JPS5941821A - 光磁気記録用非晶質磁性多層膜の製造方法 - Google Patents
光磁気記録用非晶質磁性多層膜の製造方法Info
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- JPS5941821A JPS5941821A JP15169382A JP15169382A JPS5941821A JP S5941821 A JPS5941821 A JP S5941821A JP 15169382 A JP15169382 A JP 15169382A JP 15169382 A JP15169382 A JP 15169382A JP S5941821 A JPS5941821 A JP S5941821A
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- JP
- Japan
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- film
- layer
- bias sputtering
- coercive force
- sputtering method
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/3204—Exchange coupling of amorphous multilayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光磁気記録用非晶質磁性多層薄膜に関するも
ので、特に、大面積で一様性がよく、かつ小ピットを安
定に書き込むことのできる希土類−鉄族合金系非晶質磁
性薄膜の新規な構成にかかわるものである。
ので、特に、大面積で一様性がよく、かつ小ピットを安
定に書き込むことのできる希土類−鉄族合金系非晶質磁
性薄膜の新規な構成にかかわるものである。
Ｇ ｄ Ｃｏ ｖ ＧｄＦｅなどの非晶質磁性薄膜は、
その製作方法によっては膜面に垂直な磁気異方性をもた
せることができるので、記録密度を大幅に向上し得る可
能性がある。また、磁性体自体は書き換え可能な記録媒
体であり、この種の非晶質磁性薄膜は、非晶質であるが
故に結晶粒界に起因するノイズが無い等の長所も備えて
いる。従って、がかる非晶質磁性Ｎ膜は、書き換え可能
な高密度光磁気記録媒体としてビデイオディスクなどへ
の応用が有望視されている。
その製作方法によっては膜面に垂直な磁気異方性をもた
せることができるので、記録密度を大幅に向上し得る可
能性がある。また、磁性体自体は書き換え可能な記録媒
体であり、この種の非晶質磁性薄膜は、非晶質であるが
故に結晶粒界に起因するノイズが無い等の長所も備えて
いる。従って、がかる非晶質磁性Ｎ膜は、書き換え可能
な高密度光磁気記録媒体としてビデイオディスクなどへ
の応用が有望視されている。
非晶質磁性薄膜を光磁気記録媒体として実用化するに際
しての問題点としては、大面積で一様性がよく、シかも
室温など通常の使用条件下で適当な強度のレーザ光によ
って書き込み可能な垂直磁化膜をいかにして形成するか
、および記録小ピットの安定化を図って記録密度を向上
させるがということがある。ＧｄＣｏの場合、垂直磁化
膜を作るためバイアススパッタ法を用いる場合が多いが
、バイアススパッタ法によればＭＷが選択的にｒ５スパ
ッタされ、膜中の酸素量が減少し、しかも酸素分布が一
様となり、磁気的−磁性も増大する。
しての問題点としては、大面積で一様性がよく、シかも
室温など通常の使用条件下で適当な強度のレーザ光によ
って書き込み可能な垂直磁化膜をいかにして形成するか
、および記録小ピットの安定化を図って記録密度を向上
させるがということがある。ＧｄＣｏの場合、垂直磁化
膜を作るためバイアススパッタ法を用いる場合が多いが
、バイアススパッタ法によればＭＷが選択的にｒ５スパ
ッタされ、膜中の酸素量が減少し、しかも酸素分布が一
様となり、磁気的−磁性も増大する。
ここで、参考文献としては、Ｙ、Ｔｏｇａｍｌ ａｎｄ
Ｋ、Ｋｏｂａｙａｓｈ ｌ ：Ｊｐｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｇ 、、 Ｖｏ ｌａ、 Ｎｏ ｇ （／９
ｇ／ ）。
Ｋ、Ｋｏｂａｙａｓｈ ｌ ：Ｊｐｎ、 Ｊ、Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｇ 、、 Ｖｏ ｌａ、 Ｎｏ ｇ （／９
ｇ／ ）。
ＰＰ ／グ（７〜ｉｙｔ夕、がある。
しかし、膜がきれいになり磁壁移動度が大となるから、
第１図の室温におけるカーヒステリシスループの実測例
に示すように保磁力Ｈ０が小さくなり過ぎて、小ビット
を安定に書き込むことができなくなる。第１図において
、曲線■はゼロバイアススパッタによる１層、曲線■は
本発明によるバイアススパッタとゼロバイアススパッタ
による’層、曲Ｍｌｌはバイアススパッタによる７層の
場合をそれぞれ示す。
第１図の室温におけるカーヒステリシスループの実測例
に示すように保磁力Ｈ０が小さくなり過ぎて、小ビット
を安定に書き込むことができなくなる。第１図において
、曲線■はゼロバイアススパッタによる１層、曲線■は
本発明によるバイアススパッタとゼロバイアススパッタ
による’層、曲Ｍｌｌはバイアススパッタによる７層の
場合をそれぞれ示す。
一方、ゼロバイアススパッタ法では垂直磁化膜は得られ
に＜＜、−４η性も充分なものは？Ｕられにくいが、第
１１ｍの室温におけるカーヒスプリシスループの比較か
られかるように保磁力Ｈ０の大きいものが得られ、小ビ
ットを安定に書き込めるので、記録密度を上げることが
可能になる。
に＜＜、−４η性も充分なものは？Ｕられにくいが、第
１１ｍの室温におけるカーヒスプリシスループの比較か
られかるように保磁力Ｈ０の大きいものが得られ、小ビ
ットを安定に書き込めるので、記録密度を上げることが
可能になる。
ここで、Ｇｃｌ’Ｃｏ膜を記録媒体として使用する場合
、補償’ＩＬＡ度付近で保磁力が急激に減少する性質を
利用しており、膜の補償温度を室温付近に選ぶのが実用
的である。
、補償’ＩＬＡ度付近で保磁力が急激に減少する性質を
利用しており、膜の補償温度を室温付近に選ぶのが実用
的である。
なお、第１図の保磁力の温度変化は補償温度Ｔｃｏｍｐ
が同じ値を持つものとして示している。
が同じ値を持つものとして示している。
以上では、非晶質磁性薄膜を光磁気記録用材料として実
用化するに際しての問題点を解決するにあたり単一層の
場合、従来試みられてきた例について述べてきたが、こ
れらの方法ですべての問題点を解決して、充分実用に供
し得るものはいまだ得られていなかった。
用化するに際しての問題点を解決するにあたり単一層の
場合、従来試みられてきた例について述べてきたが、こ
れらの方法ですべての問題点を解決して、充分実用に供
し得るものはいまだ得られていなかった。
また、記録小ビットを安定化するための試みとして記録
媒体を多層フィルムとすることが行われてきた。
媒体を多層フィルムとすることが行われてきた。
以下その例について述べる。
従来からある多層膜による改良法として、水平方向の磁
化膜で磁性層の中間にＳｉＯなどの非砕性中聞膜を用い
たサンドイッチ構造によりビット密度の向上を図った例
が／９Ａｋ年にＪ、Ｃ，Ｂｒｕｙｅｒｅ。
化膜で磁性層の中間にＳｉＯなどの非砕性中聞膜を用い
たサンドイッチ構造によりビット密度の向上を図った例
が／９Ａｋ年にＪ、Ｃ，Ｂｒｕｙｅｒｅ。
Ｇ、Ｃ１ｅｒｅ、 ０．Ｍａｓｓｅｎｅｔ、 Ｄ、Ｉ’
ａｅｃａｒｄ、 Ｒ，Ｍｏｎｔｍｏｒｙ。
ａｅｃａｒｄ、 Ｒ，Ｍｏｎｔｍｏｒｙ。
Ｌ、Ｎｅｅｌ、 Ｊ、Ｖａｌｌｎ、 ａｎｄ Ａ、Ｙｅ
ｌｏｎ：ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ、。
ｌｏｎ：ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ、。
ＭＡＧ−／、 ／７グ（１９ｇｔ）において報告されて
いる。この例は、非磁性層を中間媒体に用い、その上下
の磁性層は同一特性の水平磁化膜をなし、記録は」ニ下
の膜全体になされ上下を合わセた全体の特性を利用して
磁気へ゛ンドで１Ｔ３ｊ４み出すようにした記録媒体で
ある。
いる。この例は、非磁性層を中間媒体に用い、その上下
の磁性層は同一特性の水平磁化膜をなし、記録は」ニ下
の膜全体になされ上下を合わセた全体の特性を利用して
磁気へ゛ンドで１Ｔ３ｊ４み出すようにした記録媒体で
ある。
また、希土ル１と鉄族の両金属よりなる非晶質磁ｆ’ｂ
薄Ｈ＜’−において、スパッタリング条件を変化させ
、上下の組成比を変えることによって１−Ｆき込みビッ
トの安定化を図った例がＹ、Ｔｏｇａｍｉ ：Ａｐｐｌ
ｄ’ｌ＋ｙｓ。
薄Ｈ＜’−において、スパッタリング条件を変化させ
、上下の組成比を変えることによって１−Ｆき込みビッ
トの安定化を図った例がＹ、Ｔｏｇａｍｉ ：Ａｐｐｌ
ｄ’ｌ＋ｙｓ。
Ｌｅｔｔ、Ｊｊ、（／９７ｇ）Ａ７．３．、特願昭Ａ；
３−．２ｇり３６号あるいは米国特許第グ啄、ｙｔ、ｚ
ｔ号に開示されている。この方法は上下の組Ｊあ比を変
化°させて補償温度を上下で変えることによってビット
の安定化を図ろうとするものである。
３−．２ｇり３６号あるいは米国特許第グ啄、ｙｔ、ｚ
ｔ号に開示されている。この方法は上下の組Ｊあ比を変
化°させて補償温度を上下で変えることによってビット
の安定化を図ろうとするものである。
これら多層フ１ルム上の記録小ビットの安定化としては
以下のｊ１リリいくつかの理由が考えられる。
以下のｊ１リリいくつかの理由が考えられる。
／）多層にわたって記録される場合、記録ビットの磁壁
がそれら多層の境界領域によって固定され動きが制限さ
れる。
がそれら多層の境界領域によって固定され動きが制限さ
れる。
２）一つの層の補償温度が室温近傍にあってその層の反
磁界が小さく、もう一つの層の補償温度を室温からずら
して反磁界を大きくしたので、記録ビットの周囲の大き
な反磁界によってヒ゛ントの安定化が図られる。
磁界が小さく、もう一つの層の補償温度を室温からずら
して反磁界を大きくしたので、記録ビットの周囲の大き
な反磁界によってヒ゛ントの安定化が図られる。
３）酸化や大きな反磁界によって磁化はしはしく丁垂直
方向から傾いているが、垂直磁化膜と水平磁化膜との２
層梅造を用いて磁力線がａ層間で連結したループになる
ようにすると記録さｔまたビットが安定化される。
方向から傾いているが、垂直磁化膜と水平磁化膜との２
層梅造を用いて磁力線がａ層間で連結したループになる
ようにすると記録さｔまたビットが安定化される。
多層フィルムにおける小ビットの安定化については、以
上いくつかの理由は考えられるものの、推論の域を出る
ものではなく、決定的にこの現象が解明されているとは
いえないが、物理的特性の異なる層を複数層用いて、多
層フィルムとすることによりそれら層間の相互作用によ
り小ビ゛ントの安定化が図られていることがわかる０ そこで、本発明の目的は、大面積にわたって一様性がよ
く、シかも保磁力を大きく１−るｔ【ど１７て単一層に
対する特性改善を図った膜と小ビ・ントの安定化のため
の多層膜梠造とを適切に組み合わせて、各層がｊｐ独に
て有する欠点を、多層し！構ＹＩ：とすることによりそ
れら多層膜の相互作用によって除去して、実用上充分７
：ｃ程度に特性改善を図った非晶質磁性多Ｆ１搏Ｉｌす
を提供することにある。
上いくつかの理由は考えられるものの、推論の域を出る
ものではなく、決定的にこの現象が解明されているとは
いえないが、物理的特性の異なる層を複数層用いて、多
層フィルムとすることによりそれら層間の相互作用によ
り小ビ゛ントの安定化が図られていることがわかる０ そこで、本発明の目的は、大面積にわたって一様性がよ
く、シかも保磁力を大きく１−るｔ【ど１７て単一層に
対する特性改善を図った膜と小ビ・ントの安定化のため
の多層膜梠造とを適切に組み合わせて、各層がｊｐ独に
て有する欠点を、多層し！構ＹＩ：とすることによりそ
れら多層膜の相互作用によって除去して、実用上充分７
：ｃ程度に特性改善を図った非晶質磁性多Ｆ１搏Ｉｌす
を提供することにある。
かかる目的を達成１−るために、本発明は、基板を治し
、該基板上に、バイアススパッタ法で付着させた膜とゼ
ロバイアススパッタ法で４９着させた膜とからなる。２
つの層を少なくとも有することを特徴とする。
、該基板上に、バイアススパッタ法で付着させた膜とゼ
ロバイアススパッタ法で４９着させた膜とからなる。２
つの層を少なくとも有することを特徴とする。
以下、図面をた照して、本発明の詳細な説明する。
第、２図は本発明による。２Ｆ７／構造の記録媒体の一
例を示し、ここで、基板ｌ土にバイアススパッタ法によ
り第１層の膜２を形成する。この層コに具体的に記録を
行う。第、２層３はゼロバイアススパッタ法により）５
％９．２Ｊ二に作灸専された膜であり、第１Ｍ ：ｌに
作用し“にのＦ？ｉｓの保磁力が大になるよう働く。
例を示し、ここで、基板ｌ土にバイアススパッタ法によ
り第１層の膜２を形成する。この層コに具体的に記録を
行う。第、２層３はゼロバイアススパッタ法により）５
％９．２Ｊ二に作灸専された膜であり、第１Ｍ ：ｌに
作用し“にのＦ？ｉｓの保磁力が大になるよう働く。
このような、２層構造にすると、第１層コは第１図に点
線で示した′１″、ｙ性をもつ膜になる。この膜コは１
バイアススパツタ法で作った膿の特徴をもち、つまり大
面積にわたり一様性がよく、シがも一層膜にしたことに
より直径／ Ｉｔｍ （らいの小さいビットを安定に書
き込むことができる性質分もつ。
線で示した′１″、ｙ性をもつ膜になる。この膜コは１
バイアススパツタ法で作った膿の特徴をもち、つまり大
面積にわたり一様性がよく、シがも一層膜にしたことに
より直径／ Ｉｔｍ （らいの小さいビットを安定に書
き込むことができる性質分もつ。
さらに１−２層膜の膜厚を変化させると、すなわちスパ
ッタリング時間を適当に変化させることによりＳ第１図
において点線を自由に上下に制御することができる。こ
の方法によって記録媒体として最適な保磁力をもつ磁性
薄膜を作ることができる。
ッタリング時間を適当に変化させることによりＳ第１図
において点線を自由に上下に制御することができる。こ
の方法によって記録媒体として最適な保磁力をもつ磁性
薄膜を作ることができる。
光磁気記録媒体としてこの種の物質を考えたとき、保磁
力が大きい程小さいビットを安定に書けるが、あまり大
きいと書き込み用レーザ出力に限界があり、実用的でな
くなるので適当な保磁力を選び得ることは実用上は重要
なことである。
力が大きい程小さいビットを安定に書けるが、あまり大
きいと書き込み用レーザ出力に限界があり、実用的でな
くなるので適当な保磁力を選び得ることは実用上は重要
なことである。
以下、非晶質ＧｄＣｏ磁性薄膜を例にとって本発明の具
体例について述べる。
体例について述べる。
第１ＦＷ！１．２は放電電圧：八りｋＶ、バイアス■、
圧ニーｌθＯＶ１膜厚を１００ ｎｍ程度にスパッタリ
ングする０この時の枦−膜のカーヒステリシスループを
スパッタ装置のターゲットの中心からの距ｆｌｆ Ｘに
応じて示すと、第３図のようになる。ここで、保磁力Ｈ
ｃは一一〇〇ｅ稈度であることがわかる。
圧ニーｌθＯＶ１膜厚を１００ ｎｍ程度にスパッタリ
ングする０この時の枦−膜のカーヒステリシスループを
スパッタ装置のターゲットの中心からの距ｆｌｆ Ｘに
応じて示すと、第３図のようになる。ここで、保磁力Ｈ
ｃは一一〇〇ｅ稈度であることがわかる。
第１／図はバイアススパッタ法により作製された単一層
の膜において一様性が増大した結果を示す。
の膜において一様性が増大した結果を示す。
第７図には基板／の中心がらの型部に対する酸素用の分
布の捏子とカーヒステリシスループの変化のバイアス依
存性についての測定結果を示ず。ゼロバイアススパッタ
法により作製された膜（Ｖｂ＝θＶ）とＪｆ； 較しで
、バイアススパッタ法によす作製された膜（ｖｋ＋−／
００ Ｖ ）においては、酸素分布は一様になり、磁
気的特性の一様性も増大していることがわかる。しかし
、バイアススパッタ法で作製された膜は２１″ＪＪ ｆ
；Ｙｌに示すように保磁力Ｈｅが小さくなり過きで、小
さいビットを安定に書き込めｙ、ｊ くなる欠点がある
。
布の捏子とカーヒステリシスループの変化のバイアス依
存性についての測定結果を示ず。ゼロバイアススパッタ
法により作製された膜（Ｖｂ＝θＶ）とＪｆ； 較しで
、バイアススパッタ法によす作製された膜（ｖｋ＋−／
００ Ｖ ）においては、酸素分布は一様になり、磁
気的特性の一様性も増大していることがわかる。しかし
、バイアススパッタ法で作製された膜は２１″ＪＪ ｆ
；Ｙｌに示すように保磁力Ｈｅが小さくなり過きで、小
さいビットを安定に書き込めｙ、ｊ くなる欠点がある
。
ゼロバイアス法によるｆｆｒ 、！ ＪＰ、： 、ｙは
放ＷＥ電圧：／、りに■、バイアス電圧：θＶで、膜厚
を１００ ｎｍ程度としてスパッタリング１゛る。
放ＷＥ電圧：／、りに■、バイアス電圧：θＶで、膜厚
を１００ ｎｍ程度としてスパッタリング１゛る。
その時の単一１１′Ｍのカーヒステリシスループをター
ゲット中心からの距Ｍ ｘに応じて示すと第５図のＪ：
うになる。ここで、保磁力Ｈ０は／Ｌ２θｏｅ程度であ
り、第１ｆＭコと比較して保磁力が大となっていること
がわかる。しかし、ヒステリシスループの形は角形性が
くずれ、きれいな垂直磁化＋１！ｉ？となっていない。
ゲット中心からの距Ｍ ｘに応じて示すと第５図のＪ：
うになる。ここで、保磁力Ｈ０は／Ｌ２θｏｅ程度であ
り、第１ｆＭコと比較して保磁力が大となっていること
がわかる。しかし、ヒステリシスループの形は角形性が
くずれ、きれいな垂直磁化＋１！ｉ？となっていない。
そこで、上に述べたような冬作のもとで、ａつの層を７
回のスパッタリング中に連続して作って本発明非晶質磁
性多層薄Ｍ”ｊ： ’ＩＩ造にすると、第を図Ｇ）〜Ｃ
）に示マーような結果／ン３召Ｊられた。なお、同図で
ターゲット中心からの距１１１ｆｉ Ｘ ＝ Ａ ｃｍ
のループは保磁力１１ｃが大きくなっているが、これは
基板の端の影響が現われたからであり、ターゲット中心
部と端ｍζを除いた部分はかなり一様性が向」−シてい
る。具体的な作製法は、まず上記バイアススパッタ法に
よる鍋件のもとで第１層λを基板ｌ上にスパッタリング
した後、ゼロバイアスにし、同時にスパッタ装置のヂュ
ーニングをＡ ’２４に’ｍ９１ 整して放’Ｒ［流が
所定の値になるように七ットして第′コＭ３をゼロバイ
アススパッタリングにより付着させればよい。
回のスパッタリング中に連続して作って本発明非晶質磁
性多層薄Ｍ”ｊ： ’ＩＩ造にすると、第を図Ｇ）〜Ｃ
）に示マーような結果／ン３召Ｊられた。なお、同図で
ターゲット中心からの距１１１ｆｉ Ｘ ＝ Ａ ｃｍ
のループは保磁力１１ｃが大きくなっているが、これは
基板の端の影響が現われたからであり、ターゲット中心
部と端ｍζを除いた部分はかなり一様性が向」−シてい
る。具体的な作製法は、まず上記バイアススパッタ法に
よる鍋件のもとで第１層λを基板ｌ上にスパッタリング
した後、ゼロバイアスにし、同時にスパッタ装置のヂュ
ーニングをＡ ’２４に’ｍ９１ 整して放’Ｒ［流が
所定の値になるように七ットして第′コＭ３をゼロバイ
アススパッタリングにより付着させればよい。
第１図は両ＪＰ１コおよび３のスパッタリング時間を変
えることにより厚さを次の第１表に示すように種々に変
化させた時の第１層膜コのカーヒステリシスループを示
す−０ 第１表 このようにして作製された膜には直径１μｍくらいの小
さいビットを安定に書き込むことができる。また、第６
図（４）〜（Ｃ）を比較対照するとわかるように、画Ｗ
ｉ、２および３の膜厚を変化させることによって保磁力
Ｉｔｃを自由に制御できる。なお、本例によれば、ｍ３
Ｈの場合の保磁力Ｈｅより大きい保磁力が得られている
ことが゛わかる。
えることにより厚さを次の第１表に示すように種々に変
化させた時の第１層膜コのカーヒステリシスループを示
す−０ 第１表 このようにして作製された膜には直径１μｍくらいの小
さいビットを安定に書き込むことができる。また、第６
図（４）〜（Ｃ）を比較対照するとわかるように、画Ｗ
ｉ、２および３の膜厚を変化させることによって保磁力
Ｉｔｃを自由に制御できる。なお、本例によれば、ｍ３
Ｈの場合の保磁力Ｈｅより大きい保磁力が得られている
ことが゛わかる。
以上から明らかなように、本発明によれば、大面積にわ
たって一様性がよく、シかも直径／ 、ｍ程度の小さい
ビットを安定に書き込むことができるよう外希土類−鉄
族合金系非晶質磁性多層薄膜を提供することができる。
たって一様性がよく、シかも直径／ 、ｍ程度の小さい
ビットを安定に書き込むことができるよう外希土類−鉄
族合金系非晶質磁性多層薄膜を提供することができる。
また、本発明によれば、保磁力■■。の値を自由に制御
できるので、種々の用途に合わせて磁性材料を作製する
こともできる。
できるので、種々の用途に合わせて磁性材料を作製する
こともできる。
また、バイ°アススパッタリング膜とゼロバイアススパ
ッタリング膜の順序を逆にしてもよく、さらに本発明の
効果を損わない範囲で３層以上とし、もしくは誘電体層
など他の物質による層を含んでもよい。
ッタリング膜の順序を逆にしてもよく、さらに本発明の
効果を損わない範囲で３層以上とし、もしくは誘電体層
など他の物質による層を含んでもよい。
また、以上の説明はＧｄＣｏ膜の例について述べたが、
ＧｄＦｅなど他の非晶質磁性薄膜にも本発明を適用し得
ることは明らかである。
ＧｄＦｅなど他の非晶質磁性薄膜にも本発明を適用し得
ることは明らかである。
第１図は種々の膜の温度に対する保磁力Ｈｅの変化を、
カーヒステリシスループと共に示す図、第、２図は本発
明非晶質磁性多層薄膜の・実施例を示す断面図、第３図
はバイアススパッタ時のカーヒステリシスループをター
ゲット中心からの距離を種々変えて示す図、第り図は基
板中心からの距離に対する酸素量とカーヒステリシスル
ープの変化のバイアス電圧依存性とを示す図、第左図は
ゼ四バイアス時のカーヒステリシスループをターゲット
中心からの距離を種々変えて示す図、第６図（４）〜（
Ｃ）は本発明により作製されたＧｄＣｏ膜のカーヒステ
リシスルー１３種々の膜厚について示す図である。 ／・・・基 板、 −・・・バイアススパッタ法によす作製された第１層の
膜、 ３・・・ゼロバイアススパッタ法により作製された第、
２層の膜。 特許出願人 日本放送協会 第３図 カーσ転角 第４図 基板中ノ０からの了巨離 第５図 々、−＞ンＪ介桃刹凪破×Ｂ や−ドブ１斗・ｐｅ目枦×５ 當 弘−トクーｔ−会兵ａｓ囮菫×ｈ 手続補正書 昭和３７年７１．２９日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 特願昭！り＃ ｉｚｔ６ｇ３号 乙０発明の名称 非晶質磁性多層薄膜 補正をする者 事件との関係 特 押出願人（４３５）日本
放送協会 ４、イ 」正の対象 図 面 、］正の内容 第１図および第６図囚〜Ｃ）を別紙の
通りに訂正する。 第１図 （Ａ） 第６図 （Ｂ） （Ｃ）
カーヒステリシスループと共に示す図、第、２図は本発
明非晶質磁性多層薄膜の・実施例を示す断面図、第３図
はバイアススパッタ時のカーヒステリシスループをター
ゲット中心からの距離を種々変えて示す図、第り図は基
板中心からの距離に対する酸素量とカーヒステリシスル
ープの変化のバイアス電圧依存性とを示す図、第左図は
ゼ四バイアス時のカーヒステリシスループをターゲット
中心からの距離を種々変えて示す図、第６図（４）〜（
Ｃ）は本発明により作製されたＧｄＣｏ膜のカーヒステ
リシスルー１３種々の膜厚について示す図である。 ／・・・基 板、 −・・・バイアススパッタ法によす作製された第１層の
膜、 ３・・・ゼロバイアススパッタ法により作製された第、
２層の膜。 特許出願人 日本放送協会 第３図 カーσ転角 第４図 基板中ノ０からの了巨離 第５図 々、−＞ンＪ介桃刹凪破×Ｂ や−ドブ１斗・ｐｅ目枦×５ 當 弘−トクーｔ−会兵ａｓ囮菫×ｈ 手続補正書 昭和３７年７１．２９日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 特願昭！り＃ ｉｚｔ６ｇ３号 乙０発明の名称 非晶質磁性多層薄膜 補正をする者 事件との関係 特 押出願人（４３５）日本
放送協会 ４、イ 」正の対象 図 面 、］正の内容 第１図および第６図囚〜Ｃ）を別紙の
通りに訂正する。 第１図 （Ａ） 第６図 （Ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- 基板を有し、該基板上に、バイアススパッタ法で付着さ
せた膜とゼロバイアススパッタ法で付着させた膜とから
なる一つの層を少なくとも有することを特徴とする非晶
質磁性多層薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15169382A JPS5941821A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 光磁気記録用非晶質磁性多層膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15169382A JPS5941821A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 光磁気記録用非晶質磁性多層膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941821A true JPS5941821A (ja) | 1984-03-08 |
| JPH0324765B2 JPH0324765B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=15524194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15169382A Granted JPS5941821A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 光磁気記録用非晶質磁性多層膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472031A2 (en) * | 1990-08-23 | 1992-02-26 | International Business Machines Corporation | Thin film structures for magnetic recording heads |
| US9339866B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-05-17 | Sintokogio, Ltd. | Core sand filling method |
| US9533345B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-01-03 | Sintokogio, Ltd. | Core-molding device, and core-molding method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109190A (en) * | 1976-03-09 | 1977-09-13 | Nec Corp | Method of producing nonctystallized ferro-magnetic membran |
| JPS5775412A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Manufacture of thin film |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP15169382A patent/JPS5941821A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109190A (en) * | 1976-03-09 | 1977-09-13 | Nec Corp | Method of producing nonctystallized ferro-magnetic membran |
| JPS5775412A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Manufacture of thin film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472031A2 (en) * | 1990-08-23 | 1992-02-26 | International Business Machines Corporation | Thin film structures for magnetic recording heads |
| US9533345B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-01-03 | Sintokogio, Ltd. | Core-molding device, and core-molding method |
| US9339866B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-05-17 | Sintokogio, Ltd. | Core sand filling method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324765B2 (ja) | 1991-04-04 |
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