JPS593553U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS593553U
JPS593553U JP9878882U JP9878882U JPS593553U JP S593553 U JPS593553 U JP S593553U JP 9878882 U JP9878882 U JP 9878882U JP 9878882 U JP9878882 U JP 9878882U JP S593553 U JPS593553 U JP S593553U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
recorded
coating
substrate
semiconductor device
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Pending
Application number
JP9878882U
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English (en)
Inventor
岩澤　重男
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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Publication of JPS593553U publication Critical patent/JPS593553U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のトランジスタの取付は状態を示す側面図
、第２図は本考案にかさるトランジスタの取付は状態を
示す側面図、第３図はトランジス　　゛りの発熱状態を
示すグラフである。図中、１はトランジスタ素子を封止
した封止樹脂、２はサーマルグリース、３は回路基板、
１１は放熱体、２０は本考案にカする良熱伝導性絶縁樹
脂を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 素子収容体の取付は基板への接触面に熱伝導性樹脂が被
    覆されてなることを特徴とする半導体装置。
JP9878882U 1982-06-29 1982-06-29 半導体装置 Pending JPS593553U (ja)

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JP9878882U JPS593553U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 半導体装置

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JP9878882U JPS593553U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPS593553U true JPS593553U (ja) 1984-01-11

Family

ID=30234392

Family Applications (1)

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JP9878882U Pending JPS593553U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 半導体装置

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JP (1) JPS593553U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118961A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型電力用半導体装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118961A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型電力用半導体装置及びその製造方法

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