JPS5936238B2 - 放射性物質の貯蔵方法と装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は物の貯蔵に係り、特に有害物質又は放射性物質
の貯蔵に係るものである。

物質、特に有害物質又は放射性物質の便利な貯蔵に係る
本発明の方法は、その物質のイオンでソリッド又は固体
をボンバードすることにより固体内に物質を閉じ込めて
固体内に物質の濃縮状態をつくり出す。

本発明の方法の一つにおいては、固体の表面下に物質を
植えつけるのに十分なエネルギーでホンバードラ行ない
、そしてスパッタリングによる固体の侵蝕を調節してそ
の物質がその中に保持されることを妨げないようにする
。

固体の厚みが正味の利得となるように捕捉しようとする
物質の植え付けと同時に固体をつくるのにスパッタリン
グを利用できる。

又は、スパッタリングを利用して捕捉しようとする物質
の移植と固体のビルド・アップを交互に行なう。

固体をビルド・アップしていくのに利用できる他の方法
は、例えば蒸着である。

広範囲の金属物質又はセラミック物質から固体を選択で
きるものと考える。

本発明〔こ利用するのに最も適した性質を持つものとし
ては金属と合金が考えられる。

例えば、耐熱金属を使用すると高温安定性という利点が
得られる。

本発明の利用の一例としては、核燃料の再処理中に生じ
る放射性ガスの貯蔵である。

この再処理中の問題は照射された燃料中に捕捉されたク
リプトン ガスの放出である。

再処理中に生じるクリプトン ガスの約７％−８％はア
イソトープのクリプトン−８５の形である。

クリプトン−８５の半減間は約１０年であるのでこのア
イソトープを含むクリプトンガスの貯蔵法は１００−２
００年の間ガスを安全に封じ込めておけるものでなけれ
ばならない。

このような長期間にわたり普通のボンベに加圧状態でガ
スを貯蔵することはボンベの腐蝕とそのための放射性ガ
スの漏出の危険をもたらす。

低圧貯蔵は必要とされる容器が大きくなるので不都合で
ある。

本発明においては、アイソトープ（クリプトン＝８５）
を含むクリプトンは、クリプトンイオンと固体例えばニ
ッケルとか銅をボンバードしてその固体の中にクリプト
ンの泡をつくることにより固体内に閉じ込めるのである
。

本発明の一実施例においては、スパッタリングを用いて
固体をビルド・アップする。

泡の大きさは温度に関係するが、典型的な泡の大きさは
数百オングストロームの範囲にある。

これらの泡は少なくともそれらが形成された温度までは
安定している。

従って、もし高温（例えば５００℃）で固体をクリプト
ンのイオンでボンバードすれば、漏出の生じる温度は貯
蔵状態での周囲温度よりも十分に高い。

高温で固体をボンバードすることは、固体が貯蔵中熱に
偶発的にさらされる、例えば火災をうけるときでもガス
放出の危険をなくすようにしてガスを捕捉する手段とな
るものと考える。

原則として、本発明は広範囲な物質を捕捉して貯蔵する
のに利用できる。

クリプトンの池にも例え゛ず゛キセノン、ヘリウム、ト
リチウムも捕捉できる。

核燃料の再処理中キセノンとクリプトンとは一緒に生じ
る。

しかし、キセノンの半減期は短かくそして商業的価値も
あるので、クリプトンとキセノンの混合物からキセノン
を分離してクリプトンを貯蔵する。

ヘリウムやトリチウムのような軽い物質を捕捉するのに
本発明を使用すると、軽い物質は容易に植え込められる
けれども、軽い物質によるスパッタリングは僅かである
ということを考慮することが必要である。

従って、固体ビルド・アップのためスパッタリングを使
用できるようにするため、スパッタリングに使用できる
アルゴンのような別の気体が植え込もうとする軽い物質
と一緒に含まれる。

ＳＴＰにおける約３４０リツトルまでのクリプトンを本
発明に従って１０００ｃｃ（８，９ｋｇ）のニッケルに
貯蔵できる。

普通の気体ボンベを使用すると約２・２００ｐ、ｓ、ｉ
、の圧力で１リツトルの気体スペース当りＳＴＰで僅か
１７０リツトルのクリプトンしか貯蔵できない。

クリプトンを捕捉するのに金属を使用することにより得
られる利点は貯蔵中に放射崩壊熱が消散せしめられるこ
とである。

固体中にガスが捕捉されると、固体それ自体をケースに
入れて長期の貯蔵中漏出の危険がないようにする。

固体内の物質の濃縮状態をつくるように物質のイオンで
固体をボンバードすることにより固体内に物質を捕捉し
貯蔵するのに使用する本発明の装置は、放電装置の部分
を形成している一対の電極と貯蔵しようとする物質を含
む雰囲気をこれらの電極の周りに保持するための手段と
を備え、電源により電極を付勢して貯蔵しようとする物
質のイオンを植え込みそして物質を固体の中に捕捉する
ように構成されている。

一つの実施例においてこの装置は、一方の電極からのス
パッタリングにより他方の電極をつくるように制御でき
るようになっている電源と使用できる。

本発明の装置の一実施例（よ、貯蔵しようとする物質を
含む雰囲気を包囲するためのそして放電装置の一方の電
極を形成するようになっている密封可能な容器と第２の
電極となっている容器内の電極とを備え、貯蔵しようと
する物質のイオンを植えつけることができそれにより密
封可能な容器の壁に物質を捕捉できるように電極を電源
により付勢するように構成している。

容器は円筒形であるのが好ましい。

物質を捕捉できる固体から容器全体をつくらなくてもす
むようにそのような固体のライニングを容器の内側に設
けてもよい。

本発明の方法を実施するための装置を添付図を参照して
説明する。

第１図を参照する。

密封可能の室１のパイプ２を弁４を介して真空系３へ接
続する。

室１の中の２つの固体電極５，６はガス物質を捕捉する
ことのできる固体から成る。

又、この室には透過性電極１がある。

これらの電極５，６，７は導線８゜９．１０を介して電
源（図示せず）に接続されている。

装置が作動しているときに発注する熱を消散するため冷
却媒体１１．１２を循環させるための手段を講じている
。

室１の中へガス状物質を導入するため制御弁１４を有す
るパイプ１３を設ける。

作動に当っては、先ずパイプ２、真空系３及び弁４を用
いて約１００ミクロンの圧力まで室１を排気する。

次に、植え込んで固体中に捕捉せしめようとするガス状
物質例えばアイソトープ（クリプトン８５）を含むクリ
プトンをパイプ１３と弁１４を用いて室１の中に入れて
電極５，６．７を取囲むようにする。

固体中へ植え込ませただけの分量のガス状物質を導入す
るように弁１４は室１内の圧力により自動的に調整され
る。

必要とされる低圧を室内に維持するため室１から連続的
に吸引することが必要な場合もある。

電極５，６．７への電力の供給を調整することによりガ
ス状物質を介して放電が生じ、その結果透過性電極７に
面している表面を通して電極５゜６の中へガス状物質が
植え込まれていく。

電極５，６の中にイオンを植え込んでいくときにはその
固体の物質のスパッタリングも生じる。

通常はこのため植込まれたガス状物質が解放されるまで
電極の表面が侵蝕される。

然しなから、（例えば一方の電極が他方の電極の放電の
４倍を受けるように）電極への電力供給を制御すること
により電極６の表面が電極５からスパッターされた物質
によってビルド・アップ又はつくり上げられていく。

このことは電極５が犠牲的な役割を果し、そして侵蝕し
ていき、その中に植込まれたガス状物質は室１の内側へ
放出せしめられ、電極６は厚みを増しそしてガス状物質
を捕捉する。

同時に植込みとビルド・アップを行わせるか又は植込み
とビルド・アップを交互に行なわせるかの何れかを行う
ように電源を制御できる。

電極へかける電圧の木きさ、極性、電極への電圧の印加
時間を調節して電源を制御できる。

室１への放射性ガスの供給を中断することができ、そし
てアイソト−プ（クリプトン−８５）を含むクリプトン
のような放射性ガスの場合、非放射性ガス（例えば非放
射性のクリプトン又はアルゴン）の雰囲気を室１の中へ
導入することができる。

従って、電極６の表面に隣接して非放射性クリプトンの
層を設けるよう最終処理をすることができる。

非放射性のクリプトン又はアルゴンのような他のガスを
使って電極６の上へ物質をスパック−して実質的にガス
を含んでいない物質の最終的な層をつくる。

電極６が所望の量までビルド・アップし、そしてガス状
物質の所望量がその中に捕捉されると、室１を開き、そ
して電極６（これは今ではガス状の泡を含む固体の「マ
トリックス」の「貯蔵ブロック」となっている）を取出
してしまうなり又はカプセルに入れる。

表面に隣接１．て非放射性のガス層を設けた固体は、そ
の固体の融点になるまでガス状物質を放出しないものと
考える。

上に説明した装置を変更して透過性電極γを除きそして
ボンバードとスパッタリングとを２つの電極（すなわち
電極５，６に相当する）を使用して行なう。

作動中、電極５が犠牲的な役割を演じ、電極６がビルド
・アップする。

上に述べた装置において電極は略図的に示され、そして
「グロー放心」の技術に従って電極の形と電極の遮蔽は
その特定の要件に合致するようにそして放電が所望の領
域で発生するように選定される。

計算によると、２つの電極がそれぞれ表面積２５ｆｆｌ
のニッケル板であると（１０原子係のクリプトンを与え
るような植込みを考えて）１８０ｋＷで３ｋＶの電圧で
電極６の板のビルド・アップの速さは１日５ｍｍである
。

これらの計算はガス状物質を１日当り１００リツトル処
理する装置についてなされている。

本発明に関してなされる計算には次の電流の式を使用し
た。

ここで、■□−スパッタリングによりビルド・アップす
るための固体となっている電極（すなわち「犠牲」電極
）への電流。

■１−ターゲット電極（すなわちスパッタリングにより
ビルド・アップする固体）への電流、Ｃ＝固体内のクリ
プトンの原子濃縮、 Ｓ−固体のスパッタリング率（到来イオン毎に放出され
る原子の数） 上に説明した装置を使用する物質の植込みの深さは使用
されるエネルギーにより異なるが、典型的には固体の表
面ド約１００人の深さにできる。

上に説明したような植込みとビルド・アップとを同時又
は交互に行なう代りに、固体（例えばニッケル又は銅）
の薄い（０，００１インチ）シート又はフィルムの中へ
ガス状物質を植込んで固体の中にガス状物質の層を形成
することもできる。

この植込みは一方の電極を固体のシートにして減圧下で
２電極系を使用して実施できる。

第２図を参照する。

密封可能な室１５のパイプ１６を弁１８を介して真空系
１７へ接続する。

ガス状物質を捕捉することのできる固体のシート又はフ
ィルム２１を運ぶための２個のローラ１９．２０が室１
５内に設けられている。

室１５内には電極２２が支持されている。

ローラ１９，２０（従ってシート又はフィルム２１）は
導線２３を介して電源（図示せず）へ接続されている。

電極２２も導線２４を介して電源へ接続されている。

室１５内−・−ガス状物質を導入するため制御弁２６を
有するパイプ２５を設ける。

作動に当って、パイプ１６、真空系１７、弁１８により
約１００ミクロンの圧力へ室１５を排気する。

次に、固体中に植え込みそしてその中に捕捉せしめよう
とするガス状物質、例えばアイソトープ（クリプトン８
５）を含むクリプトンをパイプ２５と弁２６により室１
５の中へ導入してシート又はフィルム２１と電極２２を
取囲むようにする。

固体の中へ植え込まれたガス状物質の分を補償するよう
に室内の圧力により自動的に弁２６を制御する。

所要の低圧を室内に維持するため室１５から連続的に排
気することが必要な場合がある。

導線２３．２４を介して電極２２と（電極を構成してい
る）シート又はフィルム２１への電力供給を調整するこ
とによりガス状物質を通して放電が生じ、その結果シー
ト又はフィルム２１の両側にガス状物質が植え込まれる
。

もし望まれるのであれは゛シート又はフィルム２１の一
側にだけガス状物質が植込まれるように電極２２を配置
することもできる。

ローラ１９，２０を用いることによりシート又はフィル
ム２１を電極２２に対して動かして新しい固体物質にガ
ス状物質を植込めるようにする。

このようにしてローラ２０から新しいシート又はフィル
ムを繰り出し、電極２２の傍を通しそしてそれによりガ
ス状物質を植込みそしてローラ１９に巻く。

シート又はフィルムに植込む物質の量により異なるが、
一枚のシート又はフィルム又はそれの一部分を数回電極
２２の傍を通らせて数回植込みを行なう。

装置の作動中に発生せしめられる熱をシート又はフィル
ムから除くための冷却手段を講じること必要となること
もある。

所望量のガス状物質が捕捉されると、室からシート又は
フィルム２１を取出し、任意ではあるがカプセルに入れ
貯蔵する。

第３図を参照する。

第２図の電極２２として使用する電極の形を示す。

電極２２は植え込もうとするシート又はフィルム２１の
部分に隣接している孔２２ｂを有する室２２ａの形とな
っている。

第２図を参照して説明したように、シート又はフィルム
２１はローラ１９，２０により動かされる。

同様に、導線２３．２４により電源へ接続がなされる。

作動に当っては、グ爾−放電は孔２２ｂの区域に生じ、
そしてガス状物質がシート又はフィルム２１の中へ植え
込まれる。

第２，３図に装置の概要を示す。

特定の要件に適合しそして所望領域で放電が生じるよう
に、グロー放電技術に従って電極の形状の電極の遮蔽と
が選択される。

第４図においてガス状物質を捕捉することのできる導電
性個体から成る円筒容器３１にパイプ３２を設け、この
パイプは容器３１の内部と連通しそして弁３４を介して
真空装置３３へ接続される。

パイプ３５は制御弁３６を有する。パイプ３５は容器３
１の内部と連通し、そして容器３１の内部へガス状物質
を導入するようになっている。

ガス状物質を捕捉することのできる導電性固体の電極が
容器３１内に配置されている。

容器３１と電極３７とは導線３８．３９により高圧電線
（図示せず）へ接続されている。

又はその代りに容器３１を大地電位にしてもよい。

電極３７は絶縁物４０により容器３１から絶縁されてい
る。

装置が作動するとき発生する熱を放散するため、電極３
Ｔと容器３１とに冷却手段を講じる。

電極３７の場合その冷却手段は冷媒４１を循環させるた
めの装置である。

容器３１の場合その冷却手段は容器３１を取囲むジャケ
ット（図示せず）とこのジャケットを通して冷却媒体を
循環させるための装置（図示せず）である。

作動に当っては、先ず、パイプ３２、真空装置３３、弁
３４により約１００ミクロンの圧力へ容器３１を排気す
る。

次に、固体の中に植込みそしてその中に捕捉せしめよう
とするガス状物質、例えばアイソトープ（クリプトン８
５）を含むクリプトンをパイプ３５、弁３６により容器
３１の中に導入して電極３７を取巻くようにする。

固体の中へ植え込まれたガス状物質を補償するようガス
状物質を導入していくように容器３１の圧力により弁３
６を自動的に制御する。

容器３１内）こ所要の減圧を維持するため容器３１から
連続的に排気することが必要な場合もある。

上の説明から、電極３７と容器３１とが放電系の２つの
電極を構成することが理解されよう。

従つて、電極３７と容器へ（導線３９．３８を用いて）
又は容器３１が大地電位なら電極３７への電力の供給を
調節することにより、ガス状物質を通してグロー放電を
生ぜしめ、その結果ガス状物質を電極３７と容器３１の
壁の中へ植え込む。

第１図に関して上に説明したように、固体物質の中への
イオンの植え込みはその固体物質のスパッタリングによ
りなされる。

又、上に述べたように、（例えば、一方の電極が他方の
電極の放電の４倍をうけるように）電源を調整すること
により、容器３１の内面は電極３１からスパッターされ
た物質によりビルド・アップされる。

このことは電極３Ｔが「犠牲的な」役割を果し、侵蝕せ
しめられていくことを意味し、植込まれるガス状物質は
容器３１内に放出され、容器３１の壁の厚みは増し、そ
してその壁の中にガス状物質が捕捉せしめられる。

電極へかける電しモの極性と大きさ、電圧を電極にかけ
ている時間を調節するなとして電源を制御する。

所望量のガス状物質が植込まれてから、容器３１への放
射性ガスの導入を中断することができ、そしてアイソト
ープ（クリプトン８５）を含むクリプトンのような放射
性ガスの場合非放射性ガス（例えば非放射性のクリプト
ン又はアルゴン）の雰囲気が容器３１内へ導入される。

このようにして表面に隣接して非放射性のガス層をつく
るための最終処理を壁に施す。

ガスを含まない物質の仕上げ層をつくるため壁へ物質を
スパックするのに非放射性のガスを使用できる。

壁が所望量までビルド・アップし、そして所望量のガス
状物質がその中に捕捉せしめられると、真空系３３、供
給パイプ３５、冷却媒体供給部４１及び電源３８，３９
から容器３１を切離し、そして貯蔵する。

植込みとビルド・アップとを同時に行なうことと交互に
行うことについて第１図によって説明をしたが、この説
明は第４図の装置にもあてはまる。

第４図は装置の概要であり、そして特定の要件に適合す
るようそして放電を所望領域内で生じるようにグロー放
電技術に従って電極の形状と遮蔽とが選定される。

第１．２．３図を参照して一ヒに説明した１−グロー放
電」を用いて本発明を実施する別のものとして、本発明
に従って他のイオン植込み技術例えばイオンガン又は電
子支持放電（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ５ｕｐｐｏ−ｒｔｅｄ
ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ）を利用できる・電子支持放電
を利用することにより本発明を実施するための装置を第
５図を参照して説明する。

第５図において、密封可能な室４２内にガス状物質を捕
捉できる固体の２つの電極４３，４４、これらの電極間
の格子４５（この格子の中ｔこはフィラメント４６があ
る）が配置されている。

電極４３．４４は導線４７．４８を介して電源（図示せ
ず）へ接続されている。

格子４５は導線４９によりそれへ電圧をかけるための手
段（図示せず）へ接続されており、そして導線５０．５
１を配してフィラメントへ加熱電流が流れるようにする
。

ガス状物質を導入するためそして作動中発生した熱を電
極４３．４４から消散させるため第１図に関して上に説
明したのと同様の装置（図示せず）を設ける。

作動に当って、室４２を約１０ミクロンの圧力へ排気し
、そして固体内に植込み捕捉しようとするガス状物質を
室４２の中に入れて電極４３゜４４、格子４５、フィラ
メント４６を取囲むようにする。

前に述べたように連続排気を必要とすることもある。

フィラメント４６へ電流を流し、格子４５へ電圧をかけ
て格子４５とフィラメント４６の近くに放電又はプラズ
マ域をつくる。

２つの電極４３．４４へ電圧をかけて捕捉しようとする
物質の正イオンをフィラメント４６と格子４５の領域か
ら引き出して電極４３．４４に植込む。

これらの電極の物質はイオンボンバードによりスパッタ
ーされ、そして電極４３．４４への電力供給は上に述べ
たように制御して、一方の電極４３からスパッターされ
た物質により他方の電極４４にビルド・アップする。

フィラメントの強度も変化できる。

物質を捕捉した電極を取出して貯蔵するか、又は容器全
体を貯蔵する。

第６図を参照する。

この図には同心の形で第５図の装置の原理を採用した装
置を略図的に示す。

密封可能な容器５２の中には円筒フィラメント５４を包
囲する断面が環状の格子５３と中心電極５５が配置され
ている。

容器５２は導線５６により電源（図示せず）へ又は大地
へ接続されて放電系の一方の電極を形成し、そして電極
５５を電源へ接続して第２の電極を形成する。

格子５３へ電圧をかけるようそしてフィラメント５４へ
電流を流せるように電気接続（図示せず）をする。

図には示していないが、第５図におけるように、容器５
２を排気し、ガス状物質を導入しそして動作中に生じた
熱を電極５２．５５から消散せしめるための→を講じて
いる。

第６図の装置の動作は第５図の装置と本質的に同じであ
るが、相違する点は容器５２が室と一方の電極として動
き、電極５５からスパッタリングによりビルドアップさ
れる密封可能の容器５２の壁内ヘガス状物質を植え込む
。

植込みとビルド・アップとを同時に行なうか又は交互に
行なうこと非放射性層又はガスを実質的に含んでいない
層に一ついて第１図に関して説明したが、これらのこと
は第５，６図の装置についてもいえることである。

第５，６図は装置の概略を示しており、そして特定の要
件に適合するようにそして所望領域で放電が生じるよう
に電子支持放電技術に従って電極の形状と電極の遮蔽と
が選定される。

以下に本発明の実例を示す。

実例 １ １６ｍｍの間隙を設けた２枚のニッケル平板電極を用い
てグロー放電により固体中へ本発明に従ってアルゴンを
植え込んだ。

電源を用いて６ｋＶで１．２２ｃ１？Ｌに４ｍＡを送り
、そして電極周辺のアルゴンの雰囲気は１００ミクロン
の圧力であった。

スパッターされたニッケルの沈着率は３．５×１０＝ｇ
ｍ／ｃＩ？ｔ／ｍＡ時であった。

実例 ２ 円筒形電極を使用することが便利であることを示すため
にニッケル円筒電極を使用してニッケル内へアルゴンを
植え込んだ。

内部電極の直径は１．２５ ＣｒｒＬ、外部電極の直径
は３．２５（１１７７１であり、両方ともその長さは４
０ＣｒｒＬであった。

３に’Ｖで１０ｍＡを流せる電源を電極へ接続し、電極
周辺のアルゴン雰囲気は８０ミクロンであった。

内部電極からスパッターされたニッケ゛ルの沈着率は８
．７ ｘ １−０−” ｇｍ／ｆｆｌ／ ｍＡ時であっ
た。

同じ電極を用いて、１．６ｋＶ、２０ｍＡ、圧力１００
ミクロンでは沈着率は１．８３ Ｘ １０＝ ｇｍ／ｅ
ｒａ、／ ｍ Ａ時であった。

実例 ３ 直径１７．５ｙｔｉと７０ｍｍの円筒電極を用いてアル
ゴンをニッケルに植え込んだ。

これらの電極は両方とも長さ４０ｍｍで、圧力１００ミ
クロンで３ｋＶ、１０ｍＡの電流を流した。

沈着率は測定しなかった。

実例 ４ 第５図のと同様の２枚の板電極、格子とフィラメントを
用いて電子支持放電によりアルゴンを本発明に従って植
え込んだ。

電極は５×４ｃｒｒＬの大きさで、間隙は約５（１１７
７２で、フィラメントははゾ直径１ｃｒｎの円筒状格子
の内側にあった。

１２ミクロンの圧力のアルゴンが電極と格子とフィラメ
ントとを取囲んでいた。

格子内の放電は５０Ｖで１２５ｍＡであって、電極は格
子に対して負の５００■にして３０ｍＡをうけるように
した。

スパッターされたニッケルの沈着率は１．４２×１０−
５ｇ ｍ、／ｃｒａ／ｍ Ａ時であった。

本発明をセラミック固体で実施するにはＲＦ放電を用い
て貯蔵しようとする物質をセラミック固体中へ植込むこ
と５なろう。

【図面の簡単な説明】

第１図はスパッタリングにより固体内へ物質を植込みそ
してその固体をビルド・アップするための装置を略図的
に示す。 第２図は固体のシート又はフィルムの中へ物質を植込む
ための装置の略図である。 第３図は第２図の装置に使用するための電極の一形状の
略図である。 第４図はスパッタリングにより固体内へ物質を植込みそ
してその固体をビルド・アップするための別の装置の略
図である。 第５図はスパッタリングにより固体内へ物質を植込みそ
してその固体をビルド・アップするための別の装置の略
図である。 第６図は第５図の装置の変形の略図である。 電極・・・・・・５，６，７（第１図）；２２（第２図
）；２２ａ（第３図）；３１，３７（第４図）；４３゜
４４．４５（第５図）；５２，５３．５５（第６図）、
貯蔵しようとする物質を含む雰囲気を電極の周りに保持
するための手段・・・・・・１，２，３，４゜１３．１
４（、第１図）、１５，１６，１７，１８゜２５．２６
（第２図）；３Ｌ３２，３３，３４゜３５．３６（第４
図）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 貯蔵しようとする放射性物質のイオンで固体をボン
   バードしてその固体内に放射性物質を植込んで固体内に
   その物質を濃縮させ、そして別の固体のスパッタリング
   によって固体をビルド・アップすることにより放射性物
   質を固体内に捕捉することを特徴とする固体内に放射性
   物質を貯蔵する方法。 ２ 貯蔵しようとする放射性物質のイオンで固体をボン
   バードしてその固体内に放射性物質を植込んで固体内に
   その放射性物質を濃縮させ、そして別の固体のスパッタ
   リングによって固体をビルド・アップすることにより固
   体内に放射性物質を捕捉する装置において、 放射系の一部を形成している一対の電極、および貯蔵し
   ようとする放射性物質を含む雰囲気を電極の周りに維持
   する手段を備え、電極を電源から付勢して、貯蔵しよう
   とする放射性物質のイオンを固体内に植込み、そして別
   の固体のスパッタリングによりビルド・アップし放射性
   物質を固体内に捕捉するようにしたことを特徴とする固
   体内に放射性物質を貯蔵する装置。