JPS5934680A - ホ−ル素子 - Google Patents
ホ−ル素子Info
- Publication number
- JPS5934680A JPS5934680A JP57145219A JP14521982A JPS5934680A JP S5934680 A JPS5934680 A JP S5934680A JP 57145219 A JP57145219 A JP 57145219A JP 14521982 A JP14521982 A JP 14521982A JP S5934680 A JPS5934680 A JP S5934680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- resin
- layer
- hall element
- semiconductor material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は高感度なホール素子の改良に関する。
（ロ）従来技術
従来のホール素子は第１図に示す如く、強磁性体の基板
（１）上に化合物半導体材料層（２）を蒸着し。
（１）上に化合物半導体材料層（２）を蒸着し。
その上に強磁性体のヨーク（３）を設け、化合物半導体
材料層（２）の両端にリード（４）を半田付けし、全体
をエポキシ樹脂（５）等でモールドしていた。
材料層（２）の両端にリード（４）を半田付けし、全体
をエポキシ樹脂（５）等でモールドしていた。
断る構造のホール素子は感磁部である化合物半導体材料
層（２）を強磁性体の基板（１）と１−り（３）ではさ
む構盾を有するので、感磁部にかかる実効的な磁束密度
を上げて出力電圧を大きくできた。
層（２）を強磁性体の基板（１）と１−り（３）ではさ
む構盾を有するので、感磁部にかかる実効的な磁束密度
を上げて出力電圧を大きくできた。
しかしこの構造ではヨーク（３）を用いるので、組立の
困難さを伴い、寸たり一ド（４）の接続はヨーク（３）
があるため半４体素子の組立に用いられるμ産性のある
ワイヤーポンディングを使用できない欠点があった。
困難さを伴い、寸たり一ド（４）の接続はヨーク（３）
があるため半４体素子の組立に用いられるμ産性のある
ワイヤーポンディングを使用できない欠点があった。
（ハ）発明の開示
本発明は上記した欠点に鑑みてなされ、従来の欠点を完
全ＶＣ除去したホール素子を提供するものである。
全ＶＣ除去したホール素子を提供するものである。
本発明の第１の目的は９−りを用Ｖない高感１ゾのホー
ル素子を提供すること１ζある。
ル素子を提供すること１ζある。
不発りＪの第２の目βノはワイヤーボンディングにより
電（覗の取り出しな行う高感度のホール素子を提供する
ことにある。
電（覗の取り出しな行う高感度のホール素子を提供する
ことにある。
本発明の第６の目的は軟質樹脂層（［４１を用いて信頼
性の良好な高感度のホール素子？提供することにある。
性の良好な高感度のホール素子？提供することにある。
に）実施例
本発明の一実施（＞ＩＪを第２図を診照して詳述す両端
と接続されたり一ド０澹と、化合物中心体４′Ａ科層（
１カを被覆する強磁性体の粉末を混入した軟質樹脂層圓
と、全体をモールドする硬質樹脂層１１５１より（Ｒ成
される。
と接続されたり一ド０澹と、化合物中心体４′Ａ科層（
１カを被覆する強磁性体の粉末を混入した軟質樹脂層圓
と、全体をモールドする硬質樹脂層１１５１より（Ｒ成
される。
基（ノソαｌ）として１まフェライト等の強磁性体ある
いはシリコン等の非磁性体を用いる。シリコンは半導体
素子の製造に用いるクエへ−状のものを使用し、表面１
こシリコン酸化’ＡＭを形成したものを使用する。
いはシリコン等の非磁性体を用いる。シリコンは半導体
素子の製造に用いるクエへ−状のものを使用し、表面１
こシリコン酸化’ＡＭを形成したものを使用する。
化合ｌ助手導体材料＋ＬＡｔｔａは移動度およびホール
係数（ＲＨ） ノ大きいＩｎ５ｂ、ＧａＡｓ等を用い−
なる出力電圧が発生ずる。ここでＶｎはホール電圧、■
は入力電流、Ｂは佑束密度、ｄは膜厚である。
係数（ＲＨ） ノ大きいＩｎ５ｂ、ＧａＡｓ等を用い−
なる出力電圧が発生ずる。ここでＶｎはホール電圧、■
は入力電流、Ｂは佑束密度、ｄは膜厚である。
リード（１：りは金属級の打抜きフレームを用い、化合
物半導体材料層＋１７Ｊの両端とネールへラドボンディ
ング法によりボンディング細線で接続されている。
物半導体材料層＋１７Ｊの両端とネールへラドボンディ
ング法によりボンディング細線で接続されている。
軟質樹脂層（１４１としてははり水性のシリコーンレジ
ンを用い、この樹脂層Ｉ内にフェライトあるいはパーマ
ロイなどの強磁性体の粉末を混入する。具体的には約４
０〜８０ ｆｔ ＭＬパーセント混入した。
ンを用い、この樹脂層Ｉ内にフェライトあるいはパーマ
ロイなどの強磁性体の粉末を混入する。具体的には約４
０〜８０ ｆｔ ＭＬパーセント混入した。
硬質樹脂層１１５１としてはエポキシ瘤脂を中い、周知
のトランスファーモールド法で全体をモールドする。
のトランスファーモールド法で全体をモールドする。
（ホ）効果
本発明に依れば基板０１１および化合物半導体１料１ｖ
ＪＩｔりを強磁性体？混入した献ｖ１石、１脂層（１４
）で被覆するので、ホール素子の感度を向上でき、蹴立
の障害となるヨークも除去できる。またｂ ＜：ｔ＜
ｔｔυも強磁性体を用いる必要がなくなる。外た軟質樹
脂層ａａは化合物半導体材料層（１２の耐湿性を向上さ
せるとともに、モールド樹脂（［９の歪から発生するピ
エゾ抵抗効果による不平衡竜王の増７Ｊｌ］も防止する
。
ＪＩｔりを強磁性体？混入した献ｖ１石、１脂層（１４
）で被覆するので、ホール素子の感度を向上でき、蹴立
の障害となるヨークも除去できる。またｂ ＜：ｔ＜
ｔｔυも強磁性体を用いる必要がなくなる。外た軟質樹
脂層ａａは化合物半導体材料層（１２の耐湿性を向上さ
せるとともに、モールド樹脂（［９の歪から発生するピ
エゾ抵抗効果による不平衡竜王の増７Ｊｌ］も防止する
。
更にヨークを用いないのでワイヤーボンディングを行な
え組立の自動化、駄産化を図れる。
え組立の自動化、駄産化を図れる。
第１図は従来例を説明する断面１ｚ１、ｒ（５２図シよ
木発す１を説明する断面図である。 （１１１は基板、（１７Ｊは化合物半導体祠第１１音、
０：什Ｌシード、旧）は弾磁性体粉末を混入した軟質ん
、１脂層、（１５１は硬質４Ｓ・１脂層である。 出願人工注１’ｔ ＆Ｑ株式会社外１名ｉ、−’！’、
＞ 代理人弁理士 佐 野 静 夫（１””、”： ：第１
１：１ 第２［イｌ ｌ １２
木発す１を説明する断面図である。 （１１１は基板、（１７Ｊは化合物半導体祠第１１音、
０：什Ｌシード、旧）は弾磁性体粉末を混入した軟質ん
、１脂層、（１５１は硬質４Ｓ・１脂層である。 出願人工注１’ｔ ＆Ｑ株式会社外１名ｉ、−’！’、
＞ 代理人弁理士 佐 野 静 夫（１””、”： ：第１
１：１ 第２［イｌ ｌ １２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板上に蒸着した化合物半導体材料層を強磁性体
の粉末を混入した軟質樹脂層で被覆し硬質のモールド樹
脂で封止することを特徴とするホール素子。 ２、持８”ｆ請求の範囲第１項記載のホール素子におい
て、前記基板にシリコンを用いることを特徴とするホー
ル素子。 ６、特許請求の範囲第１項記載のホール素子において、
前記化合物半導体材料層としてＩｎＳｂあるいはＧａＡ
ｓ２用いることを特徴とするホール素子。 ４、特許請求の範囲第１項記載のホール素子において、
前記強磁性体としてフェライトあるいはパーマロイを用
いることを特徴とするホール素子。 ５、特許請求の範囲第１項記載のホール素子に２いて、
前記軟質樹脂層としてシリコーンを用いることを特徴と
するホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145219A JPS5934680A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145219A JPS5934680A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | ホ−ル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934680A true JPS5934680A (ja) | 1984-02-25 |
Family
ID=15380110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57145219A Pending JPS5934680A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | ホ−ル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457769A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Toshiba Corp | Magnetic force detecting semiconductor element and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-08-20 JP JP57145219A patent/JPS5934680A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457769A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Toshiba Corp | Magnetic force detecting semiconductor element and manufacture thereof |
| US4972241A (en) * | 1987-08-28 | 1990-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic force detecting semiconductor device and method for manufacturing the same |
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