JPS5932905B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS5932905B2 JPS5932905B2 JP55012731A JP1273180A JPS5932905B2 JP S5932905 B2 JPS5932905 B2 JP S5932905B2 JP 55012731 A JP55012731 A JP 55012731A JP 1273180 A JP1273180 A JP 1273180A JP S5932905 B2 JPS5932905 B2 JP S5932905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting diode
- receiving element
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光半導体装置に関し、とくに発光ダイオードか
ら外部へ発せられた光の反射光を同一パッケージ中の受
光素子で感知するタイプの反射型マークセンサーに関す
る。
ら外部へ発せられた光の反射光を同一パッケージ中の受
光素子で感知するタイプの反射型マークセンサーに関す
る。
従来の反射型マークセンサーは発光素子及び受光素子を
それぞれ別々の素子として封止し、成形した後、両者を
結合するためのパッケージに装填し、目的とする装置が
得られ、る。
それぞれ別々の素子として封止し、成形した後、両者を
結合するためのパッケージに装填し、目的とする装置が
得られ、る。
しかしながら、この方式では装置を製造する際、発光側
受光側をそれぞれ独立に組立て、封止するため、また両
者をパッケージに装填し、固定する必要のあることから
、装置の完成までに要する作業工程が多い。また、画素
子を結合するためのパッケージの費用が余分に付加され
るため、装置の単価が高いものとなる。本発明の目的は
製造容易で安価な光半導体装置を提供することにある。
受光側をそれぞれ独立に組立て、封止するため、また両
者をパッケージに装填し、固定する必要のあることから
、装置の完成までに要する作業工程が多い。また、画素
子を結合するためのパッケージの費用が余分に付加され
るため、装置の単価が高いものとなる。本発明の目的は
製造容易で安価な光半導体装置を提供することにある。
本発明によれば発光ダイオードより発せられた光を検出
すべき対象物に当て、その反射光を同一パッケージ中に
収納されている半導体受光素子にて検出する半導体装置
において、発光部および受光部を、発光ダイオードから
発せられる波長領域の光を適量吸収するような樹脂にて
、発光ダイオード及び受光素子の上部（光を発する方向
及び光を受ける方向）に凹部を形成し上部の樹脂厚が薄
くなるよう成形した後、凹部を上記波長領域の光をほと
んど吸収しない樹脂にて、発光側は外部樹脂面より低く
して凹面にし、受光側は突出させ凸面にしたことを特徴
とする半導体装置が得られる。
すべき対象物に当て、その反射光を同一パッケージ中に
収納されている半導体受光素子にて検出する半導体装置
において、発光部および受光部を、発光ダイオードから
発せられる波長領域の光を適量吸収するような樹脂にて
、発光ダイオード及び受光素子の上部（光を発する方向
及び光を受ける方向）に凹部を形成し上部の樹脂厚が薄
くなるよう成形した後、凹部を上記波長領域の光をほと
んど吸収しない樹脂にて、発光側は外部樹脂面より低く
して凹面にし、受光側は突出させ凸面にしたことを特徴
とする半導体装置が得られる。
本方式によれば同一リードフレーム上に発光素子受光素
子を搭載し、組立から封止、完成に至るまで同一の製造
ラインで製造出来る。また、外部パッケージが必要ない
ことから安価なマークセンサーが製造可能となる。とこ
ろで、このようなーパッケージ型のマークセンサーを発
光ダイオードから発せられる光をほぼ完全に透過させる
ような樹脂で封止した場合、発光ダイオードから直接に
受光素子へ光が入射するため、また、樹脂の表面で反射
した光が受光素子へ入射することから、目的とする対象
物からの反射光による成分の割合が小さくなり信号の検
出が困難となる。
子を搭載し、組立から封止、完成に至るまで同一の製造
ラインで製造出来る。また、外部パッケージが必要ない
ことから安価なマークセンサーが製造可能となる。とこ
ろで、このようなーパッケージ型のマークセンサーを発
光ダイオードから発せられる光をほぼ完全に透過させる
ような樹脂で封止した場合、発光ダイオードから直接に
受光素子へ光が入射するため、また、樹脂の表面で反射
した光が受光素子へ入射することから、目的とする対象
物からの反射光による成分の割合が小さくなり信号の検
出が困難となる。
本発明はこのような不具合を解消するためまず、同一リ
ードフレームに発光ダイオード（例えば、９３０〜９５
０ｎにピークを有するＧａＡｓ赤外発光ダイオード）と
受光素子（例えばシリコンフォトトランジスタ）を同一
のリードフレームに３〜５ｕ離れた位置に並べて搭載し
た後９３０〜９５０Ｔｎ薦の光を吸収するような樹脂に
て封止する。但し、この際、発光ダイオードとフォトト
ランジスタの上面の樹脂厚は、ボンデイン・ グワイヤ
に触れない限り出来るだけ薄く（約０．４〜０．６ｎ）
し、また、“おわん′’型に凹みをもたせる。次にこの
凹みに９３０〜９５０ｎの光をほとんど吸収しないよう
な液伏の樹脂を流し込み、発光部の表面は凹面に、受光
部は凸面になるよう液量を調整した後、樹脂を硬化させ
る。このような構造の場合、発光ダイオードから直接受
光素子方向へ進行する光あるいは、樹脂表面にて反射し
、受光素子方向へ進光する光は、光の強度がＩ＝ＩＯｌ
ｘｐ（１！−）（ＩＯ：初期の光強度、μ：ｘ光の吸収
係数、ｘ：距離）で減衰するため、受光素子へ到達し、
光電流の発生にはあまり寄与しなくなる。
ードフレームに発光ダイオード（例えば、９３０〜９５
０ｎにピークを有するＧａＡｓ赤外発光ダイオード）と
受光素子（例えばシリコンフォトトランジスタ）を同一
のリードフレームに３〜５ｕ離れた位置に並べて搭載し
た後９３０〜９５０Ｔｎ薦の光を吸収するような樹脂に
て封止する。但し、この際、発光ダイオードとフォトト
ランジスタの上面の樹脂厚は、ボンデイン・ グワイヤ
に触れない限り出来るだけ薄く（約０．４〜０．６ｎ）
し、また、“おわん′’型に凹みをもたせる。次にこの
凹みに９３０〜９５０ｎの光をほとんど吸収しないよう
な液伏の樹脂を流し込み、発光部の表面は凹面に、受光
部は凸面になるよう液量を調整した後、樹脂を硬化させ
る。このような構造の場合、発光ダイオードから直接受
光素子方向へ進行する光あるいは、樹脂表面にて反射し
、受光素子方向へ進光する光は、光の強度がＩ＝ＩＯｌ
ｘｐ（１！−）（ＩＯ：初期の光強度、μ：ｘ光の吸収
係数、ｘ：距離）で減衰するため、受光素子へ到達し、
光電流の発生にはあまり寄与しなくなる。
一方、発光ダイオード上面及び、受光素子表面は吸収タ
イプの樹脂厚が薄いため光の減衰は少ない。発光ダイオ
ードと受光素子は同一平面上にあるため、発光ダイオー
ドからの放出光は分散させ、受光素子上面近辺で対象物
から反射される方が、検出能力は向上する。従つて発光
ダイオード上面は凹面にしているわけである。受光素子
表面は、凸面にして、入射光を収束させた方が検出能力
は向上する。以下、本発明を図面により説明する。
イプの樹脂厚が薄いため光の減衰は少ない。発光ダイオ
ードと受光素子は同一平面上にあるため、発光ダイオー
ドからの放出光は分散させ、受光素子上面近辺で対象物
から反射される方が、検出能力は向上する。従つて発光
ダイオード上面は凹面にしているわけである。受光素子
表面は、凸面にして、入射光を収束させた方が検出能力
は向上する。以下、本発明を図面により説明する。
第１図が本装置の正面図であり、装置は、吸収タイプの
樹脂１と、発光部２、受光部３、発光ダイオードのカソ
ード、アノード、フオトトランジスタのエミツタ、コレ
クタの各端子４〜７から構成され、第２図の側面図（第
２図）で示したように、発光部２′は凹面に、受光部３
′は凸面となつている。また第３図の断面図で示したよ
うに発光ダイオード９及びフオトトランジスタ１０の土
部の吸収タイプの樹脂厚は薄くなつており、また６おわ
ん゛型の凹部には、無吸収タイプの樹脂が装填されてい
る。従つて、点線で示した矢印の如く発光ダイオードか
ら直接フオトトランジスタの方向へ進む光は、距離が遠
いため樹脂により光は吸収され減衰する。一方、実線で
示した矢印方向へ進む光は樹脂厚が薄いため、減衰は少
ない。また、発光部表面２″が凹面になつているため、
光は分散し、一部は、フオトトランジスタ上部の対象物
８まで達し、その反射光が受光部３′″まで到達する。
樹脂１と、発光部２、受光部３、発光ダイオードのカソ
ード、アノード、フオトトランジスタのエミツタ、コレ
クタの各端子４〜７から構成され、第２図の側面図（第
２図）で示したように、発光部２′は凹面に、受光部３
′は凸面となつている。また第３図の断面図で示したよ
うに発光ダイオード９及びフオトトランジスタ１０の土
部の吸収タイプの樹脂厚は薄くなつており、また６おわ
ん゛型の凹部には、無吸収タイプの樹脂が装填されてい
る。従つて、点線で示した矢印の如く発光ダイオードか
ら直接フオトトランジスタの方向へ進む光は、距離が遠
いため樹脂により光は吸収され減衰する。一方、実線で
示した矢印方向へ進む光は樹脂厚が薄いため、減衰は少
ない。また、発光部表面２″が凹面になつているため、
光は分散し、一部は、フオトトランジスタ上部の対象物
８まで達し、その反射光が受光部３′″まで到達する。
第１図は本発明による反射型マークセンサーの正面図、
第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の断面図。 １，１′・・・・・・吸収タイプの樹脂、２，２″，２
″・・・・・・無吸収タイプの樹脂で形成された発光部
、３，３″，３″・・・・・・同様受光部、４・・・・
・・発光ダイオードカソード端子、５・・・・・・同様
アノード端子、６・・・・・・フオトトランジスタエミ
ツタ端子、７・・・・・同様コレクタ端子、８・・・・
・・センサーにより検出すべき対象物、９・・・・・・
発光ダイオード、１０・・・・・・フオトトランジスタ
。
第２図は第１図の側面図、第３図は第１図の断面図。 １，１′・・・・・・吸収タイプの樹脂、２，２″，２
″・・・・・・無吸収タイプの樹脂で形成された発光部
、３，３″，３″・・・・・・同様受光部、４・・・・
・・発光ダイオードカソード端子、５・・・・・・同様
アノード端子、６・・・・・・フオトトランジスタエミ
ツタ端子、７・・・・・同様コレクタ端子、８・・・・
・・センサーにより検出すべき対象物、９・・・・・・
発光ダイオード、１０・・・・・・フオトトランジスタ
。
Claims (1)
- １ 発光素子と受光素子とを同一パッケージ中に収納し
た光半導体装置において、前記発光素子から発せられる
光を前記パッケージの外側に発散させる凹状窓部と、前
記光を前記受光素子に向けて集束させる凸状窓部とを有
することを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55012731A JPS5932905B2 (ja) | 1980-02-05 | 1980-02-05 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55012731A JPS5932905B2 (ja) | 1980-02-05 | 1980-02-05 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56110273A JPS56110273A (en) | 1981-09-01 |
| JPS5932905B2 true JPS5932905B2 (ja) | 1984-08-11 |
Family
ID=11813576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55012731A Expired JPS5932905B2 (ja) | 1980-02-05 | 1980-02-05 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932905B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5340993A (en) * | 1993-04-30 | 1994-08-23 | Motorola, Inc. | Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier |
| WO2014054082A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | パイオニア株式会社 | 半導体デバイス、これを備えた近接センサーおよび半導体デバイスの製造方法 |
-
1980
- 1980-02-05 JP JP55012731A patent/JPS5932905B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56110273A (en) | 1981-09-01 |
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