JPS592989B2 - バブル磁区検出器 - Google Patents
バブル磁区検出器Info
- Publication number
- JPS592989B2 JPS592989B2 JP6142581A JP6142581A JPS592989B2 JP S592989 B2 JPS592989 B2 JP S592989B2 JP 6142581 A JP6142581 A JP 6142581A JP 6142581 A JP6142581 A JP 6142581A JP S592989 B2 JPS592989 B2 JP S592989B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- detector
- magnetic
- block
- detectors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ装置のバブル磁区検出器の改
良に関する。
良に関する。
磁気バブルを利用した磁気バブルメモリ装置は第１図に
示す如く例えば非磁性ガーネット板の上に磁性ガーネッ
トの薄膜を形成した基板の上に磁気バブルの発生器、伝
播路、検出器等をパターン形成したチップ１と、該チッ
プにバイアス磁界をかける永久磁石２、２’と、バブル
を、駆動するための回転磁界をつくるコイル３および４
と、外部磁界を遮断するシールドケース５等により構成
されている。
示す如く例えば非磁性ガーネット板の上に磁性ガーネッ
トの薄膜を形成した基板の上に磁気バブルの発生器、伝
播路、検出器等をパターン形成したチップ１と、該チッ
プにバイアス磁界をかける永久磁石２、２’と、バブル
を、駆動するための回転磁界をつくるコイル３および４
と、外部磁界を遮断するシールドケース５等により構成
されている。
このような磁気バブルメモリ装置におい５ てその記憶
容量は年々増加の一途を辿つている。そのためメモリチ
ップの大きさも大きくなり例えばＩＭビットになるとチ
ップの大きさは１０×１０ｍｗｌ程度の大きさになる。
このためホトリソグラフィ法でパターンを作成する場合
１枚のホトマ１０ スクで露光するとウェーハのフラツ
トネスによりパターンの焼付け精度が悪くなり歩留りが
低下すると共に、フォトマスクのコスト高が問題になる
場合がある。このため従来はホトマスクをチップの半分
の大きさとし２回露光して第２図の如く同１５−パター
ンを２個並べて作成しＩＭビットとする方法を採用して
いる。ところがこの方法で作られたチップにはバブルの
発生器６と検出器１がそれぞれ２個づつあり、実際に動
作させる場合２個の発生器又は２個の検出器が全く同時
に作用するこ・０ とは不都合である。このためバブル
発生器６からマイナループ８に情報を入れるトランスフ
ァゲート９までのビット数をＡブロックではｎビット、
Ｂブロックではｎ−１ビットとして１ビットずらしてい
る。このずらした分は読出し用のレプリゲ、’５−卜１
０から検出器７までの間で戻すようにＡブロックではｍ
−１ビット、Ｂブロックではｍビットとしている。この
ような構成を１枚のホトマスクで実現するためバブル検
出器としては３本のディテクタＤ１、Ｄ２、Ｄ３を形成
しておきＡブロツ３０ クではＤ１７Ｄ２を使用し、Ｂ
ブロックではＤ２、Ｄ３を使用して１ビットのずれを作
つている。このため従来このバブル検出器の配線は第３
図の如く、３本のディテクタＤ１、Ｄ２、Ｄ３の一方の
端部はリードＬ４によリボンディング用端子５５Ｐ４に
接続され、他端はそれぞれリードＬｉ、Ｌ２、Ｌ３によ
りそれぞれボンディング用端子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に接続
されている。そして第２図のＡブロツクはＰｌ，Ｐ２，
Ｐ４を選び、ＢプロツクはＰ２，Ｐ３，Ｐ４を選んで外
部回路に接続するようにしている。
容量は年々増加の一途を辿つている。そのためメモリチ
ップの大きさも大きくなり例えばＩＭビットになるとチ
ップの大きさは１０×１０ｍｗｌ程度の大きさになる。
このためホトリソグラフィ法でパターンを作成する場合
１枚のホトマ１０ スクで露光するとウェーハのフラツ
トネスによりパターンの焼付け精度が悪くなり歩留りが
低下すると共に、フォトマスクのコスト高が問題になる
場合がある。このため従来はホトマスクをチップの半分
の大きさとし２回露光して第２図の如く同１５−パター
ンを２個並べて作成しＩＭビットとする方法を採用して
いる。ところがこの方法で作られたチップにはバブルの
発生器６と検出器１がそれぞれ２個づつあり、実際に動
作させる場合２個の発生器又は２個の検出器が全く同時
に作用するこ・０ とは不都合である。このためバブル
発生器６からマイナループ８に情報を入れるトランスフ
ァゲート９までのビット数をＡブロックではｎビット、
Ｂブロックではｎ−１ビットとして１ビットずらしてい
る。このずらした分は読出し用のレプリゲ、’５−卜１
０から検出器７までの間で戻すようにＡブロックではｍ
−１ビット、Ｂブロックではｍビットとしている。この
ような構成を１枚のホトマスクで実現するためバブル検
出器としては３本のディテクタＤ１、Ｄ２、Ｄ３を形成
しておきＡブロツ３０ クではＤ１７Ｄ２を使用し、Ｂ
ブロックではＤ２、Ｄ３を使用して１ビットのずれを作
つている。このため従来このバブル検出器の配線は第３
図の如く、３本のディテクタＤ１、Ｄ２、Ｄ３の一方の
端部はリードＬ４によリボンディング用端子５５Ｐ４に
接続され、他端はそれぞれリードＬｉ、Ｌ２、Ｌ３によ
りそれぞれボンディング用端子Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に接続
されている。そして第２図のＡブロツクはＰｌ，Ｐ２，
Ｐ４を選び、ＢプロツクはＰ２，Ｐ３，Ｐ４を選んで外
部回路に接続するようにしている。
ところがこのようにすると各デイテクタ及びリードが作
るループの大きさが異なるため回転磁界から拾うノイズ
の大きさが異なりノイズキャンセルの上で不都合となり
ノイズが大となる。本発明はこの欠点を改良するために
案出されたものである。このため本発明においては、磁
気バブル結晶基板の上に同一ビツト構成のＡ，．Ｂ２つ
のプロツクを形成した磁気バブルメモリ素子において、
そのバブル磁区検出器は、ボンデイング用端子を有する
金等の導体パターンの第１層と、ＳｉＯ２等の絶縁材料
からなるスペーサを介して第２層の軟磁性体からなる３
ビツト連続に配置されたデイテクタとをＡ，．Ｂ両プロ
ツクに形成し、Ａプロツクは該デイテクタの第１番目と
第２番目を、Ｂプロツクは第２番目と第３番目とをそれ
ぞれ前記スペーサ層のスルーホールを選択して第１層の
導体パターンに接続することにより、Ａ，．Ｂ両プロツ
ク共、各デイテクタとボンデイング用端子までの導体が
作るループの大きさが等しくなるようにしたことを特徴
とするものである。
るループの大きさが異なるため回転磁界から拾うノイズ
の大きさが異なりノイズキャンセルの上で不都合となり
ノイズが大となる。本発明はこの欠点を改良するために
案出されたものである。このため本発明においては、磁
気バブル結晶基板の上に同一ビツト構成のＡ，．Ｂ２つ
のプロツクを形成した磁気バブルメモリ素子において、
そのバブル磁区検出器は、ボンデイング用端子を有する
金等の導体パターンの第１層と、ＳｉＯ２等の絶縁材料
からなるスペーサを介して第２層の軟磁性体からなる３
ビツト連続に配置されたデイテクタとをＡ，．Ｂ両プロ
ツクに形成し、Ａプロツクは該デイテクタの第１番目と
第２番目を、Ｂプロツクは第２番目と第３番目とをそれ
ぞれ前記スペーサ層のスルーホールを選択して第１層の
導体パターンに接続することにより、Ａ，．Ｂ両プロツ
ク共、各デイテクタとボンデイング用端子までの導体が
作るループの大きさが等しくなるようにしたことを特徴
とするものである。
以下添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に説
明する。
明する。
第４図に実施例を示す。
本実施例は図の如くＡｌＢプロツク共、金等の導体を用
い同一パターンでボンデイング用端子Ｐ１〜Ｐ４とリー
ドＬ１〜Ｌ４を形成し、その上に絶縁層を形成し、この
絶縁層に、ＡブロツクにはスルーホールＨｌ，Ｈ２及び
Ｒｌ，Ｒ，を設け、ＢプロツクにはスルーホールＨ３，
Ｈ４及びＲ３，Ｒ４を設けたのち、パーマロイ等の軟磁
性体薄膜で同一パターンのデイテクタＤ１〜Ｄ３をＡ，
．Ｂ両プロツクに形成したものである。第５図はリード
とデイテクタの接続部（第４図の点線で囲んだ部分）を
拡大して示したもので、符号１１はガーネツト等のバブ
ル結晶１２及び１３はＳｉＯ２等の絶縁層、Ｌ２，Ｌ４
は金等の導体により形成されたリード、Ｄ１〜Ｄ３はデ
イテクタ、１４，１５ぱ絶縁層１３に設けられたスルー
ホールである。このように形成された本実施例は第４図
の如くＡプロツクにおいては、デイテクタＤ１はリード
Ｌ３及びＬ４により隣り合う端子Ｐ３，Ｐ４に接続され
、デイテクタＤ２はリードＬｌ，Ｌ２により隣り合う端
子Ｐｌ，Ｐ２に接続されている。
い同一パターンでボンデイング用端子Ｐ１〜Ｐ４とリー
ドＬ１〜Ｌ４を形成し、その上に絶縁層を形成し、この
絶縁層に、ＡブロツクにはスルーホールＨｌ，Ｈ２及び
Ｒｌ，Ｒ，を設け、ＢプロツクにはスルーホールＨ３，
Ｈ４及びＲ３，Ｒ４を設けたのち、パーマロイ等の軟磁
性体薄膜で同一パターンのデイテクタＤ１〜Ｄ３をＡ，
．Ｂ両プロツクに形成したものである。第５図はリード
とデイテクタの接続部（第４図の点線で囲んだ部分）を
拡大して示したもので、符号１１はガーネツト等のバブ
ル結晶１２及び１３はＳｉＯ２等の絶縁層、Ｌ２，Ｌ４
は金等の導体により形成されたリード、Ｄ１〜Ｄ３はデ
イテクタ、１４，１５ぱ絶縁層１３に設けられたスルー
ホールである。このように形成された本実施例は第４図
の如くＡプロツクにおいては、デイテクタＤ１はリード
Ｌ３及びＬ４により隣り合う端子Ｐ３，Ｐ４に接続され
、デイテクタＤ２はリードＬｌ，Ｌ２により隣り合う端
子Ｐｌ，Ｐ２に接続されている。
またＢプロツクにおいてぱ、デイテクタＤ２はリードＬ
３，Ｌ４により隣り合う端子Ｐ３，Ｐ４に接続され、デ
イテクタＤ３はリードＬｌ，Ｌ２により隣り合う端子Ｐ
ｌ，Ｐ２に接続されている。従つて各デイテクタがリー
ドと共につくるループの大きさは全べて等しくなつてい
る。従つて各デイテクタが回転磁界から拾うノイズは等
しくなり、各デイテクタはノイズキヤンセルされ、ＡＢ
プロツク共そのバブル磁区検出器はＳＮ比が極めて小さ
くなる。以上説明した如く本発明のバブル磁区検出器構
成は、デイテクタを３段連続に配置したバブル磁区検出
器において、いわゆるサイドバイサイド方式による読み
出しが行なえ、かつＳＮ比が向上する磁気バブルメモリ
の実現を可能としたものである。
３，Ｌ４により隣り合う端子Ｐ３，Ｐ４に接続され、デ
イテクタＤ３はリードＬｌ，Ｌ２により隣り合う端子Ｐ
ｌ，Ｐ２に接続されている。従つて各デイテクタがリー
ドと共につくるループの大きさは全べて等しくなつてい
る。従つて各デイテクタが回転磁界から拾うノイズは等
しくなり、各デイテクタはノイズキヤンセルされ、ＡＢ
プロツク共そのバブル磁区検出器はＳＮ比が極めて小さ
くなる。以上説明した如く本発明のバブル磁区検出器構
成は、デイテクタを３段連続に配置したバブル磁区検出
器において、いわゆるサイドバイサイド方式による読み
出しが行なえ、かつＳＮ比が向上する磁気バブルメモリ
の実現を可能としたものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリ装置の１例の１部開切
して示した斜視図、第２図は従来の磁気バブルメモリチ
ツプの１例の構成図、第３図ぱそのバブル磁区検出器の
構成図、第４図は本発明にかかる実施例のバブル磁区検
出器構成の構成図、第５図はその一部の斜視図である。 Ｐ１〜Ｐ４・・・・・・端子、Ｌ１〜Ｌ４・・・・・・
リード（導体パターン）、Ｄ１〜Ｄ３・・・・・・ディ
テクタ、Ｈ１〜Ｈ４，Ｒｌ〜Ｒ４，ｌ４，ｌ５・・・・
・・スルーホール、１１・・・・・・バブル結晶、１２
，１３・・・・・・絶縁層。
して示した斜視図、第２図は従来の磁気バブルメモリチ
ツプの１例の構成図、第３図ぱそのバブル磁区検出器の
構成図、第４図は本発明にかかる実施例のバブル磁区検
出器構成の構成図、第５図はその一部の斜視図である。 Ｐ１〜Ｐ４・・・・・・端子、Ｌ１〜Ｌ４・・・・・・
リード（導体パターン）、Ｄ１〜Ｄ３・・・・・・ディ
テクタ、Ｈ１〜Ｈ４，Ｒｌ〜Ｒ４，ｌ４，ｌ５・・・・
・・スルーホール、１１・・・・・・バブル結晶、１２
，１３・・・・・・絶縁層。
Claims (1)
- １ 磁気バブル結晶基板の上に同一ビット構成のＡ、Ｂ
２つのブロックを形成した磁気バブルメモリ素子におい
て、そのバブル磁区検出器は、ボンディング用端子を有
する金等の導体パターンの第１層と、ＳｉＯ＿２等の絶
縁材料からなるスペーサを介して第２層の軟磁性体から
なる３ビット連続に配置されたディテクタとをＡ、Ｂ両
ブロックに形成し、Ａブロックは該ディテクタの第１番
目と第２番目を、Ｂブロックは第２番目と３番目とを、
それぞれ前記スペーサ層のスルーホールを選択して第１
層の導体パターンに接続することにより、Ａ、Ｂ両ブロ
ック共、各ディテクタとボンディング用端子までの導体
が作るループの大きさが等しくなるようにしたことを特
徴とするバブル磁区検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142581A JPS592989B2 (ja) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | バブル磁区検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142581A JPS592989B2 (ja) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | バブル磁区検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57179986A JPS57179986A (en) | 1982-11-05 |
| JPS592989B2 true JPS592989B2 (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=13170704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6142581A Expired JPS592989B2 (ja) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | バブル磁区検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592989B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7350996B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-04-01 | Sanford, L.P. | Retractable writing utensil |
-
1981
- 1981-04-24 JP JP6142581A patent/JPS592989B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57179986A (en) | 1982-11-05 |
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