JPS5928157A - 露光マスク及びその素材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は露光マスク及びその素材に関し、特に、半導体
装置等の製造に使用されるハードマスクと祢さｉするホ
トマスク及びその素材に関するものである。

従来、無機薄膜材料を用いたハードマスクが露光処理に
使用されているが、表面強度が大きくて繰返し使用が可
能である点で有用視されている。

この種のハードマスクとしては、化学的気相成長技術（
ｃｖＤ）で形成されたアモルファスシリコン（以下、ａ
−３ｉと称する。）を遮光膜とするものが知られている
。　このａ　　５ｌｔｋはシースルー性が良好であって
半導体加工用に１地パターンが透けて見える（即ち、可
視光に対してはめる程度透明である。）という性質と同
時に、半導体加工用の特定波長（例えば３８００久や４
３（ＩＯＡ）のＨ７７光ビームに対しては連光性を示す
ものである。

この遮光性の程度は、次の光学、′、良度（ｏｐｔｉｃ
ａｌｄｅｎｓ　ｉ　ｔソ）で示される。

光学ｂｑｔスジ７”＝　ｌｏｇ　（Ｉｏ　／　Ｉ　）（
但、■。は入射光の光量、■ｔユ透過元の光量） ところが、上記の通常使用式れているａ　　Ｓｉ膜の光
学濃度はせいぜい１．２〜１４′υφ）って、一定おの
入射光は透過してし一１ニジので、完全な露光マスクと
はなシ得ない。　従って、遮光性を充分にするにはａ　
−Ｓｉ膜の膜厚を大きくすることが考えられるが、この
場合には、マスク素材から所定のマスクパターンにａ　
−Ｓｉ膜をエツチング加工する際にその膜厚を大きくす
ると、エツチング精度が悪くなシ、特にウェットエツチ
ング時にサイドエツチングが進行しすぎてマスクパター
ンが不良となり易い。

このような状況下で、本発明者は、薄くてエツチング加
工性が良くかつ光学濃度が充分なａ　−Ｓｉを得るべく
鋭意検討を重ねた結果、次の興味おる事実を見出した。

１コ１１ち、ａ−８ｉの製ＪＪ’Ｘ時においては、ペル
ジャー内又は成膜清白に残留する酸素（０□）がａ　−
Ｓｉ膜中に混入し、これか原因してａ　−Ｓｉ膜の酸化
等によりその膜質が低下してしまう。　この結果、ａ−
８ｉ膜の光学濃度が１代下し、ホトマスクとしての遮光
性が悪くなることが分った。　この現象は、ペルジャー
内又は成膜槽内をかなシ筒真空にしても１０　ｔｏ〜１
０　”Ｔｏｒｒ程度の酸素が不可避的に残留するために
、従来のものでは実用的生産レベルにおいて避けること
が°できないのである。

ところが、本発明者は、ａ−８ｔ膜の製膜時に水素、特
に活性化又はイオン化された水素を存在せしめ、ａ　−
Ｓｉ膜中に所定量の水素原子が導入されるようにすれば
、上記した如き酸素原子の混入を効果的に防止し、薄く
ても光学濃度の高い膜が得られることをつき止めだ。

本発明は、こうした新規な認識に基いてなされたもので
あって、光学的に透明な基体と、この基体上に所定のマ
スクパターンに設けられたアモルファス半導体層とから
なり、このアモルファス半導体層が所定量の水素原子を
含有し７ていることを特徴とする露光マスクに係るもの
である。

本発明の露光マスクによれば、アモルファス半導体（特
に、ａ−３ｉ）層中に所定量の水素原子を含有せしめた
ので、同半導体層への残留酸素の混入が大幅に減少して
おシ、これによってマスク層としてのアモルファス半導
体層の光学濃度が特に紫外域で向上し、露光処理時の遮
光性を充部分に高めることができる。　従って、従来の
ものよシ薄い膜厚にしても、所望の光学濃度のホトマス
クとなるので、ホトマスクへの加工のだめのエツチング
時に上記アモルファス半導体層のエツチング精度（加工
のシャープネス）が改善され、所望のパターン精度又は
倣細パターンを得ることが可能となる。

アモルファス半導体層の水素原子含有量は上記のことか
ら、０，１〜３０原子ｑ６（層中の全原子数に対する水
素原子数の割合）であるのが望ましいことが分った。　
また、上記アモルファス半導体の一列としてａ　−Ｓｉ
を用いれば、ドライエツチング（例えば、フレオンガス
をエッチャントガスとするプラズマエツチング）を良好
に行なうことができるが、これは、本発明によってａ　
−Ｓｉ膜を薄くできるために更に結果が向上する。

壕だ、本発明による露光マスクを製造するには、光学的
に透明な基体と、この基体上に一様に設けられたアモル
ファス半導体層とからなう、このアモルファス半導体層
が所定量の水素原子を含有していることを特徴とする露
光マスク素材を使用するのが有利である。

このマスク素材を用いれば、水素原子を上記した如くに
含有するアモルファス半導体（特に、ａ　−８ｉ）層を
ドライエツチング等で加工することによって、所望のパ
ターン精度と共に充分な光学濃度のマスクを製作するこ
とができる。

なお、シースルー性を重視しない場合には、シリコンに
ゲルマニウムを添加して（添加量が増すにつれて光学濃
度が上る。）光学濃度をさらに上げるとか、あるいは、
シリコンに代えてゲルマニウムでマスク層を作製するこ
とも両値がある。

以下、本発明を図面に示しだ実姉例について更に詳細に
説明する。

第１図〜第６図は、本発明による各種のホトマスク累月
を例示するものである。

第１図のマスク素材１は、光学的に透明な石英板（５ｉ
Ｏ−板）２上に水素原子含有アモルファスシリコン（以
下、ａ−８ｉ：Ｈと称する。）層３が設けられたもので
ある。　基板とし、ての５ｉＯａ板２の厚みは０．５〜
３ｍ（望ましくは１〜２．５ｗ−Ａ）であシ、またＢ−
８ｉ：Ｉ（層３の膜厚は３００〜５０００　Ｘ　（望ま
しくは７００〜３０００　Ａ）である。　このマスク素
材１は、後述の方法で製造され、かつ所望の露光マスク
に加工される。

第１図の例では、ａ−３ｉと熱膨張係数の近いものが選
択可能７よ非石英板（例えば、ソーダライム、ホウ珪酸
系）を基イ反として用いることもできる。

第２図は、ソーダライム、ホウ珪酸系等の非石英板１２
上にまずＳｉｎｇ　Ｆ４が厚さ１００〜５０００Ａ　（
望ましくはｉｏｏ〜３０００　Ａ）に形成され、この上
にａ　−Ｓｉ　：Ｉ−Ｉ層３が設けられている。　この
場合、Ｓｉ　Ｏｘ膜４は、基板１２からａ　−Ｓｉ　：
Ｈ層３へＮａ等の不純物が混入してａ　−Ｓｉ　：Ｉ−
Ｉ層３が汚染されるのを防止するものである。

以上の第ｉ　ｌ；Ｎ及び第２図のマスク素材はいずれも
反射防止手段を、設けてはいないが、後述する半導体表
面の加工時に同表面からの反射光が更にマスク面で反射
されて半導体表面−Ｈのホトレジストｊ摸を不測に感光
せしめないように、反射防止膜を設けておくのがよい。

第３図は、ａ　−Ｓｉ　：Ｈ層３上に、酸素原子を含有
するａ　−Ｓｉ　：Ｈ又は酸素原子を含有するａ　−Ｓ
ｔからなる反射防止膜５を設け、この反射防止膜によっ
て反射光をマスクの層中へ導びくようにし、マスク面で
再反射されることを防止した例を示している。　反射防
止膜５の膜厚は、露光時の使用波長に応じて、反射が最
小と々るような値に設定される。

第４図は、上記の如き反射防止膜５をａ　　Ｓｔ：Ｈ層
３と基板２又は１２との間にも設けた例を示す。

上記した各側の露光マスク素材（又は後述の露光マスク
）の外形は、処理されるべき半導体ウェハのサイズに応
じ、第５図の如くに正方形状であってよく、また第６図
の如くにウエノ・と同形であってもよい。　寸だ、他の
形状とＩ７て、第７図及び第８図に示す如く、周辺に位
置合せ用の切欠き又は直線部１ａを有するものが使用可
能である。

或いは同様の目的で四角形の各角部を直線状又は円弧状
に除去しだも−の、四角形の一対の対向辺を円弧状に曲
げたものでもよく、更には単なる円形でもよい。

上記に例示した本発明による露光マスク素材１は、所定
量（特に０．１〜３０原子チ）の水素原子を含有したａ
−８ｔ：Ｉ（層３を具備しているために、従来のａ−８
ｔ系シースルーマスクに比較して使用波長での光学濃度
が大幅に向上している。　即ち、第９図に示すデータ（
使用波長は４３００ＸＸａ−８ｉ：）１層の厚みは１０
０ＯＸ）によれば、水素含有量に応じて光学濃度が変化
し、特に０．３〜２５原子チの範囲では従来のＳｔマス
クの光学濃度（１，２〜１．４）以上となシ、０５〜２
０原子チでは２〜４倍にも向上することが分る。　水素
含有量が少ない範囲で光学恭度が急激に高くなっている
ことは注目すべきであり、本発明に従ってａ　−Ｓｉ中
に水素原子を積極的に導入することの優位性が顕著に表
われている。　なお、ａ−８ｉ：Ｈ層中の水素含有量は
、同質の膜を高抵抗Ｓｔウェハー上に形成してその膜の
赤外線吸収スペクトルによって求めた（この場合のウェ
ハ厚みは例えば〜５００μｍ、ａ−ｓｉ：ｕの膜厚は例
えば１〜５μｍ）。　またａ　−Ｓｉ　：Ｈ層自体は後
記（第１２図）の蒸着法で製膜したものを用いた。

なお、上記赤外線吸収スペクトルの一例を第１０図に示
したが、赤外吸収の積分強度■＝Ｓ！！□ｄωを、特定
の赤外吸収帯（例えば１９００〜２２５０ｃｆｎ−１）
にわたる５ｉ−Ｈの伸縮振動に注目して求める。

そして、水素濃度Ｎ　（ｃｎｌ−”　）は、Ｎ＝ＫＸＩ
（Ｋは定数）の関係式から求めると、図示の例ではＩＯ
原子−程度と見積られる。　但、これは−例であり、ま
た他の公知の方法に基いて水紫＃度を求めることもでき
る。

このように、ａ−８ｉ：Ｈ層は所定量の水素原子の含有
によって高い光学＃度を示すものとなっているから、そ
の膜厚を薄くすることがでさ、次に述べるエツチングの
加工精度又はノー、・−プネスが大幅に向上する。

即ち、例えば、ウニ、ト処址によるエツチングの場合、
第１１Ａ図の如くに、ａ−３ｉ：Ｈ層３上に公知のホト
レジスト６（例え１ハ、ネガ型のホトレジスト）を一様
に塗布し、次シ・）で第ｕｎ図の如くに、予め製作した
露光マスク７を配しで露光する。

露光ビーム８はマスク７の非マスク部９を通して下地の
ホトレジスト６を所定パターンに感光せしめる。

次にホトレジスト６の例えば非露光部分（ポジ型の場合
は露光部分）を現像で除去し、第１１Ｃ図の如きパター
ンに残す。　そして、第１１Ｄ図の如く、ホトレジスト
６をマスクにして下地のａ　−Ｓｉ：Ｈｋ７ｉ３をエツ
チングし、バターニングする。

まプこ、このエツチングにフッ素酸系のエッチャント（
例えば、フッ辰十硝駿＋水）を用いたウェットプロセス
を適用した場合、上記のサイドエツチングが進行し易い
が、これも本発明による水素含有ａ　　Ｓｌ順において
は充分に防止することができる。　この場合のサイドエ
ッチ量は０．０１μｍ／秒（トータルで０．１１１ｍ以
下）であシ、実用的にみて充分である。

第１１Ｅ図は、こうして製作された露光マスク１工を示
している。

この露光マスクのｊ！ｑ造プロセスにおいて、特に第１
１Ｄ図のエツチング段階で、プラズマエツチング法等の
ドライプロセス（エッチャントガスは例えばＣＦ４＋０
２）でａ−８ｉ：Ｈ層３をエツチングする際、上記した
ようにａ　−Ｓｉ　：Ｈ層３の膜厚は例えば１０００　
Ａ程度と薄くできるだめに、そのエツチング加工精度が
極めて良好となる。　従って、従来回避できなかったサ
イドエツチングを防止して、露光マスクとしてのパター
ン精度を格段に向上させることができる。　即ち、設計
線幅からのシフｉｔ（サイドエッチ量９は、従来は０．
３±０２μｍであったが、本発明では０．１±０．１μ
ｍであり、精度が大幅に向上する。

本発明による露光マスクは、特に、半導体ＩＣ。

ＬＳＩ等における微細化プロセスに非常に有用である。

　半導体製造に本発明による露光マスクを適用した例を
概略的に述べると、第１１ＦＩＡの如く、シリコンウェ
ハ旬の一主面に公知の熱酸化技術で形成した５ｉ０２膜
１３上にホトレジスト上４を塗布し、このホトレジスト
上に露光マスク１１ヲ配する。

この際、マスク１１のａ−８ｉ：ＨＪｍ３は”］’＋Ｑ
光に対し透明であるから、ウェハ１０の１ＱＩＪ￥ｉ上
に既に何らかのパターン（例えば素子分離用のフィール
ド８１０ｗ膜等）が存在している場合には、そのパター
ンを観察でき、従ってマスク合せをより正確に行なうこ
とができる。　次に、使用波長が３０００〜４４００Ａ
の例えば紫外光１５を例えば２００Ｗ程度の超高圧水銀
灯よシ照射し、マスク層３の存在しない非マスク部分下
のホトレジスト１４を選択的に露光する０ａ−８ｉ：Ｈ
からなるマスク層３は上記使用波長域では光１５を通さ
ず、充分な遮光性を示す。　更に、第１１Ｇ図の如く、
現像処理後のホトレジスト１４をマスクに、下地の５ｉ
Ｏｚ膜１３をフン酸、フン化アンモニウム水溶液等でエ
ツチングし、ウェハ１０上に所望のパターンに残す。　
こうして５１０２膜１３に例えば電極又は配線被着用の
コンタクトホール１６を形成できる。

第１２図は、第１１Ｄ図のエツチング段階で使用可能な
プラズマエツチング装置を示すものであって、１７は基
板２を保持するホルダ、１８はシールド用メッシュチー
−プ、１９はプラズマ発生室、２０は高周波電極、２１
は高周波電源である。　例えば、ＣＦ４等のエッチャン
トガス２２を工、チング槽２３内に導入し、高周波電圧
によってプラズマラジカルを発生せしめ、このラジカル
をメノシュチー−プ１８の網目から反応室２４内の基板
２へ導入する。　これによって、基板２上のａ　−Ｓｉ
　：Ｈ層を上述した如くにしてプラズマエツチングする
。　なお、このプラズマエツチングは図示した装置に限
らず、公知の平行平板型のプラズマエツチング装置でも
０■能であり、逢メこプラズマエツチング以外にも反１
．ｒ−，，件イオンエツチング等の他のドライエノチン
グヲ適用することもできる。

次に、不発り］による露光マスク素材、例えにし第１図
〜第４図の露ツＣマスク；？４月の製造斗ｊ装置を品１
：すＪする。

第１３図は、上述したａ　　Ｓｉ二Ｈ層３を製膜するた
めの真空類７．冒装置を示す。　即ち、Ａ突指ケ形成す
るペルジャー３０にバタフライバルブ３２を有する排気
路３８を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
によシ当該ペルジャー・３０内を予め囲えば１０−１′
〜１０　’　Ｔｏｒｒの高真空状態としておき、当該ペ
ルジャー３０内には基板２を配置してこれをヒーター３
４によ多温度１５０〜５００°Ｃ１好すしくは２００〜
４５０°Ｃに加熱すると共に、放電管３７付きのガス導
入管３６によシ活性化又はイオン化された水素ガスをペ
ルジャー３０内に導入しながら、基板２と対向するよう
＠記ペルジャー３０内に配されたシリコン蒸発源２５か
らシリコンを加熱蒸発せしめる。　この加熱手段は電子
銃加熱装置２６による電子ビーム２７又は抵抗加熱方式
によってもよい。

゛また、基板２の背後電極３１には負のバイアス電圧、
例えば−１０ＫＶ以下の直流電圧３５を印加してもよい
０ 前記水素ガス放電管３７は、第１４図に示すように、ガ
ス人口４１を肩゛する筒状の一方の電極部材４２と、こ
の一方の電極部材４２を一端に設けた、放゛正空間４３
を囲繞する例えは筒状ガラス製の放電空間部材材と、こ
の放電空間部材材の他端に設けた、出口４５を有するリ
ング状の他方の電極部Ｕ°４６とより成シ、前記一方の
電極部材４２と他方の電極部材４６との間に直流又は交
流の電圧が印加されることｌ、てよシ、ガス人口４１を
介して供給された水素ガスが放電空間４３においてグロ
ー放電を生じ、これによシミ子エネルギー的に賦活され
た水素原子若しくは分子よシ成る活性水素及びイオン化
された水素イオンが出口４５よシ排出される。　この図
示の例の放電空間部材ａは二重管構造であっで冷却水を
流過せしめ得る構成奮七゛シ、４７．４８が翰却水人口
及び出口１を示す。　４９は、一方の電極部ル」４２の
冷却用フィンである。　上記の水メニガス放電￥ｊ・３
７における電極間距離は１０〜１５剋であり、印加電圧
は５００〜８００Ｖ１放箪空間４３の圧力は１０　”　
Ｔｏｒｒ程度とされる。

このような蒸免装置においては、水素ガスを放電によシ
活性化して導入し、かつ基板２に吸収用の負電圧を印加
すると共に基板２を加熱しているために、基板２上に堆
積するａ　　Ｓｌ股中に水素原子が効果的かつ充分に取
込まれ、シ、かも１［１：す１１に入り込もうとする酸
素が効果的に利除さｈろ。　従って、得られたａ−８ｔ
：１−Ｉ膜の′；Ｐ：、光性が向上する。

また、基板２の加熱温度は公知のＣＶＤ装竹の場合に比
べて低温でよく、或いは基板２は加熱せずも、この蒸着
装置を用いれば、大きな製膜速度で所望量の水素を含む
ａ　−Ｓｔを堆積させることができる。

なお、上述した酸素含有ａ　−Ｓｉ　ｆｆＪ４５又はＳ
ｉＯｘ層４（第２図、第３図＠８照）を形成するには、
第１３図のベルジＡ・−内に０２を導入すればよいが、
この」、）含水素ガスは洪詰トツ止するか或いは供給量
を減らす。　ＳｉＯ□１・ｊ４は更に、酸素導入下での
ＳｉＯ。

５１０ｚの蒸着によって形成１〜てよい。　尚、シリコ
ンの代りに、ゲルマニウムを用いるか、シリコンとゲル
マニウムの同時蒸”４７等によって得らｊ）る膜にも、
（γ【記装置の使用により、水素を含有させ、光学ハ度
を向上させることができる。

第１５図は、スバ、り法でｈ　　Ｓｔ　：ＨＪ、＊を形
成する装置を示す。　Ｊ、！ｌｌち、陰極ターゲットが
シリコンよシ成るマグネトロンスパッタ装置５８を動作
せしめ、以って前記：ｌｌ！ヨ板２上に、水素が導入さ
れたａＳｌを形成吋゛る。　とこに用いるマグネトロン
スパック装置５８は、第１６図に示すように、外方に拡
５１と、この陰極ターゲット５１の中央底部に配置した
陽極板５２と、前記陰極ターゲット５１の外周或いは更
に背後に配置した永久磁石５３とより成るものであシ、
高周波電圧若しくは直流電圧が印加されて１蟲極ターケ
ソト５１と陽極板５２との間で生ずるグロー放電のプラ
ズマが永久磁石５３の磁力によって陰極ターゲット５１
の表面近傍に拘束される結果、プラズマ中に高智度に存
在するアルゴンイオンににより陰極ターゲット５１の物
質粒子が高い効率で叩き出され、更に前記永久磁石５３
の磁界の作用も刃口わって、陰極ターゲット５１の内周
面の延長によって包囲された空間内において高い効率で
スパッタが行なわれるものであり、具体的には、バリア
ン社（米国）製のマグネトロンスパッタ装置「Ｓ−ガン
」を好ましい例として挙り“ることかできる。

崗ペルジャー３０内のアルゴン及び水素の分圧は１ｏ１
１°ｏｒｒ程度とされる。　５４．５５は冷却水流通管
である０ とのマグネトロンスパッタ装置５８よりは、通常ノスハ
ッタ装置におけるようにシリコンイオンが飛翔するので
はなく、それらは磁力によってプラズマ中に拘束される
ようになシ、陰極ターゲット５１より叩き出された中性
のシリコン粒子がペルジャー３０内空間を飛翔して基板
２に被着堆積するようになり、この飛翔中に或いは基板
２に被着するときに、水素ガス放電管３７より導入され
て飛翔空間内に存在する活性水素又は水素イオンと反応
し、基板２上にａ　−Ｓｔ　：Ｈとして堆積する。　な
お、前記水素ガス放電管を用いなくても、電気的に中性
であるが活性化された水素は、基板面に到達して膜中に
混入することができる。　勿論、通常のＲｆスパッタ、
又はＲｆマグネトロンスハツタ、Ｄ、Ｃ。

スパッタ、Ｄ、Ｃ，マグネトロンスノくツタでもアルゴ
ンと水素を用いれば、同様の効果が得られる。

さらに、シリコンの代υに、シリコンとゲルマニウムの
混合物、あるいはゲルマニウム単体等のターゲットを用
いて、前記方法によυ製膜すると、水素を含有した光学
濃度の高いシリコンとゲルマニウムの混合物、又はゲル
マニウムの膜が得られる０ 第１７図は、ａ−８ｔ：Ｈをグロー放電法で製膜する装
置を示す。　この装置６１の真空槽６２内では、基板２
が基板保持部６４上に固定され、ヒーター６５で基板２
を所定温度に加熱し得るようになっている。

基板２に対向して高周波電極６７が配され基板２との間
にグロー放電が生ぜしめられる０　なお、図中の７０．
７１．７２．７３．７４．７５．７６．７７は各ノ（ル
プ、８１は３ｉＨｉ又はガス状シリコン化合物の供給源
、８２は水素又はアルゴン供給源である０　このグロー
放電装置において、まず基板２の表面を清浄化した後に
真空槽６２内に配置し、真空槽６２内のガス圧が１０’
Ｔｏｒｒとなるようにパルプ７７を調節して排気し、か
つ基板１を所定温度、例えば２０００Ｃに加熱保持する
。　次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして
、ＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物及びＨ２を導入し
、００１〜１０　Ｔｏｒｒの反応圧下で高周波電源６６
によシ高周波電力を印加する０　これによりて、上記各
反応ガスをグロー放電分解し、水素を含むａ　−Ｓｔを
堆積させる。　さらに、上記シリコン化合物の代りに、
ゲルマニウム化合物ガス、あるいはゲルマニウム化合物
ガスとシリコン化合物ガスとを使用することにょシ、ゲ
ルマニウム、又はゲルマニウムとシリコント力らなり、
水素を含有した光学濃度の高い膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図、第２図
、第３図、第４図は露光マスク素材の各側の断面図、 第５図、第６図、第７図、第８図は露光マスク素材又は
露光マスクの各側の外形を示す平面図、第９図はａ−８
ｔ中の水素原子含有量とその光学濃度との関係を示すグ
ラフ、 第１０図はａ−８ｉ：Ｈ膜の赤外線吸収スペクトル図、
第１１Ａ図〜第１１Ｅ図は露光マスクの製造方法を工程
順に示す断面図、 第１１Ｆ図及び第１１Ｇ図は露光マスクを用いて半導体
を加工するときの主要工程の各断面図、第１２図はプラ
ズマエツチング装置の概略断面図、第１３図は真空蒸着
装置の概略断面図、第１４図はガス放電管の断面図、 第１５図はマグネトロンスパッタ装置を用いた装置の概
略断面図、 第１６図はマグネトロンスパッタ装置の断面図、第１７
図はグロー放電装置の概略ｒυ１面図である。 なお、図面に示された符号において、 ｌ・　・・・・　・・露光マスク累月 ２・　・・・・・−・・・基板 ３　・−−・−−ａ　−Ｓｔ　：Ｈ）’Ｍ４．１３　　
・・・・・５ｉＯｚ膜 ５・・・・・・・・・・・・・反射防止膜１１・・・・
・・・・・・　２ｉ光マスク６．１４・　・・ホトレジ
スト ８．１５・・・・・露光ビーム である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１１８図 第１１Ｃ図 第１１Ｅ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光学的に透明な基体と、この基体上に所定のマスク
   パターンに設けられたアモルファス半導体層とからなり
   、このアモルファス半導体層が所定量の水素原子を含有
   していることを特徴とする露光マスク。 ２、　アモルファス半導体層が０．１〜３０原子係の水
   素原子を含有している、特許請求の範囲の第１項に記載
   した露光マスク。 ３、アモルファス半導体層がアモルファスシリコン、ア
   モルファスシリコンゲルマニウム又はアモルファスゲル
   マニウムからなっている、特許請求の範囲の第１項又は
   第２項に記載した露光マスク。 ４、光学的に透明な基体と、この基体上に一様に設けら
   れたアモルファス半導体層とからなり、このアモルファ
   ス半導体層が所定量の水素原子を含有していることを特
   徴とする露光マスク素材。 ５、アモルファス半導体層がｏ、ｉ〜３０原子チの水素
   原子を含有している、特許請求の範囲の第４項に記載し
   た露光マスク素材。 ６、　アモルファス半導体層がエツチングによって所定
   のマスクパターンに加工され得るものである、特許請求
   の範１ｉｉＨの第４項又は第５項に記載した露光マスク
   素材。 ７　アモルファス半導体層がアモルファスシリコン、ア
   モルファスシリコンゲルマニウム又はアモルファスゲル
   マニウムからなっている、！Ｐ！ｉ￥Ｔ　；ｉｊｌ　求
   の範１１１１の第４項〜第６項のいずれか１項に記載し
   た露光マスク累月。