にハーメチックシールされた端子
２０を介して外部に取出されている。
８及びハウジング１６にハーメチックシールされた端子
２０を介して外部に取出されている。
第２図は測定ダイヤフラム１０をゲージ抵抗面側から見
た図、第３図は第２図のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面
図、第４図はゲージ抵抗を待つ起歪よりを示す一部拡大
図である。
た図、第３図は第２図のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面
図、第４図はゲージ抵抗を待つ起歪よりを示す一部拡大
図である。
測定ダイヤフラム１０は、その主表面が（１１０）の円
形状ｎ形単結晶Ｓｉで、中央に厚肉の剛体部３０、外周
に厚肉の固定部３２を有し、その間に環状の薄肉の起歪
部３４が形成されている。この起歪部３０は圧力をとめ
るに充分な薄さを有するものである。この環状の起歪部
３４に、剛体部３０と固定部３２にまたがる起歪より３
６が設けられている。前記起歪はり３６は、前記起歪部
３０と一体に形成され、起歪部３０に比べてその厚さが
若干厚く形成されたものである。起歪はり３６は、〈１
１０〉面における最大感度を示す〈１１１〉軸に平行に
設けられている。またこの起歪はりの幅は中央部で広く
、両端部で狭くなっており、ｐ形ゲージ抵抗３８が、こ
の幅狭領域３９、すなわち外周の固定部近傍に２個、中
心の剛体部近傍に２個、〈１１１〉軸に平行に拡散法や
イオンインブランデーション法により形成されている。
形状ｎ形単結晶Ｓｉで、中央に厚肉の剛体部３０、外周
に厚肉の固定部３２を有し、その間に環状の薄肉の起歪
部３４が形成されている。この起歪部３０は圧力をとめ
るに充分な薄さを有するものである。この環状の起歪部
３４に、剛体部３０と固定部３２にまたがる起歪より３
６が設けられている。前記起歪はり３６は、前記起歪部
３０と一体に形成され、起歪部３０に比べてその厚さが
若干厚く形成されたものである。起歪はり３６は、〈１
１０〉面における最大感度を示す〈１１１〉軸に平行に
設けられている。またこの起歪はりの幅は中央部で広く
、両端部で狭くなっており、ｐ形ゲージ抵抗３８が、こ
の幅狭領域３９、すなわち外周の固定部近傍に２個、中
心の剛体部近傍に２個、〈１１１〉軸に平行に拡散法や
イオンインブランデーション法により形成されている。
これらの抵抗はホイートストンブリッジに組まれ差動的
に出力を得るようになっている。測定ダイヤフラム１０
の表面にはゲージ抵抗３８を保護する酸化膜４０および
ゲージ抵抗３８の出力を取出すアルミ配線４２が設けら
れている。
に出力を得るようになっている。測定ダイヤフラム１０
の表面にはゲージ抵抗３８を保護する酸化膜４０および
ゲージ抵抗３８の出力を取出すアルミ配線４２が設けら
れている。
このように構成された半導体圧力検出器において、測定
ダイヤフラム１０に圧力ｐを印加すると、起歪はり３６
がたわむ。この時、薄肉の起歪部３４は起歪はり３６に
比べ薄く軟かくなっているため単なる気密膜として働き
、受圧面積Ｓ（ほぼ中央の剛体部３０と薄肉の起歪部３
４を加えた面積）×圧力Ｐの力の大半が起歪はり３６を
たわます力として作用する。したがって、起歪はり３６
は小さな力、すなわち低い圧力で大きな歪を発生するこ
とができる、加えて、この起歪はり３６は中心で太く、
両端で狭くなっているため、中心の剛性は高く、両端の
剛性は小さい。このため圧力を加えた時、中心部のひず
みは小さく、両端でのひずみは大きくなり、ひずみは剛
性の小さな両端部に集中する。すなわちこの構造では起
歪はり３６中、歪の発生する有効長は短くなるため、起
歪はり全体をより薄くしても圧力を加えた時の起歪はり
のたわみは小さい。そこで、この起歪はり３６の両端の
剛性の小さな部分に配置されたゲージ抵抗３８は、より
低い圧力に対しても直線的に抵抗変化する。
ダイヤフラム１０に圧力ｐを印加すると、起歪はり３６
がたわむ。この時、薄肉の起歪部３４は起歪はり３６に
比べ薄く軟かくなっているため単なる気密膜として働き
、受圧面積Ｓ（ほぼ中央の剛体部３０と薄肉の起歪部３
４を加えた面積）×圧力Ｐの力の大半が起歪はり３６を
たわます力として作用する。したがって、起歪はり３６
は小さな力、すなわち低い圧力で大きな歪を発生するこ
とができる、加えて、この起歪はり３６は中心で太く、
両端で狭くなっているため、中心の剛性は高く、両端の
剛性は小さい。このため圧力を加えた時、中心部のひず
みは小さく、両端でのひずみは大きくなり、ひずみは剛
性の小さな両端部に集中する。すなわちこの構造では起
歪はり３６中、歪の発生する有効長は短くなるため、起
歪はり全体をより薄くしても圧力を加えた時の起歪はり
のたわみは小さい。そこで、この起歪はり３６の両端の
剛性の小さな部分に配置されたゲージ抵抗３８は、より
低い圧力に対しても直線的に抵抗変化する。
以トのように、本発明の圧力測定ダイヤフラムを有する
１圧力、差圧検出器は従来より低い圧力まで精度良く測
定することが可能となる。また、同一の感度を得るため
には受圧面債の小さな測定ダイヤフラムで充分である。
１圧力、差圧検出器は従来より低い圧力まで精度良く測
定することが可能となる。また、同一の感度を得るため
には受圧面債の小さな測定ダイヤフラムで充分である。
第５図は本発明による半導体圧力検出器の他の実施例を
示す図で第５図（ａ）は平面図、第５図（ｂ）は第５図
（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における断面図である。
示す図で第５図（ａ）は平面図、第５図（ｂ）は第５図
（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における断面図である。
第２図、第３図のものに比べ起歪はり３６とダイヤフラ
ム１０をそれぞれ別のシリコン結晶で作った後、お互を
ガラス材４４で陽極接合している点が異なる。また本例
では起歪はり３６の中央部の剛性を高めるために、起歪
はりの中央部を厚くした例を示している。
ム１０をそれぞれ別のシリコン結晶で作った後、お互を
ガラス材４４で陽極接合している点が異なる。また本例
では起歪はり３６の中央部の剛性を高めるために、起歪
はりの中央部を厚くした例を示している。
この実施例では長い製造プロセスが必要となるゲ−ジ抵
抗は細い起歪はりのみに形成するため、一枚のウエハか
ら大量に形成することができる。
抗は細い起歪はりのみに形成するため、一枚のウエハか
ら大量に形成することができる。
このためダイヤフラムが大形になっても、製造コストの
向上は少ない利点がある。また本構造ではダイヤフラム
の肉薄起歪部の厚さを極端に導くしなくても広くするこ
とにより起歪はりに比べ軟かくすることができるため製
造し易い利点がある。
向上は少ない利点がある。また本構造ではダイヤフラム
の肉薄起歪部の厚さを極端に導くしなくても広くするこ
とにより起歪はりに比べ軟かくすることができるため製
造し易い利点がある。
本実施例での作用、効果は第１の実施例と同様である。
ところで、本発明の圧力検出器の応用例として真空計が
ある。この時は第１の支持体には穴を形成しなくダイヤ
フラムと第１の支持体間を真空またはそれに近い低圧力
で封じこめることにより、従来ピラニゲージで測定して
いた１０−２〜１０ｔｏｒｒの低圧領域を正確に測定で
きる。また、ゲージ抵抗面側が大気圧開放の時、ダイヤ
フラムが破壊しないように、ダイヤフラム中央の剛体部
が第１支持体にあたるように設計しておくことは望まし
いことである。
ある。この時は第１の支持体には穴を形成しなくダイヤ
フラムと第１の支持体間を真空またはそれに近い低圧力
で封じこめることにより、従来ピラニゲージで測定して
いた１０−２〜１０ｔｏｒｒの低圧領域を正確に測定で
きる。また、ゲージ抵抗面側が大気圧開放の時、ダイヤ
フラムが破壊しないように、ダイヤフラム中央の剛体部
が第１支持体にあたるように設計しておくことは望まし
いことである。
以上本発明は、ダイヤフラムの中央の剛体部と外周の固
定部の間に薄肉の起歪部よりも肉厚の起歪はりと形成し
、この起歪はりの少なくとも一部を広くしたり、厚くす
ることにより剛性を高め、この起歪はりの剛性の小さな
部分にゲージ抵抗を形成したことにより、ゲージ抵抗に
作用させる力を増大するとともに、かつ起歪はりの有効
長を短かくすることにより、きわめて低い圧力範囲の測
定も正確に行なうことができる。
定部の間に薄肉の起歪部よりも肉厚の起歪はりと形成し
、この起歪はりの少なくとも一部を広くしたり、厚くす
ることにより剛性を高め、この起歪はりの剛性の小さな
部分にゲージ抵抗を形成したことにより、ゲージ抵抗に
作用させる力を増大するとともに、かつ起歪はりの有効
長を短かくすることにより、きわめて低い圧力範囲の測
定も正確に行なうことができる。
本発明はこれら実施例に限られるものではない。
例えば、起歪はりの一部の剛性を高めるためには、その
部分を厚くするか又は広くするかいずれの方法を採用し
てもよい。また起歪はりには〈１００〉面のシリコンウ
エハを使用し、ゲージ抵抗を〈１１０〉方向に配置する
ことも可能である。
部分を厚くするか又は広くするかいずれの方法を採用し
てもよい。また起歪はりには〈１００〉面のシリコンウ
エハを使用し、ゲージ抵抗を〈１１０〉方向に配置する
ことも可能である。
その他、実施例には起歪はりの数が２本の場合を示して
いるが、一本又は３本以上でも良いことは明らかである
。またゲージ抵抗の配置法としては、起歪はりに直交す
る方向に配置しても良い。
いるが、一本又は３本以上でも良いことは明らかである
。またゲージ抵抗の配置法としては、起歪はりに直交す
る方向に配置しても良い。
この直交ゲージ抵抗および平行ゲージ抵抗を組合わせれ
ば、起歪はり中一箇所の幅狭領域にブリッジを組む４ケ
のゲージ抵抗をまとめて配置することができる。
ば、起歪はり中一箇所の幅狭領域にブリッジを組む４ケ
のゲージ抵抗をまとめて配置することができる。
以上述べたことから明らかなように、本発明による半導
体圧力検出器によれば、低圧測定時でも圧力と出力との
直線関係が優れたものとすることができる。
体圧力検出器によれば、低圧測定時でも圧力と出力との
直線関係が優れたものとすることができる。
第１図は本発明による半導体圧力検出器の一実施例を示
す断面図、第２図は本発明の一実施例の測定ダイヤフラ
ムの上面図、第３図は第２図のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図、
第４図は起歪はりおよびその周辺の拡大図、第５図（ａ
）、（ｂ）は本発明の他の実施例を示す図で、第５図（
ａ）は平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）のＶｂ−Ｖ
ｂ線における断面図である。 １０・・・測定ダイヤフラム、１２・・・第１の支持部
材、１４・・・第２の支持部材、１６・・・ハウジング
、３０・・・剛体部、３２・・・固定部、３４・・・肉
薄起歪部、３６・・・起歪はり、３８・・・ゲージ抵抗
、３９・・・幅狭領域。 ＄ １ 口 ／θ ＺＯ／２ 潔 ／６ ＄２ 図 ギ３目 ９／′ｌ 茅４．躬 ＄５ 目 むノ ３６
す断面図、第２図は本発明の一実施例の測定ダイヤフラ
ムの上面図、第３図は第２図のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図、
第４図は起歪はりおよびその周辺の拡大図、第５図（ａ
）、（ｂ）は本発明の他の実施例を示す図で、第５図（
ａ）は平面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ）のＶｂ−Ｖ
ｂ線における断面図である。 １０・・・測定ダイヤフラム、１２・・・第１の支持部
材、１４・・・第２の支持部材、１６・・・ハウジング
、３０・・・剛体部、３２・・・固定部、３４・・・肉
薄起歪部、３６・・・起歪はり、３８・・・ゲージ抵抗
、３９・・・幅狭領域。 ＄ １ 口 ／θ ＺＯ／２ 潔 ／６ ＄２ 図 ギ３目 ９／′ｌ 茅４．躬 ＄５ 目 むノ ３６
Claims (1)
- １、内側および外側に肉厚部、前記各肉厚部の間に圧力
をとめるために充分な薄さの薄肉部が形成されたＳｉダ
イヤフラムと、前記薄肉部の変位にともなってその変化
を規制しながら変位するＳｉ起歪はりと、このＳｉ起歪
はり上に形成されたゲージ抵抗とを有し、前記Ｓｉ起歪
はりは、前記ゲージ抵抗が形成されている領域に応力を
集中させるため他の領域に剛性をもたせて構成されてい
ることを特徴とする半導体圧力検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15261082A JPS5943326A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体圧力検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15261082A JPS5943326A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体圧力検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943326A true JPS5943326A (ja) | 1984-03-10 |
| JPH028253B2 JPH028253B2 (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=15544157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15261082A Granted JPS5943326A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体圧力検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414509U (ja) * | 1987-07-20 | 1989-01-25 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119971A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-07 | Honeywell Inc | Force converter |
| JPS5629136A (en) * | 1979-07-17 | 1981-03-23 | Data Instr Inc | Pressure converter and making method thereof |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15261082A patent/JPS5943326A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119971A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-07 | Honeywell Inc | Force converter |
| JPS5629136A (en) * | 1979-07-17 | 1981-03-23 | Data Instr Inc | Pressure converter and making method thereof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414509U (ja) * | 1987-07-20 | 1989-01-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028253B2 (ja) | 1990-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7444879B2 (en) | Displacement transducer | |
| US6813956B2 (en) | Double stop structure for a pressure transducer | |
| US5537882A (en) | Semiconductor sensor for detecting physical amount without thermal hypsteresis where output wiring is disposed in a stress insensitive direction | |
| JP2503290B2 (ja) | 半導体圧力・差圧測定ダイヤフラム | |
| JPH102824A (ja) | 真空表示装置付き圧力センサー | |
| US4527428A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JPS5943326A (ja) | 半導体圧力検出器 | |
| JPH0419495B2 (ja) | ||
| JP2715738B2 (ja) | 半導体応力検出装置 | |
| JPH04328434A (ja) | 複合センサ | |
| JP2512220B2 (ja) | 複合機能形センサ | |
| JPH10142086A (ja) | 半導体圧力センサとその製造方法及びこれを用いた差圧伝送器 | |
| JPS6328260B2 (ja) | ||
| JPS6155264B2 (ja) | ||
| JP3120388B2 (ja) | 半導体圧力変換器 | |
| JPH06102128A (ja) | 半導体複合機能センサ | |
| JPH0821774A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH0483139A (ja) | 半導体歪みセンサ | |
| Whittier | High performance miniaturized piezoresistive pressure transducers | |
| JP2980440B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPH08240494A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
| JPH06213746A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH1038731A (ja) | 半導体圧力検出器 | |
| JPS5925393B2 (ja) | 半導体ひずみゲ−ジ形ダイアフラム | |
| JPS61114139A (ja) | 差圧センサ |