JPS5940529A - 電子ビ−ム転写装置 - Google Patents
電子ビ−ム転写装置Info
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- JPS5940529A JPS5940529A JP15092882A JP15092882A JPS5940529A JP S5940529 A JPS5940529 A JP S5940529A JP 15092882 A JP15092882 A JP 15092882A JP 15092882 A JP15092882 A JP 15092882A JP S5940529 A JPS5940529 A JP S5940529A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光電マスクを用いた電子ビーム転写装置の改
良に関する。
良に関する。
近時、集積回路の高密度化に伴い、微細ノ々ターン形成
技術の主流をなしてきたフォトリングラフィはその限界
が指摘され、この限界を破る技術として電子ビームやＸ
線による新しいりソグラフィが急速に進歩している。そ
して最近、試料に対して平行に配置した光電マスクに紫
外光を照射することによって放出さｉした光電子を、試
料及びマスク間の均一な電界と（１′嵯界とで試料上に
集束させ、マスク上のパターンを試料上に転写する電子
ビーム転写装置が開発されるに至っている。この装置は
、高速転写がｉｉＪ能であるため高い生産性を有する、
マスク構造がフォトマスクと類似しているため従来技術
を利用できる、及び比較的高い解像度が得られる等の実
用的利点を有し、サブミクロンの微細パターン加工に極
めて有望である。
技術の主流をなしてきたフォトリングラフィはその限界
が指摘され、この限界を破る技術として電子ビームやＸ
線による新しいりソグラフィが急速に進歩している。そ
して最近、試料に対して平行に配置した光電マスクに紫
外光を照射することによって放出さｉした光電子を、試
料及びマスク間の均一な電界と（１′嵯界とで試料上に
集束させ、マスク上のパターンを試料上に転写する電子
ビーム転写装置が開発されるに至っている。この装置は
、高速転写がｉｉＪ能であるため高い生産性を有する、
マスク構造がフォトマスクと類似しているため従来技術
を利用できる、及び比較的高い解像度が得られる等の実
用的利点を有し、サブミクロンの微細パターン加工に極
めて有望である。
第１図はこのような電子ビーム転写装置の一例を示す概
略構成図である。図中１は転写室を形成する真空容器で
、この容器１内は真空ポンプ２により１０＝ ［：Ｔｏ
ｒｒ ）程度に真空排気されている。真空容器１の内部
には光電マスク３及びこの光電マスク３の光電面に、例
えば５（ｎ〕程度離間して対向配置された試料４が収容
される。
略構成図である。図中１は転写室を形成する真空容器で
、この容器１内は真空ポンプ２により１０＝ ［：Ｔｏ
ｒｒ ）程度に真空排気されている。真空容器１の内部
には光電マスク３及びこの光電マスク３の光電面に、例
えば５（ｎ〕程度離間して対向配置された試料４が収容
される。
なお、上記光電マスク３は第２図にその拡大図を示す如
く紫外光を透過する石英基板３ａ１この基板３ａ土に所
望のパターンを形成して設けられた紫外光吸収部拐から
なるマスク・ゼターン３ｂ及びマスクパターン３ｂＫ遮
ぎられることなく到達した紫外光を受けて光電子を放出
するＣｓＩ等からなる光電面３ｃで形成されている。
く紫外光を透過する石英基板３ａ１この基板３ａ土に所
望のパターンを形成して設けられた紫外光吸収部拐から
なるマスク・ゼターン３ｂ及びマスクパターン３ｂＫ遮
ぎられることなく到達した紫外光を受けて光電子を放出
するＣｓＩ等からなる光電面３ｃで形成されている。
また、前記試料４１−１光電マスク３と対向する面にＰ
ＭＭＡ （ｆ！リメチルメタクリレート）笠のＩＩ＆電
子線レジし）４ｍを塗布されたものである。
ＭＭＡ （ｆ！リメチルメタクリレート）笠のＩＩ＆電
子線レジし）４ｍを塗布されたものである。
一方、前記ｔｃ臣容器１の外部には光源５が設けられて
いる。光源５は紫外光を発光するもので、その紫外光は
紫外光透過悉６を介してＪＣ空容器１内の光電マスク３
に照射される。また、真空容器１の外部にはへルムホル
ム型コイルからなる集束マグネット７及び筐流電源８が
設けられている。そして、上記集束マグネット７により
前記光電マスク３と試料４との対向方向に沿って磁界が
印加される。さらに、上記電源８により光電マスク３と
試料４との間に例えば２０［ｋＶ）程度の直流電圧が印
力［１さ）する。つまシ、光電マスク３と試料４との間
ｅ仁）；］、 、これらの対向方向に沿って磁界及び１
Ｊｉ界が印加されるものとなっている。
いる。光源５は紫外光を発光するもので、その紫外光は
紫外光透過悉６を介してＪＣ空容器１内の光電マスク３
に照射される。また、真空容器１の外部にはへルムホル
ム型コイルからなる集束マグネット７及び筐流電源８が
設けられている。そして、上記集束マグネット７により
前記光電マスク３と試料４との対向方向に沿って磁界が
印加される。さらに、上記電源８により光電マスク３と
試料４との間に例えば２０［ｋＶ）程度の直流電圧が印
力［１さ）する。つまシ、光電マスク３と試料４との間
ｅ仁）；］、 、これらの対向方向に沿って磁界及び１
Ｊｉ界が印加されるものとなっている。
しかして、前記光源５からの紫外光奢光゛ｉ；マスク３
に照射すると、このマスク３からマスクパターン３ｂに
応じた光電子が放出され、この光電子が前記磁界及び電
界により集束Ａれ、試料４に照射される。これにより、
試料４土のレジン）４ａが上記マスクパターン３ｂに応
じて露光されることになる。かくして九′１Ｂ、マスク
３に形成したパターンを試料４上に一括転写することが
でき、前述した効果を奏するのである。
に照射すると、このマスク３からマスクパターン３ｂに
応じた光電子が放出され、この光電子が前記磁界及び電
界により集束Ａれ、試料４に照射される。これにより、
試料４土のレジン）４ａが上記マスクパターン３ｂに応
じて露光されることになる。かくして九′１Ｂ、マスク
３に形成したパターンを試料４上に一括転写することが
でき、前述した効果を奏するのである。
ところで、この種の電子ビーム転写装置において、光電
マスク３から放射された光電子（電子ビーム）を試料４
土に集束させるに必輩な磁界Ｂは、光電マスク３と試料
４との距離をｄ５これらの間に印加される電比をＶとし
たとき次式で示される。
マスク３から放射された光電子（電子ビーム）を試料４
土に集束させるに必輩な磁界Ｂは、光電マスク３と試料
４との距離をｄ５これらの間に印加される電比をＶとし
たとき次式で示される。
ただし、ｍは電子の質量、ｅは電子の電荷を示している
。したがって、例えは距１イ＃ｄをｌＯ℃ｙｒ、）、印
加１Ｌ圧Ｖをｌｏ［ｋｌとすると約ｌ〔ｋＧ〕の集束磁
界Ｂを要し、また土艷印加市圧か２０〔ｋＶ〕であると
きには約１．４（ｋＧ）の集束磁界を擬することになる
。そして、上記条件にて良好なカｆ像特性を得るには、
例えは電子ビームの−まけを０．１Ｃ１ｚｍｌ）以下に
抑えるには、印加′電圧Ｖの変ｔａｂを０．０２［チ〕
以下、集束磁界Ｂの変動を０．０１〔チ〕以下にするこ
とが要求され、同時に距ｙｒｌｆ ｃｔの変動を極めて
Ｊ＼さくすることが要求される。
。したがって、例えは距１イ＃ｄをｌＯ℃ｙｒ、）、印
加１Ｌ圧Ｖをｌｏ［ｋｌとすると約ｌ〔ｋＧ〕の集束磁
界Ｂを要し、また土艷印加市圧か２０〔ｋＶ〕であると
きには約１．４（ｋＧ）の集束磁界を擬することになる
。そして、上記条件にて良好なカｆ像特性を得るには、
例えは電子ビームの−まけを０．１Ｃ１ｚｍｌ）以下に
抑えるには、印加′電圧Ｖの変ｔａｂを０．０２［チ〕
以下、集束磁界Ｂの変動を０．０１〔チ〕以下にするこ
とが要求され、同時に距ｙｒｌｆ ｃｔの変動を極めて
Ｊ＼さくすることが要求される。
しかしながら、上記距離ｄは試料４の交換、光電マスク
３の交換、或いは試料４を載１１ｔシた移動可能なテー
ブル等の移動精度によって必ずしも一定になるとは云え
ず、長期に亘り良好な’ｊｉ４像特性を得ることはでき
ない。さらに、印加電圧や磁界等の変動により電子ビー
ムの集束位置に変動が生じることもある。このため、光
電マスク３や試料４の交換毎に、或いは定期的に試料４
上に電子ビームが確実に集束するように訓読することが
必要となる。
３の交換、或いは試料４を載１１ｔシた移動可能なテー
ブル等の移動精度によって必ずしも一定になるとは云え
ず、長期に亘り良好な’ｊｉ４像特性を得ることはでき
ない。さらに、印加電圧や磁界等の変動により電子ビー
ムの集束位置に変動が生じることもある。このため、光
電マスク３や試料４の交換毎に、或いは定期的に試料４
上に電子ビームが確実に集束するように訓読することが
必要となる。
従来、このような調整、つまり焦点合わせには、実際に
パターン転写を行うと共に、印加電圧或いは磁界の強さ
を変化させて最適条件を見つけ出すようにしている。し
かし、この方法では焦点合わせに多大な時間を要し、装
置稼動率の低下を招いた。さらに、焦点合わ辻のための
任意の調整時から次の調整時までの間で焦点はけが生じ
たとしても、これを検出し補正することはできないので
、パターン転写の、ＩＪＫ留りが低下する等の問題があ
った。
パターン転写を行うと共に、印加電圧或いは磁界の強さ
を変化させて最適条件を見つけ出すようにしている。し
かし、この方法では焦点合わせに多大な時間を要し、装
置稼動率の低下を招いた。さらに、焦点合わ辻のための
任意の調整時から次の調整時までの間で焦点はけが生じ
たとしても、これを検出し補正することはできないので
、パターン転写の、ＩＪＫ留りが低下する等の問題があ
った。
本発明の目的は、焦点合わせを自動的に行うことができ
、常に良好な解像度で・やターン転写を行い得る電子ビ
ーム転写装置を提供することにある。
、常に良好な解像度で・やターン転写を行い得る電子ビ
ーム転写装置を提供することにある。
本発明の骨子は、焦点ずれを電気的に６１０定できる機
構を設け、この焦点ずれの電気信号に基づき光電マスク
と試料との間に印加する′１（ｂ圧を調整し、光電マス
クからの光電子を試料」二に正確に集束させることにあ
る。
構を設け、この焦点ずれの電気信号に基づき光電マスク
と試料との間に印加する′１（ｂ圧を調整し、光電マス
クからの光電子を試料」二に正確に集束させることにあ
る。
すなわち本発明け、光の照射により所定パターンに光電
子を放出する光電マスクと、この光電マスクの光電面に
平行に対向配置される試料と上記光電マスクとの間に所
定の電圧を印加する手段と、上記光電マスクと試料との
間に垂直磁界を形成する集束マグネットとを具備してな
シ、光電マスクに形成されたパターンを試料上に転写す
る電子ビーム転写装置において、上記光電マスクと試料
との間の距離や集束マグネットによる磁界等を検出して
試料上に照射される光電子の焦点ずれを測定し、この測
定されたずれ量に応じ前記印加電圧を可変して焦点ずれ
を補正するようにしたものである。
子を放出する光電マスクと、この光電マスクの光電面に
平行に対向配置される試料と上記光電マスクとの間に所
定の電圧を印加する手段と、上記光電マスクと試料との
間に垂直磁界を形成する集束マグネットとを具備してな
シ、光電マスクに形成されたパターンを試料上に転写す
る電子ビーム転写装置において、上記光電マスクと試料
との間の距離や集束マグネットによる磁界等を検出して
試料上に照射される光電子の焦点ずれを測定し、この測
定されたずれ量に応じ前記印加電圧を可変して焦点ずれ
を補正するようにしたものである。
本発明によれば、光電マスクと試料との間隔の変化、す
なわち試料の交換による設置誤差、試料の厚さの変化に
よる誤差及び光゛亀マスクの交換による誤差等に起因す
る焦点ずれ、或いは前記第１式で示したような加速’＋
１．ｉ ＬＬ：や磁界強度の変化による光電子の収束位
１？１′の液化に起因する焦点ずれをなくすことができ
る。このため、常に良好々解イホ度でパターン転力をｆ
」うことができ、転写の歩留り向上をはかり８！する。
なわち試料の交換による設置誤差、試料の厚さの変化に
よる誤差及び光゛亀マスクの交換による誤差等に起因す
る焦点ずれ、或いは前記第１式で示したような加速’＋
１．ｉ ＬＬ：や磁界強度の変化による光電子の収束位
１？１′の液化に起因する焦点ずれをなくすことができ
る。このため、常に良好々解イホ度でパターン転力をｆ
」うことができ、転写の歩留り向上をはかり８！する。
１だ、焦点ずれの情報を用いて焦点合わせをイｆうため
に加速電圧を調整するようにしているので、精度の高い
調整を行うことが可能となる。つ１す、磁界の強度を変
化させて距ｈｉｎｔの＊ ｍｌ＋ ’４袖止するために
は、前記Ｍｉ式から判るように磁界に厳しい安定性が要
求きれるため、コイルに流す電流は可変で、かつ筒い安
定性全必要とする。これに対し、加速電圧は磁界の安定
性よりも多少悪い安定性でもよく、したがって精度の高
い調整を容易に行うことができる。
に加速電圧を調整するようにしているので、精度の高い
調整を行うことが可能となる。つ１す、磁界の強度を変
化させて距ｈｉｎｔの＊ ｍｌ＋ ’４袖止するために
は、前記Ｍｉ式から判るように磁界に厳しい安定性が要
求きれるため、コイルに流す電流は可変で、かつ筒い安
定性全必要とする。これに対し、加速電圧は磁界の安定
性よりも多少悪い安定性でもよく、したがって精度の高
い調整を容易に行うことができる。
第３図は本発明の一実力邑例を示す概略構成シ１である
。なお、ｍ １図と同−ｉ’ｌｊ分に１４同一符号を付
して、その詳しい説明ね省略する。この実施例が第１図
に示した従来装置１子と異なる点は、前記光電マスク３
と試料４との間の距１・、ｉＬ及υこれらの間の磁界の
強さに応じ光電マスク３及び試料４間の印加電圧を調整
することに４）る。ゴなわら、真空容器１の内部には、
光′亀−マスク３の土面に光を照射する光源１１ ａ及
び光＋ｌｊマスク３からの反射光を検出する２分割検出
器等の受光素子１２ＩＬが配設され、受光素子１２ａの
出力から光電マスク３の上下方向の位置か・演出される
ものとなっている。同様に、試料４の上下方向の位置は
光源１１ｂ及び受光素子１２ｂにて検出されるものとな
っている。受光素子１２ａ、１２ｂの各出力は距１ｉｌ
ｉｔ 横出回路１３に供給され、この回路１３でその差
、つまシ光底マスク３と試料４との間の距１４ｉＬが検
出される。
。なお、ｍ １図と同−ｉ’ｌｊ分に１４同一符号を付
して、その詳しい説明ね省略する。この実施例が第１図
に示した従来装置１子と異なる点は、前記光電マスク３
と試料４との間の距１・、ｉＬ及υこれらの間の磁界の
強さに応じ光電マスク３及び試料４間の印加電圧を調整
することに４）る。ゴなわら、真空容器１の内部には、
光′亀−マスク３の土面に光を照射する光源１１ ａ及
び光＋ｌｊマスク３からの反射光を検出する２分割検出
器等の受光素子１２ＩＬが配設され、受光素子１２ａの
出力から光電マスク３の上下方向の位置か・演出される
ものとなっている。同様に、試料４の上下方向の位置は
光源１１ｂ及び受光素子１２ｂにて検出されるものとな
っている。受光素子１２ａ、１２ｂの各出力は距１ｉｌ
ｉｔ 横出回路１３に供給され、この回路１３でその差
、つまシ光底マスク３と試料４との間の距１４ｉＬが検
出される。
そして、この距Ｍｄが制御回路１４に供給され、前記第
１式が成立するよう距離ｄの変動に応じて光電マスク３
及び試別４同の印加電圧■か可変されるものとなってい
る。
１式が成立するよう距離ｄの変動に応じて光電マスク３
及び試別４同の印加電圧■か可変されるものとなってい
る。
また、真空容器１の内部には、光電マスク３と試料４と
の間の磁界の強さを検出するホール素子等の磁界検出器
１５が配設されている。磁界検出器１５の検出出力は前
記制御回路１４に供給される。そして、前記第１式が満
足するよう磁界Ｂの変動に応じて前記印加’ｒｊｉ圧Ｖ
が可変されるものとなっている。
の間の磁界の強さを検出するホール素子等の磁界検出器
１５が配設されている。磁界検出器１５の検出出力は前
記制御回路１４に供給される。そして、前記第１式が満
足するよう磁界Ｂの変動に応じて前記印加’ｒｊｉ圧Ｖ
が可変されるものとなっている。
このようなオｎ成であれば、充電マスク３或いは試料４
を交換した場合に生じる距離ｄの装動や集束マグネット
７の通電電流が変化した場合に生じるＩ匙界Ｂの変動が
あっても 光電マスク３からの光電子を試料４上に正４
′ωに収電さぜることができる。しかも、上記距離ｄや
（直昇Ｂの変動に対する印加′１ン圧Ｖ（７）補正をリ
アルタイムで行うことができる。このため、常に良好な
解像度でパターン転写を行うことができ、転写の歩留り
向上をはかり得る等の効果を萎する。
を交換した場合に生じる距離ｄの装動や集束マグネット
７の通電電流が変化した場合に生じるＩ匙界Ｂの変動が
あっても 光電マスク３からの光電子を試料４上に正４
′ωに収電さぜることができる。しかも、上記距離ｄや
（直昇Ｂの変動に対する印加′１ン圧Ｖ（７）補正をリ
アルタイムで行うことができる。このため、常に良好な
解像度でパターン転写を行うことができ、転写の歩留り
向上をはかり得る等の効果を萎する。
丑た、最近の技術として前記集束マグネット７に超電導
コイルを用い、このコイルを永久電流モードで駆動し、
電源変動やリップル等による光電子の焦点ずれを少なく
したものがあるが、この装置では長期の使用により′由
；流の減衰がある。この電流減衰による焦点ずれを補正
するため、永久電流モードを切シ再度正常な１１ｊ、流
に戻す操作は極めて面倒である。ぞしてこの場合、本芙
流側のように印加電圧を調整することによって、永久電
流モードを切ることなく上記電流減衰による焦点ずれを
極めて容易に補正することが可能である。
コイルを用い、このコイルを永久電流モードで駆動し、
電源変動やリップル等による光電子の焦点ずれを少なく
したものがあるが、この装置では長期の使用により′由
；流の減衰がある。この電流減衰による焦点ずれを補正
するため、永久電流モードを切シ再度正常な１１ｊ、流
に戻す操作は極めて面倒である。ぞしてこの場合、本芙
流側のように印加電圧を調整することによって、永久電
流モードを切ることなく上記電流減衰による焦点ずれを
極めて容易に補正することが可能である。
なお、本発明は上述した実施例に限定きれるものではな
い。例えば、前記光電マスクと試料との間の距離を検出
する手段として、レーザ干渉計を用いるようにしてもよ
い。同様に？１が界検出器はホール素子に限定されるも
のではなく、光電マスクと試料との間の磁界の強さを検
出できるものであればよい。１だ、実施例では距離ｄ及
び磁界Ｂの変動に応じて印加電圧Ｖを可変しているが、
距離ｄ或いは磁界Ｂの変動が無視できる程小さいものと
すれば、いずれか一方のみに対し印加電圧を調整するよ
うにしてもよいのは勿論のことである。さらに、焦点ず
れを測定する手段として距離ｄや磁界Ｂ等の変動から間
接的に求める他に、試料土の光電子の焦点すれを直接求
めるようにしてもよい。例えば、光電マスクと試別との
位置合わせに用いられるＸ線検出器からのマークの出力
信号波形の、焦点がずれた場合と合っている場合とのＳ
Ｎ比の差から光電子の焦点ずれを求めるようにしてもよ
い。要するに本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形し７．で実施することができる。
い。例えば、前記光電マスクと試料との間の距離を検出
する手段として、レーザ干渉計を用いるようにしてもよ
い。同様に？１が界検出器はホール素子に限定されるも
のではなく、光電マスクと試料との間の磁界の強さを検
出できるものであればよい。１だ、実施例では距離ｄ及
び磁界Ｂの変動に応じて印加電圧Ｖを可変しているが、
距離ｄ或いは磁界Ｂの変動が無視できる程小さいものと
すれば、いずれか一方のみに対し印加電圧を調整するよ
うにしてもよいのは勿論のことである。さらに、焦点ず
れを測定する手段として距離ｄや磁界Ｂ等の変動から間
接的に求める他に、試料土の光電子の焦点すれを直接求
めるようにしてもよい。例えば、光電マスクと試別との
位置合わせに用いられるＸ線検出器からのマークの出力
信号波形の、焦点がずれた場合と合っている場合とのＳ
Ｎ比の差から光電子の焦点ずれを求めるようにしてもよ
い。要するに本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形し７．で実施することができる。
第１図は従来の電子ビーム転写装置ｄを示す概略構成図
、第２図は上記装置に用いた光１１１．マスク及び試料
を示す要部拡大図、ｔ＋ｘ３図は本う６明の一実施例を
示す概略１１η成図である。 １・・・真空容器（転写室）、２・・・真ずボンダ、３
・・・光電マスク、４・・・試料、５・・・光源、７・
・・集東マグネット、８・・・電源、ＩＩ３．ｊｌｂ・
・・うし源、１２ ａ 、 １２ ｂ ・−・受光素子
、１３ ＝−１１’ｌ＋、 １９１を検出回路、１４・
・・制御回路、１５・・磁界４＊、； ｌｌｉ 閂’ｒ
ｔ。 出願人代理人 弁耶士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３１！Ｉ 第１頁の続き ０発 明 者 田畑光雄 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社総合研究所 １３２−
、第２図は上記装置に用いた光１１１．マスク及び試料
を示す要部拡大図、ｔ＋ｘ３図は本う６明の一実施例を
示す概略１１η成図である。 １・・・真空容器（転写室）、２・・・真ずボンダ、３
・・・光電マスク、４・・・試料、５・・・光源、７・
・・集東マグネット、８・・・電源、ＩＩ３．ｊｌｂ・
・・うし源、１２ ａ 、 １２ ｂ ・−・受光素子
、１３ ＝−１１’ｌ＋、 １９１を検出回路、１４・
・・制御回路、１５・・磁界４＊、； ｌｌｉ 閂’ｒ
ｔ。 出願人代理人 弁耶士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３１！Ｉ 第１頁の続き ０発 明 者 田畑光雄 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社総合研究所 １３２−
Claims (6)
- （１）光の照射により所定パターンに光電子を放出する
光電マスクと、この光電マスクの光電面に平行に対向配
置される試料と上記光電マスクとの間に所定の電圧を印
加する手段と、上記光電マスクと試料との間に垂直磁界
を形成する集束マグネットとを具備し、上記光電マスク
に形成されたパターンを上記試料上に転写する電子ビー
ム転写装置において、前記光電マスクから放出され前記
試料上に照射される光電子の焦点ずれを測定し、この測
定されたずれ上りに応じ前記印加電圧を可変して焦点ず
れを補正することを特徴とする電子ビーム転写装置。 - （２）前記焦点ずれを測定する手段は、前記光電マスク
と試料との距離を検出する距離検出器と、この距離検出
器によシ検出された検出距離と正規の距離とを比較する
比較器とからなり、上記各距離の差をずれ量として出力
するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子ビーム転写装置。 - （３）前記焦点ずれを測定する手段は、前記集束マグネ
ットによる垂直磁界の大きさを検出する磁界検出器と、
この磁界検出器により検出された検出磁界と正規の磁界
とを比較する比較器とからカシ、上記各磁界の差をず７
’１． ｌｌ＋とし、−Ｃ出力するものであることを特
徴とする特許ＨＩ’Ｉ求の範囲第１項記載の電子ビーム
転写装置。 - （４）前記焦点ずれを測定する手段は、前記光電マスク
と試料との距離を検出する距離検出器と、この距離検出
器により検出された検出距離と正規の距離とを比較する
第１の比較器と、前記集束マグネットによる垂直磁界の
大きさを検出する磁界検出器と、この磁界検出器により
検出された検出磁界と正規の磁界とを比較する第２の比
較器とからなり、上記各距離の差及び上記各（直昇の差
をそれぞれずれ量として出力するものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム転写装置
、。 - （５） 前記印加電圧を可変する手段は、前記各距離
の差Δｄ及び各磁界の差ΔＢに応じ印加電圧を次式で定
義されるΔＶだけ可変するものであることを特徴とする
特Ｆｒ請求の帥１囲９Ａ！ｙ ４項記載の電子ビーム転
写装置。 ただし、ｅは電子の電荷、ｍは’Ｉ！ｆ、子の質Ｉｊ１
を示している。 - （６） 前記集束マグネットは、超電導コイルからな
るものであることを特徴とする特許請求の範囲第３項、
第４項又は第５項記載の′１１１、子ビーム転写装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15092882A JPS5940529A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 電子ビ−ム転写装置 |
| US06/525,419 US4572956A (en) | 1982-08-31 | 1983-08-22 | Electron beam pattern transfer system having an autofocusing mechanism |
| DE8383304870T DE3381971D1 (de) | 1982-08-31 | 1983-08-23 | Mit einem autofokussierungsmechanismus ausgestattetes musteruebertragungssystem. |
| EP83304870A EP0104763B1 (en) | 1982-08-31 | 1983-08-23 | An electron beam pattern transfer system having an autofocusing mechanism |
| DD83254356A DD218700A5 (de) | 1982-08-31 | 1983-08-30 | Elektronenstrahlmusteruebertragungssystem mit selbstfokussierender vorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15092882A JPS5940529A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 電子ビ−ム転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940529A true JPS5940529A (ja) | 1984-03-06 |
Family
ID=15507468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15092882A Pending JPS5940529A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 電子ビ−ム転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940529A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52103965A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-31 | Toshiba Corp | Electron beam projector unit |
| JPS5379103A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Combustion chamber for internal combustion engine |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP15092882A patent/JPS5940529A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52103965A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-31 | Toshiba Corp | Electron beam projector unit |
| JPS5379103A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Combustion chamber for internal combustion engine |
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