JPS5938370A - 無電解銀めつき導体回路形成法 - Google Patents

無電解銀めつき導体回路形成法

Info

Publication number
JPS5938370A
JPS5938370A JP14969682A JP14969682A JPS5938370A JP S5938370 A JPS5938370 A JP S5938370A JP 14969682 A JP14969682 A JP 14969682A JP 14969682 A JP14969682 A JP 14969682A JP S5938370 A JPS5938370 A JP S5938370A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silver
plating
electroless
conductor circuit
silver plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14969682A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunzo Abe
安倍 俊三
Hideo Miyake
英男 三宅
Koji Nagase
永瀬 宏二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NAGASE SCREEN INSATSU KENKYUSHO KK
Toyobo Co Ltd
Original Assignee
NAGASE SCREEN INSATSU KENKYUSHO KK
Toyobo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NAGASE SCREEN INSATSU KENKYUSHO KK, Toyobo Co Ltd filed Critical NAGASE SCREEN INSATSU KENKYUSHO KK
Priority to JP14969682A priority Critical patent/JPS5938370A/ja
Publication of JPS5938370A publication Critical patent/JPS5938370A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は無電解銀めっき導体回路形成法に関し、さらに
詳しくは無電解めっきにより電気絶縁物質に導体回路を
形成する際の金属触媒核剤組成物及び無電解銀めっきに
係わるものである。
プラスチック、ガラス−セラミックなどのような電気絶
縁物質へのめつきには無電解めっき法が採用されている
ことは周知の事実である。無電解めっきは反応の触媒と
なる貴金属あるいは卑金属及びこりらの化合物を被めっ
き体に付着させることから始まる。
公知の無電解めっきによる電気絶縁物質への導体回路形
成法には次のようなものがある。
(1) lit金4(例えば、パラジウムなど)の塩化
物水浴液やコロイドを被めっき体へ付着させたのち無電
解めっきする方法。
(2)無電解めっきの核となる金属(例えば1パラジウ
ム、金、銀、銅など)を光還元により被めっき体上に生
成させたのち無電解めっきする方法。
(3)貴金属及び貴金属化合物を結合剤に混合し、被め
っき体に付着させたのち無電解めっきする方法。
(4)金属粉末と結合剤とを混合したものを−予め被め
っき体上に付着させ、次いで寅金属核をさらにその表面
に付着させたのち無電解めっきする方法。
(1)の方法は1特開昭48−60026号公報、同5
3−112229号公報、同54−13574号公報な
どで開示されているように、被めっきレジストでノぐタ
ーン化する工程に加えて、被めっき体の洗浄−中和一水
洗一感受性化剤処理一水洗一゛活性化剤処理−水洗−無
電解銅めっき液への浸漬などの数多くの工程を必要とす
る。その上、この方法では活性化剤液の調整、分析、補
給、温度コントロールなどを必要とし、その工程管理は
極めて複雑であるばかりでなく、価格的にも非常に不利
である。
(2)の方法は、光化学回路形成アディティブ法として
知られている方法であり、特開昭49−58029号公
報、同49−128833号公報、同51−34829
号公報、同53−120782号公報、同54−754
32号公報などの°提案がみられる。これらは無電解め
つ成せしめる方法で、次の工程が一般的である;被めっ
き体−接着剤塗工一孔あけ一化学粗化一感光剤・感光補
助剤塗ニー露光−現像−無nM銅めっき。
この方法は1すぐれた方法であるが、感光剤の安定性、
感度及び金属核の均一な生成などに多くの問題点があり
、d8般に実用化されるまでには至っていない。
は適応できるがフレキシブルな被めっき体には適応が卸
しいという問題点がある。
(3)の方法には、貴金属あるいは貴金属化合物を結合
剤に混合し被めっき体に付着させたのち、無電解めっき
する特開昭50−57926号公報にみられる方法があ
り、(4)の方法としては、金属粉末を結合剤に混合し
たものを予め被めっき体に付着させ、次いでクロム硫酸
S塩化第一錫浴液および塩化パラジウム溶液に順次浸漬
して活性化した後、無飯解銅又はニッケルめっきする特
開昭50−57925号公報などがある。いずれの場合
も、工程中で貴金属を活性化剤として使用しており価格
面で極めて不利である。又、前者(3)の方法では導体
回路パターンを形成するためには、めっきレジストを必
要とし、しかも貴金属及び貴金属化合物が回路部以外に
も存在するという不都合な結果をまねくため電気絶縁性
は劣ったものとなる。さらに後者(4)は1金属触媒核
を浸漬法で付着させる方法であり、この方法で導体回路
を形成することは極めて困陶である。
他方、金、銀、パラジウム、餉、カーボンなどを結合剤
と混合した導電インキを電気絶縁物質に直接パターン印
刷し導体回路を形成することも公知である。しかしなが
ら、金、銀、パラジウムは貴金属であるため極めて高価
であり1特殊な用途のみ使用されているのが実情である
。さらに銀インキは銀めっきと同様に銀のマイグレーシ
ョンという問題が解決されていない。一方1銅インキは
銅の表面酸化による導通不良化という重大な欠陥は解決
されないままになっている。
本発明者らは、前記したようなこれまでの無電解めっき
と導電インキによる導体回路の形成法のもつ問題点を解
決するため鋭意研究を積ねできた表面に選択的に無電解
銀めっきすることにより前述の問題点が大巾に改善され
ることを見い出し本発明に到達した。即ち1本発明は、
金属微粉末(a)と結合剤(b)とを必須成分とする金
属触媒核剤組成物を電気絶縁物質の表面に付着させた後
、該金属触媒核剤組成物付着表面に1選択的に無電解銀
めっきによって銀を析出させる無電解銀めっき導体回路
形成法において、金属触媒核剤組成物中の金40〜95
重量%の範囲にあることを特徴とする無電解銀めっき導
体回路形成法である。
本発明の金4触媒核剤組成物の付着とそれに続く無電解
銀めっき方法によれば、前述した従来法の欠点である(
1)工程が長い、(I+)工程管理がpM帷である、(
liDフレキシブルな被めっき体への適応が難しい、O
V)パターン形成にめっきレジストを必要とする、M 
、に価格であるなどの欠点を大巾に改善でき1しかも金
属触媒核剤組成物上に選択的に銀めっきされるため卑金
属導体回路、例えば1銅表面の酸化が防止される。又、
特筆すべき長所としては、単なる銀めっきと異なり、銀
のマイグレーションが本発明の方法による導体回路では
極めて減少されることである。
本発明において使用される電気絶縁物質としては、体積
固有抵抗値が108Ω・(以上の電気イ色縁物質である
。例えば、熱硬化性樹脂1熱可塑性樹脂1光硬化性樹脂
、電子線硬化性樹脂などのプラスチック類・セルロース
などの天然高分子化合物類、ガラス類、セラミック類、
セメント類、ケイ酸カルシウム、アルミナ焼結体などで
ある。これらの電気絶縁物質は線状、織物状、フィルム
状、シート状)板状1積層体あるいは成形品などの形状
で使用される。
本発明において使用される金tfj4m粉末(a)とし
ては、周期律表第4〜6周期、第…〜■族の金属、例エ
バ亜鉛、銅−ニッケル−コバルト、マンガン、クロム、
バナジウム、チタン、セレニウム、イツトリウム、シリ
コニウム、ニオビウム、モリブデン、テルリウム、ルテ
ニウム、ロジウム、鉛、ビスマス、タリウムなどの微粉
末が挙げられるがλ好ましいものは亜鉛、銅、ニッケル
、コバルト、マンガンの微粉末であり、特に好ましいも
のは亜鉛、銅\ニッケルの微粉末である。これらの金属
微粉末はいかなる方法で製造してもよく、形状も球状1
樹技状1針状・海綿状1粒状、片状・角状、不規則状の
いずれの粉末でもよいが、薄膜コート、スクリーン印刷
などの場合は粒径が小さい程好ましい。好ましい粒径は
10μ以下である。
本発明において使用される結合剤(b)は有機物系と無
機物系に大別される。有機物系には(1)熱硬化性樹脂
、(2)熱可塑性樹脂−(3)耐熱性樹脂、(4)感光
性樹脂などが挙げられる。
(1)熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、
ジアリルフタレート樹脂1不飽和ポリエステル樹脂\フ
エノール樹脂、メラミン樹脂、エリア樹脂、ポリウレタ
ン樹脂1アルキツド樹脂などがあり1必要に応じて有機
過酸化物などの開始剤ないしは触媒を添加して使用され
る。
(2)熱可塑性樹脂としては、例えば翫ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート翫ポリ酢酸ヒニル−ポリスチレ
ン、ポリブタジェン、ポリ塩化ビニル1ポリエチレン飄
ポリプロピレン飄アクリロニトリル−ブタジェン−スチ
レン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体−
スチレン−ブタジェン共重合体、エチレン−プロピレン
共重合体〜ポリエチレンテレフタレート1ポリブチレン
テレフタレート、ナイロン61ナイロン66、ナイロン
11、酢酸セルロース、セルロース・ブチレートなどが
挙げられる。
(3)耐熱性樹脂としては、例えば)ポリベンツイミダ
ゾール、ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリパラバン
酸〜ポリスルホン、芳香族ポリエステルなどが挙げられ
る。
(4)感光性樹脂としては1紫外線硬化性樹脂及び電子
線硬化性樹脂などが挙げられる。感光性樹脂としては、
例えば、ジアゾニウム塩類\キノンジアジド類などのジ
アゾ基を感光基とするもの、3゜3′−ジメトキシ−4
,4−ジアジドジフェニル、2゜6−ジー(4′−アジ
ドベンザル)−4−メチルシクロヘキサノンなどで代表
されるアジド基を感光基にするもの、ポリケイ皮酸ビニ
ル、ポリシンナミソデンnt[ビニルなどのシンナモイ
ル基を感光基とするもの、アクリルアミド類、アクリレ
ート類、メタクリレート類1エポキシアクリレート類1
ウレタンアクリレート類、オリゴエステルアクリレート
類などのアクリロイル基を感光基とするものや、不飽和
ポリエステル樹脂、ポリエン・ポリチオール樹脂などが
挙げられる。これらの感光性樹脂を紫外線硬化させる場
合には各種の光増感剤を添加して使用される。
上記有機物系樹脂類は、単独又は複合した形で使用され
る。適当な溶剤を用いて希釈して使用することも可能で
ある。
一方、無機物系の結合剤としては1次のようなものが例
示できる。アルミナセメント、耐熱ポルトランドセメン
トなどのセメント類、アルカリ金属シリケート、コロイ
ダルシリカ)アルキルシリケートなどのシリケート類、
アルミニウムホスフェート、マグネシウムホスフェート
などのホスフェート類1その他コロイダルアルミナーコ
ロイダル水酸化鉄、ポリオキシアルミニウムクロライド
1ポリホスフアゼン\シリコーンなど。
本発明において使用される結合剤(b)は電気絶縁物質
の種類や形状に対して最適のものを選んで使用される。
本発明の金属触媒核剤組成物は金Ml粉末(a)と結合
剤(b)を一般的な方法で混合することによって調製す
ることができる。例えば、混合する方法としてボールミ
ル、サンドミル、3本ロールなどを用いる方法である。
本発明の金属触媒核剤組成物には必要に応じて溶剤、分
散性向上剤、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、着色
剤、帯電防止剤・接着改良剤・カップリング剤などを添
加して使用することができる。
本発明においては金属微粉末(a)成分の含有率が極め
て重要である。即ち1☆X100(重量%))は40〜
95重賞%の範囲にあることが必要であり、好ましくは
60〜85重@%の範囲である。40重触%未満では均
一で選択的な無電解銀めっきが形成されず、95重量%
を超えると均一に密着性良く本発明の金属触媒核剤組成
物を電気絶縁物質に付着させることが困Hfとなる。
本発明の金属触媒核剤組成物を電気絶縁物質に付着させ
る方法としては1フラツトスクリーン印刷10−タリー
スクリーン印刷などの孔版印刷法1凸版印刷法1コーテ
ィング法1静電写真法、スプレー法、刷毛塗り法などが
あり任意の方法が使用される。
本発明の金属触媒核剤組成物は電気絶縁物質に付着させ
る場合、必要により硬化させることができる。硬化方法
としては、熱による方法、触媒による方法・紫外線照射
による方法−磁子線照射による方法などが挙げられる。
硬化方法は結合剤に最適の方法を採用することができる
本発明において実施される表面処理は無電解銀めっきの
付きまわり性を向上させる効果があり1必要に応じて実
施される。表面処理の方法としては、サンドブラスト、
サンドペーパー、ブラシなどの物理的方法および過酸化
水素/硫酸\クロム酸、7ツ酔などで処理する化学的方
法などが挙げられる。
金属触媒核剤表面の還元剤処理も必要に応じて実施され
る。この工程は金属触媒核剤を活性化し刺択的に〜しか
も速く恨めっきする効果がある。
還元剤としては、公知の無機及び有機11元剤が使用で
きる。
ルファイト、ヒドロキシメタンスルフィン酸のナトリウ
ムおよび亜鉛塩などが代表例として挙げられる。有mW
元剤としては、オキシカルボン酸類−アルデヒド類、ヒ
ドロキシメタンスルフォン酸塩、ヒドロキシメタンスル
フィン酸塩類などが代表例として挙げられる。
本発明使用される無電解銀めっき液は、銀イオン発生剤
、錯化剤、還元剤−膜改良剤1安定剤、その他の添加剤
より構成されている。銀発生剤としては硝酸銀、塩化銀
、乳酸銀などが代表例として挙げられる。錯化剤として
は、アミン類飄アルカノールアミン類1グルコン酸塩−
グルコペプトン酸塩、エチレンジアミンテトラ酢酸塩、
酒石酸塩などが代表例として挙げられる。還元剤として
は、ホルマリン、グリオキザール、硫酸ヒドラジン、ブ
ドウ糖、ロッシェル塩などがあり、膜改良剤としては、
ピリジン、2.2’−ビピリジンN 2,21−ジピリ
ジルなどの窒素含有化合物や界面活性剤などがある。
めっきの方法としては1浸漬法・スプレー法1塗布法な
どがあるが、いずれの方法をも採用することができる。
本発明の方法によると1従来の欠点である(1)工程が
長い、(II3工程管理が複雑である1、 (1107
レキシプルな被めっき体への適応が紐しい、 GV)パ
ターン形成にめっきレジストを必要とする、(V)高価
格である5(vD銅表面の酸化が起こる、(V+1)銀
のマイグレーションが発生するなどの欠点を大巾に改善
でき従来の導体回路形成法とは異なる極めてすぐれた導
体回路形成法であるということができる。
以下に実施例でさらに詳しく説明するが1本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
実施例中、単に部および%とあるのは重坦部および重量
%を示す。
実施例1〜4及び比較例1〜4 テトラヒドロフルフリルアクリレート30部−1,6−
ヘキサンジオールジアクリレート15部、ポリエステル
樹脂(テレフタル酸/イソフタル酸lエチレングリフー
ル/1,6−ヘキサンジオールE 50 / 50//
 40 / 60 (モル%)よりなるポリエステル樹
脂、分子斌3,900 ) 50部および光増感剤、ダ
ロキュア1173(メルク社製)5部を80℃加温下攪
拌し均一透明な浴液を得た。得られた溶液に粒子径10
μ票以下の銅微粉末を表−1に示す含有率になるように
混合し、セラミック3本ロールでよく混練し、本発明の
紫外線硬化性金属触媒核剤組成物を得た。
この組成物を用い、300メツシユの正張りポリエステ
ル・スクリーン印刷版を用いて、厚さ125μ哨の無処
理ポリエチレンテレフタレート・フィルムにパターン(
線巾約500シー線間隔約1000μ謂のストライプ柄
)印刷し、5.6に實高圧水銀打丁12 c+*の距離
で30秒間紫外線照射して硬化させ無電解銀めっき用試
験片を得た。
この試験片をベントナイト粉末で研磨し水洗後・10%
硫酸110%塩酸中でそれぞれ30秒間処理した。次い
で、2%のホルマリン水浴液中に室温で2分間浸漬した
のち水洗した。
続いて−この試験片を下記の組成の無を解銀めつき液中
に液を攪拌しながら室温で2分間浸漬し1水r元、乾燥
した。得られた試験結果を表−1に示した。
無電解銀めっき液 表−1無電解銀めっき試験結果 1) 線巾約500μ讃の金属微粉末核剤組成物付着表
面部をテスターを使用し1(間隔毎に20カ所について
振れを観察した。
2)導体回路の形成 否:未形成 可:形成されるが導電性不拘−優:彩成1
導電性は均一 8) 50℃、RH=95%に調製された試験管中に試
験片を入れ10Vの電圧を印加したまま200時間放置
した後試鹸片をとりだし走査電子顕微鏡により銀の移行
を観察した。
なお、実加;例3で使用した銀めっき前の試験片を用い
て無電解銀めっき用活性化法である公知の方法、即ち塩
化第一錫浴液、塩化パラジウム溶液□  に順次浸漬し
たのち、実施例3と同様の方法で無電解銀めっきを試験
したが、選択的銀めっきが得られず・パターン状に金属
触媒核剤組成物を付着させた部分だけではなく、他のポ
リエチレンテレフタレート・フィルム表面にも銀めっき
されてしまい結果としてパターンが形成されなかった。
比較例 a 実施例3におけるfA微粉末のかわりに\シルツー )
AGC−A (福田金ド箔粉工業製銀粉1粒子径5μ角
以下)を同[社含有させた銀インキを調製し1125μ
種のポリエチレンテレフタレート・フィルム上にスクリ
ーン印刷し、5.6にW高圧水銀打丁12etaの距離
で60秒間紫外線を照射して試験片を得た。こめ試験片
を用い実施例3と同様にして銀のマイグレーションを観
察したところマイグレーションが認められた。
実施例 5 実施例1〜4において作成した銀めっき済みの試験片、
を室温、RH=80%の条件下で2週間放置したのち1
その表面を走査電子顕w1.鏡により観察したところ銀
めっき表面になんら変化は認められなかった。
比較例 7゜ 実施例1〜4において作成した銀めっき前の試験片を室
温)RH=80%の条件下で2週間放置したのち、その
表面を走査電子顕@鏡により観察したところ銅粉の表面
に酸化物が発生していた。
実施例 6 実施例2についても実踪例5同様の観察を試みたが鎖め
つき表面になんら変化は認められなかった。
特許出願人 東洋紡績株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属微粉末(a)と結合剤(1+)とを必須成分とする
    金属触媒核剤組成物を電気絶縁物質の表面に付着させた
    後、該金属触媒核剤組成物付着表面に、選択的に無電解
    銀めっきによって銀を析出させる無電解銀めっき導体回
    路形成法において、金属触媒核剤組成物中の金属微粉末
    (a)の含有率範囲にあることを特徴とする無電解釧め
    つき導体回路形成法。
JP14969682A 1982-08-27 1982-08-27 無電解銀めつき導体回路形成法 Pending JPS5938370A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14969682A JPS5938370A (ja) 1982-08-27 1982-08-27 無電解銀めつき導体回路形成法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14969682A JPS5938370A (ja) 1982-08-27 1982-08-27 無電解銀めつき導体回路形成法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5938370A true JPS5938370A (ja) 1984-03-02

Family

ID=15480812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14969682A Pending JPS5938370A (ja) 1982-08-27 1982-08-27 無電解銀めつき導体回路形成法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5938370A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5227223A (en) * 1989-12-21 1993-07-13 Monsanto Company Fabricating metal articles from printed images
GB2571833A (en) * 2018-01-31 2019-09-11 Sugatsune Kogyo Holding apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5227223A (en) * 1989-12-21 1993-07-13 Monsanto Company Fabricating metal articles from printed images
GB2571833A (en) * 2018-01-31 2019-09-11 Sugatsune Kogyo Holding apparatus
GB2571833B (en) * 2018-01-31 2020-08-19 Sugatsune Kogyo Holding apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7842636B2 (en) Catalyst composition and deposition method
JP5422812B2 (ja) 無電解めっき用塗料組成物
EP1676937B1 (en) UV curable catalyst compositions
KR100887251B1 (ko) 도전성 패턴재료의 제조방법
JP3279713B2 (ja) 無電解メツキされた金属層の付着力の改善法
US5300140A (en) Hydroprimer for metallising substrate surfaces
JPH0344149B2 (ja)
KR910009982B1 (ko) 촉매화 방법 및 촉매계
JP4252919B2 (ja) 導電性パターン材料、金属微粒子パターン材料及びパターン形成方法
JPS5938370A (ja) 無電解銀めつき導体回路形成法
JPS59182961A (ja) 金属皮膜を有する無機粉体の製造方法
JPS6096548A (ja) 導電性材料
JPH02205686A (ja) 金属材料パターンの形成方法
JPH0959778A (ja) 無電解メッキの前処理方法
JPS59129764A (ja) 無電解銀めつき導体回路形成法
JPH0581919A (ja) 導電性粉末とその製造方法
JP4291718B2 (ja) 導電性パターン形成方法及び導電性パターン材料
JPH03271375A (ja) 無電解めっき方法及び無電解めっき用前処理剤
JPS59500221A (ja) 無電解メタライジングのための乾式活性化処理に用いる粉末
JPS59129765A (ja) 無電解銀めつき導体回路形成法
JP5819020B1 (ja) 密着性に優れる無電解めっきを施すための塗料組成物、及び無電解めっき物を製造する方法
JPH04123712A (ja) 導電性粉末とその製造方法
EP0729068A2 (en) Photosensitive resin composition and method of forming conductive pattern
JP2020196947A (ja) めっき物の製造方法
JPH042636A (ja) フレーク状ガラスの無電解メッキ方法