JPS5930507A - 光回路用基板 - Google Patents
光回路用基板Info
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- JPS5930507A JPS5930507A JP14063882A JP14063882A JPS5930507A JP S5930507 A JPS5930507 A JP S5930507A JP 14063882 A JP14063882 A JP 14063882A JP 14063882 A JP14063882 A JP 14063882A JP S5930507 A JPS5930507 A JP S5930507A
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- substrate
- optical
- plzt
- optical circuit
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
本発明は光回路用基板に関するものであり、特に光ＩＣ
の薄膜光導波路用の光回路基板を提供するものである。
の薄膜光導波路用の光回路基板を提供するものである。
従来例の構成とその問題点
電子回路で電気を導くのに導線を使用するように、また
マイクロ波回路では導波管を使用するように、光信号処
理システムあるいは光ＩＣでは、先導波路が必要になる
。
マイクロ波回路では導波管を使用するように、光信号処
理システムあるいは光ＩＣでは、先導波路が必要になる
。
小型化光デバイスあるいは光ＩＣに用いる光導波路は、
光の伝達のみならず、各種光回路、例えば光デバイスを
小型化あるいは集積化し、例えば光機能デバイスの形成
に用いる。このため、光回路用基板としては、電気光学
効果の大きい材料を用いる必要がある。したがって、従
来第１図（ａ）に示すようなＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏａ単結
晶基板上の拡散型の導波路が用いられていた。この場合
、例えば、バルクのＬ ｚ Ｎ ｂ Ｏ３単結晶基板１
１の表面に、Ｔｉの拡散層からなる導波路１２を設ける
。しかしながら、Ｌ ＩＮ ｂ Ｏ３の電気光学効果で
変わりうる屈折率の変化量Δｎはたかだか電界Ｉ ＫＶ
／ｃｍで、１／１０００程度であるので、機能デバイス
の低電圧化が困難であった。このため、電気光学効果が
Ｌ ＩＮ ｂ Ｏａ より２倍以上大きいＰＬＺＴが
使用されるよう１てなり、第１図（ｂ）に示すようなリ
ッジ型が用いられていた。この場合、サファイヤからな
る基板１３０上に、ＰＬＺＴ薄層１４の導波路を設ける
。しかし、ＰＬＺＴの薄層１４の形成には、通常工、チ
ング法を用いるので、導波路側面は滑らかでない。こＯ
ため、導波光は導波路ｇＪ１１面での散乱１こまり伝搬
ロスが大きくなる。特に、単−伝ｆ？モードＯ可能な線
幅２Ｑμｍ以下の導波路では伝ｌ＃ｉロスが太き、くな
り、実用に適さない。
光の伝達のみならず、各種光回路、例えば光デバイスを
小型化あるいは集積化し、例えば光機能デバイスの形成
に用いる。このため、光回路用基板としては、電気光学
効果の大きい材料を用いる必要がある。したがって、従
来第１図（ａ）に示すようなＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏａ単結
晶基板上の拡散型の導波路が用いられていた。この場合
、例えば、バルクのＬ ｚ Ｎ ｂ Ｏ３単結晶基板１
１の表面に、Ｔｉの拡散層からなる導波路１２を設ける
。しかしながら、Ｌ ＩＮ ｂ Ｏ３の電気光学効果で
変わりうる屈折率の変化量Δｎはたかだか電界Ｉ ＫＶ
／ｃｍで、１／１０００程度であるので、機能デバイス
の低電圧化が困難であった。このため、電気光学効果が
Ｌ ＩＮ ｂ Ｏａ より２倍以上大きいＰＬＺＴが
使用されるよう１てなり、第１図（ｂ）に示すようなリ
ッジ型が用いられていた。この場合、サファイヤからな
る基板１３０上に、ＰＬＺＴ薄層１４の導波路を設ける
。しかし、ＰＬＺＴの薄層１４の形成には、通常工、チ
ング法を用いるので、導波路側面は滑らかでない。こＯ
ため、導波光は導波路ｇＪ１１面での散乱１こまり伝搬
ロスが大きくなる。特に、単−伝ｆ？モードＯ可能な線
幅２Ｑμｍ以下の導波路では伝ｌ＃ｉロスが太き、くな
り、実用に適さない。
この缶石ロスを除去する方法として第１図Ｃｃ）に示す
ロード型が、ＰＬＺＴ以外例えばガラス導波路で提案さ
れている。この場合、例えば石英ガラス基板１５．つ表
面１て、コーニング社の「コーニング７０５９ Ｊから
なるガラス層１６を設け、さらに帯状の石英ガラスから
なるロード層１７を積層した構造であり、このロード層
１７下のガラス４１６に光が閉じ込められ導波路となる
。しかしながら、ＰＬＺＴ層は、非晶質のガラス層と異
なる単結晶層なので、上記ロード層を設−けるのに非晶
質材料を蒸着すると結晶粒が部分的に生成され、結晶質
材料ではロード層が多結晶化するため逆に伝搬ロスが増
大すると考えられていた。丑だ、ＰＬＺＴ層の屈折率は
２．４〜２．６と大きく通屑の光学材料は１．４〜１．
８であり、ロード層では九の閉じ込め効果が弱く実用的
でないという欠点を有していた。
ロード型が、ＰＬＺＴ以外例えばガラス導波路で提案さ
れている。この場合、例えば石英ガラス基板１５．つ表
面１て、コーニング社の「コーニング７０５９ Ｊから
なるガラス層１６を設け、さらに帯状の石英ガラスから
なるロード層１７を積層した構造であり、このロード層
１７下のガラス４１６に光が閉じ込められ導波路となる
。しかしながら、ＰＬＺＴ層は、非晶質のガラス層と異
なる単結晶層なので、上記ロード層を設−けるのに非晶
質材料を蒸着すると結晶粒が部分的に生成され、結晶質
材料ではロード層が多結晶化するため逆に伝搬ロスが増
大すると考えられていた。丑だ、ＰＬＺＴ層の屈折率は
２．４〜２．６と大きく通屑の光学材料は１．４〜１．
８であり、ロード層では九の閉じ込め効果が弱く実用的
でないという欠点を有していた。
以上のように従来の構造では低伝１１１Ｑｏスにすべ化
く構成すれば、低電圧化が困難であり、低電圧すべく構
成すれば伝搬損が増加し必ずしも良好な特性の光導波路
は実現されない欠点を有していた。
成すれば伝搬損が増加し必ずしも良好な特性の光導波路
は実現されない欠点を有していた。
発明の目的
本発明は、光回路用基板、特にその先導波路の構造とそ
の構成材料に改良を加えたもので、前記従来の光回路用
基板の欠点を除去したものである。
の構成材料に改良を加えたもので、前記従来の光回路用
基板の欠点を除去したものである。
すなわち、本発明は小型光デバイスあるいは光ＩＣに適
した光回路用基板の構造とその構成材料を与える。
した光回路用基板の構造とその構成材料を与える。
発明の構成
第２図は本発明１てかかる光回路用基板の要部構造を示
す。すなわち、同光回路用基板の要部構造は、絶縁性基
体２１と上記絶縁性基体２１上に設けられたＰＬＺＴ層
２２主２２記ＰＬＺＴ層２２上２２上けられた絶縁性ロ
ード層２３とから構成されている。
す。すなわち、同光回路用基板の要部構造は、絶縁性基
体２１と上記絶縁性基体２１上に設けられたＰＬＺＴ層
２２主２２記ＰＬＺＴ層２２上２２上けられた絶縁性ロ
ード層２３とから構成されている。
この場合、光を絶縁性ロード層２３下のＰＬＺＴ層２２
主２２るロード型導波路２２１のみ通過させるべく、絶
縁性基数２１と絶縁性ロード層２３つ尤の屈折率をＰＬ
ＺＴ層２２主２２さくする。
主２２るロード型導波路２２１のみ通過させるべく、絶
縁性基数２１と絶縁性ロード層２３つ尤の屈折率をＰＬ
ＺＴ層２２主２２さくする。
光回路用基板をこのような構造【ですれば、第１図に示
した従来の光導波路の欠点を除去できることを確認した
。さらに発明者らは、この種の光回路用基板１て、最適
の構成材料があることを見い出し、それ番・で基づき、
高性能の光回路用基板を製作した。すなわち、光４波路
用の前記光回路用基板において、上述した基体とＰＬＺ
Ｔ層およびロード層との結晶整合の問題、および屈折率
の関係が同時に満足されるような、最適の構成材料が、
ロード層、絶縁性基体にあることを見出し、これにより
、特性の優れた光回路用゛基板が実現されることを見い
出した。
した従来の光導波路の欠点を除去できることを確認した
。さらに発明者らは、この種の光回路用基板１て、最適
の構成材料があることを見い出し、それ番・で基づき、
高性能の光回路用基板を製作した。すなわち、光４波路
用の前記光回路用基板において、上述した基体とＰＬＺ
Ｔ層およびロード層との結晶整合の問題、および屈折率
の関係が同時に満足されるような、最適の構成材料が、
ロード層、絶縁性基体にあることを見出し、これにより
、特性の優れた光回路用゛基板が実現されることを見い
出した。
発明者らは、第２図に示す本発明における光回路用基板
の構成とその実現のり能性について、構成材料を変えて
探索した結果、上記絶縁性基体２１としてＭｑＯ，スピ
ネル、５ｒＴｉ０３．サファイヤ（ａ−Ａ１２ｏ３）の
うち少なくとも一種で構成することが適していることを
見い出した。すなわち、この種の構成材料では、スパッ
タリング法という薄膜形成技術により、本発明にかかる
構造のＰＬＺＴ層を比較的容易に形成することができる
。
の構成とその実現のり能性について、構成材料を変えて
探索した結果、上記絶縁性基体２１としてＭｑＯ，スピ
ネル、５ｒＴｉ０３．サファイヤ（ａ−Ａ１２ｏ３）の
うち少なくとも一種で構成することが適していることを
見い出した。すなわち、この種の構成材料では、スパッ
タリング法という薄膜形成技術により、本発明にかかる
構造のＰＬＺＴ層を比較的容易に形成することができる
。
また、発明者らは上記ロード層として、酸化チ、タン、
酸化タンタル、酸゛化＝オブ、酸化ジルコン。
酸化タンタル、酸゛化＝オブ、酸化ジルコン。
酸化アルミニウムなどの酸化物、窒化珪素などの窒化物
の少なくとも一種で構成することが適していることを見
出した。すなわち・、この種の構成材Ｆｉｔ−ＮえばＲ
Ｆ−２極型スパツタ、マグ不トロンスパノタイオンビー
ムスハソタ法などで形成スルと、意外にもＰＬＺＴ単結
晶膜上においても非晶質材料では結晶粒が生ぜず、また
結晶材料、例えば酸化亜鉛ではＣ軸配向膜が形成される
ことを見い出した。さらに発明者らは上記ロード材料を
酸化タンタルで構成すると特に適していることを見出し
た。すなわち、酸化タンタルを例えばマグネトロンスパ
ッタ法などで形成すると特に優れたロード層が形成され
ることを見い出した。
の少なくとも一種で構成することが適していることを見
出した。すなわち・、この種の構成材Ｆｉｔ−ＮえばＲ
Ｆ−２極型スパツタ、マグ不トロンスパノタイオンビー
ムスハソタ法などで形成スルと、意外にもＰＬＺＴ単結
晶膜上においても非晶質材料では結晶粒が生ぜず、また
結晶材料、例えば酸化亜鉛ではＣ軸配向膜が形成される
ことを見い出した。さらに発明者らは上記ロード材料を
酸化タンタルで構成すると特に適していることを見出し
た。すなわち、酸化タンタルを例えばマグネトロンスパ
ッタ法などで形成すると特に優れたロード層が形成され
ることを見い出した。
実施例の説明
以下に°具体的に、本発明にかかる光回路用基板の形成
手順と構成材料要素を説明する。すなわち、本実施例に
かかる光回路用基板は、まず、サフアイヤ（α−Ａ１２
０３）の０面単結晶板を基板にし、この上にＰＬＺＴ薄
膜を厚さ０．６μｍ程度、高周波スパッタリング法で蒸
着する。この場合、蒸着時の基板の温度を６００〜７０
０℃程度にすると、透明な（１１１）面単結晶膜が形成
される。次にこのＰＬＺＴ膜上に酸化メンタル薄膜を０
．２μｍ程度、マグネトロンスパッタリング法で蒸着す
る。
手順と構成材料要素を説明する。すなわち、本実施例に
かかる光回路用基板は、まず、サフアイヤ（α−Ａ１２
０３）の０面単結晶板を基板にし、この上にＰＬＺＴ薄
膜を厚さ０．６μｍ程度、高周波スパッタリング法で蒸
着する。この場合、蒸着時の基板の温度を６００〜７０
０℃程度にすると、透明な（１１１）面単結晶膜が形成
される。次にこのＰＬＺＴ膜上に酸化メンタル薄膜を０
．２μｍ程度、マグネトロンスパッタリング法で蒸着す
る。
この場合、蒸着時の基板温度を１５０’Ｃ以下で蒸着す
ると、透明な非晶質酸化タンタル膜が形成される。次に
この酸化タンタル薄膜を、通常の半導体プロセスに用い
るフォトリン法により導波路・ζターンにエツチング加
工すると、本実施例にかかる構成の光回路用基板が効果
的に実現される。
ると、透明な非晶質酸化タンタル膜が形成される。次に
この酸化タンタル薄膜を、通常の半導体プロセスに用い
るフォトリン法により導波路・ζターンにエツチング加
工すると、本実施例にかかる構成の光回路用基板が効果
的に実現される。
第３図は、この種の方法で発明者らが形成した酸化タン
タル薄膜のＸ線回折パターン例を示す。
タル薄膜のＸ線回折パターン例を示す。
以上の説明では、光回路用基板の絶縁性基体として、サ
ファイヤ０面単結晶板を用いたクリについて述べたが、
同様な効果は、サファイヤＲ面、サファイヤａ面、 Ｍ
ｇＯ，ＳｒＴｉＯ３，スピネル（Ｍｑ。
ファイヤ０面単結晶板を用いたクリについて述べたが、
同様な効果は、サファイヤＲ面、サファイヤａ面、 Ｍ
ｇＯ，ＳｒＴｉＯ３，スピネル（Ｍｑ。
−八１２０３）の単結晶を基板に用いても得られること
を確認した。
を確認した。
さらに、ロード層も酸化タンタル以外にも、酸化チタン
、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムな
どの酸化物、窒化珪素などの窒化物なども、酸化タンタ
ルと同様の形成プロセスで非晶質薄膜をＰＬＺＴ膜上に
形成でき、本発明にかかる光回路用基板の構成材料とし
て有効であることを確認した。また、酸化亜鉛などを、
例えばＲＦスパッタでＰＬＺＴ薄膜上に形成すると、透
明なＣ軸配向膜が形成され、酸化タンタルと同様のプロ
セスで光回路用基板が形成されることを確認した。
、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムな
どの酸化物、窒化珪素などの窒化物なども、酸化タンタ
ルと同様の形成プロセスで非晶質薄膜をＰＬＺＴ膜上に
形成でき、本発明にかかる光回路用基板の構成材料とし
て有効であることを確認した。また、酸化亜鉛などを、
例えばＲＦスパッタでＰＬＺＴ薄膜上に形成すると、透
明なＣ軸配向膜が形成され、酸化タンタルと同様のプロ
セスで光回路用基板が形成されることを確認した。
また、前記実施例ではロード層がＰＬＺＴ薄膜上の帯状
の構造例について述べたが、ロード層としては、−Ｐ
Ｌ Ｚ Ｔ薄膜の実効屈折率を光を閉じ込めうるように
増加されればよいので、ＰＬＺＴ薄膜上の帯状構造に限
定されるものではない。例えば第４図（ａ） 、 （ｂ
）の構造でも可能である。第４図（−）は、絶縁性基体
４１、例えばサファイヤ０面基板−上にＰＬＺＴ層４２
全４２、さらにＰＬＺＴ層４２上に膜厚に差の有る絶縁
性ロード層４３からなる。
の構造例について述べたが、ロード層としては、−Ｐ
Ｌ Ｚ Ｔ薄膜の実効屈折率を光を閉じ込めうるように
増加されればよいので、ＰＬＺＴ薄膜上の帯状構造に限
定されるものではない。例えば第４図（ａ） 、 （ｂ
）の構造でも可能である。第４図（−）は、絶縁性基体
４１、例えばサファイヤ０面基板−上にＰＬＺＴ層４２
全４２、さらにＰＬＺＴ層４２上に膜厚に差の有る絶縁
性ロード層４３からなる。
この場合、例えば絶縁性ロード層６２を酸化タンタル層
で構成し、酸化タンタル層の膜厚を厚い領域４３１で０
．２μｍ 、薄い領域４３２で０．０５μｍとすると、
ＰＬＺＴ層の実効屈折率はタンタル層の厚い領域下４２
１で、薄い領域下４２２よシ大きくなり、光はタンタル
層の厚い領域下４２１に閉じ込められＰＬＺＴ膜中を伝
搬する。第４図（ｂ）は、絶縁性基板４１、例えばサフ
ァイヤＣ面基板上に膜厚に差の有るＰＬＺＴ層４４全４
４、さらにＰＬＺＴ膜厚の厚い領域４４１上にロード層
４６からなる。この場合、ＰＬＺＴ層４４全４４えば厚
い領域４４１で０．６μｍ 、薄い領域４４２で０．４
９μｍとし、ロード層として例えば酸化タンタルを０．
２μｍ 、厚い領域４４１上に設けると厚い領域４４１
の実効屈折率は薄い領域４４２より大きくなり光は厚い
領域４４１に閉じ込められ伝搬することができ、光回路
用基板が実現される。
で構成し、酸化タンタル層の膜厚を厚い領域４３１で０
．２μｍ 、薄い領域４３２で０．０５μｍとすると、
ＰＬＺＴ層の実効屈折率はタンタル層の厚い領域下４２
１で、薄い領域下４２２よシ大きくなり、光はタンタル
層の厚い領域下４２１に閉じ込められＰＬＺＴ膜中を伝
搬する。第４図（ｂ）は、絶縁性基板４１、例えばサフ
ァイヤＣ面基板上に膜厚に差の有るＰＬＺＴ層４４全４
４、さらにＰＬＺＴ膜厚の厚い領域４４１上にロード層
４６からなる。この場合、ＰＬＺＴ層４４全４４えば厚
い領域４４１で０．６μｍ 、薄い領域４４２で０．４
９μｍとし、ロード層として例えば酸化タンタルを０．
２μｍ 、厚い領域４４１上に設けると厚い領域４４１
の実効屈折率は薄い領域４４２より大きくなり光は厚い
領域４４１に閉じ込められ伝搬することができ、光回路
用基板が実現される。
また、本発明の光回路用基板において、機能的デバイス
を構成するために、導電性電極を設けるには、第５図に
示すように光回路用基板上に絶縁性バッファ層５１を設
け、上記バッファ層６１上に上記電極を設ければ良い。
を構成するために、導電性電極を設けるには、第５図に
示すように光回路用基板上に絶縁性バッファ層５１を設
け、上記バッファ層６１上に上記電極を設ければ良い。
この場付、バッファ層の屈折率はロード層の屈折率より
小さくすれば良く、例えばロード層として酸化タンタル
を００２μｍとし、さらにバッファ層５１として石英ガ
ラスを０．２μｍ スパッタ蒸着すれば、光は有効に口
−ド層下のＰＬＺＴ膜中に閉じ込められ伝搬することを
確認した。
小さくすれば良く、例えばロード層として酸化タンタル
を００２μｍとし、さらにバッファ層５１として石英ガ
ラスを０．２μｍ スパッタ蒸着すれば、光は有効に口
−ド層下のＰＬＺＴ膜中に閉じ込められ伝搬することを
確認した。
発明の効果
以上の実施例で説明したように、本発明の光回路用基板
は、電気光学効果がＬ ｉＮ ｂ Ｏｓの２倍以上大き
いＰＬＺＴ薄膜を用い、このＰＬＺＴ単結晶膜上に従来
結晶粒が生成し透明性の不良であると考えられていた酸
化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタンなどの酸化物、あ
るいは蟹化珪素などの窒化物の非晶質膜が高周波スパッ
タ、マグネトロンスパッタなどで形成すると意外にも透
明性の良好な非晶質膜が形成される。また、酸化亜鉛薄
膜では透明なＣ軸配向膜が生成されることを見い出した
。これらのロード層は通常の半導体プロセス同様のフォ
トリン装置を用いて容易にパターン形成を施すことがで
きる。本発明者らの発見にもとづく光回路用基板は以上
の実施例でも説明したように従来の光回路用基板に比べ
、電気光学効果の犬・きいＰＬＺＴ膜から構成している
ので、光デバイスの駆動電圧をＬ Ｉ Ｎｂ Ｏ３の光
回路用基板に比べ２倍以下低減させることができ、寸た
導波路線幅が２０μｍ以下でも伝搬ロス無く光波を閉じ
込め伝搬させることができるので、光デバイスの低電圧
化に有用である。さらに、本発明の光回路用基板は基板
表面の凹凸が少なく、電極配線などは断線がないので、
光デバイスの小型化、集積化。
は、電気光学効果がＬ ｉＮ ｂ Ｏｓの２倍以上大き
いＰＬＺＴ薄膜を用い、このＰＬＺＴ単結晶膜上に従来
結晶粒が生成し透明性の不良であると考えられていた酸
化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタンなどの酸化物、あ
るいは蟹化珪素などの窒化物の非晶質膜が高周波スパッ
タ、マグネトロンスパッタなどで形成すると意外にも透
明性の良好な非晶質膜が形成される。また、酸化亜鉛薄
膜では透明なＣ軸配向膜が生成されることを見い出した
。これらのロード層は通常の半導体プロセス同様のフォ
トリン装置を用いて容易にパターン形成を施すことがで
きる。本発明者らの発見にもとづく光回路用基板は以上
の実施例でも説明したように従来の光回路用基板に比べ
、電気光学効果の犬・きいＰＬＺＴ膜から構成している
ので、光デバイスの駆動電圧をＬ Ｉ Ｎｂ Ｏ３の光
回路用基板に比べ２倍以下低減させることができ、寸た
導波路線幅が２０μｍ以下でも伝搬ロス無く光波を閉じ
込め伝搬させることができるので、光デバイスの低電圧
化に有用である。さらに、本発明の光回路用基板は基板
表面の凹凸が少なく、電極配線などは断線がないので、
光デバイスの小型化、集積化。
光ＩＣの集積化に有用でその工業的価値は高い。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はそれぞれ従来
の光回路用基板の構成を示す図、第２図は本発明の一実
施例における光回路用基板の構成を示す図、第３図ｄ、
同光回路用基板のロード層に酸化タンタルを用いたとき
の酸化タンタル層のＸ線回折パターンを示す図、第４図
（ａ） 、 （ｂ）は本発明の実施例における光回路用
基板の構成を示す図、第５図は本発明の他の実施例にお
ける光回路用基板の構成を示す図である０ ２１・・・・・・絶縁性基板、２２・・・・・・ｉ’Ｌ
ＺＴ層、２３・・・・・絶縁性ロード層、４１・・・・
・・絶縁性基体、４２・・・・・・ＰＬＺＴ層、４２１
・・・・・・厚い領域下のＰＬＺＴ層、４２２・・・・
・・薄い領域下のＰＬＺＴ層、４３・・・・・・ロード
層、４３１・・・・・・厚い領域、４３２・・・・・・
薄い領域、４４・・・・・・ＰＬＺＴ層、４４１・・・
・・・厚いＰＬＺＴ層、４４２・・・・・・薄いＰＬＺ
Ｔ層、４６・・・・・・ロード層、５１・・・・・・バ
ッファ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 因 （ｄ＋ ｌ？ （ｂ） （Ｃ） 第２図 第３図 ２ρ（へｆａｔＥ） 妬４図 （α） （しン わ ｔ４２！ 第５図
の光回路用基板の構成を示す図、第２図は本発明の一実
施例における光回路用基板の構成を示す図、第３図ｄ、
同光回路用基板のロード層に酸化タンタルを用いたとき
の酸化タンタル層のＸ線回折パターンを示す図、第４図
（ａ） 、 （ｂ）は本発明の実施例における光回路用
基板の構成を示す図、第５図は本発明の他の実施例にお
ける光回路用基板の構成を示す図である０ ２１・・・・・・絶縁性基板、２２・・・・・・ｉ’Ｌ
ＺＴ層、２３・・・・・絶縁性ロード層、４１・・・・
・・絶縁性基体、４２・・・・・・ＰＬＺＴ層、４２１
・・・・・・厚い領域下のＰＬＺＴ層、４２２・・・・
・・薄い領域下のＰＬＺＴ層、４３・・・・・・ロード
層、４３１・・・・・・厚い領域、４３２・・・・・・
薄い領域、４４・・・・・・ＰＬＺＴ層、４４１・・・
・・・厚いＰＬＺＴ層、４４２・・・・・・薄いＰＬＺ
Ｔ層、４６・・・・・・ロード層、５１・・・・・・バ
ッファ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 因 （ｄ＋ ｌ？ （ｂ） （Ｃ） 第２図 第３図 ２ρ（へｆａｔＥ） 妬４図 （α） （しン わ ｔ４２！ 第５図
Claims (4)
- （１）絶縁性基板と、上記絶縁性基体上に設けられたＰ
ＬＺＴ層と、上記ＰＬＴＺ層上に設けられた絶縁性ロー
ド層とを有することを特徴とする光回路用基板。 - （２）絶縁性基体をＭｑＯ，スピネ／Ｌ／、ＳｒＴｉＯ
３，サファイア（α−Ａ１２ｏ３）のうち少なくとも一
種で構成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光回路用基板。 - （３） ロード層を酸化チタン、酸化タンタル、酸化
ニオブ、酸化ジルコン、酸化亜鉛、酸化アルミニウムな
どの酸化物、窒化珪素などの窒化物の少なくとも一種で
構成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光回路用基板。 - （４） ロード層を少なくとも酸化タンタルで構成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光回路
用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14063882A JPS5930507A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 光回路用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14063882A JPS5930507A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 光回路用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5930507A true JPS5930507A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15273329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14063882A Pending JPS5930507A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 光回路用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930507A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4793697A (en) * | 1986-08-04 | 1988-12-27 | Motorola, Inc. | PLZT shutter with minimized space charge degradation |
| JPH02501247A (ja) * | 1987-06-15 | 1990-04-26 | イーストマン・コダック・カンパニー | 一体化された光学読み取り／記録ヘッド及び同ヘッドに組み合わされる装置 |
| CN1043367C (zh) * | 1992-06-17 | 1999-05-12 | 默克专利股份有限公司 | 蒸镀材料其制备方法和用该材料制备光学涂层方法 |
| US6568178B2 (en) | 2000-03-28 | 2003-05-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for purifying the exhaust gas of an internal combustion engine |
| US6588204B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-07-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for purifying the exhaust gas of an internal combustion engine |
| US6874315B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-04-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purification device |
| US7296401B2 (en) | 2000-07-21 | 2007-11-20 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for purifying the exhaust gas of an internal combustion engine |
-
1982
- 1982-08-12 JP JP14063882A patent/JPS5930507A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4793697A (en) * | 1986-08-04 | 1988-12-27 | Motorola, Inc. | PLZT shutter with minimized space charge degradation |
| JPH02501247A (ja) * | 1987-06-15 | 1990-04-26 | イーストマン・コダック・カンパニー | 一体化された光学読み取り／記録ヘッド及び同ヘッドに組み合わされる装置 |
| CN1043367C (zh) * | 1992-06-17 | 1999-05-12 | 默克专利股份有限公司 | 蒸镀材料其制备方法和用该材料制备光学涂层方法 |
| US6588204B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-07-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for purifying the exhaust gas of an internal combustion engine |
| US6874315B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-04-05 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purification device |
| US6568178B2 (en) | 2000-03-28 | 2003-05-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for purifying the exhaust gas of an internal combustion engine |
| US7296401B2 (en) | 2000-07-21 | 2007-11-20 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Device for purifying the exhaust gas of an internal combustion engine |
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