JPS5937605B2 - 弾性表面波素子 - Google Patents

弾性表面波素子

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JPS5937605B2
JPS5937605B2 JP54121933A JP12193379A JPS5937605B2 JP S5937605 B2 JPS5937605 B2 JP S5937605B2 JP 54121933 A JP54121933 A JP 54121933A JP 12193379 A JP12193379 A JP 12193379A JP S5937605 B2 JPS5937605 B2 JP S5937605B2
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JP
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juicer
acoustic wave
surface acoustic
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久夫 岩本
昇 若月
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は弾性表面波素子の改良に関する。
近年、通信用電子機器における急速なＩＣ化に伴い、小
型の超高周波フィルタとして弾性表面波素子が用いられ
るようになって来ている。
この弾性表面波素子は第１図に示す如（ニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂ０３）、タンタル酸リチウム（Ｌ ｔ Ｔ
ａ ０３ ）等の圧電物質で形成された基板１の表面
にそれぞれ２個の櫛形状電極を組合せて形成した入カド
ランスジューサ２と出カドランスジユーザ３とを設けた
ものであって、入カドランスジューサ２より電気信号４
を入れて弾性表面波５を発生させ、これを伝播させて出
カドランスジューサ３より電気信号６として取出すこと
ができるようにしたものである。
この場合、電極のパターンの設計をいろいろ工夫するこ
とによって電気信号から音響信号へ変換するとき、ある
いはその逆変換のときに任意のフィルタ特性をつくるこ
とができる。
ところが入カドランスジューサからは表面波のほかに基
板の内部を伝播するバルク波も発生し、これが出カドラ
ンスジューサに伝達されその出力特性に悪影響を及ぼし
ている。
このため第２図に示す如（入カドランスジューサ２と出
カドランスジューサ３とを図の如く斜方向に配置し、そ
の中間に複数条の平行電極からなるマルチストリップカ
プラ７を設け、入カドランスジューサ２より放射された
表面波エネルギを電気エネルギに変換し、マルチストリ
ップカプラ１自身で再度表面波として再放射し、伝播路
を実線矢印の如く曲折させて、点線矢印の如（伝播する
バルク波の影響を除いている。
しかしこの場合も第３図に示す如く出カドランスジュー
サ３から反射した表面波がマルチストリップカプラ７を
介して入カドランスジューサ２に伝播され、これが再び
反射して再度マルチストリップカプラ７を経て出カドラ
ンスジューサ３に入る、いわゆるトリプルトランジスト
エコー（ＴＴＥ’）が生じ、フィルタ特性を劣化させる
。
このＴＴＥの抑圧は単純な構造で解決することは困難で
あるため、従来は第４図に示す如き方法が考えられてい
る。
これは出カドランスジューサ３からの反射を打消すため
に第３のトランスジューサ８を入カドランスジューサ２
に対向して設け、マルチストリップカプラ７から漏れて
来る入カドランスジューサ２０表面波を反射するように
したものである。
ところがこの方法は反射用のトランスジューサ８の反射
量を適当の大きさに調整するため図の如く電極間に可変
インダクタンスコイル９と可変抵抗器１０とを挿入する
必要があり装置が大型化する欠点がある。
本発明はこの欠点を改良するために案出されたものであ
る。
このため本発明においては、圧電材料にて形成した基板
の上に、複数条の電極からなるマルチストリップカプラ
と、該マルチストリップカプラを挾んで斜に対向する入
カドランスジューサ及び出カドランスジューサと該入カ
ドランスジューサに前記マルチストリップカプラを挾ん
で対向する表面波反射用のトランスジューサとを具備し
て成る弾性表面波素子において、前記反射用トランスジ
ューサには反射量を調整するために重み付けを施したこ
とを特徴とするものである。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に説
明する。
第５図に実施例の模式図を示す。
本実施例は図に示す如（圧電材料にて形成された基板１
の上に、複数条の電極からなるマルチストリップカプラ
７を設け、このマルチストリップカプラ７を挾んで一方
に入カドランスジューサ２を設け、他方に入カドランス
ジューサ２と対向して配置され、かつ反射量を調整する
ための重み付けを行なった反射用トランスジューサ８と
、入カドランスジューサ２と斜に対向して配置された出
カドランスジューサ３とを設け、さらに反射用トランス
ジューサ８とマルチストリップカプラ７との間に反射用
トランスジユーザの幅にほぼ等しい長さを有する複数条
の金属ストリップ１１を設けたものである。
なお入カドランスジューサ２と出カドランスジューサ３
とは弾性的反射を抑圧するようにするため電極のフィン
ガーピッチを使用中心周波数における波長の約阿とし、
反射用のトランスジユーザ８は反射を増すように電極フ
ィンガーのピッチを波長の約％とすると良い。
また反射用トランスジューサ８０反射量の調整は主にマ
ルチストリップカプラ７の対数を調整することにより行
ない、さらにフィルタの周波数特性に近づけるために重
み付けを行なっている。
これにより、従来の如き可変インダクタンスコイル等を
必要とせずに反射用トランスジューサ８よりの反射量を
出カドランスジューサからの反射量にほぼ等しく調整す
ることができる。
又、複数条の金属ストリップ１１は反射用トランスジュ
ーサ８から反射波の位相を調整するために付加したもの
で、その本数や線幅或は端部を短絡するなどの調整によ
り行なわれる。
このように構成された本発明の弾性表面波素子は、出カ
ドランスジューサ３より反射し再び入カドランスジュー
サ２に反射した表面波と、入カドランスジューサ２より
出てマルチストリップカプラ７を通過し反射用トランス
ジューサ８により反射した表面波とが打ち消し合って、
出カドランスジューサ３に入るＴＴＥ を抑圧すること
ができるのである。
第６図は中心周波数３６ＭＨで７ＭＨ，７，帯域の弾性
表面波フィルタの従来品と本発明品との周波数特性を比
較して示したものである。
図は横軸に周波数を、縦軸にレスポンス（リニアスケー
ル）をとり、曲線Ａ（実線）により従来品の特性を示し
、曲線Ｂ（点線）により本発明品の特性を示した。
図より従来品のリップルは約０．３６ｄＢであるのに対
し本発明品のリップルは０．２ｄＢでありＴＴＥの抑圧
効果が現われていることがわかる。
この本発明に係る実施例によれば重み付は反射用トラン
スジューサと金属ストリップによりＴＴＥの抑圧を行な
うことができ表面波フィルタの周波数特性を改善できる
。
以上説明した如く本発明の弾性表面波フィルタは反射用
のトランスジューサに重み付けを施したことによって、
出カドランスジューサからの反射量と反射用トランスジ
ューサからの反射量を広い周波数範囲で打ち消すことが
可能になり周波数特性の良好な表面波フィルタを提供で
きる。
又、従来の如き可変インダクタンスコイル等が不要にな
り部品点数が少な（且つ小型なものが得られるなどその
効果は著しいものである。
尚、上記実施例では反射波の位相調整のため金属ストリ
ップを設けたが、本発明はこれに限定されず、例えば反
射用ｌ・ランスジユーザの位置を出カドランスジューサ
に対し左右にシフトすることによっても反射波の位相調
整が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は弾性表面波フィルタの原理図、第２図はマルチ
ストリップカプラを有する弾性表面波フィルタの模式図
、第３図はマルチストリップカプラを有する弾性表面波
フィルタのトリプルトランジストエコー（ＴＴＥ）の説
明図、第４図はＴＴＥ抑圧のための反射用トランスジュ
ーサを設けた弾性表面波フィルタの模式図、第５図は本
発明にかかる実施例の弾性表面波フィルタの模式図、第
６図は従来品と本発明品の周波数特性を比較して示した
線図である。 １・・・・・・圧電基板、２・・・・・・入カドランス
ジューサ、３・・・・・・出カドランスジューサ、７・
・・・・・マルチストリップカプラ、８・・・・・・反
射用トランスジューサ、１１・・・・・・金属ストリッ
プ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 圧電材料にて形成した基板の上に、複数条の電極か
    らなるマルチストリップカプラと、該マルチストリップ
    カプラを挾んで斜に対向する入カドランスジューサ及び
    出カドランスジューサと、該入カドランスジューサに前
    記マルチストリップカプラを挾んで対向する表面波反射
    用のトランスジューサとを具備して成る弾性表面波素子
    において、前記反射用トランスジューサに反射量を調整
    するための重み付けを施したことを特徴とする弾性表面
    波素子。
JP54121933A 1979-09-25 1979-09-25 弾性表面波素子 Expired JPS5937605B2 (ja)

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EP80303362A EP0026114B1 (en) 1979-09-25 1980-09-24 Surface acoustic wave device
DE8080303362T DE3072140D1 (en) 1979-09-25 1980-09-24 Surface acoustic wave device
US06/190,645 US4342011A (en) 1979-09-25 1980-09-25 Surface acoustic wave device

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DE (1) DE3072140D1 (ja)

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EP0026114B1 (en) 1989-01-25
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