JPS5939660B2 - エネルギ−変換システム - Google Patents
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- JPS5939660B2 JPS5939660B2 JP56075064A JP7506481A JPS5939660B2 JP S5939660 B2 JPS5939660 B2 JP S5939660B2 JP 56075064 A JP56075064 A JP 56075064A JP 7506481 A JP7506481 A JP 7506481A JP S5939660 B2 JPS5939660 B2 JP S5939660B2
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 26
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 24
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 10
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001495016 Loriidae Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 231100000817 safety factor Toxicity 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S10/00—PV power plants; Combinations of PV energy systems with other systems for the generation of electric power
- H02S10/30—Thermophotovoltaic systems
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S20/00—Solar heat collectors specially adapted for particular uses or environments
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F24S23/00—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S40/00—Safety or protection arrangements of solar heat collectors; Preventing malfunction of solar heat collectors
- F24S40/10—Protective covers or shrouds; Closure members, e.g. lids
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S60/00—Arrangements for storing heat collected by solar heat collectors
- F24S60/10—Arrangements for storing heat collected by solar heat collectors using latent heat
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/0543—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の技術分野
本発明の技術分野は、エネルギー変換の分野であり、か
つエネルギー利用可能性を平準化する分野である。
つエネルギー利用可能性を平準化する分野である。
強度及び継続時間を異にして得られるエネルギーは、し
ばしば異なった形式及び異なった割合で使用されること
が望まれる。
ばしば異なった形式及び異なった割合で使用されること
が望まれる。
それは特に一様な電気の形式の場合に有用であるが、現
在の技術Jaでは変換能力が限られている。
在の技術Jaでは変換能力が限られている。
大きな放射エネルギー源は太陽であるが、それは広帯域
の波長を発生するとは言え、継続時間が間欠的である。
の波長を発生するとは言え、継続時間が間欠的である。
産業上の作業過程を源として、放射エネルギー及び熱エ
ネルギーが副産物に得られる場合がある。
ネルギーが副産物に得られる場合がある。
通常、そのような源からのエネルギーは狭い帯域を有し
、その継続時間及び波長は変動する。
、その継続時間及び波長は変動する。
例えば、暖房のような大部分の熱エネルギー利用動作は
、過度のエネルギー及びその損失を伴い、これらは他の
エネルギー形態として捕捉できるものである。
、過度のエネルギー及びその損失を伴い、これらは他の
エネルギー形態として捕捉できるものである。
背景の技術
負荷を平準化するためにエネルギーを貯蔵することの有
利性は、「太陽エネルギーの熱処理」(5olar E
nergy Thermal Processes”t
published by Wi ley t New
York tpages 231 to 235
)という文献に記載されている。
利性は、「太陽エネルギーの熱処理」(5olar E
nergy Thermal Processes”t
published by Wi ley t New
York tpages 231 to 235
)という文献に記載されている。
その文献には、例えば塩を溶解する潜熱を使用する現在
の技法は、貯蔵することのできるエネルギー量及びそれ
を除去することのできる速度によって制限されることが
記載されている。
の技法は、貯蔵することのできるエネルギー量及びそれ
を除去することのできる速度によって制限されることが
記載されている。
放射エネルギー又は熱エネルギーを使用する有効な方法
は、それを電気エネルギーへ変換することである。
は、それを電気エネルギーへ変換することである。
しかし現在の技術段階において、変換効率の点で大きな
改善の余地がある。
改善の余地がある。
更に、エネルギー源から得られたエネルギーの強度は概
して変動し、かつエネルギーが間欠的に得られるから、
通常一様な供給量を必要とする多くの電気エネルギ一応
用システム及び分配システムと両立させ得ない。
して変動し、かつエネルギーが間欠的に得られるから、
通常一様な供給量を必要とする多くの電気エネルギ一応
用システム及び分配システムと両立させ得ない。
太陽エネルギーのような放射エネルギーや燃料電池のエ
ネルギーを電気エネルギーへ変換する場合の改善努力は
、主として複雑な固体物理学に基づいてなされ、光電池
の波長領域及び全体的効率を改善しようとするものであ
った。
ネルギーを電気エネルギーへ変換する場合の改善努力は
、主として複雑な固体物理学に基づいてなされ、光電池
の波長領域及び全体的効率を改善しようとするものであ
った。
現在の技術段階におい°て、p−n同−接合形太陽光電
池は、広帯域の放射源である日光を電気へ交換する場合
、その約26係しか変換しないという限られた効率を有
することが知られている。
池は、広帯域の放射源である日光を電気へ交換する場合
、その約26係しか変換しないという限られた効率を有
することが知られている。
そのような装置では、大きな改善の余地があるわけであ
る。
る。
上記の外にも、放射エネルギーを一様な電気エネルギー
へ変換する場合の改善努力がなされてきた。
へ変換する場合の改善努力がなされてきた。
米国特許第3929510号は、太陽エネルギー変換に
おいて、スペクトル・マツチを改善するため、光電池の
前に希土類元素を使用した変換器を配置することを教え
ている。
おいて、スペクトル・マツチを改善するため、光電池の
前に希土類元素を使用した変換器を配置することを教え
ている。
米国特許第3433676号及び第4090359号は
、産業上のエネルギー変換技術において、ジェット・エ
ンジンや燃焼源のような継続的な熱源からのエネルギー
を変換する場合、電気出力の効率を改善する技術を説明
している。
、産業上のエネルギー変換技術において、ジェット・エ
ンジンや燃焼源のような継続的な熱源からのエネルギー
を変換する場合、電気出力の効率を改善する技術を説明
している。
本発明の概説
本発明は、高い熱伝導度、高い融点及びエネルギーを負
荷へ放出するための高い融解潜熱を有する物質へ、直接
的に供与された熱エネルギーを保留するか、又は放射エ
ネルギーを集結することによって、エネルギー変換を行
うことに関する。
荷へ放出するための高い融解潜熱を有する物質へ、直接
的に供与された熱エネルギーを保留するか、又は放射エ
ネルギーを集結することによって、エネルギー変換を行
うことに関する。
エネルギーを電気エネルギーへ変換するに当って、光電
池が高い効率で変換できるような厳密に制御された形態
におけるエネルギー量のみが放出されることができる。
池が高い効率で変換できるような厳密に制御された形態
におけるエネルギー量のみが放出されることができる。
エネルギーは、最小限の損失で捕捉されかつ貯蔵され、
次いで熱−放射エネルギ一方向性エミッタ及び帯域濾波
器を組合せて使用することにより、光電池へ連続的割合
で放出することが可能である。
次いで熱−放射エネルギ一方向性エミッタ及び帯域濾波
器を組合せて使用することにより、光電池へ連続的割合
で放出することが可能である。
上記の組合せは、光電池が効率的に応答することのでき
る光子エネルギーの成る範囲のみを放出させる。
る光子エネルギーの成る範囲のみを放出させる。
本発明のシステムは、放射エネルギー又は熱エネルギー
の任意の源からエネルギーを受取り、それが連続的なも
のであると間欠的なものであるとを問わず、またどのよ
うな強度又は程度のものであれ、エネルギーを集めて3
つの特性を有する物質中にそれを貯蔵する。
の任意の源からエネルギーを受取り、それが連続的なも
のであると間欠的なものであるとを問わず、またどのよ
うな強度又は程度のものであれ、エネルギーを集めて3
つの特性を有する物質中にそれを貯蔵する。
その3つの特性とは、高い熱伝導度、高い融点、及び高
い融解潜熱である。
い融解潜熱である。
せのような物質は、エネルギーの吸収時には一定の温度
で溶解し、エネルギーの放出時には同じ一定の温度で凝
固する。
で溶解し、エネルギーの放出時には同じ一定の温度で凝
固する。
上記の物質はバッファとして機能し、効率的な熱のカプ
セル化を果す。
セル化を果す。
従って、貯蔵された熱エネルギーは、長時間にわたって
保存され、かつ入力とは独立した速度で放出されること
かできる。
保存され、かつ入力とは独立した速度で放出されること
かできる。
本発明の貯蔵物質は適正なレスポンスを与える3つの特
性を有し、これら特性の各々は実用性に関連した価値を
有する。
性を有し、これら特性の各々は実用性に関連した価値を
有する。
上記物質は高い融解潜熱を有し、これは大量のエネルギ
ーを貯蔵する能力を与える。
ーを貯蔵する能力を与える。
上記物質は高いエネルギー密度を有し、これは単位重量
又は単位容積当り大量のエネルギーを貯蔵することを可
能にする。
又は単位容積当り大量のエネルギーを貯蔵することを可
能にする。
更に、容積が小さいため、表面領域も小さくなり、エネ
ルギー損失も低くなる。
ルギー損失も低くなる。
1モル当り1キロカロリーを超える融解潜熱値が有用な
範囲にあることが発見された。
範囲にあることが発見された。
上記物質は高い熱伝導度を有する。
これは貯蔵された熱を引出す能力の尺度である。
1平方糎、1糎、1度及び1秒当り0.1カロリーを超
える熱伝導度は有用な範囲にあることが発見された。
える熱伝導度は有用な範囲にあることが発見された。
上記物質は高い融点を有する。
これは融解条件において黒体放射波長分布を与える。
この分布は、いくらか狭く、エネルギーを使用している
負荷のレスポンスと適合性が大きい。
負荷のレスポンスと適合性が大きい。
融点は、温度が循環変動するとき、均一の限定された範
囲内にあるべきである。
囲内にあるべきである。
約1300kを超える融点は有用な範囲にある。
上記の基準を十分に満足させる物質ノ例は、鉄、シリコ
ン、マンガン、クロム、チタンである。
ン、マンガン、クロム、チタンである。
貯蔵物質は非常に希少で不当に高価なものであってはな
らないから、その選択は実用的見地からなされなげれば
ならない。
らないから、その選択は実用的見地からなされなげれば
ならない。
この事は、特定の時点の影響を受けることを意味する。
1つの例を述べれば、銀は1d、1ぼ、1度及び1秒当
り1カロリーの非常に高い熱伝導度を有し、融解潜熱は
1モル当り2.7キロカロリーであり、融解温度は96
0℃であるから、上記の基準を非常に良好に満足させる
ように見える。
り1カロリーの非常に高い熱伝導度を有し、融解潜熱は
1モル当り2.7キロカロリーであり、融解温度は96
0℃であるから、上記の基準を非常に良好に満足させる
ように見える。
しかし、銀は大量に存在する物質ではなく、過去5年間
にわたって、28.35g当り2ドル〜60ドルの広い
価格で変動している。
にわたって、28.35g当り2ドル〜60ドルの広い
価格で変動している。
従って、この時点では、銀は技術上の難点ではなく実用
上の難点を有する。
上の難点を有する。
ここで第1図を参照すると、そこには本発明の構成要素
を示す略図が示される。
を示す略図が示される。
第2図に示されるような広帯域波長を有する熱エネルギ
ー又は放射エネルギーの源1が吸収器2につきあたる。
ー又は放射エネルギーの源1が吸収器2につきあたる。
吸収器2は、放射エネルギーに対しては広帯域光熱変換
器であり、熱エネルギーに対しては良好な熱伝達部材で
ある。
器であり、熱エネルギーに対しては良好な熱伝達部材で
ある。
吸収器2はエネルギーをエネルギー貯蔵物質3へ伝達す
る。
る。
放射エネルギーの場合の吸収器2は、入力放射の温度が
物質3の温度を超えるようにするため、集結器を含んで
いる。
物質3の温度を超えるようにするため、集結器を含んで
いる。
吸収器2を通して起るエネルギーの吸収率が、貯蔵物質
3からコンテナ4の開孔を通して起るエネルギー放出率
より犬である時、貯蔵物質3は一定の温度で溶解する。
3からコンテナ4の開孔を通して起るエネルギー放出率
より犬である時、貯蔵物質3は一定の温度で溶解する。
逆に、放出率が吸収率よりも大きい時、物質3は同じ一
曲の温度で凝固する。
曲の温度で凝固する。
物質3は、損失を最小にするため、効果的な熱保存ケー
ス(コンテナ)4の中に入れられる。
ス(コンテナ)4の中に入れられる。
ケース4は、放出のために選択されたエネルギ一部分の
みが放出されるように、エネルギーを保存し、そのよう
にデザインされている。
みが放出されるように、エネルギーを保存し、そのよう
にデザインされている。
電気エネルギーへ変換される場合、放出された部分は、
判定の光電池によって高い効率で使用され、特定の負荷
条件を与える。
判定の光電池によって高い効率で使用され、特定の負荷
条件を与える。
本発明に従えば、これはケース4の開孔部にある方向性
の熱対放射エネルギー・エミッタ5、及びそれを光学的
に連結した放射エネルギー帯域濾波器6の組合せによっ
て達成される。
の熱対放射エネルギー・エミッタ5、及びそれを光学的
に連結した放射エネルギー帯域濾波器6の組合せによっ
て達成される。
この組合せは、光電池7へ良好な光学的接続を行うため
位置付けられている。
位置付けられている。
エミッタ5、濾波器6、光電池7は相互に依存しあって
いる。
いる。
即ち、方向性のエミッタ5は物質3中に貯蔵された熱エ
ネルギーを、一般的な意味で十分な方向性をもって放射
エネルギーへ変換し、濾波器6は矢印8で示される成る
光子のみを通過させ(光子のエネルギー領域は光電池7
のレスポンスに左右される)、矢印9で示されるような
他の全ての光子を拒絶し、もとへ戻す。
ネルギーを、一般的な意味で十分な方向性をもって放射
エネルギーへ変換し、濾波器6は矢印8で示される成る
光子のみを通過させ(光子のエネルギー領域は光電池7
のレスポンスに左右される)、矢印9で示されるような
他の全ての光子を拒絶し、もとへ戻す。
この構成により、制御されたエネルギー放出が可能とな
り、光電池7によって効率的に使用できるエネルギーの
みが放出され、貯蔵物質3は全ての未使用エネルギーを
保存し続ける。
り、光電池7によって効率的に使用できるエネルギーの
みが放出され、貯蔵物質3は全ての未使用エネルギーを
保存し続ける。
光電池7は光電接合10を有し、負荷11はそれにまた
がって接続される。
がって接続される。
エミッタ4、濾波器6、光電池7をどのように相互依存
させるかは選択可能である。
させるかは選択可能である。
それによって、貯蔵されるエネルギーの源は強度におい
て変動してもよく、間欠的であってもよい。
て変動してもよく、間欠的であってもよい。
また、それによって、放出されるエネルギーは一様にな
り、光電池7の効率及び負荷11の条件に関して最適化
される。
り、光電池7の効率及び負荷11の条件に関して最適化
される。
本発明の、全体的構成は、まず第2図に示されるような
広帯域のエネルギー放射を吸収し、次いで物質3が融解
段階に達すると、放射特性を第3図に示されるような異
なった分布へ変換することによって、より厳密なエネル
ギーのマツチングを与える。
広帯域のエネルギー放射を吸収し、次いで物質3が融解
段階に達すると、放射特性を第3図に示されるような異
なった分布へ変換することによって、より厳密なエネル
ギーのマツチングを与える。
第3図の分布は第2図のそれより大きいピーク波長を有
し、分布の中心を示す線が分離されて示されているよう
に、分布はオノセットされる。
し、分布の中心を示す線が分離されて示されているよう
に、分布はオノセットされる。
第2段階において、エミッタ5及び濾波器6の構成は、
第3図の曲線によって示されるように狭い分布の放出を
可能にし、その狭い分布の中心は光電池7の正確なレス
ポンス特性に対応するように動かすことができる。
第3図の曲線によって示されるように狭い分布の放出を
可能にし、その狭い分布の中心は光電池7の正確なレス
ポンス特性に対応するように動かすことができる。
上記の狭い分布は、幅において調節可能であるのみなら
ず、ピークも調節することができる。
ず、ピークも調節することができる。
エネルギーが物質3に貯蔵される時、物質3からの放射
は融点の上下で起るが、最も有利な場合は例えば融点温
度における潜熱伝達のときに生じる。
は融点の上下で起るが、最も有利な場合は例えば融点温
度における潜熱伝達のときに生じる。
その場合、全ての融解潜熱は、全ての物質3が溶けてし
まうまで一定の温度で貯蔵されることができ、また全て
の融解潜熱は、物質3が第3図の特性に従って一定の温
度で放射を行ない固体となるまで放出されることができ
る。
まうまで一定の温度で貯蔵されることができ、また全て
の融解潜熱は、物質3が第3図の特性に従って一定の温
度で放射を行ない固体となるまで放出されることができ
る。
物質3中に貯蔵された熱エネルギーは熱利用負荷体へ熱
エネルギーとして伝達されねばならないので、エミッタ
5及び濾波器6によって占められるケース4中の開孔は
、熱変換器に適合したものである。
エネルギーとして伝達されねばならないので、エミッタ
5及び濾波器6によって占められるケース4中の開孔は
、熱変換器に適合したものである。
高い融解潜熱により高エネルギー密度を有し、高い熱伝
導度により除去の容易性を有し、融点により予測可能な
熱特性を有する物質へ、強度又は継続時間と無関係に放
射源又は熱源からエネルギーを貯蔵することができるの
で、これまで当技術分野で知られたシステムよりも効率
的なシステムが実現される。
導度により除去の容易性を有し、融点により予測可能な
熱特性を有する物質へ、強度又は継続時間と無関係に放
射源又は熱源からエネルギーを貯蔵することができるの
で、これまで当技術分野で知られたシステムよりも効率
的なシステムが実現される。
システムのサイズは小さくなり、熱は従来よりも容易に
伝達され、熱は狭い指定範囲で利用可能となるので、熱
を使用する変換器はより効率的に設計されることができ
る。
伝達され、熱は狭い指定範囲で利用可能となるので、熱
を使用する変換器はより効率的に設計されることができ
る。
実施例の説明
第1図及び第2図を参照する。
第2図に示すような広帯域波長を有するエネルギーが、
エネルギー源1から吸収器2へ導入される。
エネルギー源1から吸収器2へ導入される。
吸収器2は、エネルギー貯蔵物質3へ最大の熱伝達を起
す特性を備えている。
す特性を備えている。
エネルギー源1が熱エネルギーを与える場合、吸収器2
は良好な熱伝導度を有し、エネルギー源1が放射エネル
ギーを与える場合、吸収器2は波長と無関係の光熱吸収
性を有する。
は良好な熱伝導度を有し、エネルギー源1が放射エネル
ギーを与える場合、吸収器2は波長と無関係の光熱吸収
性を有する。
吸収器2の目的は、エネルギー源1から最大量のエネル
ギーを抽出することであり、かつ物質3へそれを伝達す
ることである。
ギーを抽出することであり、かつ物質3へそれを伝達す
ることである。
吸収器2は略図的に示されているが、当業者にとって、
最大の光熱変換及び熱伝達を達成するため、光学集結器
や熱交換器のサイズを変更したものを使用できることは
明らかであろう。
最大の光熱変換及び熱伝達を達成するため、光学集結器
や熱交換器のサイズを変更したものを使用できることは
明らかであろう。
吸収器2は、物質3ヘエネルギーを最も有効に伝達する
ため調整されてよい。
ため調整されてよい。
単純な熱の場合、動作温度より高い融点を伴った良好な
熱伝導特性を有するものが望ましい。
熱伝導特性を有するものが望ましい。
タングステンが満足すべき結果を与える。
放射エネルギーの場合、動作温度より高い融点に加えて
、エネルギー源の仕様に応じて良好な光熱変換特性を有
するものが望ましい。
、エネルギー源の仕様に応じて良好な光熱変換特性を有
するものが望ましい。
吸収率αは、はぼ直角の入射光についてlに近くなけれ
ばならず、半球エミツタンスは、できるだけ0に近くな
げればならない。
ばならず、半球エミツタンスは、できるだけ0に近くな
げればならない。
そのような条件は、高温に耐える金属針を有する構造体
によって近似することができる。
によって近似することができる。
金属針は入射光の方向へ向けられてる。
そのような物質の1つは樹枝状タングステンであり、I
BM ジャーナル誌(IBM Journal ofR
esearch and Development、V
ol、 22 tA4.July 1978.p、3
72 )に説明されている。
BM ジャーナル誌(IBM Journal ofR
esearch and Development、V
ol、 22 tA4.July 1978.p、3
72 )に説明されている。
エネルギー貯蔵物質3は、特性として高い熱伝導度、高
い融解潜熱、及び高い融点を有する。
い融解潜熱、及び高い融点を有する。
融点における良好な電気変換のためには、高い光学エネ
ルギ一部分における黒体放射の約10%が第1図の光電
池7によって吸収される。
ルギ一部分における黒体放射の約10%が第1図の光電
池7によって吸収される。
高齢の金属であれば、これらの条件を全く良好に適合さ
せる。
せる。
鉄は、融点が1536℃、融解潜熱がダラム原子当り3
.67キロカロリー、熱伝導度が0.18力ロリー/平
方糎/糎/度/秒であるから特に満足すべき結果を与え
る。
.67キロカロリー、熱伝導度が0.18力ロリー/平
方糎/糎/度/秒であるから特に満足すべき結果を与え
る。
Feのダラム原子は55.8グラムである。
他の物質はSiである。
これは、融点が1410℃、融解潜熱がダラム原子当り
11.1キロカロリー、熱伝導度が0.2力ロリー/平
方糎/糎/度/秒である。
11.1キロカロリー、熱伝導度が0.2力ロリー/平
方糎/糎/度/秒である。
Siのダラム原子は28.1グラムである。
物質3はケース4に格納されている。
ケース4は低い熱伝達特性及び低い放出特性を有し、従
って熱の最大の保存が可能である。
って熱の最大の保存が可能である。
高融点の金属は18000kを超える温度に達するもの
があるので、ケース4の材料は窒化ホウ素や酸化アルミ
ニウムのような耐高温性のもので構成され、更に、反射
性の真空室で囲まれてよい。
があるので、ケース4の材料は窒化ホウ素や酸化アルミ
ニウムのような耐高温性のもので構成され、更に、反射
性の真空室で囲まれてよい。
本発明の目的はケース4中に全てのエネルギーを保存し
、例外的にエミッタ5、濾波器6、光電池7の相互依存
性によって作り出された制御条件を介してエネルギーを
放出することであるから、ケース4の熱保存特性は大い
にシステムの効率に影響を及ぼすことが明らかである。
、例外的にエミッタ5、濾波器6、光電池7の相互依存
性によって作り出された制御条件を介してエネルギーを
放出することであるから、ケース4の熱保存特性は大い
にシステムの効率に影響を及ぼすことが明らかである。
エネルギー源1が太陽エネルギーの如く間欠的なもので
ある場合、また休止サイクルが望まれる場合、ケース4
の効率は熱鏡(heat m1rror)のような装置
を使用することによって高められてよい。
ある場合、また休止サイクルが望まれる場合、ケース4
の効率は熱鏡(heat m1rror)のような装置
を使用することによって高められてよい。
熱鏡は空隙部から放射損失が生じるのを防止するように
働き、それによってエネルギー損失を防止する。
働き、それによってエネルギー損失を防止する。
放射エネルギー形の応用例では、放射エネルギーの強さ
が吸収器2によって放射されるエネルギーの強さより小
さくなったときに起る。
が吸収器2によって放射されるエネルギーの強さより小
さくなったときに起る。
吸収器2は物質3へ熱的に連結されているからである。
これは太陽エネルギーの場合、夜が近づくにつれて、ま
たは夜間に起る。
たは夜間に起る。
本発明が自動車のための携帯用電源や小型機器の予備用
電源として使用される応用例においては、そのような目
的のために1度エネルギーが十分貯蔵されれば、ケース
4は閉じられ、エネルギー損失部分のみが定期的に補充
されればよい。
電源として使用される応用例においては、そのような目
的のために1度エネルギーが十分貯蔵されれば、ケース
4は閉じられ、エネルギー損失部分のみが定期的に補充
されればよい。
エネルギーが1度物質3中に貯蔵されると、そのエネル
ギーは第3図に示すような波長帯域の放射態様で制御さ
れつつ放出される。
ギーは第3図に示すような波長帯域の放射態様で制御さ
れつつ放出される。
現時点の技術水準において、光電池が効率よく応答でき
るのは上記波長帯域の部分においてのみである。
るのは上記波長帯域の部分においてのみである。
そのような光電池の効率は、光子エネルギーが光電池材
質の帯域ギャップ・エネルギーより大きくなるまで、放
出範囲を狭くすることによって高めることができる。
質の帯域ギャップ・エネルギーより大きくなるまで、放
出範囲を狭くすることによって高めることができる。
この方法によれば、現時点の技術水準で最大約26係の
効率が得られるに過ぎないのに対し、50チ以上の効率
を得ることができる。
効率が得られるに過ぎないのに対し、50チ以上の効率
を得ることができる。
本発明によれば、光電池7のエネルギー帯ギャップを越
える光子エネルギーの狭帯域が、方向性の熱対放射エネ
ルギー・エミッタ5、帯域濾波器6、及び光電池7の組
合せによって選択され放出される。
える光子エネルギーの狭帯域が、方向性の熱対放射エネ
ルギー・エミッタ5、帯域濾波器6、及び光電池7の組
合せによって選択され放出される。
上記の組合せは、エミッタ5が成る方向性をもって熱エ
ネルギーを放射エネルギーへ変換し、次いで矢印8で示
されるような光電池7のピーク応答波長にある光子のみ
が濾波器6を通過されるようにされ、矢印9で示される
ような他の全ての光子は戻されてエミッタ5により再び
吸収される。
ネルギーを放射エネルギーへ変換し、次いで矢印8で示
されるような光電池7のピーク応答波長にある光子のみ
が濾波器6を通過されるようにされ、矢印9で示される
ような他の全ての光子は戻されてエミッタ5により再び
吸収される。
従って熱の損失は生じない。エミッタ5は、全体の半球
エミツタンスεが表面に直角な方向で1の値に近く、他
の全ての方向で0の値に近くなげればならない。
エミツタンスεが表面に直角な方向で1の値に近く、他
の全ての方向で0の値に近くなげればならない。
この条件をほぼ満足させる物質の例は、IBMジャーナ
ル誌(IBM Journ、al of Re5ear
ch andDevelopment s Vow 、
22 、 A4 y July1978、p、372)
に記載されているように、針が放出方向に向けられた樹
枝状タングステンである。
ル誌(IBM Journ、al of Re5ear
ch andDevelopment s Vow 、
22 、 A4 y July1978、p、372)
に記載されているように、針が放出方向に向けられた樹
枝状タングステンである。
帯域濾波器6は当技術分野で周知のものであり、商業的
に得ることができる。
に得ることができる。
そのような濾波器は、広帯域の放射がその表面へ直角に
入射すると、選択された狭い範囲の波長のみが伝導され
、残りの放射は反射される。
入射すると、選択された狭い範囲の波長のみが伝導され
、残りの放射は反射される。
例えば、物質3が1800°にで融解する鉄であり、光
電池7がシリコ/である場合、濾波器6は第1図の矢印
8で示すような、1.1〜1.6電子ボルト内のエネル
ギー範囲を有する光子を放出し、矢印9で示すような他
の光子を物質3へ反射するように設計される。
電池7がシリコ/である場合、濾波器6は第1図の矢印
8で示すような、1.1〜1.6電子ボルト内のエネル
ギー範囲を有する光子を放出し、矢印9で示すような他
の光子を物質3へ反射するように設計される。
当技術分野で周知の成る種の帯域濾波器は複数の二色性
層で構成される。
層で構成される。
層の各々は絶縁性であって、異なった屈折率を有し、こ
れらは組合せることにより狭い範囲の透過性を与える。
れらは組合せることにより狭い範囲の透過性を与える。
絶縁性物質5102 、TlO2s ZnO2s Al
2O3+813N4 t TaOが使用できる。
2O3+813N4 t TaOが使用できる。
他の種の濾波器は、適当な値の帯域エネルギー・ギャッ
プを有する半導体窓と反射器とを使用する。
プを有する半導体窓と反射器とを使用する。
濾波器6は、光電池7の最大エネルギ一応答範囲におけ
るエネルギーを有する10係の光子のみを通過させるべ
きであり、従ってエミッタ5からまっすぐに放出された
光子が濾波器6を通過し、他の全ての光子は反射されて
ケース4内に保存され、エネルギー損失を生じないよう
にされる。
るエネルギーを有する10係の光子のみを通過させるべ
きであり、従ってエミッタ5からまっすぐに放出された
光子が濾波器6を通過し、他の全ての光子は反射されて
ケース4内に保存され、エネルギー損失を生じないよう
にされる。
IEEE 議事録(The IEEE T rans
ac ti onson Electr on Dev
ices y Vo l、 ED −26。
ac ti onson Electr on Dev
ices y Vo l、 ED −26。
July 1979. pp 1090〜1097
)に記載されるV溝多重接合シリコン太陽光電池のよう
な効率的な光電池7が、濾波器6と良好な光学接続関係
に配置される。
)に記載されるV溝多重接合シリコン太陽光電池のよう
な効率的な光電池7が、濾波器6と良好な光学接続関係
に配置される。
光電池7の選択にあたっては、物質3の融点、光電池材
料のエネルギー帯ギャップ、エミッタ5及び濾波器6の
組合せによって発生される光子エネルギー帯の方向性及
び狭さく矢印8で示される)などを考慮しなければなら
ない。
料のエネルギー帯ギャップ、エミッタ5及び濾波器6の
組合せによって発生される光子エネルギー帯の方向性及
び狭さく矢印8で示される)などを考慮しなければなら
ない。
第4図を参照すると、そこには太陽の日照エネルギーを
継続的な電力へ変換する本発明に従うエネルギー貯蔵シ
ステムの実施例が示される。
継続的な電力へ変換する本発明に従うエネルギー貯蔵シ
ステムの実施例が示される。
第4図において、太陽エネルギー20は集結レンズ21
を通して吸収器22へ約500〜2000培の集結率で
集結される。
を通して吸収器22へ約500〜2000培の集結率で
集結される。
吸収器22は、吸収率αが1の値を有し、半球エミツタ
ンスεが0.2より小さいか又はそれに等しい値を有す
る。
ンスεが0.2より小さいか又はそれに等しい値を有す
る。
吸収器22は太陽エネルギー20を貯蔵物質23中の熱
エネルギーへと変換する。
エネルギーへと変換する。
針が放射エネルギー源へ向けられた樹枝状タングステン
は、吸収器22に必要とされるα及びεの基準を満足さ
せる。
は、吸収器22に必要とされるα及びεの基準を満足さ
せる。
熱絶縁コンテナ24は球形として示される。
球形の場合、容積に対する表面積は最小となり、従って
絶縁表面は最小となる。
絶縁表面は最小となる。
エネルギー貯蔵物質23はコンテナ24中に置かれるが
、この物質は希少物質や高価な物質ではなく、高い融解
潜熱、高い熱伝導度、高い融点を有する。
、この物質は希少物質や高価な物質ではなく、高い融解
潜熱、高い熱伝導度、高い融点を有する。
それによって、その黒体放射の約10%が光電池によっ
て吸収可能な高い光子エネルギー範囲にある。
て吸収可能な高い光子エネルギー範囲にある。
鉄及びシリコンは上記の特性を満足させる。
太陽が沈んだ後にコンテナの開孔部から放射が生じるの
を防止するため、部材25が設けられる。
を防止するため、部材25が設けられる。
部材25は、可動装置26によって位置付けられる熱鏡
である。
である。
可動装置26は、例えばモータ及びギヤの組合せよりな
り、吸収器22の開孔を覆うために動作される。
り、吸収器22の開孔を覆うために動作される。
他の開孔部から生じる放出を制御するために、同様の構
成を採用してよい。
成を採用してよい。
太陽が沈んだ時又は負荷への放出が中断されるべきとき
、可動装置26は部材25を動かして開孔部を覆う。
、可動装置26は部材25を動かして開孔部を覆う。
図面を簡単にするため、コンテナ24は単純な物質とし
て示される。
て示される。
この物質は、例えば窒化ホウ素又は酸化アルミニウムで
あり、これらは良好な熱絶縁性及び低い放射率を有する
。
あり、これらは良好な熱絶縁性及び低い放射率を有する
。
しかし、コンテナ24の熱保存特性が高くなれば、それ
だけ全体のシステムの効率が良くなるから、コンテナ2
4は更に真空コンテナその他の構造体によって囲まれて
よい。
だけ全体のシステムの効率が良くなるから、コンテナ2
4は更に真空コンテナその他の構造体によって囲まれて
よい。
圧力の変化や膨張に対して考慮することも必要となる。
これは、特に物質23が蒸発潜熱特性を使用して動作さ
れるとき重要である。
れるとき重要である。
望ましい形式の動作では、第3図に示されるような放射
特性の利点があるため、融解潜熱が使用される。
特性の利点があるため、融解潜熱が使用される。
貯蔵物質23を融解することによって貯蔵されたエネル
ギーは、物質23の凝固過程で選択的に放出され、光電
池29及び負荷30は最大の効率でそれを利用する。
ギーは、物質23の凝固過程で選択的に放出され、光電
池29及び負荷30は最大の効率でそれを利用する。
太陽が放射エネルギー源である場合、必要とされる物質
23の量は、利用可能時間(1日)で吸収器22上へ照
射されるエネルギー密度、及び負荷30へ継続的に与え
られる電気エネルギーに依存する。
23の量は、利用可能時間(1日)で吸収器22上へ照
射されるエネルギー密度、及び負荷30へ継続的に与え
られる電気エネルギーに依存する。
物質23の量は、夜明けに物質23が殆んど全て凝固し
ており、夕暮れに殆んど全て融解しているように選択さ
れる。
ており、夕暮れに殆んど全て融解しているように選択さ
れる。
システム中の物質23は、その融解潜熱を利用するのが
望ましく、一定の融点温度にとどまる。
望ましく、一定の融点温度にとどまる。
融解される相対量は、受取られた累積エネルギーから放
出又は損失となったエネルギーを差引いた量に依存する
。
出又は損失となったエネルギーを差引いた量に依存する
。
エネルギー供給及び負荷の変動に備えて、適当な安全係
数を考慮しなければならない。
数を考慮しなければならない。
物質23の量は、それが完全に融解してしまわないよう
に十分なものでなければならない。
に十分なものでなければならない。
その場合、システムは過熱から守られ、そうでない時に
生じる損害を受けることがなくなる。
生じる損害を受けることがなくなる。
蒸発潜熱を利用する場合、利用できる熱の貯蔵能力は高
くなるが、圧力及び温度を制御する構造へ設計変更しな
ければならない。
くなるが、圧力及び温度を制御する構造へ設計変更しな
ければならない。
光電池、帯域濾波器、及び方向性エミッタより成る制御
されたエネルギー放出構造は、良好な光学接続及び最小
の損失を達成するため整列したスタックとして構成され
てよいが、光電池29へ高温を与えないようにしなけれ
ばならない。
されたエネルギー放出構造は、良好な光学接続及び最小
の損失を達成するため整列したスタックとして構成され
てよいが、光電池29へ高温を与えないようにしなけれ
ばならない。
即ち、濾波器28の二色性物質に存在する熱のために、
半導体のパフォーマンス及び仕様に対して、過度の温度
による影響が与えられてはならない。
半導体のパフォーマンス及び仕様に対して、過度の温度
による影響が与えられてはならない。
光電池29は、帯域濾波器2Bから来る光子のエネルギ
ーへ適合化された最大の効率レスポンスを有しなければ
ならない。
ーへ適合化された最大の効率レスポンスを有しなければ
ならない。
■溝太陽光電池は、1゜1カラ1゜6電子ボルトのエネ
ルギーを有する光子に応答するシリコンを使用する。
ルギーを有する光子に応答するシリコンを使用する。
それは多数の内部反射を含み、非常に高い効率を有する
。
。
エミッタ27及び濾波器28の特性が、応答範囲にある
光子のみが伝達されるようなものである場合、■溝多重
接合太陽光電池は50%より大きい効率で変換を実行す
ることが予想され、貯蔵システムの全体的な変換効率は
40係の近傍にある。
光子のみが伝達されるようなものである場合、■溝多重
接合太陽光電池は50%より大きい効率で変換を実行す
ることが予想され、貯蔵システムの全体的な変換効率は
40係の近傍にある。
物質3は、入来する熱の量が放出される熱の量を超過し
て融解部分が増加する場合でも、また入来する熱の量よ
りも放出される熱の量が多く、融解部分が減少する場合
でも、常に融点温度にとどまる。
て融解部分が増加する場合でも、また入来する熱の量よ
りも放出される熱の量が多く、融解部分が減少する場合
でも、常に融点温度にとどまる。
次の例は、太陽エネルギーを利用する場合に、1日平均
8時間の日照があり、1平方米の集結レンズ21を使用
して、1日に8キロワツトを得るように吸収器22を照
射する場合のシステム・パフォーマンスを示したもので
ある。
8時間の日照があり、1平方米の集結レンズ21を使用
して、1日に8キロワツトを得るように吸収器22を照
射する場合のシステム・パフォーマンスを示したもので
ある。
物質23は鉄(Fe )であり、その融点(Tm)は
1536°Cその原子量は55,8グラム/CC1密度
(ρ)は7.87グラム/cc、融解潜熱(ΔHf)は
3.67キロ力ロリー1モル、熱伝導度は0.18カロ
リー/cyyt /cm /度/秒である。
1536°Cその原子量は55,8グラム/CC1密度
(ρ)は7.87グラム/cc、融解潜熱(ΔHf)は
3.67キロ力ロリー1モル、熱伝導度は0.18カロ
リー/cyyt /cm /度/秒である。
8キロワツト時の貯蔵には106キログラムの鉄が必要
であり、これは13.5リツトルの容積、即ち半径14
.7mの球となる。
であり、これは13.5リツトルの容積、即ち半径14
.7mの球となる。
物質23がシリコン(Si )である場合、その融点
(Tm)は1410℃であり、原子量は28.1、密度
(ρ)は2.35、融解潜熱(ΔHf)は11.1キロ
力ロリー1モル、熱伝導度は0.2力ロリー/crtt
/CIrL/度/秒である。
(Tm)は1410℃であり、原子量は28.1、密度
(ρ)は2.35、融解潜熱(ΔHf)は11.1キロ
力ロリー1モル、熱伝導度は0.2力ロリー/crtt
/CIrL/度/秒である。
8時間のエネルギー貯蔵のためには、14.7キログラ
ムのシリコンが必要であり、これは7.411Jツトル
の容積、即ち半径12.0cmの球となる。
ムのシリコンが必要であり、これは7.411Jツトル
の容積、即ち半径12.0cmの球となる。
半径14.7cIrL又は12.oCrrLのFe又は
Si球に貯蔵された8キロワツトのエネルギーは、それ
ぞれ約1800°にの温度であると仮定して、エミッタ
26及び濾波器28の組合せを使用し、光電池の応答節
理にあるエネルギーを有する光子として、選択的に放出
される。
Si球に貯蔵された8キロワツトのエネルギーは、それ
ぞれ約1800°にの温度であると仮定して、エミッタ
26及び濾波器28の組合せを使用し、光電池の応答節
理にあるエネルギーを有する光子として、選択的に放出
される。
この種のエネルギー伝達は、実際には針がエネルギー放
出方向に向けられた樹枝状タングステンを使用して実行
することができる。
出方向に向けられた樹枝状タングステンを使用して実行
することができる。
エミッタ27は濾波器28と縦列に配置される。
濾波器28は、光電池応答の所望の高い光子エネルギー
カットオフに対応する帯域ギャップ・エネルギーを有す
る真性半導体窓から構成される。
カットオフに対応する帯域ギャップ・エネルギーを有す
る真性半導体窓から構成される。
光電池29は、絶縁酸化物のような透明反射層及び熱鏡
(例えば、酸化スズのような導電性酸化物で被覆された
ガラス)で構成される。
(例えば、酸化スズのような導電性酸化物で被覆された
ガラス)で構成される。
半導体窓の上にある反射層及び熱鏡は、組合せられて半
導体窓によって通されるにはあまりに高い又は低いエネ
ルギーを有する光子を反射するように動作する。
導体窓によって通されるにはあまりに高い又は低いエネ
ルギーを有する光子を反射するように動作する。
光電池29が1.1から1.6電子ボルトまでの光子に
対するピーク効率応答を有するためには、半導体窓は、
テルル化カドミウム(CdTe’。
対するピーク効率応答を有するためには、半導体窓は、
テルル化カドミウム(CdTe’。
の結晶(0,127crrLの厚さ)又は非晶質の水素
化シリコン層(a−8i :H) (0,0254cf
rLの厚さ)に1300Åから160OAまでの5i0
2又はTiO2を被覆し、これにSnOで被覆された熱
鏡を縦列に配置したものであってよい(熱鏡を前方に配
置する)。
化シリコン層(a−8i :H) (0,0254cf
rLの厚さ)に1300Åから160OAまでの5i0
2又はTiO2を被覆し、これにSnOで被覆された熱
鏡を縦列に配置したものであってよい(熱鏡を前方に配
置する)。
1800°にで75ワツ) /cyrtを放出する樹枝
状タングステンのエミッタ27は半球放射率1を有し、
その平均放射率を0.2と仮定すれば、15ワツ) /
fflを放出する。
状タングステンのエミッタ27は半球放射率1を有し、
その平均放射率を0.2と仮定すれば、15ワツ) /
fflを放出する。
エミッタ27の領域を200dと仮定すれば、300ワ
ツトが放出され、濾波器28は光子エネルギーの適当な
範囲を有しない2700ワツトを反射する。
ツトが放出され、濾波器28は光子エネルギーの適当な
範囲を有しない2700ワツトを反射する。
通される300ワツトは24時間にわたる7.2キロワ
ット時を表わし、これはシステムの貯蔵部分における0
、8キロワット時の損失である。
ット時を表わし、これはシステムの貯蔵部分における0
、8キロワット時の損失である。
300ワツトは、■溝多重接合光電池29において50
係の効率で変換され、24時間にわたって3.6キロワ
ツト時を与える。
係の効率で変換され、24時間にわたって3.6キロワ
ツト時を与える。
従って、約25.4cIrLの直径を有する球体は、約
1OOCrrLの集結レンズを通して光を入力し、約1
4crrLの光電池で出力を取出すとすれば、24時間
にわたって0.5馬力のモータを回転させるのに十分な
エネルギーを8時間で貯蔵できる。
1OOCrrLの集結レンズを通して光を入力し、約1
4crrLの光電池で出力を取出すとすれば、24時間
にわたって0.5馬力のモータを回転させるのに十分な
エネルギーを8時間で貯蔵できる。
光電池29へ可変の電気的負荷が接続される場合、電力
の要求が低い期間に過剰の光子を再循環させるために、
濾波器28と光電池29の間に反射ダイヤフラムを介在
させた光学像システムを設けて、エネルギーの効率化を
はかつてよい。
の要求が低い期間に過剰の光子を再循環させるために、
濾波器28と光電池29の間に反射ダイヤフラムを介在
させた光学像システムを設けて、エネルギーの効率化を
はかつてよい。
他方、低い電力要求期間には、光電池29かも物質23
へ電力を熱に交換してフィードバックさせるか、部材2
5及び可動装置26に類似した装置を使用して開口を制
御してよい。
へ電力を熱に交換してフィードバックさせるか、部材2
5及び可動装置26に類似した装置を使用して開口を制
御してよい。
以上説明したシステムは、エネルギーをバッファしかつ
変換することができ、また入力されるエネルギーの多様
な濃度及び継続時間に適合化させることができ、持続時
間及び強度を選択できると共に多様な出力を与えるもの
である。
変換することができ、また入力されるエネルギーの多様
な濃度及び継続時間に適合化させることができ、持続時
間及び強度を選択できると共に多様な出力を与えるもの
である。
第1図は本発明に従うエネルギー変換システムの略図を
示し、第2図は放射エネルギーの広帯域波長を示すグラ
フであり、第3図は高い融解潜熱、高い熱伝導度及び高
い融点を有する物質の黒体放射特性と、光電池が応答す
る狭い波長帯域とを示すグラフであり、第4図は太陽エ
ネルギーを電気エネルギーへ変換するエネルギー貯蔵変
換システムの略図である。 1・・・・・・エネルギー源、2・・・・・・吸収器、
3・・・・・・エネルギー貯蔵物質、4・・・・・・熱
保存ケース、5・・・・・・熱対放射エネルギー・エミ
ッタ、6・・・・・・放射エネルギー帯域濾波器、7・
・・・・・光電池、11・・・・・・負荷。
示し、第2図は放射エネルギーの広帯域波長を示すグラ
フであり、第3図は高い融解潜熱、高い熱伝導度及び高
い融点を有する物質の黒体放射特性と、光電池が応答す
る狭い波長帯域とを示すグラフであり、第4図は太陽エ
ネルギーを電気エネルギーへ変換するエネルギー貯蔵変
換システムの略図である。 1・・・・・・エネルギー源、2・・・・・・吸収器、
3・・・・・・エネルギー貯蔵物質、4・・・・・・熱
保存ケース、5・・・・・・熱対放射エネルギー・エミ
ッタ、6・・・・・・放射エネルギー帯域濾波器、7・
・・・・・光電池、11・・・・・・負荷。
Claims (1)
- 1 強度及び/又は持続時間が変動するエネルギーの源
から与えられたエネルギーを、大きさ及び/又は持続時
間が変動する負荷へ伝達するエネルギー変換システムで
あって、0.1力ロリー/平方糎/糎/度/秒を超える
熱伝導度、1キロ力ロリー1モルを超える融解潜熱、及
び1300kを超える融点を有する物質中に上記エネル
ギー源からのエネルギーを熱エネルギーとして貯蔵する
装置を有するエネルギー変換システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US161982 | 1980-06-20 | ||
US06/161,982 US4316048A (en) | 1980-06-20 | 1980-06-20 | Energy conversion |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5716790A JPS5716790A (en) | 1982-01-28 |
JPS5939660B2 true JPS5939660B2 (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=22583662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56075064A Expired JPS5939660B2 (ja) | 1980-06-20 | 1981-05-20 | エネルギ−変換システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4316048A (ja) |
EP (1) | EP0042577B1 (ja) |
JP (1) | JPS5939660B2 (ja) |
DE (1) | DE3162953D1 (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4419532A (en) * | 1982-07-30 | 1983-12-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Thermophotovoltaic power source |
US4528417A (en) * | 1984-02-15 | 1985-07-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Thermionic-photovoltaic energy converter |
US4750943A (en) * | 1986-02-28 | 1988-06-14 | Tpv Energy Systems, Inc. | Thermophotovoltaic system |
US4836862A (en) * | 1987-04-28 | 1989-06-06 | Pelka David G | Thermophotovoltaic system |
US5051590A (en) * | 1989-12-06 | 1991-09-24 | Santa Barbara Research Center | Fiber optic flame detection and temperature measurement system having one or more in-line temperature dependent optical filters |
US5066339A (en) * | 1990-04-26 | 1991-11-19 | Dehlsen James G P | Rotary radiating bed thermophotovoltaic process and apparatus |
US5278773A (en) * | 1990-09-10 | 1994-01-11 | Zond Systems Inc. | Control systems for controlling a wind turbine |
US5044939A (en) * | 1990-10-18 | 1991-09-03 | Dehlsen James G P | Reversing linear flow TPV process and apparatus |
US5092767A (en) * | 1990-10-18 | 1992-03-03 | Dehlsen James G P | Reversing linear flow TPV process and apparatus |
US5500054A (en) * | 1995-01-10 | 1996-03-19 | Quantum Group, Inc. | Superemissive light pipes and photovoltaic systems including same |
US5626687A (en) * | 1995-03-29 | 1997-05-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thermophotovoltaic in-situ mirror cell |
US5597421A (en) * | 1995-11-14 | 1997-01-28 | Regan; Thomas | Reflector/collector for use in direct energy conversion systems |
GB2313474A (en) * | 1996-05-24 | 1997-11-26 | Imperial College | Thermophotovoltaic cells |
US5932029A (en) * | 1997-02-21 | 1999-08-03 | Mcdonnell Douglas Corporation | Solar thermophotovoltaic power conversion method and apparatus |
DE19845423A1 (de) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Heißer Strahler |
US6311476B1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-11-06 | The Boeing Company | Integral propulsion and power radiant cavity receiver |
US7767903B2 (en) * | 2003-11-10 | 2010-08-03 | Marshall Robert A | System and method for thermal to electric conversion |
WO2005048310A2 (en) * | 2003-11-10 | 2005-05-26 | Practical Technology, Inc. | System and method for enhanced thermophotovoltaic generation |
US7863517B1 (en) * | 2005-08-30 | 2011-01-04 | Xtreme Energetics, Inc. | Electric power generator based on photon-phonon interactions in a photonic crystal |
EP2240966A2 (en) * | 2008-01-16 | 2010-10-20 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Spectrum manipulation device and method |
US20090260619A1 (en) * | 2008-04-20 | 2009-10-22 | The Boeing Company | Autonomous heliostat for solar power plant |
US8153888B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-04-10 | Northrop Grumman Systems Corporation | Lateral ultra-high efficiency solar cell |
US20090300983A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Arthur Robert Tilford | Solar hybrid agricultural greenroom |
US9299866B2 (en) | 2010-12-30 | 2016-03-29 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire array based solar energy harvesting device |
US8299472B2 (en) | 2009-12-08 | 2012-10-30 | Young-June Yu | Active pixel sensor with nanowire structured photodetectors |
US8274039B2 (en) | 2008-11-13 | 2012-09-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical waveguides with various functionality on integrated circuits |
US9406709B2 (en) | 2010-06-22 | 2016-08-02 | President And Fellows Of Harvard College | Methods for fabricating and using nanowires |
US9515218B2 (en) | 2008-09-04 | 2016-12-06 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured photovoltaic devices with mirrors and optical claddings |
US9000353B2 (en) | 2010-06-22 | 2015-04-07 | President And Fellows Of Harvard College | Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires |
US9082673B2 (en) | 2009-10-05 | 2015-07-14 | Zena Technologies, Inc. | Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same |
US8546742B2 (en) | 2009-06-04 | 2013-10-01 | Zena Technologies, Inc. | Array of nanowires in a single cavity with anti-reflective coating on substrate |
US9478685B2 (en) | 2014-06-23 | 2016-10-25 | Zena Technologies, Inc. | Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same |
US8735797B2 (en) | 2009-12-08 | 2014-05-27 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor |
US8748799B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-10 | Zena Technologies, Inc. | Full color single pixel including doublet or quadruplet si nanowires for image sensors |
US9343490B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-05-17 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire structured color filter arrays and fabrication method of the same |
US20130112256A1 (en) * | 2011-11-03 | 2013-05-09 | Young-June Yu | Vertical pillar structured photovoltaic devices with wavelength-selective mirrors |
US8866065B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-21 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire arrays comprising fluorescent nanowires |
US8229255B2 (en) | 2008-09-04 | 2012-07-24 | Zena Technologies, Inc. | Optical waveguides in image sensors |
US20120067339A1 (en) * | 2010-09-21 | 2012-03-22 | Hall David R | Rotatable Panels on an Exterior of a Structure that Directs Solar Energy within the Structure |
WO2012133790A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 学校法人東京理科大学 | 蓄熱装置及び蓄熱装置を備えるシステム |
US20130074826A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-03-28 | The Cyprus Institute | Integrated solar receiver - thermal storage system |
JP5988237B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2016-09-07 | 公益財団法人若狭湾エネルギー研究センター | 加熱温度調節機能を備えた太陽炉 |
DE102012201872A1 (de) * | 2012-02-08 | 2013-08-08 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Mobiler Wärmeenergiespeicher, System zur mobilen Wärmeenergiespeicherung sowie Verfahren zur Speicherung von Wärmeenergie |
US9732988B1 (en) * | 2012-05-30 | 2017-08-15 | Thermal Storage Systems | Thermal storage device including a plurality of discrete canisters |
NL2012014C2 (nl) * | 2013-12-23 | 2015-06-26 | Johannes Jacobus Maria Schilder | Zonnecollector. |
SG11201806579QA (en) * | 2016-02-08 | 2018-09-27 | Mtpv Power Corp | Radiative micron-gap thermophotovoltaic system transparent emitter |
CN106772740A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-31 | 兰州大学 | 一种用于热光电池的光子晶体过滤器及其应用 |
US10594249B1 (en) | 2018-04-25 | 2020-03-17 | Jerry M. Woodall | Photovoltaic-phase change battery system for converting intermittent solar power into day and night electric power |
IT201800007998A1 (it) * | 2018-08-09 | 2020-02-09 | Magaldi Power Spa | Dispositivo, impianto e metodo per l'accumulo e il trasferimento di energia termica di origine solare |
FR3097304B1 (fr) | 2019-06-13 | 2021-07-02 | News | Absorbeur hybride de rayonnements pour centrale solaire, et procede de preparation d’un tel absorbeur |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH102488A (de) * | 1922-08-05 | 1923-12-01 | W Mezger | Verfahren zur Wärmespeicherung bei konstanter Temperatur. |
US3029596A (en) * | 1959-11-17 | 1962-04-17 | Gen Motors Corp | Power plant heat storage arrangement |
US3331707A (en) * | 1963-07-31 | 1967-07-18 | Gen Motors Corp | Thermo-photovoltaic converter with radiant energy reflective means |
US3433676A (en) * | 1964-10-21 | 1969-03-18 | Gen Motors Corp | Thermophotovoltaic energy convertor with photocell mount |
US3596034A (en) * | 1969-12-08 | 1971-07-27 | Hooker Chemical Corp | Heat storage |
US3751303A (en) * | 1971-06-03 | 1973-08-07 | Us Army | Energy conversion system |
US3946720A (en) * | 1974-02-25 | 1976-03-30 | International Solarthermics Corporation | Solar heat collector |
US3929510A (en) * | 1974-05-22 | 1975-12-30 | Us Army | Solar radiation conversion system |
US4005698A (en) * | 1974-10-18 | 1977-02-01 | International Business Machines Corporation | Photon energy converter |
US4026267A (en) * | 1975-12-11 | 1977-05-31 | Coleman Rich F | Solar energy apparatus |
DE2602530B1 (de) * | 1976-01-23 | 1977-05-18 | Inst Fuer Kerntechnik & Energ | Latentwaermespeicher |
US4090359A (en) * | 1976-06-10 | 1978-05-23 | Oscar Leonard Doellner | Radiant energy power source for jet aircraft and missiles |
US4111189A (en) * | 1977-01-03 | 1978-09-05 | Cities Service Company | Combined solar radiation collector and thermal energy storage device |
US4146057A (en) * | 1977-11-07 | 1979-03-27 | Rockwell International Corporation | Thermal buffer system |
-
1980
- 1980-06-20 US US06/161,982 patent/US4316048A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-05-20 JP JP56075064A patent/JPS5939660B2/ja not_active Expired
- 1981-06-16 DE DE8181104633T patent/DE3162953D1/de not_active Expired
- 1981-06-16 EP EP81104633A patent/EP0042577B1/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0042577A1 (en) | 1981-12-30 |
US4316048A (en) | 1982-02-16 |
EP0042577B1 (en) | 1984-04-04 |
JPS5716790A (en) | 1982-01-28 |
DE3162953D1 (en) | 1984-05-10 |
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