JPS5937900B2 - 出力信号制御回路を具えた発振回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は正弦波信号発振器の出力電圧を予定値に維持す
る制御回路に関するものである。

正弦波信号発生器は周期的な正弦波信号の型で電力を供
給する装置である。

正弦波信号発生器においては、出力周波数が安定なこと
、出力信号に歪みのないことおよび出力周波数を変えで
も出力信号の振幅が予定値に維持されることが必要であ
る。

一般に、出力振幅特性を安定にしようとすると、出力信
号中に望ましくない周波数の信号が発生する。

本発明は上記欠点を除去するためになされたもので、本
発明は橋絡Ｔ型発振器を用いそして振幅安定化制御回路
中に低歪みサンプル回路を用い、それにより出力周波数
および出力振幅が安定な出力信号を発生する正弦波信号
発生回路を提供せんとするものである。

以下図面を用いて本発明を説明する。

第１図は本発明において使用する橋絡Ｔ型発振器の回路
図である。

この回路の伝達関数（Ｖ２／’Ｖ ＋ ）は負の実軸上
の一対の零点および一対の極を有する。

ここで極の位置は利得の変化と共に変化する。増幅利得
が臨界値以下になると、発振器の出力信号の振幅は指数
関数的に減少し、そして臨界値以上になると増大する。

ｍ−１０の場合、増幅利得が臨界値（−５１）に維持さ
れると、安定な出力状態が得られる。

第２図は本発明による出力信号制御回路を具えた発振回
路の回路図である。

正弦波信号■２の振幅が所望値に達すると、抵抗器Ｒ１
゜Ｒ２および電界効果トランジスタＦＥＴ１ を含む帰
還回路を調整することによって、増幅器１０の利得は臨
界値に調整される。

ここで前記ＦＥＴ１は電圧制御型抵抗器（ＶＣＲ）とし
て動作する。

ＦＥＴ１は出力信号制御回路によって発生される誤差信
号■７に応答して増幅器１０の利得を制御する。

サンプル回路２０は正弦波信号■２のピーク振幅をサン
プルし、これをコンデンサ３０に記憶する。

演算増幅器４０はコンデンサ３０の記憶電圧■３と基準
電圧ｖＲとの差電圧に応答して誤差信号である電圧■４
を発生する。

信号■４の大きさに関連した信号■５は高速応答帰還回
路の出力信号で、正弦波信号の各サイクル間での振幅を
制御する。

信号ｖ６は低速応答帰還回路の出力信号で１周期にわた
って信号■４を積分することにより発生され、定常バイ
アス条件を提供する。

信号■５とｖ６とは引算されて、ＦＥＴ、のゲートに与
えられる誤差信号■７を発生する。

第２図に示したサンプル回路２０は信号■２のピーク値
をサンプルし、望ましくない周波数の信号は信号■３中
に発生させない。

一般的に望ましくない高周波信号はサンプル回路中の抵
抗器の抵抗値を急激に変化させるので、前記抵抗器はそ
の抵抗値が最大値と最小値との間で漸進的に変化する特
性をもつように設計されている。

このことは前記抵抗値をサンプルされる正弦波信号Ｖ２
の振幅の関数とすることにより達成される。

電圧制御型抵抗器４６はサンプル回路２０の前記抵抗器
として動作する。

電圧制御型抵抗器４６の抵抗値はそれに印加される制御
電圧の大きさに対し連続関数として特性つけられる。

制御電圧はサンプルされる正弦波信号ｖ２の振幅の関数
であるので、正弦波信号のピーク振幅がサンプルされる
のと一致して最小の抵抗値となり、そして高周波信号は
殆んど信号ｖ３中に導入されない。

第３図は本発明による発振回路において使用される直流
回復回路の回路図である。

サンプル回路２０は直流回復回路を使用して電圧制御型
抵抗器４６に与えられる制御電圧を発生する。

直流回復回路の出力信号■。

は入力信号ＶＩＮとコンデンサ３４の両端子開信号の差
信号である。

出力信号■。は理想的には、入力信号ＶＩＮの交流成分
に等しいピーク・ピーク値を有し、そして理想的には入
力信号ＶＩＮのピーク・ピーク電圧１／２に等しい電圧
の直流成分を有する。

その結果、入力信号ＶＩＮの正のピーク値が生ずるとき
出力電圧■。

は基準電位、この場合零電位に基準化される。

したがってこれらのピーク値は基準電位に直流的に回復
されたと言うことができる。

なお、ダイオード３６の極性を反転しで、所望の基準電
位に基準化してもよい。

また回路を変形して、他方のピーり値がある所望の基準
電位に維持されるようにしてもよい。

第４図は第３図に示した直流回復回路を用いたサンプル
回路の回路図である。

電圧制御型抵抗器４６は電界効果型トランジスタＦＥＴ
よりなり、その抵抗値はそのゲートに零以上の正電圧が
加えられるときに小さくなり、負方向の電圧が加えられ
るときに大きくなる。

直流回復回路の出力信号は前記ＦＥＴのゲートに制御電
圧を供給する。

したがって、信号■２はそのピーク部分のみがサンプル
され、帰還ループに高周波成分が導入されなＧ）。

第５図は本発明による発振回路の詳細回路図である。

増幅器１０の出力信号の大きさが急激に変化した場合の
ような特別な動作条件に適応させるために他の回路が付
加されている。

このような動作条件は新しい別の周波数を発生させるた
めに橋絡Ｔ型回路を調整した場合に生ずる。

直流回復回路が小さな直流バイアス信号を発生している
さすると、電圧制御型抵抗器４６は大きな抵抗値を有す
る。

そのためコンデンサ３０に充電されていたサンプルされ
た信号は抵抗器５０を介しで放電される。

信号ｖ３の振幅が臨界値以下になると、信号■４の振幅
が低下し、ダイオードＤ２がオンになる。

したがって、信号ｖ５の振幅は減少し、大きな負方向ス
テップをもつ誤差信号ｖ７が発生する。

その結果増幅器１０の利得が増大する。

したがって、信号■２の振幅が増大し、所望の出力振幅
への復帰が早められる。

そしてサンプル回路２０は再び定常状態にもどり、ダイ
オードＤ２はオフになる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明において使用する橋絡Ｔ型発振器の回路
図、第２図は本発明による出力信号制御回路を具えた発
振回路の回路図、第３図は本発明において使用する直流
復帰回路の回路図、第４図は本発明において使用するサ
ンプル回路の回路図、第５図は第２図に示した発振回路
の詳細回路図である。 ２０：サンプル回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 利得制御部に電圧制御型抵抗器を含む発振器と、前
   記発振器の出力端子に接続されて、入力端子に印加され
   た入力交流成分のピーク・ピーク値に応答して抵抗値が
   変化し、前記入力交流成分をサンプルするサンプル回路
   と、前記サンプル回路の出力信号を記憶する記憶素子と
   、前記記憶素子の出力信号と基準信号との差信号を検出
   して第１誤差信号を発生する第１検出回路と、前記第１
   誤差信号を積分する積分回路さ、前記積分回路の出力信
   号と前記第１誤差信号との差信号を検出して第２誤差信
   号を発生する第２検出回路と、前記第２誤差信号により
   前記電圧制御型抵抗器の抵抗値を制御する手段とにより
   成る出力信号制御回路を具えた発振回路。