JPS5942224A - 放電加工法 - Google Patents
放電加工法Info
- Publication number
- JPS5942224A JPS5942224A JP15180082A JP15180082A JPS5942224A JP S5942224 A JPS5942224 A JP S5942224A JP 15180082 A JP15180082 A JP 15180082A JP 15180082 A JP15180082 A JP 15180082A JP S5942224 A JPS5942224 A JP S5942224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- electrodes
- discharge machining
- electric discharge
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H7/00—Processes or apparatus applicable to both electrical discharge machining and electrochemical machining
- B23H7/02—Wire-cutting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ワイヤカット放電加工法に係υ、さらに詳し
くは、半導体拐料のような高い電気抵抗材料を切断加工
する放電加工法に関するものである。
くは、半導体拐料のような高い電気抵抗材料を切断加工
する放電加工法に関するものである。
ワイヤカット放電加工法は、厚板を切断加工する方法と
して広く応用されているが、一般にこの種の放電加工装
置は、被加工物とワイヤ電極間に直流電圧を印加し、ギ
ャップ間に発生する放電によって被加工物を加工するも
のである。この種の放電加工においては、被加工物が鉄
などの導電性の良好な金属であれば特に問題なく加工で
きるが、集積回路等に使用される半導体は容易に放電加
工できない。
して広く応用されているが、一般にこの種の放電加工装
置は、被加工物とワイヤ電極間に直流電圧を印加し、ギ
ャップ間に発生する放電によって被加工物を加工するも
のである。この種の放電加工においては、被加工物が鉄
などの導電性の良好な金属であれば特に問題なく加工で
きるが、集積回路等に使用される半導体は容易に放電加
工できない。
例えば、集積回路等に使用される半導体は高抵抗材料で
あるが、これを集積回路として加工するには、まず、円
柱状の結晶から非常に薄いウニ・・状に切出し、それに
種々の処理がなされる。この高抵抗材料をウェハ状に切
出すためには、従来は生にダイヤモンドソーにより行な
っていた。シリコンの単結晶などの半導体材料は、脆弱
であるため、ダイヤモンドソーのように機械的な方法に
よると、切断中に割れを生じ、不良品を出すことになり
、歩留の悪いものであった。また、従来の放電加工法に
よりこのような切断作業全行なうと、半導体のような高
抵抗材料では放電を発生させるためにさらに高い電圧印
加が必要であり、また、半導体材料内部金属に電流を流
し、発熱させるため、材料が変質する問題もあった。さ
らにまた、半導体材料と電極間で発生する放電によって
電極側が大きく消耗してしまい、被加工物全所定の形状
に加工するのが困難であった。
あるが、これを集積回路として加工するには、まず、円
柱状の結晶から非常に薄いウニ・・状に切出し、それに
種々の処理がなされる。この高抵抗材料をウェハ状に切
出すためには、従来は生にダイヤモンドソーにより行な
っていた。シリコンの単結晶などの半導体材料は、脆弱
であるため、ダイヤモンドソーのように機械的な方法に
よると、切断中に割れを生じ、不良品を出すことになり
、歩留の悪いものであった。また、従来の放電加工法に
よりこのような切断作業全行なうと、半導体のような高
抵抗材料では放電を発生させるためにさらに高い電圧印
加が必要であり、また、半導体材料内部金属に電流を流
し、発熱させるため、材料が変質する問題もあった。さ
らにまた、半導体材料と電極間で発生する放電によって
電極側が大きく消耗してしまい、被加工物全所定の形状
に加工するのが困難であった。
寸た、このようなウェハ等の不良導体を放電加工するた
めに、ウェハ切断率の形状を有し、端面全周囲にわたっ
て＋、−のｔ極全埋め込み、ウェハの切断面において電
極間で発生する放電によって被加工物全放電加工する装
置もあるが、それによると、被加工物の切断形状に応じ
た専用の１１Ｔ、極を製造する必要があり、コスト高に
なるばがジが、製造できる電極形状にも制限があり、し
たがって放電加工できる被加工物にも制限があった。′
また、放ｉ＋ｉ、加工中に電極が消耗すると加工精度が
低下するため、頻繁に交換しなければならないものであ
った。
めに、ウェハ切断率の形状を有し、端面全周囲にわたっ
て＋、−のｔ極全埋め込み、ウェハの切断面において電
極間で発生する放電によって被加工物全放電加工する装
置もあるが、それによると、被加工物の切断形状に応じ
た専用の１１Ｔ、極を製造する必要があり、コスト高に
なるばがジが、製造できる電極形状にも制限があり、し
たがって放電加工できる被加工物にも制限があった。′
また、放ｉ＋ｉ、加工中に電極が消耗すると加工精度が
低下するため、頻繁に交換しなければならないものであ
った。
本発明は、前記した従来技術の欠点に鑑みなされ、半導
体等の高抵抗材料でも簡単にワイヤカット放電加工によ
って切断加工のできる放電加工法を提供するにある。
体等の高抵抗材料でも簡単にワイヤカット放電加工によ
って切断加工のできる放電加工法を提供するにある。
本発明による放電加工法は、少なくとも２木のワイヤ電
極あるいは帯状＠極を用い、その電極に高電圧を印加す
ると共に、いずれか一方の電極を被加工物に接触させ、
他の電極を、被加工物に接触している電極の近傍の被加
工物表面に近ずけることにより、ワイヤ電極あるいは帯
状？ｔｔ極、Ｉ：被加工物間に放電を発生させるように
したこと全特徴とするものである。
極あるいは帯状＠極を用い、その電極に高電圧を印加す
ると共に、いずれか一方の電極を被加工物に接触させ、
他の電極を、被加工物に接触している電極の近傍の被加
工物表面に近ずけることにより、ワイヤ電極あるいは帯
状？ｔｔ極、Ｉ：被加工物間に放電を発生させるように
したこと全特徴とするものである。
以下、添付図に従って本発明の一実施例全詳述する。第
１図は不発明の放電加工法を説明する放電加工装置の全
体的（Ｎ成製であって、図中、１゜２は１ツイヤ寛極１
７ 、１８を巻取るリールで、電極リール３．４より繰
出されたワイヤ電極１７ 、１８をキャプスタン５．６
並びにブレーキローラ７．８を介して巻取られる。９は
数値制御装置で、数値制御でモータ１０ 、１１全駆動
し、そのモータ１０ 、１１により被加工物１６全載置
したテーブル１２を任意の方向に移動制御するものであ
る。−ｉた、１５は加工用直流電源装置であって、その
＋、−の電源端子１３゜１４はワイヤ電極１７．１８に
スライド接触している。
１図は不発明の放電加工法を説明する放電加工装置の全
体的（Ｎ成製であって、図中、１゜２は１ツイヤ寛極１
７ 、１８を巻取るリールで、電極リール３．４より繰
出されたワイヤ電極１７ 、１８をキャプスタン５．６
並びにブレーキローラ７．８を介して巻取られる。９は
数値制御装置で、数値制御でモータ１０ 、１１全駆動
し、そのモータ１０ 、１１により被加工物１６全載置
したテーブル１２を任意の方向に移動制御するものであ
る。−ｉた、１５は加工用直流電源装置であって、その
＋、−の電源端子１３゜１４はワイヤ電極１７．１８に
スライド接触している。
このように構成された放電加工装置において、放電加工
する場合は、まず、被加工物１６ヲワイヤ電極１７ 、
１８に接近させ、一方のワイヤ電極１７を第２図（ａ）
に示すように被加工物１６に接触させる。このとき、ワ
イヤ電極１７が被加工物１６に接触し、他方のワイヤ電
極１８は被加工物１６と隙間１９ヲもって位置しておジ
、この部分は油、水または不活性ガスで満されている。
する場合は、まず、被加工物１６ヲワイヤ電極１７ 、
１８に接近させ、一方のワイヤ電極１７を第２図（ａ）
に示すように被加工物１６に接触させる。このとき、ワ
イヤ電極１７が被加工物１６に接触し、他方のワイヤ電
極１８は被加工物１６と隙間１９ヲもって位置しておジ
、この部分は油、水または不活性ガスで満されている。
この状態で、ワイヤ電極１７全通して被加工物１６に通
電し、ワイヤ市、極１８と被加工物１６との隙間１９に
放電を発生させる。この間隙において放電を発生させる
ことによって、被加工物Ｉ６の表面２０が除去される。
電し、ワイヤ市、極１８と被加工物１６との隙間１９に
放電を発生させる。この間隙において放電を発生させる
ことによって、被加工物Ｉ６の表面２０が除去される。
次に、ｉ２図（ｂ）に示すように、ワイヤ電極１８を被
加工物１６の除去された表面２０に接触させ、ワイーヤ
電極１７を被加工物１６から離し、その状態で電源印加
する。すると、被加工物１６とワイヤ電極１７との間で
放電が発生し、被加工物１６の表面２２ヲ除去する。
加工物１６の除去された表面２０に接触させ、ワイーヤ
電極１７を被加工物１６から離し、その状態で電源印加
する。すると、被加工物１６とワイヤ電極１７との間で
放電が発生し、被加工物１６の表面２２ヲ除去する。
以下同様にワイヤ１Ｋｗ１１７と１８全交互に横加］二
物１６に接触せしめ、接触しない側のワイヤ■１．極と
被加工物間に放ＴＩＬ ｋ発生させ、被加工物を矢印Ａ
方向に放電加工する。すなわち、第２図（（！ＩＫ示す
ように被加工物１６の表面２３にクレータを生じせしめ
ながら、放電加工ｌ進行する。
物１６に接触せしめ、接触しない側のワイヤ■１．極と
被加工物間に放ＴＩＬ ｋ発生させ、被加工物を矢印Ａ
方向に放電加工する。すなわち、第２図（（！ＩＫ示す
ように被加工物１６の表面２３にクレータを生じせしめ
ながら、放電加工ｌ進行する。
以上のように、２木のワイヤ電極１７ 、１８を交互に
被加工物１６に接触させ、接触させないもう一方のワイ
ヤ電極と加］二物の間て放電・を発生させ、被加工物を
放電加工するものであるが、ここで、２本のワイヤ′に
極間の距離が小さい場合Ｑよ、ソイ−１′電極間で放電
が発生するおそれがあるので、ワイヤ電極１７ 、１８
間に絶縁材を介在することにより、または、ワイヤ市ｆ
＋１７．１８全絶縁処理し、放ｉ＋を加工近傍において
被加工物側のみを剥離することしこよってその不具合ヲ
ナくすことができる。
被加工物１６に接触させ、接触させないもう一方のワイ
ヤ電極と加］二物の間て放電・を発生させ、被加工物を
放電加工するものであるが、ここで、２本のワイヤ′に
極間の距離が小さい場合Ｑよ、ソイ−１′電極間で放電
が発生するおそれがあるので、ワイヤ電極１７ 、１８
間に絶縁材を介在することにより、または、ワイヤ市ｆ
＋１７．１８全絶縁処理し、放ｉ＋を加工近傍において
被加工物側のみを剥離することしこよってその不具合ヲ
ナくすことができる。
上述の第１図、第２図に示す実施例ではワイヤ電極と、
して説明したが、これに限らず、第３図に示すように金
属箔のようなイ１７状の電極２４ 、２５を並設し、前
述と同様に交互に被加工物１ｆｉＫ接触させ接触しない
側と被加工物との間隙２６で放電させることによっても
同様に加工可能である。この場合も当然ながら両電極間
は絶縁材が介在され、あるいは交互に動ける範囲で絶縁
利金コーテングするものである。
して説明したが、これに限らず、第３図に示すように金
属箔のようなイ１７状の電極２４ 、２５を並設し、前
述と同様に交互に被加工物１ｆｉＫ接触させ接触しない
側と被加工物との間隙２６で放電させることによっても
同様に加工可能である。この場合も当然ながら両電極間
は絶縁材が介在され、あるいは交互に動ける範囲で絶縁
利金コーテングするものである。
なお、上述の実施例では波加工物として半導体素子全形
成するウェハについて述べたが、こｈ［限らず、通電不
可能な材料を放電加工する場合に広く応用できるもので
ある。したがって、従来のように、ウェハ材料を切断す
るそれ専用の市、砂ヲ製造する必要がなく、不良導体を
切断するコストは著しく低減できる。
成するウェハについて述べたが、こｈ［限らず、通電不
可能な材料を放電加工する場合に広く応用できるもので
ある。したがって、従来のように、ウェハ材料を切断す
るそれ専用の市、砂ヲ製造する必要がなく、不良導体を
切断するコストは著しく低減できる。
」二連の実施例からも明らかなように不発明番でよれば
、不良導体の物質を簡単な構成の放電加工装Ｆによって
切断加工できるものであるから、大幅なコスト低減が達
成できる。また、′電極を送行させて放電加工するため
、１．極の消耗による加工鞘度の低下金防ぐことができ
、高抵抗材料を高精度で【刀断することができる。
、不良導体の物質を簡単な構成の放電加工装Ｆによって
切断加工できるものであるから、大幅なコスト低減が達
成できる。また、′電極を送行させて放電加工するため
、１．極の消耗による加工鞘度の低下金防ぐことができ
、高抵抗材料を高精度で【刀断することができる。
添付図は本発明の一実施例全説明するだめの図であつ゛
Ｃ１第１図は放電加工装置の全体的構成図、第２図（ａ
ｌ〜第２図（ｃｌは本発明Ｖこよる放’１１１加工原理
を説明する部分断面図、第３図は本発明の他の実施例を
説明する部分断面図である。 １．２・・・′電極ツイヤ巻取りリール、３．４・・・
電極リール、５，６・・・キャプスタン、７．８・・・
ブレーキローラ、９・・・′数値制御装置、■旧ＩＬ・
・・モータ、１２・・・波加工体固定用チーグル、１．
３．１４・・・通１■端子、１５・・・加工用電源、１
６・・・被加工物、１７．１．８・・・ワイヤを極、１
９ 、２６・・・放電間隙、 ２０〜２２・・・加工面
、２３・・・加工部表面、２４ 、２５・・帯状電極。 代理人 弁理士 秋 本 正 実第２図 （ａ） （ｂ） 請 （Ｃ） 第３図 、１６
Ｃ１第１図は放電加工装置の全体的構成図、第２図（ａ
ｌ〜第２図（ｃｌは本発明Ｖこよる放’１１１加工原理
を説明する部分断面図、第３図は本発明の他の実施例を
説明する部分断面図である。 １．２・・・′電極ツイヤ巻取りリール、３．４・・・
電極リール、５，６・・・キャプスタン、７．８・・・
ブレーキローラ、９・・・′数値制御装置、■旧ＩＬ・
・・モータ、１２・・・波加工体固定用チーグル、１．
３．１４・・・通１■端子、１５・・・加工用電源、１
６・・・被加工物、１７．１．８・・・ワイヤを極、１
９ 、２６・・・放電間隙、 ２０〜２２・・・加工面
、２３・・・加工部表面、２４ 、２５・・帯状電極。 代理人 弁理士 秋 本 正 実第２図 （ａ） （ｂ） 請 （Ｃ） 第３図 、１６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、走行する複数本のワイヤ状または帯状の電極を交互
に被加工物に接触せしめ、接触せしめない電極を被加工
物の前記接触部位に近接する箇所で被加工物に接近させ
、該複数本の電極間に高電回金印加し、被加工物とこれ
に接近して走行する電極との間で放電させて被加工物全
加工すること全特徴とする放電加工法。 λ 前記、走行する複数本の電極として、対面側が絶縁
処理されているものを使用することを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の放電加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15180082A JPS5942224A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 放電加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15180082A JPS5942224A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 放電加工法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942224A true JPS5942224A (ja) | 1984-03-08 |
| JPH0112609B2 JPH0112609B2 (ja) | 1989-03-01 |
Family
ID=15526571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15180082A Granted JPS5942224A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 放電加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942224A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4762974A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-09 | Harry Kern | Electrically independent wire electroerosion discharge machine |
| US4797526A (en) * | 1985-01-18 | 1989-01-10 | Inoue Japax Research Incorporated | Method for wire-cut electric discharge machining utilizing adjoining segments of a common electrode |
| EP0781619A1 (en) * | 1995-12-15 | 1997-07-02 | Cree Research, Inc. | Method of making silicone carbide wafers from silicon carbide bulk crystals |
| US6242709B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-06-05 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive wafers, method for manufacturing thin-plate sintered compacts, method for manufacturing ceramic substrates for thin-film magnetic head, and method for machining conductive wafers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5252291A (en) * | 1975-09-04 | 1977-04-26 | De Beers Ind Diamond | Method of fusion cutting material by use of spark discharge and apparatus therefor |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP15180082A patent/JPS5942224A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5252291A (en) * | 1975-09-04 | 1977-04-26 | De Beers Ind Diamond | Method of fusion cutting material by use of spark discharge and apparatus therefor |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4797526A (en) * | 1985-01-18 | 1989-01-10 | Inoue Japax Research Incorporated | Method for wire-cut electric discharge machining utilizing adjoining segments of a common electrode |
| US4762974A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-09 | Harry Kern | Electrically independent wire electroerosion discharge machine |
| EP0781619A1 (en) * | 1995-12-15 | 1997-07-02 | Cree Research, Inc. | Method of making silicone carbide wafers from silicon carbide bulk crystals |
| US6242709B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-06-05 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive wafers, method for manufacturing thin-plate sintered compacts, method for manufacturing ceramic substrates for thin-film magnetic head, and method for machining conductive wafers |
| CN1101738C (zh) * | 1998-07-29 | 2003-02-19 | 住友特殊金属株式会社 | 导电性薄片、薄板烧结体及陶瓷基片的制造及加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0112609B2 (ja) | 1989-03-01 |
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