JPS5937605B2 - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPS5937605B2 JPS5937605B2 JP54121933A JP12193379A JPS5937605B2 JP S5937605 B2 JPS5937605 B2 JP S5937605B2 JP 54121933 A JP54121933 A JP 54121933A JP 12193379 A JP12193379 A JP 12193379A JP S5937605 B2 JPS5937605 B2 JP S5937605B2
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- Japan
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- transducer
- reflection
- juicer
- acoustic wave
- surface acoustic
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
- H03H9/0285—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections of triple transit echo
-
- H—ELECTRICITY
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02795—Multi-strip couplers as track changers
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
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- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波素子の改良に関する。
近年、通信用電子機器における急速なIC化に伴い、小
型の超高周波フィルタとして弾性表面波素子が用いられ
るようになって来ている。
型の超高周波フィルタとして弾性表面波素子が用いられ
るようになって来ている。
この弾性表面波素子は第1図に示す如(ニオブ酸リチウ
ム(LiNb03)、タンタル酸リチウム(L t T
a 03 )等の圧電物質で形成された基板1の表面
にそれぞれ2個の櫛形状電極を組合せて形成した入カド
ランスジューサ2と出カドランスジユーザ3とを設けた
ものであって、入カドランスジューサ2より電気信号4
を入れて弾性表面波5を発生させ、これを伝播させて出
カドランスジューサ3より電気信号6として取出すこと
ができるようにしたものである。
ム(LiNb03)、タンタル酸リチウム(L t T
a 03 )等の圧電物質で形成された基板1の表面
にそれぞれ2個の櫛形状電極を組合せて形成した入カド
ランスジューサ2と出カドランスジユーザ3とを設けた
ものであって、入カドランスジューサ2より電気信号4
を入れて弾性表面波5を発生させ、これを伝播させて出
カドランスジューサ3より電気信号6として取出すこと
ができるようにしたものである。
この場合、電極のパターンの設計をいろいろ工夫するこ
とによって電気信号から音響信号へ変換するとき、ある
いはその逆変換のときに任意のフィルタ特性をつくるこ
とができる。
とによって電気信号から音響信号へ変換するとき、ある
いはその逆変換のときに任意のフィルタ特性をつくるこ
とができる。
ところが入カドランスジューサからは表面波のほかに基
板の内部を伝播するバルク波も発生し、これが出カドラ
ンスジューサに伝達されその出力特性に悪影響を及ぼし
ている。
板の内部を伝播するバルク波も発生し、これが出カドラ
ンスジューサに伝達されその出力特性に悪影響を及ぼし
ている。
このため第2図に示す如(入カドランスジューサ2と出
カドランスジューサ3とを図の如く斜方向に配置し、そ
の中間に複数条の平行電極からなるマルチストリップカ
プラ7を設け、入カドランスジューサ2より放射された
表面波エネルギを電気エネルギに変換し、マルチストリ
ップカプラ1自身で再度表面波として再放射し、伝播路
を実線矢印の如く曲折させて、点線矢印の如(伝播する
バルク波の影響を除いている。
カドランスジューサ3とを図の如く斜方向に配置し、そ
の中間に複数条の平行電極からなるマルチストリップカ
プラ7を設け、入カドランスジューサ2より放射された
表面波エネルギを電気エネルギに変換し、マルチストリ
ップカプラ1自身で再度表面波として再放射し、伝播路
を実線矢印の如く曲折させて、点線矢印の如(伝播する
バルク波の影響を除いている。
しかしこの場合も第3図に示す如く出カドランスジュー
サ3から反射した表面波がマルチストリップカプラ7を
介して入カドランスジューサ2に伝播され、これが再び
反射して再度マルチストリップカプラ7を経て出カドラ
ンスジューサ3に入る、いわゆるトリプルトランジスト
エコー(TTE’)が生じ、フィルタ特性を劣化させる
。
サ3から反射した表面波がマルチストリップカプラ7を
介して入カドランスジューサ2に伝播され、これが再び
反射して再度マルチストリップカプラ7を経て出カドラ
ンスジューサ3に入る、いわゆるトリプルトランジスト
エコー(TTE’)が生じ、フィルタ特性を劣化させる
。
このTTEの抑圧は単純な構造で解決することは困難で
あるため、従来は第4図に示す如き方法が考えられてい
る。
あるため、従来は第4図に示す如き方法が考えられてい
る。
これは出カドランスジューサ3からの反射を打消すため
に第3のトランスジューサ8を入カドランスジューサ2
に対向して設け、マルチストリップカプラ7から漏れて
来る入カドランスジューサ20表面波を反射するように
したものである。
に第3のトランスジューサ8を入カドランスジューサ2
に対向して設け、マルチストリップカプラ7から漏れて
来る入カドランスジューサ20表面波を反射するように
したものである。
ところがこの方法は反射用のトランスジューサ8の反射
量を適当の大きさに調整するため図の如く電極間に可変
インダクタンスコイル9と可変抵抗器10とを挿入する
必要があり装置が大型化する欠点がある。
量を適当の大きさに調整するため図の如く電極間に可変
インダクタンスコイル9と可変抵抗器10とを挿入する
必要があり装置が大型化する欠点がある。
本発明はこの欠点を改良するために案出されたものであ
る。
る。
このため本発明においては、圧電材料にて形成した基板
の上に、複数条の電極からなるマルチストリップカプラ
と、該マルチストリップカプラを挾んで斜に対向する入
カドランスジューサ及び出カドランスジューサと該入カ
ドランスジューサに前記マルチストリップカプラを挾ん
で対向する表面波反射用のトランスジューサとを具備し
て成る弾性表面波素子において、前記反射用トランスジ
ューサには反射量を調整するために重み付けを施したこ
とを特徴とするものである。
の上に、複数条の電極からなるマルチストリップカプラ
と、該マルチストリップカプラを挾んで斜に対向する入
カドランスジューサ及び出カドランスジューサと該入カ
ドランスジューサに前記マルチストリップカプラを挾ん
で対向する表面波反射用のトランスジューサとを具備し
て成る弾性表面波素子において、前記反射用トランスジ
ューサには反射量を調整するために重み付けを施したこ
とを特徴とするものである。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第5図に実施例の模式図を示す。
本実施例は図に示す如(圧電材料にて形成された基板1
の上に、複数条の電極からなるマルチストリップカプラ
7を設け、このマルチストリップカプラ7を挾んで一方
に入カドランスジューサ2を設け、他方に入カドランス
ジューサ2と対向して配置され、かつ反射量を調整する
ための重み付けを行なった反射用トランスジューサ8と
、入カドランスジューサ2と斜に対向して配置された出
カドランスジューサ3とを設け、さらに反射用トランス
ジューサ8とマルチストリップカプラ7との間に反射用
トランスジユーザの幅にほぼ等しい長さを有する複数条
の金属ストリップ11を設けたものである。
の上に、複数条の電極からなるマルチストリップカプラ
7を設け、このマルチストリップカプラ7を挾んで一方
に入カドランスジューサ2を設け、他方に入カドランス
ジューサ2と対向して配置され、かつ反射量を調整する
ための重み付けを行なった反射用トランスジューサ8と
、入カドランスジューサ2と斜に対向して配置された出
カドランスジューサ3とを設け、さらに反射用トランス
ジューサ8とマルチストリップカプラ7との間に反射用
トランスジユーザの幅にほぼ等しい長さを有する複数条
の金属ストリップ11を設けたものである。
なお入カドランスジューサ2と出カドランスジューサ3
とは弾性的反射を抑圧するようにするため電極のフィン
ガーピッチを使用中心周波数における波長の約阿とし、
反射用のトランスジユーザ8は反射を増すように電極フ
ィンガーのピッチを波長の約%とすると良い。
とは弾性的反射を抑圧するようにするため電極のフィン
ガーピッチを使用中心周波数における波長の約阿とし、
反射用のトランスジユーザ8は反射を増すように電極フ
ィンガーのピッチを波長の約%とすると良い。
また反射用トランスジューサ80反射量の調整は主にマ
ルチストリップカプラ7の対数を調整することにより行
ない、さらにフィルタの周波数特性に近づけるために重
み付けを行なっている。
ルチストリップカプラ7の対数を調整することにより行
ない、さらにフィルタの周波数特性に近づけるために重
み付けを行なっている。
これにより、従来の如き可変インダクタンスコイル等を
必要とせずに反射用トランスジューサ8よりの反射量を
出カドランスジューサからの反射量にほぼ等しく調整す
ることができる。
必要とせずに反射用トランスジューサ8よりの反射量を
出カドランスジューサからの反射量にほぼ等しく調整す
ることができる。
又、複数条の金属ストリップ11は反射用トランスジュ
ーサ8から反射波の位相を調整するために付加したもの
で、その本数や線幅或は端部を短絡するなどの調整によ
り行なわれる。
ーサ8から反射波の位相を調整するために付加したもの
で、その本数や線幅或は端部を短絡するなどの調整によ
り行なわれる。
このように構成された本発明の弾性表面波素子は、出カ
ドランスジューサ3より反射し再び入カドランスジュー
サ2に反射した表面波と、入カドランスジューサ2より
出てマルチストリップカプラ7を通過し反射用トランス
ジューサ8により反射した表面波とが打ち消し合って、
出カドランスジューサ3に入るTTE を抑圧すること
ができるのである。
ドランスジューサ3より反射し再び入カドランスジュー
サ2に反射した表面波と、入カドランスジューサ2より
出てマルチストリップカプラ7を通過し反射用トランス
ジューサ8により反射した表面波とが打ち消し合って、
出カドランスジューサ3に入るTTE を抑圧すること
ができるのである。
第6図は中心周波数36MHで7MH,7,帯域の弾性
表面波フィルタの従来品と本発明品との周波数特性を比
較して示したものである。
表面波フィルタの従来品と本発明品との周波数特性を比
較して示したものである。
図は横軸に周波数を、縦軸にレスポンス(リニアスケー
ル)をとり、曲線A(実線)により従来品の特性を示し
、曲線B(点線)により本発明品の特性を示した。
ル)をとり、曲線A(実線)により従来品の特性を示し
、曲線B(点線)により本発明品の特性を示した。
図より従来品のリップルは約0.36dBであるのに対
し本発明品のリップルは0.2dBでありTTEの抑圧
効果が現われていることがわかる。
し本発明品のリップルは0.2dBでありTTEの抑圧
効果が現われていることがわかる。
この本発明に係る実施例によれば重み付は反射用トラン
スジューサと金属ストリップによりTTEの抑圧を行な
うことができ表面波フィルタの周波数特性を改善できる
。
スジューサと金属ストリップによりTTEの抑圧を行な
うことができ表面波フィルタの周波数特性を改善できる
。
以上説明した如く本発明の弾性表面波フィルタは反射用
のトランスジューサに重み付けを施したことによって、
出カドランスジューサからの反射量と反射用トランスジ
ューサからの反射量を広い周波数範囲で打ち消すことが
可能になり周波数特性の良好な表面波フィルタを提供で
きる。
のトランスジューサに重み付けを施したことによって、
出カドランスジューサからの反射量と反射用トランスジ
ューサからの反射量を広い周波数範囲で打ち消すことが
可能になり周波数特性の良好な表面波フィルタを提供で
きる。
又、従来の如き可変インダクタンスコイル等が不要にな
り部品点数が少な(且つ小型なものが得られるなどその
効果は著しいものである。
り部品点数が少な(且つ小型なものが得られるなどその
効果は著しいものである。
尚、上記実施例では反射波の位相調整のため金属ストリ
ップを設けたが、本発明はこれに限定されず、例えば反
射用l・ランスジユーザの位置を出カドランスジューサ
に対し左右にシフトすることによっても反射波の位相調
整が実現できる。
ップを設けたが、本発明はこれに限定されず、例えば反
射用l・ランスジユーザの位置を出カドランスジューサ
に対し左右にシフトすることによっても反射波の位相調
整が実現できる。
第1図は弾性表面波フィルタの原理図、第2図はマルチ
ストリップカプラを有する弾性表面波フィルタの模式図
、第3図はマルチストリップカプラを有する弾性表面波
フィルタのトリプルトランジストエコー(TTE)の説
明図、第4図はTTE抑圧のための反射用トランスジュ
ーサを設けた弾性表面波フィルタの模式図、第5図は本
発明にかかる実施例の弾性表面波フィルタの模式図、第
6図は従来品と本発明品の周波数特性を比較して示した
線図である。 1・・・・・・圧電基板、2・・・・・・入カドランス
ジューサ、3・・・・・・出カドランスジューサ、7・
・・・・・マルチストリップカプラ、8・・・・・・反
射用トランスジューサ、11・・・・・・金属ストリッ
プ。
ストリップカプラを有する弾性表面波フィルタの模式図
、第3図はマルチストリップカプラを有する弾性表面波
フィルタのトリプルトランジストエコー(TTE)の説
明図、第4図はTTE抑圧のための反射用トランスジュ
ーサを設けた弾性表面波フィルタの模式図、第5図は本
発明にかかる実施例の弾性表面波フィルタの模式図、第
6図は従来品と本発明品の周波数特性を比較して示した
線図である。 1・・・・・・圧電基板、2・・・・・・入カドランス
ジューサ、3・・・・・・出カドランスジューサ、7・
・・・・・マルチストリップカプラ、8・・・・・・反
射用トランスジューサ、11・・・・・・金属ストリッ
プ。
Claims (1)
- 1 圧電材料にて形成した基板の上に、複数条の電極か
らなるマルチストリップカプラと、該マルチストリップ
カプラを挾んで斜に対向する入カドランスジューサ及び
出カドランスジューサと、該入カドランスジューサに前
記マルチストリップカプラを挾んで対向する表面波反射
用のトランスジューサとを具備して成る弾性表面波素子
において、前記反射用トランスジューサに反射量を調整
するための重み付けを施したことを特徴とする弾性表面
波素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54121933A JPS5937605B2 (ja) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | 弾性表面波素子 |
EP80303362A EP0026114B1 (en) | 1979-09-25 | 1980-09-24 | Surface acoustic wave device |
DE8080303362T DE3072140D1 (en) | 1979-09-25 | 1980-09-24 | Surface acoustic wave device |
US06/190,645 US4342011A (en) | 1979-09-25 | 1980-09-25 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54121933A JPS5937605B2 (ja) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | 弾性表面波素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5646318A JPS5646318A (en) | 1981-04-27 |
JPS5937605B2 true JPS5937605B2 (ja) | 1984-09-11 |
Family
ID=14823516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54121933A Expired JPS5937605B2 (ja) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | 弾性表面波素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4342011A (ja) |
EP (1) | EP0026114B1 (ja) |
JP (1) | JPS5937605B2 (ja) |
DE (1) | DE3072140D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01164508U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-16 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3107381B2 (ja) * | 1989-05-26 | 2000-11-06 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波デバイス |
JP2847438B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1999-01-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 弾性表面波素子 |
DE4213800A1 (de) * | 1992-04-27 | 1993-10-28 | Siemens Ag | Gewichteter Reflektor für eine Oberflächenwellenanordnung |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3662293A (en) * | 1971-03-17 | 1972-05-09 | Zenith Radio Corp | Acoustic-wave transmitting device |
US4060833A (en) * | 1976-04-26 | 1977-11-29 | Rca Corporation | Transducer arrangement for a surface acoustic wave device to inhibit the generation of multiple reflection signals |
US4146851A (en) * | 1977-06-23 | 1979-03-27 | Gte Laboratories Incorporated | Acoustic surface wave device |
-
1979
- 1979-09-25 JP JP54121933A patent/JPS5937605B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-09-24 EP EP80303362A patent/EP0026114B1/en not_active Expired
- 1980-09-24 DE DE8080303362T patent/DE3072140D1/de not_active Expired
- 1980-09-25 US US06/190,645 patent/US4342011A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01164508U (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-16 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3072140D1 (en) | 1989-03-02 |
EP0026114B1 (en) | 1989-01-25 |
JPS5646318A (en) | 1981-04-27 |
EP0026114A1 (en) | 1981-04-01 |
US4342011A (en) | 1982-07-27 |
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