JPS5938680B2 - メモリ試験装置 - Google Patents

メモリ試験装置

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Publication number
JPS5938680B2
JPS5938680B2 JP54150904A JP15090479A JPS5938680B2 JP S5938680 B2 JPS5938680 B2 JP S5938680B2 JP 54150904 A JP54150904 A JP 54150904A JP 15090479 A JP15090479 A JP 15090479A JP S5938680 B2 JPS5938680 B2 JP S5938680B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
mask
address
under test
block
Prior art date
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Expired
Application number
JP54150904A
Other languages
English (en)
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JPS5673364A (en
Inventor
健二 木村
浩司 石川
直明 鳴海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Takeda Riken Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp, Takeda Riken Industries Co Ltd filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP54150904A priority Critical patent/JPS5938680B2/ja
Priority to US06/205,162 priority patent/US4369511A/en
Publication of JPS5673364A publication Critical patent/JPS5673364A/ja
Publication of JPS5938680B2 publication Critical patent/JPS5938680B2/ja
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はパターン発生器よりのアドレスにより被試験
メモリをアクセスし、その被試験メモリより読出された
出力と期待値パターンとを比較して試験する装置、特に
その比較部において上記被試験メモリの予め決められた
領域に対して試験を無視するためのマスクを行うように
されたメモリ試験装置に関する。
従来のこの種の試験装置においてその被試験メモリの特
定アドレスをマスクしてその部分については試験結果を
出力しない(うにし、或はその結果の如何にかかわらず
正しい出力と見做すようにマスクすることが行かれてい
る。
アドレスを単位とし、又はそのアドレス中のビットを選
択してマスクを行うのみならず、被試験メモリの領域、
つまりブロックについてその領域だけを試験したり或は
その領域ぜけを試験しない等のことが行われている。し
かし従来のメモリ試験装置においては被試験メモリの各
アドレスについて複数のビットを持ち、つまり1ワード
が複数ビットで構成されている場合において、試験の際
にブロックマスクを行うには各ビットを選択的に行うこ
とはできず、或るブロックにおいて試験を中止する場合
はそのブロックの全てについて試験を中止していた。
つまり従来におけるブロックマスクのための信号は被試
験メモリに対するアドレスの最上位側の複数ビットを直
接用いるか或はアドレスがX及びYアドレスで構成され
ている場合はそのXアドレス及びYアドレスの各最上位
ビットを用いてそれをマスク信号としていた。このため
或る領域をマスクすると1ワード複数ビットの場合、そ
の全てのビットについてマスクされてしまつた。このた
め各1ワード中のビットを選択的にブロックマスクする
ことはできず柔軟性に乏しいものであつた。この発明の
目的は被試験メモリに対し、その試験を無視するか否か
を行う場合に1ワードが複数ビツトで構成されていをも
のに対し、その各ビツトについてプロツク毎に選択的に
マスクをすることができ、柔軟性に富むプロツクマスク
を可能とするメモリ試験装置を提供することにある。
この発明によれば被試験メモリに対するアドレスの一部
によりプロツクマスクメモリが読出されそのフ狛ツクマ
スクメモリには被試験メモリの1ワードの各ビツトに対
応してマスクを行うか否かを示すデータが記憶されてい
る。その読出されたプロツクマスクデータにより被試験
メモリより読出されたデータのビツトごとに選択的期待
値データとの比較を禁止したり許可したりすることがブ
ロツク単位で行われる。従つて各ワードの各ビツト毎に
異なるプロツクのマスクを行うことができる。次にこの
発明によるメモリ試験装置の実施例を図面を参照して説
明しよう。
第1図において11はパターン発生器を示し、その端子
12よりXアドレスが、13よりYアドレスが、14よ
りZアドレスがそれぞれ出力される。これ等アドレスは
プログラマブルデータセレクタ15及びデータセレクタ
16に供給される。プログラマブルデータセレクタ15
の出力は被試験メモリ17にアドレスとして供給される
。このグログラマブルデータセレクタ15は被試験メモ
リ17によつてその端子位置がパターン発生器11より
の端子12,13,14におけるX,Y,Zアドレスの
各ビツト配列と必ずしも一致していないためこれを合せ
ることができるように、つまり対応するXアドレス、Y
アドレス、Zアドレスが対応するビツト配列で印加され
るようにデータを選択するものである。このようにして
被試験メモ1月7がパターン発生器11よりのアドレス
によりアクセスされ、パターン発生器11よりの端子1
8からのデータがそのアクセスされた部分に書込まれる
。その後被試験メモリ17が読出され、その読出された
出力とパターン発生器11よりのその時被試験メモリか
ら得られるべき正しい値、つまり端子19よりの期待値
データとが比較部21でその対応ビツト毎に比較される
。その比較により不一致が検出されると端子22に出力
が発生する。データセレクタ16の出力によりマスクメ
モリノ23がアクセスされ、マスクメモリ23はその現
在アクセスした被試験メモリ17に対する試験を有効と
するか無効とするか、つまりその比較結果を無視するか
否かを決定fるデータが記憶されている。
マスクメモリ23から読出されたマスクデータはアンド
ゲート24を通じ、更にオアゲート25を通じて比較部
21に供給される。被試験メモリ17よりの読出された
データと期待データとの比較結果を採用するか否かの決
定がされる。マスクデータが存在する場合はその比較結
果は無視されるように構成されている。アンドゲート2
4はそのようなマスクデータを出力するか否かを選択す
るもので端子26に高レベルが与えられている時アンド
ゲート24が開かれる。この発明においてはプロツクマ
スクメモリ27が設けられる。
プロツクマスクメモリ27はパターン発生器11より発
生したアドレスの一部、この例においては端子14より
のZアドレスによつてアクセスされる。プロツクマスク
メモリ27の内部には被試験メモリ17の1ワード中の
各ビツトに対応してマスクするか否かのデータが記憶さ
れており、プロツクマスクメモリ27の出力はアンドゲ
ート28を通じ、更にオアゲート25を通じて比較部2
1に供給される。プロツクマスクメモリ27の出力を利
用してプロツクマスクを行うか否かは端子29に高レベ
ルを与えてアンドゲート28を開くか否かによつて制御
される。例えば被試験メモリ17は16Kワード×4ビ
ツト構成であつて1Kワードを単位として16のプロツ
クに分割され、Zアドレスによつてその16の一つが選
択される。
従つてZアドレスはZOl〜Z3の4ビツトとされXア
ドレスは第2図Aに示すようにX。−X4とZ。,Zl
とで構成され、Yアドレスは第2図Bに示すようにY。
−Y,及びZ2,Z3とで構成されている。ブ町ンクマ
スクメモリ27のアドレスは先に述べたように端子14
のZアドレスのZ。
−23であり、これにより被試験メモリ17をO〜15
の領域に分割し、その一つを選択するものであり、かつ
プロツクマスクメモリ27にはその選択した各プロツク
の内の各ワードのビツト毎にプロツクマスクするか否か
を決定することができるように記憶されている。例えば
第3図Aに示すように16に分割された被試験メモリの
1Kワード毎の各領域0〜15において、その1ビ゛ン
ト目については゛0″で示す0番、5番、10番、15
番の各ブロツクはマスクを行い、その他の11″で示す
プロツクはマスクを行わない。各ワードの2ビット目に
ついては第3図Bに示すように16分割されたプロツク
中の5番目、6番目、9番目、10番目のプロツクのみ
をマスクするように構成する。以下同様にして第3ビツ
トについては第4図C1第4ビツトについては第4図D
に示すようにプロツク毎に異なるマスクをする。従つて
例えばZアドレスが第1番目のプロツクを指定している
場合は、プロツクマスクメモリ27から゛0″,“11
,゛11,゛01なるマスクデータが出力され、第1番
目のプロツクの各ワードの1ビ゛ント目はマスクし、2
ビ゛ント目、3ビ゛ント目はマスクせず、4ビ゛ント目
はマスクすることになる。
Zアドレスが第2番目のプロツクをアドレスしている場
合はその各ワードの4ビツト目のみをマスクし、1ビ゛
ント目、2ビ゛ント目、3ビ゛ント目はマスクしないこ
と(こなる。ζのよう(こ1ワード中の各ビツトについ
てプロツク毎に選択的にマスクをすることができる。比
較部21の構成例を第4図について示す。
被試験メモリ17の読出し出力はこの例においては1ワ
ード4ビツトであつてその4ビツトは排他的論理和回路
31〜34にそれぞれ供給される。これ等回路31〜3
4にはパターン発生器11よりの期待値パターンが端子
19より各対応ビツトがそれぞれ供給され、これ等両入
力が比較されて不一致の場合のみ排他的論理和回路の対
応出力が高レベルとなる。これ等排他的論理和回路31
〜34の出力はアンドゲート35〜38にそれぞれ供給
される。アンドゲート35〜38には第1図におけるオ
アゲート25の各対応ビツトの出力がそれぞれ供給され
る。オアゲート25に入力されるマスクデータが10オ
でマスクする場合はアンドゲート35〜38の対応する
部分は排他的論理和回路31〜34の対応する出力が不
一致で高レベルでも低レベルのままである。マスクをし
ない場合はアンドゲート35〜38に高レベルが与えら
れて排他的論理和回路31〜34の各データをそのまま
通過させる。しカルマスクを行う場合はそのアンドゲー
ト35〜38はその対応する部分が閉じてその通過が阻
止される。アンドゲート35〜38の出力が比較結果で
ある不良データ出力となる。以上述べたようにこの発明
によるメモリ試験装置によればその被試験メモリの1ワ
ードが複数ビツトで構成される場合、その各ビツトごと
に選択的にプロツクマスクを行うことができる。
従つて柔軟性のあるマスクデータを発生することができ
、有効に不良解析を行うことが可能となる。尚比較部2
1よりの比較出力に得られた不良データをプロツクマス
クメモリ27に書込むことによつて次のシーケンスの際
に不良の発生したプロツク部分をマスクして不良解析の
時間を短縮することもできる。その際マスクデータと不
良データとを合せるため書込みの際に不良データを反転
してプロツクマスクメモリに供給する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明によるメモリ試験装置の一例を示すプ
ロツク図、第2図はそのアドレスを示す図、第3図はプ
ロツクマスクメモリの記憶例を示す図、第4図は比較部
21の例を示す図である。 11:パターン発生器、12:Xアドレス端子、13:
Yアドレス端子、14:Zアドレス端子、15:プログ
ラマブルデータセレクタ、16:データセレクタ、17
:被試験メモリ、18:データ出力端子、19:期待値
データ出力端子、21:比較部、22:不良データ出力
端子、23:マスクメモリ、27:プロツクマスクメモ
リ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 パターン発生器からのアドレスにより1ワード複数
    ビット構成の被試験メモリをアクセスし、そのメモリの
    出力と期待値パターンとを比較部で比較して試験を行う
    メモリ試験装置において、上記アドレスの一部によりブ
    ロックマスクメモリがアクセスされ、そのブロックマス
    クメモリの各ワードには上記被試験メモリの1ワード中
    の各ビットごとにマスクするか否かを示すマスクデータ
    が記憶されてあり、そのブロックマスクメモリより読出
    されたマスクデータにより上記比較部における被試験メ
    モリの1ワード中の対応ビットがマスクされるようにし
    たことを特徴とするメモリ試験装置。
JP54150904A 1979-11-21 1979-11-21 メモリ試験装置 Expired JPS5938680B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54150904A JPS5938680B2 (ja) 1979-11-21 1979-11-21 メモリ試験装置
US06/205,162 US4369511A (en) 1979-11-21 1980-11-10 Semiconductor memory test equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54150904A JPS5938680B2 (ja) 1979-11-21 1979-11-21 メモリ試験装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5673364A JPS5673364A (en) 1981-06-18
JPS5938680B2 true JPS5938680B2 (ja) 1984-09-18

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ID=15506919

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JP54150904A Expired JPS5938680B2 (ja) 1979-11-21 1979-11-21 メモリ試験装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4488300A (en) * 1982-12-01 1984-12-11 The Singer Company Method of checking the integrity of a source of additional memory for use in an electronically controlled sewing machine

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5673364A (en) 1981-06-18

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