JPS5928981B2 - 電子ビ−ム露光方式 - Google Patents
電子ビ−ム露光方式Info
- Publication number
- JPS5928981B2 JPS5928981B2 JP53154040A JP15404078A JPS5928981B2 JP S5928981 B2 JPS5928981 B2 JP S5928981B2 JP 53154040 A JP53154040 A JP 53154040A JP 15404078 A JP15404078 A JP 15404078A JP S5928981 B2 JPS5928981 B2 JP S5928981B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- distortion
- block
- electron beam
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、歪を補正して所望通りの正確な露光が行なえ
るようにした電子ビーム露光方式に関する。
るようにした電子ビーム露光方式に関する。
電子ビームによる露光はＬＳＩなどでは不可欠になりっ
っぁるが、ビーム系による露光面積または偏向領域は小
さく例えば２ｍｍ平方程度である。
っぁるが、ビーム系による露光面積または偏向領域は小
さく例えば２ｍｍ平方程度である。
従つて５ｗｇＬ平方のチップ１を露光するには第１図゛
に示すようにウェハーも移動させ、２−平方の露光部ま
たは偏向領域２を縦、横方向に２．５個すつ継ぎ合わせ
た形にして全体の露光を完了することになる。２Ｔｍ平
方の露光部２は微小径の電子ビームをＸ、Ｙ方向に走査
して形成するが、偏向系による歪（２ＴｍＬ振つて１μ
ｍ程度の誤差がでる）などによつて露光部は必らずしも
第２図ａに示す如き正方形３とはならず、同図ｂに示す
台形４、同図ｃに示すピンクッション形５、または同図
ｄに示すこれらの合成形状６などになつてしまう。
に示すようにウェハーも移動させ、２−平方の露光部ま
たは偏向領域２を縦、横方向に２．５個すつ継ぎ合わせ
た形にして全体の露光を完了することになる。２Ｔｍ平
方の露光部２は微小径の電子ビームをＸ、Ｙ方向に走査
して形成するが、偏向系による歪（２ＴｍＬ振つて１μ
ｍ程度の誤差がでる）などによつて露光部は必らずしも
第２図ａに示す如き正方形３とはならず、同図ｂに示す
台形４、同図ｃに示すピンクッション形５、または同図
ｄに示すこれらの合成形状６などになつてしまう。
ビーム走査による単位露光部２が正方形又は矩形になら
ず、台形、ピンクッション形などに歪むと、これらを継
ぎ合わせて第１図に示すようにチップ全面を露光しよう
とするとき、露光部、不足が生じる不都合がある。例え
は第３図に示すように露光部２が台形に歪むとこれらを
継ぎ合せるとき部分２ａでは隙間が生じ、部分２ｂでは
重なりを生じ、前者では未露光部が発生してこの部分に
配線パターン７があると該配線は部分２ａで断線（切断
）し、後者では過度露光となつてパターンの太り等の精
度不良を生じてしまう。これを防ぐには偏向歪みを測定
してその結果を電子ビーム偏向系に帰還し、正方形（ま
たは矩形）の露光部２が得られるようにするのがよいが
、本発明はこの補正方法に係るものである。
ず、台形、ピンクッション形などに歪むと、これらを継
ぎ合わせて第１図に示すようにチップ全面を露光しよう
とするとき、露光部、不足が生じる不都合がある。例え
は第３図に示すように露光部２が台形に歪むとこれらを
継ぎ合せるとき部分２ａでは隙間が生じ、部分２ｂでは
重なりを生じ、前者では未露光部が発生してこの部分に
配線パターン７があると該配線は部分２ａで断線（切断
）し、後者では過度露光となつてパターンの太り等の精
度不良を生じてしまう。これを防ぐには偏向歪みを測定
してその結果を電子ビーム偏向系に帰還し、正方形（ま
たは矩形）の露光部２が得られるようにするのがよいが
、本発明はこの補正方法に係るものである。
この補正は、単純には露光部２の全面に亘る極めて多数
の点１０で偏向歪みを実測すれはよいが、偏向歪みの実
測にはその多数の点１０に、マスク位置合せなどに用い
るマークと同様なマーク例えばウェハーをエッチングし
て作つた微小凹部または凸部を設け、該マーク個々に対
するビーム偏向系の理論出力（期待値）と実際にビーム
を該マークに当てるのに必要であつた偏向系出力との差
Δｘ、Δｙを求めることになるので、これは精度を上げ
るべく測定点を多くすればする程甚だ厄介な作業になる
。そこで本発明では比較的小数の実測で済みしかも高精
度の偏向補正を極めて容易に行なうことができるように
しようとするものである。本発明の電子ビーム露光方式
は電子ビーム系の偏向領域内の複数箇所で実測した偏向
歪データを用い最小二乗法を適用して該偏向領域内の偏
向歪量を示す関数式を得、該偏向領域を中央部では大面
積のそして周辺部では小面積の複数プロツクに分割し、
該プロツクの代表点の偏向歪量を前記関数式から算出し
、該代表点偏向歪量を当該プロツクの歪補正データとし
て用いて該プロツクに対するビーム偏向を行なうことを
特徴とするが、次に実施例を参照しながらこれを詳細に
説明する。
の点１０で偏向歪みを実測すれはよいが、偏向歪みの実
測にはその多数の点１０に、マスク位置合せなどに用い
るマークと同様なマーク例えばウェハーをエッチングし
て作つた微小凹部または凸部を設け、該マーク個々に対
するビーム偏向系の理論出力（期待値）と実際にビーム
を該マークに当てるのに必要であつた偏向系出力との差
Δｘ、Δｙを求めることになるので、これは精度を上げ
るべく測定点を多くすればする程甚だ厄介な作業になる
。そこで本発明では比較的小数の実測で済みしかも高精
度の偏向補正を極めて容易に行なうことができるように
しようとするものである。本発明の電子ビーム露光方式
は電子ビーム系の偏向領域内の複数箇所で実測した偏向
歪データを用い最小二乗法を適用して該偏向領域内の偏
向歪量を示す関数式を得、該偏向領域を中央部では大面
積のそして周辺部では小面積の複数プロツクに分割し、
該プロツクの代表点の偏向歪量を前記関数式から算出し
、該代表点偏向歪量を当該プロツクの歪補正データとし
て用いて該プロツクに対するビーム偏向を行なうことを
特徴とするが、次に実施例を参照しながらこれを詳細に
説明する。
先ず第４図を参照して説明するに、偏向歪は一般的に露
光部２の中心部Ｐでは極めて小さく、周辺部Ｑでは比較
的大きい。勿論偏向歪は中心部から周辺に亘つて連続的
に変わり、その量ΔＸ，Δｙは第２図から明らかなよう
に各種各様である。そこで露光部２の極めて多数の各点
１０に対して偏向歪を実測し、その実測値を各点の近傍
例えば各点を中心とする小プロツク１１の偏向に対して
適用することが考えられるが、前述のようにこれでは甚
だ厄介な作業となる。そこで本発明では座標Ｘｉ，ｙｋ
の各点で測定した歪データをＹｉｋとし、これらにより
任意の点Ｘ，ｙにおける歪量ΔＸ，Δｙを示す２変数３
次元多項式の係数Ａｔｍを決定し、つまり関数Ｚの関数
形を定め（これはΔｘに関するものとΔｙに関するもの
の２式があるが上記では１つの式で代表している。
光部２の中心部Ｐでは極めて小さく、周辺部Ｑでは比較
的大きい。勿論偏向歪は中心部から周辺に亘つて連続的
に変わり、その量ΔＸ，Δｙは第２図から明らかなよう
に各種各様である。そこで露光部２の極めて多数の各点
１０に対して偏向歪を実測し、その実測値を各点の近傍
例えば各点を中心とする小プロツク１１の偏向に対して
適用することが考えられるが、前述のようにこれでは甚
だ厄介な作業となる。そこで本発明では座標Ｘｉ，ｙｋ
の各点で測定した歪データをＹｉｋとし、これらにより
任意の点Ｘ，ｙにおける歪量ΔＸ，Δｙを示す２変数３
次元多項式の係数Ａｔｍを決定し、つまり関数Ｚの関数
形を定め（これはΔｘに関するものとΔｙに関するもの
の２式があるが上記では１つの式で代表している。
以下でも適宜この省略を行なう）、これより任意の点Ｘ
，ｙの偏向歪ΔＸ，Δｙを算出して偏向補正を行なおう
とするものである。（１）式の右辺は１６項からなるか
ら測定点は最少１６個でよく、実側作業は大幅に簡素化
できる。係数決定に最小自乗法を用いる場合はなるδを
求め、これをＡｔｍについて偏微分してｄδ？＝０を満
足するＡｔｍを求める。
，ｙの偏向歪ΔＸ，Δｙを算出して偏向補正を行なおう
とするものである。（１）式の右辺は１６項からなるか
ら測定点は最少１６個でよく、実側作業は大幅に簡素化
できる。係数決定に最小自乗法を用いる場合はなるδを
求め、これをＡｔｍについて偏微分してｄδ？＝０を満
足するＡｔｍを求める。
そのたδＡｔｍ
めには次のＬ′（＝０〜３），ｍ′（＝Ｏ〜３）の組合
せによる１６個の連立一次方程式を解く必要があるが、
この式は計算機で比較的簡単に計算でき、所望の係数Ａ
ｔｍが得られる。
せによる１６個の連立一次方程式を解く必要があるが、
この式は計算機で比較的簡単に計算でき、所望の係数Ａ
ｔｍが得られる。
（１）式によれば任意の点の偏向歪ΔＸ，Δｙを算出で
きるが、各点につき（１）式を解くのは甚だ厄介である
から適当に定めた大きさのプロツク内では同じ歪量を用
いるようにするとよい。ところで前述のように偏向歪は
露光部２の中心部では小さく周辺耶では大きい。そこで
周辺部プロツクで充分な精度が得られるようにプロツク
の大きさを定めると該プロツクの大きさは中心部では必
要以上に小さなものとなり、無用な測定及びそのデータ
使用を行なうことになる。またプロツクの大きさが均一
では各プロツクの精度（最大誤差値）が異なることにな
り、これはプロツク継目を貫通するパターンがあると該
パターンは継目でずれが生じることになり、好ましくな
い。このような不都合を除去するため本発明では露光部
２を等分割するのは止め、第５図に示すように周辺部で
は細かく、中央部では大きくした。
きるが、各点につき（１）式を解くのは甚だ厄介である
から適当に定めた大きさのプロツク内では同じ歪量を用
いるようにするとよい。ところで前述のように偏向歪は
露光部２の中心部では小さく周辺耶では大きい。そこで
周辺部プロツクで充分な精度が得られるようにプロツク
の大きさを定めると該プロツクの大きさは中心部では必
要以上に小さなものとなり、無用な測定及びそのデータ
使用を行なうことになる。またプロツクの大きさが均一
では各プロツクの精度（最大誤差値）が異なることにな
り、これはプロツク継目を貫通するパターンがあると該
パターンは継目でずれが生じることになり、好ましくな
い。このような不都合を除去するため本発明では露光部
２を等分割するのは止め、第５図に示すように周辺部で
は細かく、中央部では大きくした。
第５図は露光部（偏向領域）２を８×８分割する例を示
し、縦辺のＰ。Ｏ−ＰＯ，間を１とすると、ＰＯｌ〜Ｐ
Ｏ２間は１、ＰＯ２〜ＰＯ３間は２、ＰＯ３〜ＰＯ４間
は４、ＰＯ４〜ＰＯ５間は４、ＰＯ５〜ＰＯ６間は２、
ＰＯ６〜ＰＯ７およびＰ。７〜ＰＯ８間は１とし、横辺
のＰＯＯ−Ｐ８Ｏ間も同様にしてある。
し、縦辺のＰ。Ｏ−ＰＯ，間を１とすると、ＰＯｌ〜Ｐ
Ｏ２間は１、ＰＯ２〜ＰＯ３間は２、ＰＯ３〜ＰＯ４間
は４、ＰＯ４〜ＰＯ５間は４、ＰＯ５〜ＰＯ６間は２、
ＰＯ６〜ＰＯ７およびＰ。７〜ＰＯ８間は１とし、横辺
のＰＯＯ−Ｐ８Ｏ間も同様にしてある。
各プロツク例えはＰ２２，Ｐ２３，Ｐ３２，Ｐ３３の各
点の偏向歪はそのプロック中心点Ｚ２２の偏向歪を共通
に使用する。プロツクＰ４４９Ｐ４５，Ｐ５４９Ｐ５５
についても同様で、このプロツク各点の偏向歪としては
中心点Ｚ４４のそれを共通に使用する。中心点Ｚ２２，
Ｚ４４等の偏向歪としては実測値があればそれを使用し
てもよいが、点Ｚ２２，Ｚ４４の座標値を（１）式に代
入して得た偏向歪ΔＸ，Δｙを用いた方がむしろ正確で
ある。これは、実測には誤差がつきものであるが、最小
自乗法を用いて係数決定した（１）式から算出した値は
多数の実測値の平均値的性格を持つていることに依る。
このようにすると８×８個の歪補正データで１６×１６
個の歪補正データを用いたのと殆んど同等の効果を期待
できる。この歪使用するのがよいが、歪補正データが上
記のように１／４になれば、メモリ容量も当然１／４で
済む。この効果は分割数（プロツク数）が多くなる程顕
著になる。第５図では露光部２を実質的には１６×１６
分割しており、従つて各プロツクはＸ方向に５ビツト、
Ｙ方向にも５ビツトの２値数からなるアドレス信号で指
定することができ、そして広いプロツク例えばＰ４４，
Ｐ４，，Ｐ５４，Ｐ５５には小プロツクが４Ｘ４個含ま
れこれら１６個のプロツクが同じ歪補正データを用いる
から該１６個のプロツクに対するアドレス信号はメモリ
の同じ記憶領域を指定するようにする必要がある。
点の偏向歪はそのプロック中心点Ｚ２２の偏向歪を共通
に使用する。プロツクＰ４４９Ｐ４５，Ｐ５４９Ｐ５５
についても同様で、このプロツク各点の偏向歪としては
中心点Ｚ４４のそれを共通に使用する。中心点Ｚ２２，
Ｚ４４等の偏向歪としては実測値があればそれを使用し
てもよいが、点Ｚ２２，Ｚ４４の座標値を（１）式に代
入して得た偏向歪ΔＸ，Δｙを用いた方がむしろ正確で
ある。これは、実測には誤差がつきものであるが、最小
自乗法を用いて係数決定した（１）式から算出した値は
多数の実測値の平均値的性格を持つていることに依る。
このようにすると８×８個の歪補正データで１６×１６
個の歪補正データを用いたのと殆んど同等の効果を期待
できる。この歪使用するのがよいが、歪補正データが上
記のように１／４になれば、メモリ容量も当然１／４で
済む。この効果は分割数（プロツク数）が多くなる程顕
著になる。第５図では露光部２を実質的には１６×１６
分割しており、従つて各プロツクはＸ方向に５ビツト、
Ｙ方向にも５ビツトの２値数からなるアドレス信号で指
定することができ、そして広いプロツク例えばＰ４４，
Ｐ４，，Ｐ５４，Ｐ５５には小プロツクが４Ｘ４個含ま
れこれら１６個のプロツクが同じ歪補正データを用いる
から該１６個のプロツクに対するアドレス信号はメモリ
の同じ記憶領域を指定するようにする必要がある。
第６図はかかる配慮を加えた歪補正データ記憶装置を示
す。２０は記憶部であり、第５図に合わせて８Ｘ８個の
歪補正データ記憶領域２０ａを持ち、これらの領域に各
中心点Ｚ。
す。２０は記憶部であり、第５図に合わせて８Ｘ８個の
歪補正データ記憶領域２０ａを持ち、これらの領域に各
中心点Ｚ。
Ｏ，Ｚ２２・・・・・・の歪補正データを記憶する。２
１，２２はＲＯＭ（読取専用メモリ）であつて露光部２
の任意の点の座標を指示するＮビツトＸ，ｙデータの上
位５ビツトＢ。
１，２２はＲＯＭ（読取専用メモリ）であつて露光部２
の任意の点の座標を指示するＮビツトＸ，ｙデータの上
位５ビツトＢ。
−Ｂ４を設け、これを記憶部２０の記憶領域２０ａを指
定する３ビツトアドレス信号Ａ。，Ａｌ，Ａ２にデコー
ドする。このＲＯＭの役割は前述のように、中心点ＺＯ
Ｏ等を取巻く小プロツクに対しては上位５ビツトのアド
レスＢ。−Ｂ４と１対１対応させてよいが、中心点Ｚ４
４等を取巻く大プロツクに対しては１６対１対応でよい
からかかる変換を行なうにある。ＮビツトＸ，ｙデータ
は上位ビツトも含めて（下位ビツトはプロツク内の位置
を示すデータである）加算器２３，２４に入り、ここで
記憶部２０から読出された当該プロツクの歪補正データ
ΔＸ，Δッをプラスされ、デジタルアナログ変換器２５
，２６でアナログ量に変換されたのちＸ，Ｙ偏向器に加
えられる。以上詳細に説明したように本発明によれば比
較的少数回の偏向歪実測で単位露光部の多数の各プロツ
クに対する、しかも平均化されて極めて正確な歪補正デ
ータが得られ、更に該プロツクは歪発生度を考慮した不
均等プロツクに分割されるのでデータ量従つてその記憶
用メモリ容量の減少更には各プロツク間誤差の均等化が
図られ、正確な電子ビーム露光を行なう上で極めて有益
である。
定する３ビツトアドレス信号Ａ。，Ａｌ，Ａ２にデコー
ドする。このＲＯＭの役割は前述のように、中心点ＺＯ
Ｏ等を取巻く小プロツクに対しては上位５ビツトのアド
レスＢ。−Ｂ４と１対１対応させてよいが、中心点Ｚ４
４等を取巻く大プロツクに対しては１６対１対応でよい
からかかる変換を行なうにある。ＮビツトＸ，ｙデータ
は上位ビツトも含めて（下位ビツトはプロツク内の位置
を示すデータである）加算器２３，２４に入り、ここで
記憶部２０から読出された当該プロツクの歪補正データ
ΔＸ，Δッをプラスされ、デジタルアナログ変換器２５
，２６でアナログ量に変換されたのちＸ，Ｙ偏向器に加
えられる。以上詳細に説明したように本発明によれば比
較的少数回の偏向歪実測で単位露光部の多数の各プロツ
クに対する、しかも平均化されて極めて正確な歪補正デ
ータが得られ、更に該プロツクは歪発生度を考慮した不
均等プロツクに分割されるのでデータ量従つてその記憶
用メモリ容量の減少更には各プロツク間誤差の均等化が
図られ、正確な電子ビーム露光を行なう上で極めて有益
である。
第１図はウエハ一の露光方法を説明する図、第２図ａ−
ｄは偏向歪を説明する図、第３図は偏向歪により生じる
問題点を説明する図、第４図は歪補正方法を説明する図
、第５図は露光部プロツク化の説明図、第６図は歪補正
データの記憶，読出し装置の説明図である。 図面で２は偏向領域、１１は各プロツク、Ｚ２２，Ｚ４
４等は代表点、２０はメモリ、２３，２４は加算器であ
る。
ｄは偏向歪を説明する図、第３図は偏向歪により生じる
問題点を説明する図、第４図は歪補正方法を説明する図
、第５図は露光部プロツク化の説明図、第６図は歪補正
データの記憶，読出し装置の説明図である。 図面で２は偏向領域、１１は各プロツク、Ｚ２２，Ｚ４
４等は代表点、２０はメモリ、２３，２４は加算器であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビーム系の偏向領域内の複数個所で実側した偏
向歪データを用い最小二乗法を適用して該偏向領域内の
偏向歪量を示す関数式を得、該偏向領域を中央部では大
面積のそして周辺部では小面積の複数ブロックに分割し
、該ブロックの代表点の偏向歪量を前記関数式から算出
し、該代表点偏向歪量を当該ブロックの歪補正データと
して用いて該ブロックに対するビーム偏向を行なうこと
を特徴とする電子ビーム露光方式。 ２ 各ブロック代表点の偏向歪量をメモリに記憶させ、
各ブロック内各点に対する偏向指令の上位ビットで該メ
モリを続出し、そのメモリ出力を該偏向指令に加えてビ
ーム偏向を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の電子ビーム露光方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53154040A JPS5928981B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | 電子ビ−ム露光方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53154040A JPS5928981B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | 電子ビ−ム露光方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5580321A JPS5580321A (en) | 1980-06-17 |
| JPS5928981B2 true JPS5928981B2 (ja) | 1984-07-17 |
Family
ID=15575594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53154040A Expired JPS5928981B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | 電子ビ−ム露光方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928981B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750432A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Jeol Ltd | Drawing method by electron beam |
| JP6322011B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2018-05-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビームのドリフト補正方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2016225357A (ja) * | 2015-05-27 | 2016-12-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1978
- 1978-12-11 JP JP53154040A patent/JPS5928981B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5580321A (en) | 1980-06-17 |
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