JPS5928897B2 - カガクセンホウシヤニタイスル カンコウセイザイリヨウ - Google Patents

カガクセンホウシヤニタイスル カンコウセイザイリヨウ

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JPS5928897B2
JPS5928897B2 JP50142823A JP14282375A JPS5928897B2 JP S5928897 B2 JPS5928897 B2 JP S5928897B2 JP 50142823 A JP50142823 A JP 50142823A JP 14282375 A JP14282375 A JP 14282375A JP S5928897 B2 JPS5928897 B2 JP S5928897B2
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actinic radiation
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ester
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エドワード グリーン ジヨージ
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Novartis AG
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Ciba Geigy AG
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Publication date
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Publication of JPS5928897B2 publication Critical patent/JPS5928897B2/ja
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Health & Medical Sciences (AREA)
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  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、化学線放射に露出すると重合するエステル及
びその製造方法に関するものである。
化学線放射に露出すると重合することのできる物質は、
例えばオフセット印刷用の版面及び印刷回路の調製、及
び例えば缶の製造におけるように金属被覆の際用いられ
る。〔例えば、コーサー著「光一感光システムリハロゲ
ン化銀を用いることなく行う写真製版術の化学と応用」
(ニユーヨーク、ウイリ一社)1965年度版:デルゼ
ン著「光−感光性ポリマーの合成と光的架橋」ヨーロツ
パ高分子化学ジャーナル増刊号、1969年度版第55
〜91頁;ウイリアムズ著[重合体の光学的重合化及び
光学的架橋」FOrschr.chem.FOrsch
.第13巻第2号227〜250頁を参照せよ〕。化学
線放射に露出することにより重合される現在市販の物質
には種種な欠点がある。あるものは非常に不安定である
ので、該物質は化学線放射に露出される直前にのみ支持
体に塗布でき得る。他のものは、比較的不感光性であり
、そして十分に重合化されるためには化学線放射により
長く露出する必要がある。それらは重合後、次の工程で
使用されるエツチング浴に耐えない。多くの場合画像の
再生が望まれている:重合性物質の層をネガを通して対
象どうりに化学線放射にさらし、そしてそれから適当な
液、例えば過塩素酸エチレン、塩化メチレン、二塩化エ
チレン、アセトン、エチルメチルケトン、シクロヘキサ
ノン、n−プロパノール、エタノール、トルエン、ベン
ゼン、酢酸エチル及びそれらの混合物を用いて、化学線
放射にさらしても重合化されなかつた層の部分を溶解ま
たは除去するために洗浄して「現像」する。
しかしながら上記の有機溶媒の使用は、その可燃性及び
毒性のゆえにあまり望ましいものではない。
それ故、化学線放射によつて重合化され、そして水性媒
体で現像される物質が必要とされる。ここにおいてある
種の新規なエステルを用いると、化学線放射による重合
化に有効で従来の物質が有する前述の不利な点が少なく
とも本質的には克服でき得るということがわかつた。本
発明は化学線放射前は塩基性水性溶液に溶解するが、化
学線を照射すると重合化し、上述の水性溶液に不溶とな
るエステルを提供するものであり、該エステルは遊離の
カルボキシル基及び次式:(基中、a及びbはそれらが
同時に0とならないことを条件として、それぞれOまた
は1を表わす。
)で表わされる基を鎖中に含む炭素原子鎖を表わし、そ
してYは酸素原子を表わす〕で表わされる基のうち少な
くとも1つの単位を含み、上記基1またはの単位は、指
示された遊離の原子価によつて酸素原子を介して炭素原
子に接続するか、及びもし存在するなら、他の指示され
た遊離の原子価によつて水素原子、または酸素原子を介
して炭素原子に接続しており、ポリカルボン酸の少なく
とも二無水物を、平均一分子につき前述のように結合し
た基1またはの少なくとも1単位を含むアルコールのア
ルコール性水酸基と反応させることで得られる。
好ましくは、エステルは上記式1またはの1つの単位を
10〜50重量%含有し、そして式の単位はさらに好ま
しくは次式:で表わされる。
二無水物とアルコールとの反応は、遊離カルボキシル基
の生成を伴つて行なわれる吹少■それ以上の分子中のア
ルコール性水酸基と反応させると、優れたフイルム形成
の性質を有する高分子量物質を形成する結果となる。
−般に、アルコール及び二無水物は80℃〜150℃で
1時間半〜3時間の間、不活性溶媒(例えばシクロヘキ
サノン)中及びエステル化触媒、例えば第3アミン(明
確な例としては、N−ベンジルジメチルアミン)の存在
下で加熱される:無水物基の消失は、反応混合物の赤外
線スペクトルの検査によつて監視することができる。一
般に、二無水物の0.7〜1.2カルボン酸無水物当量
がアルコールのアルコール性水酸基1個につき用いられ
る。好ましくは二無水物は、4個より多くないカルボン
酸基を含有する酸の二無水物、例えばベンゾフエノン一
3 ・ 3’ ・ 4 ・ 4’−テトラカルボン酸二
無水物、シクロペンタン−1・ 2 ・ 4 ・ 5
=テトラカルボン酸二無水物、ピロメリト酸二無水物、
3・4−ジカルボキシ−1・ 2 ・ 3 ・ 4 −
テトラヒドロナフチ一1−イルコハク酸二無水物、5・
6・9・10−テトラカルボキシトリシクロ〔6・2・
2・02゜7〕ドデカ− 2 ・11−ジエンニ無水物
、ナフタレン−2・3・6 ・7〜テトラカルボン酸二
無水物及び次式:(式中、R6は2個のアルコール性水
酸基を除いた後のグリコール残基を表わす)で表わされ
る化合物である。
上記式Iで表わされる基を有するアルコールとして、次
式:(式中R1は上記式中すでに表わされた意味を有す
る。
)で表わされるフエノールと、1つまたはそれ以上の1
・2−エポキシド基を含む化合物との付加生成物を使う
ことは府lである。そのような付加生成物において、エ
ポキシド基は以下のように開環されそして第2級水酸基
が形成される。
例えば:もちろん、すでに示したように1個以上のエポ
キシド基を有する化合物も使用できる。
同様に、次式: または (式、中、R1、Yはすでに与えられた意味を有する)
で表わされる一価フエノールは、基1及びを有するアル
コールを形成するために用いられ得る。
(式及び後記の式Xは、式1で表わされる単位において
示されている遊離の原子価の1つが水素原子で満たされ
ている化合物に関するものである。)好ましくは式で表
わされるフエノールは、さらに次式:で表わされる。
該開環反応は、好ましくは触媒の存在下で及び遊離基誘
発重合化の阻止剤の存在下で行なわれる。
適当な触媒は、第3アミン、例えばN−ベンジルジメチ
ルアミン及びトリエチルアミン、及び4級アンモニウム
塩、例えば塩化テトラメチルアンモニウム及び臭化テト
ラエチルアンモニウムである。都合の良い遊離基誘発重
合化阻止剤はヒドロキノンである。付加反応は一般に高
められた温度、例えば80℃〜120℃で及び不活性溶
媒中で行なわれ、通常1・2−エポキシド基1個につき
フエノール中のフエノール性水酸基0.75〜1.25
当量が用いられる。広い範囲のエポキシドか、式〜で表
わされるフエノールとの反応に用いられ得る。
適当なポリエポキシドの例としては、1分子中に2個ま
たはそれ以上の遊離カルボキシル基を有する化合物を、
エピクロルヒドリンまたはグリセロールジクロルヒドリ
ンと、アルカリの存在下に反応させることによつて得ら
れるポリグリシジルエステルがある。
そのようなポリグリシジルエステルは、脂肪族ポリカル
ボン酸、例えばグルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、
スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸または二量化ま
たは三量化リノレン酸:環状脂肪酸、例えばテトラヒド
ロフタル酸、4−メチルテトラヒドロフタル酸、ヘキサ
ヒドロフタル酸及び4−メチルヘキサヒドロフタル酸;
及び芳香族の酸、例えばフタル酸、イソフタル酸及びテ
レフタル酸から誘導される。エチレン性不飽和酸のグリ
シジルエステルの重合体及び第2級エチレン性不飽和化
合物とグリシジルエステルの共重合体も用いられ得る。
適当な重合体及び共重合体はポリ(アクリル酸グリシジ
ル)、ポリ(メタクリル酸グリシジル)及びαモノーオ
レフイン例えばスチレンまたはメタクリル酸メチルとア
クリル酸グリシジルまたはメタクリル酸グリシジルとの
共重合体である。更に別な例としては、1分子内に遊離
のアルコール性水酸基及び/またはフエノール性水酸基
を有する化合物を、適当なエピクロルヒドリンまたはグ
リセロールジクロルヒドリンとアルカリの状態下で、ま
たはその代わりに酸性触媒の存在下に反応させ、次いで
アルカリで処理することによつて得られるグリシジルエ
ーテルがある。
これらのエーテルは、非環式アルコール例えばエチレン
グリコール、ジエチレングリコール、及び高級ポリ(オ
キシエチレン)グリコール、プロパン−1・2−ジオー
ル、及びポリ(オキシプロピレン)グリコール、プロパ
ン−1・3−ジオール、ブタン1・4−ジオール、ポリ
(オキシテトラメチレン)グリコール、ペンタン一1・
5−ジオール、ヘキサン−1・6−ジオール、ヘキサン
−2・4・6−トリオール、グリセロール、1・1・1
−トリメチロールプロパン、ペンタエリトリツト、ソル
ビトール及びポリ(エピクロルヒドリン);環状脂肪族
アルコール、例えばレゾルシトール、キニトール、ビス
(4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、2・2−ビ
ス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン及び1・
1−ビス(ヒドロキシメチル)シクロヘキセン−3及び
芳香環を有するアルコール、例えばN−N−ビス(2−
ヒドロキジエチル)−アニリン及びp−p′−ビス(2
−ヒドロキシエチルアミノ)ジフエニルメタンから作ら
れ得る。もしくはエーテルは、単環フエノール例えばレ
ゾルシノール及びヒドロキノンから、及び多環フエノー
ル、例えばビス(4−ヒドロキシフエニル)メタン、4
・4′−ジヒドロキシジフエニル、ビス(4−ヒドロキ
シフエニル)スルホン、1・1・2・2−テトラキズ(
4−ヒドロキシフエニル)エタン、2・2−ビス(4−
ヒドロキシフエニル)プロパン(別名ビスフエノールA
で知られている)、2・2−ビス(3・5−ジブロモ4
−ヒドロキシフエニル)−プロパン、及びアルデヒド、
例えばホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、クロラー
ル及びフルフルアルデヒドを、フエノール、例えばフエ
ノール自体、または環中に1つあるいはそれ以上の塩素
原子または炭素原子数9までのアルキル基で置換されて
いるフエノール、例えば4−クロルフエノール、2−メ
チルフエノール及び4一第3級ブチルフエノールと縮合
させて得られるノボラツクからも得られる。使用可能な
ポリ(N−グリシジル)化合物は、アミン例えばビス(
4−アミノフエニル)メタン及びビス(4−アミノフエ
ニル)スルホンのグリシジル誘導体;及び環状尿素、例
えばイソシアヌル酸、ヒダントイン、ウラシル、ジヒド
ロウラシル、パラバン酸、ビス(ヒダントイン−1−イ
ル)アルカン、エチレン尿素〔イミダゾリジン−2オン
〕及び1・3−プロピレン尿素〔ヘキサヒトロー2H−
ピリミジン−2−オン〕のN−グリシ**ジル誘導体を
含んでいる。ポリ(S−グリシジル)化合物の例として
は、英国特許第1352527号明細書中に記載のシク
ロドデカ−1・5・9−トリエンから製造されるシクロ
ドデカントリチオールのようなトリス(S−グリシジル
)誘導体がある。
末端の1・2−エポキシド基が種々の異原子に接続して
いるようなポリエポキシドは、例えばpーアミノフエノ
ールのN−N・0−トリグリシジル誘導体が用いられる
1・2−エポキシド基が末端にないようなポリエポキシ
ド、例えば3−(3ζ4′一エポキシシクロヘキシル)
−2・4−ジオキサスピロ〔5・5〕8・9−エポキシ
ウンデカン及び3・4−エポキシシクロヘキシル−3′
・4′−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート及び
その6・6′−ジメチル誘導体のようなものも使用可能
である。
適当なモノエポキシドの例としては、エチレン及びプロ
ピレンオキシド、エピクロルヒドリン、酢酸グリシジル
、アクリル酸及びメタクリル酸グリシジル、及びメチル
、エチル、n−ブチル、フエニル、o−、m−、p−ク
レジルのグリシジルエステルがある。
好ましくは、エポキシドは酸素、窒素またはイオウに接
続したグリシジル基を含有している。
すなわち二無水物と反応するアルコール性水酸基か、酸
素、窒素及びイオウ原子と接続している次式X〜X:で
表わされる基中に存在しており、そして特に好ましくは
上記基が水素原子を1個又は2個除去した後のフエノー
ルまたはアルコール残基の一部にある酸素原子に直接接
続するか、または環状尿素の複素環の一部にある1個ま
たは2個以上の窒素原子に直接接続するものである。
前述の式において、R1は好ましくは次式:またはで表
わされる基を意味し、及び式Mで表わされる単位は、好
ましくは次式:で表わされる。
好ましくは本発明によるエステルは炭素原子に直接接続
した次式:(式中、 R7は水素原子または炭素原子数1〜12の脂肪族、芳
香族、芳香−脂肪族または複数環基、特に上記のエチレ
ンニ重結合と結合しているオレフインの不飽和性及び芳
香族性を有する基を表わし、R8は水素、塩素または臭
素原子、シアノ基、または炭素原子数1〜4のアルキル
炭化水素基を表わす)で表わされる基を含有してもよい
特に好ましい式XXlUで表わされる基は、アクリリル
、メタクリリル、3−(スチリル)アクリリル、3−(
2−フリル)アクリリル、3−(2ピリジル)アクリリ
ル、3−(3−ピリジル)アクリリル、シンナミル及び
ゾルビル基である。
上記基は、式〜で表わされるフエノールと反応してアル
コールを形成させるエポキシドとして次式:(式中、R
7及びR8は上記式中すでに表わした意味を有する)で
表わされるグリシジルエステルまたはアルコールとして
次式:(式中、R7及びR8は上記式中すでに与えられ
た意味を有する)で表わされる酸と、次式: (式XXll.Rl及びYは上記式中すでに与えられた
意味を有する)で表わされるグリシジルエーテルとの付
加物を用いることによつて導人される。
上記式XXで表わされるグリシジルエーテルは、好まし
くは次式:で表わされる。
上記式X〜XXで表わされる型のグリシジルニーテルは
、ドイツ公開特許第2342407号に記載されている
式Xで表わされるグリシジルエステルを式ないしで表わ
されるフエノールと、または式Xで表わされる酸をXで
表わされるグリシジルエーテルと反応させ、アルコール
を形成することは好ましく同様に行なわれる。
すなわち、共反応物の1・2−エポキシド1当量につき
酸またはフエノール性水酸基の0.75〜1,25当量
を用い、不活性溶媒例えばシクロヘキサノン中で、触媒
例えば第3級アミンまたは第4級アンモニウム化合物の
存在下で、1時間半〜3時間にて80℃〜150℃に加
熱する。好ましくは、上記反応は遊離基の阻止剤、例え
ばヒドロキノンの存在下でも行い得る。多くの塩基が、
それらの水溶液の形で、照射されたエステルを現像する
のに適している。
溶液例えば2.5から低くても0.01の規定度を有す
るような水酸化ナトリウムは0.001〜1N−アンモ
ニア水溶液やトリエタノールアミンの溶液(例えば0.
35M)のように良好な結果をもたらす:アルカリ性の
反応をもたらす塩の溶液、例えばオルトリン酸水素ニナ
トリウムも使用でき得る。調製する時に、エステルはエ
ステルの調製時に生じる遊離基重合を防ぐために添加さ
れたヒドロキノンまたは他の遊離基阻止剤を少量有して
もよい。そのような阻止剤は、保存期間中エステルの安
定性を保持するが、化学線を照射したときの重合化を阻
害するものでないことから、一般には有害であるとは見
なされない。本発明によるエステルは、印刷版及び印刷
回路、特に光重合化されたエステルを除去することなく
調製することのできる多層印刷回路を製造する際に特に
価値あるものである。
エステルの塗膜は適切な溶媒、例えばシクロヘキサノン
またはトルエン及びアセトンの混合物またはトルエン及
びエチルメチルケトンの混合物中に溶解したエステルの
溶液を支持体に塗布し、次いで上記溶媒を蒸発させるこ
とで支持体に適用する;該層は浸漬、回転または回転一
塗布(板上に塗布される物質を置き、次いで高速度で回
転させて該物質を塗布する方法)、噴霧またはローラー
による方法で適用される。本発明はまた例えば紙、銅、
アルミニウムもしくは他の金属、合成樹脂またはガラス
から成る支持板に上記エステルの層を形成した化学線照
射に感光性の板、またはその表面上に化学線照射されて
重合された上記エステルを有する支持体をも包含する。
本発明はまた、エステルの層を有する板に化学線放射を
行なわせ、場合によつてはネガを通して画像化してもよ
く、そしてエステルの非重合化部分を塩基性水溶液中で
溶解させることにより除去することからなるそのような
エステルの重合化の方法をも提供するものである。本発
明によるエステルの重合化において、波長200〜60
0nmの化学線が好んで使われる。
所望ならば、該エステルは、増感剤、例えばキノン(そ
の中でも特にトルキノン、2・6−ジクロルキノン、2
・5−ジフエニルキノン、1・2及び1・4−ナフタキ
ノン及びベンズアントラキノン)ジフエニルカルビノー
ル例えばビス(4ジメチルアミノフエニル)カルビノー
ル、ジフエニルメタンまたはベンゾフエノン〔特にその
中でもミヒラ−ケトン及びビス(p−ジエチルアミノ)
ベンゾフエノン〕、ベンゾイン及びベンゾインのアルキ
ルエーテル例えばそのメチルエーテルの存在下で、化学
線にさらすこともできる。エステルの塗布は、その層の
厚さを約1〜250μmの範囲にするために乾燥によつ
て支持体へ適用されるべきである。
重合性の層の厚さは、鮮明な画像に望まれる厚さと密接
に関連し、それは再現される対象物及び特にエツチング
される面積の広さによる。湿潤重合体塗膜は空気乾燥に
よつてまたはその他の乾燥技術によつて乾燥すればよく
、重合化システムも使用が望まれるまで貯えることがで
きる。重合性塗膜は、実質的に不透明及び透明部分から
なる画像を有する陽画を通して化学線放射を行うことで
不溶化することができる。
化学線放射を行う適当な光源は、炭素アーク、水銀アー
ク、紫外線を発するリン光物質を含むケイ光ランプ、ア
ルゴン及びキセノンを含む白熱灯、タングステンランプ
及び写真用フラットラップがある。これらのうちでも水
銀アーク特に太陽灯、螢光太陽灯及びハロゲン化金属物
含有ランプが最も適当である。エステルをさらすのに必
要な時間は種々な要素によつて決定されるが、その要素
は利用された個々のエステル、塗装膜厚、光源の種類及
び塗布する際の距離である。適当ならば、例えば支持体
か銅またはその他の適当な導電性金属から成る印刷回路
の製造において、照射された金属は例えば塩化第2鉄ま
たは過硫酸アンモニウム溶液を用いて従来の方法でエツ
チングされる。
エステルは所望ならば、照射された製品の皮膜形成また
は機械的性質を改善するために、支持体にそれを適用す
る前に部分的に重合化してもよい。
上記のように部分的に予備重合化することは加熱によつ
て行なわれる:しかしながら板を露光する場合、板上に
正確に分化した画像が生じる段階を越える程度にまで行
なつてはならない。エステルはまた重合度を高めるため
に化学線に露出した後ち加熱しても良い。本発明は以下
に挙げた実施例に従つて説明する。
但し、温度は摂氏で、部は重量で表わされる。実施例
11・5−ビス(4−ヒドロキシフエニル)ベンダー1
・4−ジエン一3−オン26.6f1エピクロルヒドリ
ン18.57、N−ベンジルジメチルアミン0.47及
びシクロヘキサノン457の混合物を120℃にて3時
間、エポキシド含量が無視できるまで攪拌した。
その結果得られた生成物を60℃まで冷却し、そして該
生成物ヘベンゾフエノン一3・3ζ4・4′−テトラカ
ルボン酸二無水物(以後BTDAとする)29.3y、
シクロヘキサノン30V1及びN−ベンジルジメチルア
ミン0.3yを加えた。
該混合物を再び120℃で2時間、無水物基が赤外線ス
ペクトルスコープでもはや検出されなくなるまで加熱し
た。銅で積層板に前記調合物を塗布し溶媒を80℃、約
5分間加熱し蒸発させると、約10μmの厚さのフイル
ムが残つた。
該フイルムへ200mmの距離から、平均電圧500ワ
ツトの水銀ランプを用いて、ネガを通して10分間照射
した。照射後、水酸化ナトリウム水溶液(0.01N)
中で現像すると、露光されなかつた部分が2、3秒のう
ちに洗われて、銅板上に鮮明な画像を残した。照射され
たフイルムは、有機溶媒に対して耐蝕性があり塗膜の溶
媒一耐蝕性を確認する=般的テストである、アセトンで
綿棒を浸し20回すり込む方法を行つても何らの影響を
受けなかつた。非塗膜部分を、それから32℃で塩化第
2鉄水溶液(40%w/VFeCl3)によつてエツチ
ングした。実施例 21・5−ビス(4−ヒドロキシフ
エニル)ベンダー1・4−ジエン一3−オン12.57
、ゾルピン酸グリシジル(エポキシド含量5.95当量
/K9)15.6f7、塩化テトラメチルアンモニウム
O、17、ヒドロキノン0.0257及び酢酸2−エト
キシエチル28yを、エポキシドがほとんど無視できる
まで120℃で3時間攪拌した。
該生成物を約60℃まで冷却し、そしてBTDA2O7
、酢酸2−エトキシエチル20y及びN−ベンジルジメ
チルアミン0.47を加えた。該混合物をそれからその
無水物含量が無視できるまで120℃で2時間攪拌した
。調合物を実施例1で記載のようにテストした。
5分間照射したのちオルトリン酸水素二ナトリウム水溶
液(0.35N)中で現像すると非常に鮮明な画像が得
られた。
実施例 3 2・2−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−プロパンの
ジグリシジルエーテル(エポキシド含量5.2当量/K
9)16.8V11−フエニル一3(4−ヒドロキシフ
エニル)プロペ一1−エン3−オン207、塩化テトラ
メチルアンモニウム0.1f1及びシクロヘキサノン3
77の混合物を120℃で3時間攪拌する。
エポキシド含量が殆んど無視できるほどになつた生成物
゛y約60℃まで冷却し、ピロメリト酸二無水物9.5
7、シクロヘキサノン10y及びNベンジルジメチルア
ミン0.5fを添加した。
該混合物を、混合物中に二無水物が殆んどなくなるまで
、120℃で2時間再び攪拌した。この反応により次式
: (式中、R1はC−CH−CH基を表わす。
)で表わされるアルコールとピロメリト酸二無水物との
反応生成物である一般式1:(式中、R1は上記式xで
定義されたものと同じ意味を表わす。
)で表わされるエステルが得られた。得られた調合物を
実施例1で記載のようにテストした。
15分間照射すると画像が得られ、0.01N一水酸化
ナトリウム液で現像した。
実施例 4N−N′−ジグリシジル−5・5−ジメチル
ヒダントイン12.5y11−フエニル一3−(4−ヒ
ドロキシフエニル)−プロペ一1−エン一3−オン20
.77、塩化テトラメチルアンモニウム0.17及びシ
クロヘキサノン33.5yの混合物を用い、第1段階で
4時間攪拌し、そして第2段階でBTDAl3.57、
シクロヘキサノン14y及びN−ベンジル−ジメチルア
ミン0.57を用いて実施例3と同様な方法で行つた。
この反応により、実施例3と同様に一般式1で表わされ
るエステルが得られた。
得られた調合物を実施例1で記載のようにテストした。
15分間照射し、そしてオルトリン酸水素二ナトリウム
溶液(0.35M)で現像すると非常に鮮明に画像が得
られた。
5分間照射後続いて0.01N一水酸化ナトリウム溶液
で現像しても同様な結果が得られた。
実施例 5 1・5−ビス(4−ヒドロキシフエニル)ベンダー1・
4−ジエン一3−オン207、エポキシド含量7.36
当量/K9を有するメタクリル酸グリシジル20.47
、塩化テトラメチルアンモニウム0.27、ヒドロキノ
ン0.05f及び酢酸2−エトキシエチル46.6yの
混合物を、エポキシド含量が該混合物中に無視できるほ
どになるまで120℃で2時間攪拌した。
この生成物を約60℃まで冷工11SL− ノπ閘^
直 1^ ^^\ fl?八 ) 1lソシエ
チル(227)、ヒドロキノン(0.05y)、及びN
−ベンジルメチルアミン(0,77)を加えた。
次いでこの混合物を、該混合物中に酸無水物が無視でき
るほどになるまで120℃で2時間攪拌した。得られた
調合品は実施例1で記載したようにテストした。
6分間照射後続いてオルトリン酸−水素二ナトリウム水
溶液(0.35M)中で現像すると非常に鮮明な画像が
得られた。
実施例 6 1・5−ビス(4−ヒドロキシフエニル)ベンダー1・
4−ジエン一3−オン207、エポキシド含量7.7当
量/K9を有するアリルグリシジルエーテル19.57
、塩化テトラメチルアンモニウム0.22、ヒドロキノ
ン0.057及び酢酸2−エトキシエチル39,57の
混合物を、エポキシド含量が0.7当量/K9になるま
で120℃で4時間攪拌した。
該生成物を約60℃まで冷却し、そしてさらにBTDA
227、酢酸2−エトキシエチル22f及びN−ベンジ
ルジメチルアミン0.77を添加した。該混合物をそれ
から二無水物含量がほとんど無視できるまで、120℃
で2時間攪拌した。得られた調合物を実施例1と同様に
テストした。6分間照射し次いでオルトリン酸一水素二
ナトリウム水溶液(0.35M)中で現像すると非常に
鮮明な画像が得られた。
実施例 7 1・5−ビス(4−ヒドロキシフエニル)ベンダー1・
4−ジエン一3−オンのジグリシジルエーテル(エポキ
シド含量5.14当量/Kg)28.27、3−(2−
フリル)アクリル酸207、塩化テトラメチルアンモニ
ウム0.2y、ヒドロキノン0.057及び酢酸2−エ
トキシエチル48.2yの混合物を、エポキシド含量が
ほとんど無視できるまで、120℃で3時間攪拌した。
得られた生成物を60℃まで冷却し、続いてBTDA2
3.2y、酢酸−2−エトキシエチル23.2y及びN
−ベンジルジメチルアミン0.7yを更に加えた。該混
合物を、無水物含量が無視できるまで120℃2時間再
び攪拌した。得られた調合品へ酢酸2−エトキシエチル
71.47及び2−メトキシエタノール507を加え、
そして混合物は実施例1で記載のようにテストされた。
6分間照射後続いてオルトリン酸−水素二ナトリウム水
溶液(0.35M)中で現像すると非常に鮮明な画像が
得られた。
実施例 81・3−ビス(4−ヒドロキシフエニル)プ
ロペ一1−エン一3−オン24.0y1エピクロルヒド
リン18.5f7、N−ベンジルジメチルアミン0.4
y及びシクロヘキサノン43yの混合物を、そのエポキ
シド基がほとんど無視できるまで120℃で3時間攪拌
した。
生成物を60℃まで冷却し、そしてBTDA29.37
、シクロヘキサノン307及びN−ベンジルジメチルア
ミン0.37を加えた。
この混合物を再び120℃で2時間加熱した。得られた
調合品は22℃で32000cPの粘度を有していた(
ブルツクフイールドRVT粘度計:回転番号5)。
調合品を実施例1に記載されたようにテストした。
20分間照射後続いてオルトリン酸水素二ナトリウム水
溶液(0.35M)中で現像すると非常に鮮明な画像が
得られた。
実施例 9 2・2−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−プロパンの
ジグリシジルエーテル〔エポキシド含量5.3当量/K
9〕97、1−(2−フリル)−3(4−ヒドロキシフ
エニル)プロペ一1−エン3−オン10.27、塩化テ
トラメチルアンモニウム0.077及びシクロヘキサノ
ン20yの混合物を、そのエポキシド含量が無視できる
まで、120℃で3時間攪拌した。
得られた生成物を60℃まで冷却し、該生成物へBTD
A7.67、シクロヘキサノン107及びN−ベンジル
ジメチルアミン0.37を加えた。
混合物を再び120℃で2時間攪拌すると、その粘度は
29℃で5600cPであつた(ブルツクフイールドR
VT粘度計;回転番号5)。調合品を実施例1で記載さ
れたようにテストした。
10分間照射後続いてオルトリン酸水素二ナトリウム水
溶液(0.35M)で現像すると非常に鮮明な画像が得
られた。
実施例 10 1・4−ビス(4−ヒドロキシベンゾイルビニル)ベン
ゼン30.67、エピクロルヒドリン18.57、N−
ベンジルジメチルアミン0.57及びシクロヘキサノン
507の混合物をそのエポキシド含量がほとんど無視で
きるまで、120℃で31/2時間攪拌した。
生成物を60℃まで冷却し、BTDA29.3ylシク
ロヘキサノン307及びN−ベンジルジメチルアミン0
,3yを上記生成物へ加えた。
この混合物を再び120℃で2時間加熱すると、その粘
度は25℃で25000cPであつた(フルツクフイー
ルドRVT粘度計;回転番号6)。調合品を実施例1で
記載したようにテストした。
20分間照射後続いてオルトリン酸水素二ナトリウム水
溶液(0.34M)中で現像すると鮮明な画像が得られ
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 化学線放射に露出する前は塩基性水溶液に溶解する
    がしかし、化学線放射に露出すると重合し、上記水溶液
    に不溶になるエステルであつて、分子内に遊離カルボキ
    シル基及び次式:▲数式、化学式、表等があります▼(
    I )または ▲数式、化学式、表等があります▼(II)〔式中、 R^1は炭素原子鎖中に次式: ▲数式、化学式、表等があります▼(III)または ▲数式、化学式、表等があります▼(IV)(式中、a及
    びbは各々0又は1を表わすが、但し同時に0を表わす
    ことはなく、そしてYは酸素原子を表わす。 )で表わされる基を含む炭素原子鎖を表わす。 〕で表わされる単位の少なくとも1つを有し、上記式
    I 又はIIで表わされる単位は指示された遊離の原子価に
    よつて酸素原子を経て炭素原子に、及びもし存在するな
    らば他の指示された遊離の原子価によつて水素原子にま
    たは酸素原子を経て炭素原子に結合しており、そしてポ
    リカルボン酸の少なくとも二無水物を、前に述べたよう
    に結合している上記式 I 又はIIで表わされる単位の少
    なくとも1つを平均1分子内につき含有しているアルコ
    ールのアルコール性水酸基と反応させることによつて得
    られるエステルを主成分として含むことを特徴とする化
    学線放射に対する感光性材料。
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