JPS5928072B2 - 輻射線感知装置 - Google Patents
輻射線感知装置Info
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- JPS5928072B2 JPS5928072B2 JP53153800A JP15380078A JPS5928072B2 JP S5928072 B2 JPS5928072 B2 JP S5928072B2 JP 53153800 A JP53153800 A JP 53153800A JP 15380078 A JP15380078 A JP 15380078A JP S5928072 B2 JPS5928072 B2 JP S5928072B2
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は一般的に輻射線検出装置、特にＸ線及び光の
様な輻射線を電気信号に変換する装置に関する。
様な輻射線を電気信号に変換する装置に関する。
この発明は米国特許第４，１０１，９２４号に記載され
た発明の改良である。
た発明の改良である。
この発明を実細した１実維例では、一導電型であつて第
１の比抵抗を持つ半導体材料の基板を用意する。
１の比抵抗を持つ半導体材料の基板を用意する。
基板はその主面の近くに半導体材料の薄い層を含む。こ
の薄い層は基板と同じ導電型であるが、実質的に一層小
さい比抵抗を有する。基板の主面に隣接する基板内に、
反対導電型の領域を設けて、基板とＰＮ接合を形成する
。ＰＮ接合は前記主面内に、半導体材料の前記薄い層の
縁に接近するが、それから隔たる第１の縁を有する。半
導体材料の薄い層の面積は、基板の主面内にある反対導
電型の領域の面積より実質的に大きい。出力手段をＰＮ
接合と回路接続して、基板内で発生された少数担体の電
荷の流れを感知する。この発明に特有と考えられる新規
な特徴は特許請求の範囲に具体的に記載してあるが、こ
の発明の構成、作用、及びその他の目的並びに利点は、
以下図面について説明する所から最もよく理解されよう
。
の薄い層は基板と同じ導電型であるが、実質的に一層小
さい比抵抗を有する。基板の主面に隣接する基板内に、
反対導電型の領域を設けて、基板とＰＮ接合を形成する
。ＰＮ接合は前記主面内に、半導体材料の前記薄い層の
縁に接近するが、それから隔たる第１の縁を有する。半
導体材料の薄い層の面積は、基板の主面内にある反対導
電型の領域の面積より実質的に大きい。出力手段をＰＮ
接合と回路接続して、基板内で発生された少数担体の電
荷の流れを感知する。この発明に特有と考えられる新規
な特徴は特許請求の範囲に具体的に記載してあるが、こ
の発明の構成、作用、及びその他の目的並びに利点は、
以下図面について説明する所から最もよく理解されよう
。
第１図、第２図及び第３図には、Ｎ型の導電型であつて
比抵抗が比較的大きい単結晶シリコン半導体材料の基板
１１を含む輻射線感知装置１０が示されている。
比抵抗が比較的大きい単結晶シリコン半導体材料の基板
１１を含む輻射線感知装置１０が示されている。
基板と同じ導電型であるが、比抵抗がずつと小さい半導
体材料の薄い層１３，１４を基板の主面１５に隣接して
基板内に設ける。薄い層１３，１４は細長い形であつて
夫々縦軸線１６，１７を有する。これらの薄い層は、そ
れらの縦軸線が平行になる様に、且つそれらの向い合つ
た縦軸線方向の縁同士が隔たつて狭いすき間１８を形成
する様に配置されている。基板の主面１５に隣接して、
すき間１８内にＰ型の導電型を持つ細長い領域２１を設
け、基板とＰＮ接合２２を形成する。ＰＮ接合２２はそ
の縦方向の一方の縁がそれと向い合う薄い層１３の縦方
向の縁と密な間隔で隔たつていると共に、その縦方向の
他方の縁がそれと向い合う薄い層１４の縦方向の縁と密
な間隔で隔たつている。半導体材料の各々の薄い層１３
，１４の表面積は、それらの中間にあるＰ型領域２１の
表面積よりずつと大きい。基板１１の比抵抗を１０オー
ム・センチメートルにし、厚さを１０ミル（０．２５４
ｍ０にするのが便利である。薄い層１３，１４は比抵抗
が０．０５オーム・センチメートルで、厚さが０．１ミ
クロンであつてよい。薄い層１３，１４の向い合う縦方
向の縁の間の間隔は１ミル（０．０２５４鼎）であつて
よい。薄い層の間に縦方向に延在するＰ型領域の幅は０
．２ミル（０．００５０８ｍ０であつてよく、また厚さ
は約０．２〜１ミクロンであつてよい。Ｐ型領域の縦方
向の長さは薄い層の縦方向の長さと等しくし、薄い層の
幅は特定の用途に応じて、例えば装置の感度や応答速度
を最適にするように定める。薄い層１３，１４はイオン
注入によつて設けることが出来る。端子２５がＰ型領域
２１に導電接続される。基板１１の底面に固定された端
子２６が基板に対する導電接続部になる。第１図は装置
１０を動作させる回路をも示している。
体材料の薄い層１３，１４を基板の主面１５に隣接して
基板内に設ける。薄い層１３，１４は細長い形であつて
夫々縦軸線１６，１７を有する。これらの薄い層は、そ
れらの縦軸線が平行になる様に、且つそれらの向い合つ
た縦軸線方向の縁同士が隔たつて狭いすき間１８を形成
する様に配置されている。基板の主面１５に隣接して、
すき間１８内にＰ型の導電型を持つ細長い領域２１を設
け、基板とＰＮ接合２２を形成する。ＰＮ接合２２はそ
の縦方向の一方の縁がそれと向い合う薄い層１３の縦方
向の縁と密な間隔で隔たつていると共に、その縦方向の
他方の縁がそれと向い合う薄い層１４の縦方向の縁と密
な間隔で隔たつている。半導体材料の各々の薄い層１３
，１４の表面積は、それらの中間にあるＰ型領域２１の
表面積よりずつと大きい。基板１１の比抵抗を１０オー
ム・センチメートルにし、厚さを１０ミル（０．２５４
ｍ０にするのが便利である。薄い層１３，１４は比抵抗
が０．０５オーム・センチメートルで、厚さが０．１ミ
クロンであつてよい。薄い層１３，１４の向い合う縦方
向の縁の間の間隔は１ミル（０．０２５４鼎）であつて
よい。薄い層の間に縦方向に延在するＰ型領域の幅は０
．２ミル（０．００５０８ｍ０であつてよく、また厚さ
は約０．２〜１ミクロンであつてよい。Ｐ型領域の縦方
向の長さは薄い層の縦方向の長さと等しくし、薄い層の
幅は特定の用途に応じて、例えば装置の感度や応答速度
を最適にするように定める。薄い層１３，１４はイオン
注入によつて設けることが出来る。端子２５がＰ型領域
２１に導電接続される。基板１１の底面に固定された端
子２６が基板に対する導電接続部になる。第１図は装置
１０を動作させる回路をも示している。
この回路は差動増幅器３０を含み、これが反転端子３１
、非反転端子３２及び出力端子３３を含む。非反転端子
３２が大地に接続されると共に基板の端子２６に接続さ
れる。反転端子３１がＰ型領域２１に対する端子２５に
接続される。帰還抵抗３４が出力端子３３と非反転端子
３１との間に接続される。抵抗帰還を施した高利得の差
動増幅器３０は、反転端子３１と非反転端子３２との間
に電圧の差をゼロに近い状態に保つ様に作用する。この
ため、非反転端子３２の大地電位が反転端子３１に現わ
れ、従つて端子２５を介してＰ型領域２１に現われて、
ＰＮ接合２２にゼロ・バイアスを設定する。基板１１と
同じ導電型であるが、比抵抗が一層小さい薄い層１３，
１４が、基板の主面１５に隣接して組込みの電界又は電
圧勾配を作り、これが少数担体、即ち図示の実施例では
正孔を反発する。
、非反転端子３２及び出力端子３３を含む。非反転端子
３２が大地に接続されると共に基板の端子２６に接続さ
れる。反転端子３１がＰ型領域２１に対する端子２５に
接続される。帰還抵抗３４が出力端子３３と非反転端子
３１との間に接続される。抵抗帰還を施した高利得の差
動増幅器３０は、反転端子３１と非反転端子３２との間
に電圧の差をゼロに近い状態に保つ様に作用する。この
ため、非反転端子３２の大地電位が反転端子３１に現わ
れ、従つて端子２５を介してＰ型領域２１に現われて、
ＰＮ接合２２にゼロ・バイアスを設定する。基板１１と
同じ導電型であるが、比抵抗が一層小さい薄い層１３，
１４が、基板の主面１５に隣接して組込みの電界又は電
圧勾配を作り、これが少数担体、即ち図示の実施例では
正孔を反発する。
従つて、輻射線が入射したことにより、又は熱的な励起
によつてＮ型層１３，１４の下にある領域内で少数担体
が発生されると、この少数担体はＰ型領域２１と端子２
６へ拡散する．増幅器３０の作用により、端子３１，３
２が同じ電位に保たれるので、発生された電荷が抵抗３
４を介して出力端子３３へ流れる。従つて、端子３３の
電位は、幅射線によつて誘起されて抵抗３４を通つて流
れる電流に比例する。層１３，１４は、入射する幅射線
を目立つて減衰させる程厚くはしないが、組込みの電界
を作るのに十分な厚さにすることが好ましい。この発明
の検出装置の特別の利点は、電荷を発生して収集する機
能と、電荷を感知する機能とが分離していることである
。
によつてＮ型層１３，１４の下にある領域内で少数担体
が発生されると、この少数担体はＰ型領域２１と端子２
６へ拡散する．増幅器３０の作用により、端子３１，３
２が同じ電位に保たれるので、発生された電荷が抵抗３
４を介して出力端子３３へ流れる。従つて、端子３３の
電位は、幅射線によつて誘起されて抵抗３４を通つて流
れる電流に比例する。層１３，１４は、入射する幅射線
を目立つて減衰させる程厚くはしないが、組込みの電界
を作るのに十分な厚さにすることが好ましい。この発明
の検出装置の特別の利点は、電荷を発生して収集する機
能と、電荷を感知する機能とが分離していることである
。
薄い層１３，１４の面積はＰ型領域２１の表面積に較べ
て非常に大きく、例えば１００倍にして、電荷を収集す
る面積を大きくすることが出来、その反面、Ｐ型領域２
１の面積を十分小さくして、出力側の静電容量を小さく
し、こうして光子輻射線の入力に対して高い電圧出力が
得られる様にすることが出来る。この代りに、検出装置
の感度を改善する為に、出力側の静電容量を更に小さい
値にしたい場合、適当なバイアス線から大地に対して非
反転端子３２を適当にバイアスすることにより、ＰＮ接
合に逆バイアスを加えることが出来る。例えばＸ線の様
に、半導体がそれに対して透明である様な輻射線を検出
する為にこの装置を利用する場合、Ｘ線を半導体材料の
応答がよい光に変換する適当な変換手段を設ける。
て非常に大きく、例えば１００倍にして、電荷を収集す
る面積を大きくすることが出来、その反面、Ｐ型領域２
１の面積を十分小さくして、出力側の静電容量を小さく
し、こうして光子輻射線の入力に対して高い電圧出力が
得られる様にすることが出来る。この代りに、検出装置
の感度を改善する為に、出力側の静電容量を更に小さい
値にしたい場合、適当なバイアス線から大地に対して非
反転端子３２を適当にバイアスすることにより、ＰＮ接
合に逆バイアスを加えることが出来る。例えばＸ線の様
に、半導体がそれに対して透明である様な輻射線を検出
する為にこの装置を利用する場合、Ｘ線を半導体材料の
応答がよい光に変換する適当な変換手段を設ける。
この為、第１図乃至第３図には、Ｘ線をシリコンの反応
が更によい光に変換するのに適したシンチレータ３５が
示されている。シンチレータ３５は、基板の主面１５に
重なる酸化シリコンの様な薄い絶縁層３６の上に配置さ
れる。シンチレータ３５は沃化セシウムの様な材料で構
成することが出来る。この発明の検出装置では、薄い層
１３，１４の下にある領域内で発生され且つ収集された
電荷担体は、拡散によつて出力領域２１まで移動し、そ
こで貯蔵し或いは読出すことが出来る。
が更によい光に変換するのに適したシンチレータ３５が
示されている。シンチレータ３５は、基板の主面１５に
重なる酸化シリコンの様な薄い絶縁層３６の上に配置さ
れる。シンチレータ３５は沃化セシウムの様な材料で構
成することが出来る。この発明の検出装置では、薄い層
１３，１４の下にある領域内で発生され且つ収集された
電荷担体は、拡散によつて出力領域２１まで移動し、そ
こで貯蔵し或いは読出すことが出来る。
こういう領域内の発生個所から出力領域まで担体が移動
する時間は、発生個所と出力領域との間の距離の自乗の
関数である。このため、検出装置の応答速度は、反対導
電型の出力領域から一番遠く離れた所で発生された担体
が拡散によつて移動する時間で決められる。従つて、応
答速度は、層１３，１４の下にある領域の幅の自乗に反
比例すると云える。第１図乃至第３図について説明した
検出装置では、担体がその発生点から出力領域２１に達
するまでに移動しなければならない距離を最小限に抑え
る（従つて、応答速度を高める）ため、層１３，１４と
反対導電型の領域２１は細長い形状に形成されている。
例えば、各層１３，１４の幅は半導体基板中に於ける少
数担体の拡散距離以下の幅にする。このように応答速度
を高めるために、層１３，１４をその面積を所要の一定
の面積に保つように細長い形状（幅を短くし、縦方向の
長さを長くする）にした場合、対応的に領域２１の縦方
向の長さも長くなるので、出力ＰＮ接合の面積が増加し
、このため出力の静電容量が増加して、感度が幾分低下
する．従つて、層１３，１４の幅は、所望の妥当な応答
速度及び感度が得られるように決める。図示実帷例の変
形として、共通の基板に反対導電型の多数の細長い領域
を設けて電気的に接続し、夫々の反対導電型の領域に関
連して１対の比抵抗の小さい半導体材料の幅の狭い細長
い薄い層を設けて、応答速度を高めることが出来る。こ
の様な細長い領域の数並びに間隔は、所望の応答速度が
得られる様に選ぶ。この発明の検出装置の動作について
説明すると、米国特許第４，１０１，９２４号に記載さ
れた検出装置に較べて、信号対雑音比が実質的に改善さ
れる。
する時間は、発生個所と出力領域との間の距離の自乗の
関数である。このため、検出装置の応答速度は、反対導
電型の出力領域から一番遠く離れた所で発生された担体
が拡散によつて移動する時間で決められる。従つて、応
答速度は、層１３，１４の下にある領域の幅の自乗に反
比例すると云える。第１図乃至第３図について説明した
検出装置では、担体がその発生点から出力領域２１に達
するまでに移動しなければならない距離を最小限に抑え
る（従つて、応答速度を高める）ため、層１３，１４と
反対導電型の領域２１は細長い形状に形成されている。
例えば、各層１３，１４の幅は半導体基板中に於ける少
数担体の拡散距離以下の幅にする。このように応答速度
を高めるために、層１３，１４をその面積を所要の一定
の面積に保つように細長い形状（幅を短くし、縦方向の
長さを長くする）にした場合、対応的に領域２１の縦方
向の長さも長くなるので、出力ＰＮ接合の面積が増加し
、このため出力の静電容量が増加して、感度が幾分低下
する．従つて、層１３，１４の幅は、所望の妥当な応答
速度及び感度が得られるように決める。図示実帷例の変
形として、共通の基板に反対導電型の多数の細長い領域
を設けて電気的に接続し、夫々の反対導電型の領域に関
連して１対の比抵抗の小さい半導体材料の幅の狭い細長
い薄い層を設けて、応答速度を高めることが出来る。こ
の様な細長い領域の数並びに間隔は、所望の応答速度が
得られる様に選ぶ。この発明の検出装置の動作について
説明すると、米国特許第４，１０１，９２４号に記載さ
れた検出装置に較べて、信号対雑音比が実質的に改善さ
れる。
この改善は、少数担体電荷が発生され且つ収集される、
前掲米国特許に記載された電極１７，１８の下にある空
乏領域がなくなり、基板の表面に、比抵抗の小さい薄い
層によつて組込みの電界が作られ、該電界が少数担体電
荷が基板表面に流れるのを禁止することによるものであ
る。と云うのは、前掲米国特許に示されているような場
合には、周知のように、シリコン基板の表面における界
面状態が自由担体をランダムに捕獲し放出することによ
り、信号電荷に雑音成分を生じさせるが、本発明では組
込みの電界によりこのような雑音成分が生じないからで
ある。また、少数担体の移動度は周知のように基板表面
よりも基板のバルク内では一層大きいので、応答速度も
よくなる。従来の検出装置と較べた別の利点は、作り易
さ、並びに２つの端子しか必要としないという点での使
い易さである。基板の表面に一層著しくドープした薄い
層を設けると、光の短い波長が減衰し、少数担体の寿命
が短くなるが、こういう特性は、薄い層を前述の様に組
込みの電界を作るのに必要な程度の厚さにとどめること
により、最小限に抑えることが出来る。この発明の検出
装置にとつて特に有利な構成材料は、基板が比抵抗１０
オーム・センチメートルのシリコンであり、薄い層１３
，１４は厚さ約０．１ミクロン（０．０２５４ｍ１Ｌ）
であつて比抵抗が０．０５オーム・センチメートルであ
る。
前掲米国特許に記載された電極１７，１８の下にある空
乏領域がなくなり、基板の表面に、比抵抗の小さい薄い
層によつて組込みの電界が作られ、該電界が少数担体電
荷が基板表面に流れるのを禁止することによるものであ
る。と云うのは、前掲米国特許に示されているような場
合には、周知のように、シリコン基板の表面における界
面状態が自由担体をランダムに捕獲し放出することによ
り、信号電荷に雑音成分を生じさせるが、本発明では組
込みの電界によりこのような雑音成分が生じないからで
ある。また、少数担体の移動度は周知のように基板表面
よりも基板のバルク内では一層大きいので、応答速度も
よくなる。従来の検出装置と較べた別の利点は、作り易
さ、並びに２つの端子しか必要としないという点での使
い易さである。基板の表面に一層著しくドープした薄い
層を設けると、光の短い波長が減衰し、少数担体の寿命
が短くなるが、こういう特性は、薄い層を前述の様に組
込みの電界を作るのに必要な程度の厚さにとどめること
により、最小限に抑えることが出来る。この発明の検出
装置にとつて特に有利な構成材料は、基板が比抵抗１０
オーム・センチメートルのシリコンであり、薄い層１３
，１４は厚さ約０．１ミクロン（０．０２５４ｍ１Ｌ）
であつて比抵抗が０．０５オーム・センチメートルであ
る。
基板の上に厚さ０．１ミクロンの２酸化シリコンの不働
態化層３６を設ける。２酸化シリコンはバンドギヤツプ
が約１０．５電子ボルトであり、従つてスペクトルの紫
外線部分の深い所から十分にスペクトルの赤外線部分に
わたる輻射線を透過する。
態化層３６を設ける。２酸化シリコンはバンドギヤツプ
が約１０．５電子ボルトであり、従つてスペクトルの紫
外線部分の深い所から十分にスペクトルの赤外線部分に
わたる輻射線を透過する。
検出装置の応答は主にシリコン基板の応答によつて決定
される。波長の関数としての量子効率で表わしたシリコ
ンの応答は、スペクトルの紫外線部分の深い所からスペ
クトルの赤外線部分の短波長部分にわたつてすぐれてい
る。第１図の装置では、別々の薄い層１３，１４を用い
ているが、これらの向い合う縁がその長さに治つてＰ型
領域２１とそれぞれ接触する様にしてもよい。
される。波長の関数としての量子効率で表わしたシリコ
ンの応答は、スペクトルの紫外線部分の深い所からスペ
クトルの赤外線部分の短波長部分にわたつてすぐれてい
る。第１図の装置では、別々の薄い層１３，１４を用い
ているが、これらの向い合う縁がその長さに治つてＰ型
領域２１とそれぞれ接触する様にしてもよい。
この場合、製造が簡単になる点で幾分有利である。この
発明をシリコン半導体材約で作つた装置について説明し
たが、この発明がゲルマニウム、燐化ガリウム及び砒化
ガリウムの様な他の半導体材料で作つた装置にも同じ様
に適用し得ることは勿論である。
発明をシリコン半導体材約で作つた装置について説明し
たが、この発明がゲルマニウム、燐化ガリウム及び砒化
ガリウムの様な他の半導体材料で作つた装置にも同じ様
に適用し得ることは勿論である。
この発明をＰ型の出力領域を持つＮ型の導電型の半導体
基板で構成した装置について説明したが、Ｎ型の出力領
域を持つＰ型基板も同様に使うことが出来ることは勿論
である。
基板で構成した装置について説明したが、Ｎ型の出力領
域を持つＰ型基板も同様に使うことが出来ることは勿論
である。
この場合、薄い層１３，１４をＰ型の導電型にし、基板
よりも比抵抗を小さくすること、並びに印加する電圧の
極性を逆にすることは云う迄もない。第１図の回路では
、Ｐ型領域２１をゼロ・バイアスで動作させたが、Ｐ型
領域２１は基板に対して逆バイアスを加えて動作させて
もよい。
よりも比抵抗を小さくすること、並びに印加する電圧の
極性を逆にすることは云う迄もない。第１図の回路では
、Ｐ型領域２１をゼロ・バイアスで動作させたが、Ｐ型
領域２１は基板に対して逆バイアスを加えて動作させて
もよい。
非反転端子３２を大地に対して負にバイアスすれば、こ
ういう回路になる。第１図の装置には他の出力回路を用
いてもよい。
ういう回路になる。第１図の装置には他の出力回路を用
いてもよい。
第１図はこの発明の輻射線感知装置の平面図、第２図は
第１図の装置を線２−２で切つた断面図で、内部構造を
示す。
第１図の装置を線２−２で切つた断面図で、内部構造を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一導電型であつて第１の比抵抗を持つ単結晶半導体
材料の基板１１を有し、該基板はその主面１５に前記一
導電型であつて前記第１の比抵抗よりも実質的に小さい
第２の比抵抗を持つ薄い層１３を含んでおり、前記基板
の前記主面の近くで基板内に反対導電型の領域２１が設
けられていて、基板とＰＮ接合２２を形成し、該ＰＮ接
合は半導体材料の前記薄い層１３の縁に接近し且つそれ
から隔たる第１の縁を持ち、半導体材料の前記薄い層１
３の面積は前記反対導電型の領域２１の面積より実質的
に大きくなつており、そして、基板内で発生された少数
担体の電荷の流れを感知するため前記ＰＮ接合と回路接
続されている出力手段２５、２６、３０−３４を設けた
輻射線感知装置。 ２ 特許請求の範囲１に記載した輻射線感知装置に於て
、前記ＰＮ接合が前記一導電型の薄い層に隣接している
輻射線感知装置。 ３ 特許請求の範囲１又は２に記載した輻射線感知装置
に於て、前記第１の比抵抗が前記第２の比抵抗の少なく
とも１０倍である輻射線感知装置。 ４ 特許請求の範囲１乃至３のいずれか１項に記載した
輻射線感知装置に於て、前記出力手段が前記ＰＮ接合を
逆バイアスする手段を含んでいる輻射線感知装置。 ５ 特許請求の範囲１乃至３のいずれか１項に記載した
輻射線感知装置に於て、前記出力手段が前記ＰＮ接合の
バイアスをゼロにする手段を含んでいる輻射線感知装置
。 ６ 特許請求の範囲１乃至５のいずれか１項に記載した
輻射線感知装置に於て、前記薄い層及び反対導電型の前
記領域の両方が細長い形であり、前記ＰＮ接合の前記第
１の縁が略直線的であつて前記薄い層の縦軸線１６と略
平行である輻射線感知装置。 ７ 特許請求の範囲６に記載した輻射線感知装置に於て
、前記基板の主面に前記一導電型であつて前記第２の比
抵抗を持つ第２の薄い層１４が設けられ、前記ＰＮ接合
が略直線的な第２の縁を持ち、該第２の縁が前記第２の
薄い層１４の縁に接近し且つそれから隔たつていて、そ
の縦軸線１７と略平行である輻射線感知装置。 ８ 特許請求の範囲１乃至７のいずれか１項に記載した
輻射線感知装置に於て、前記半導体材料がシリコンであ
る輻射線感知装置。 ９ 特許請求の範囲１乃至８のいずれか１項に記載した
輻射線感知装置に於て、前記一導電型の薄い層の上にシ
ンチレータ３５が重ねられている輻射線感知装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US000000861673 | 1977-12-19 | ||
| US05/861,673 US4146904A (en) | 1977-12-19 | 1977-12-19 | Radiation detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5496981A JPS5496981A (en) | 1979-07-31 |
| JPS5928072B2 true JPS5928072B2 (ja) | 1984-07-10 |
Family
ID=25336445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53153800A Expired JPS5928072B2 (ja) | 1977-12-19 | 1978-12-14 | 輻射線感知装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4146904A (ja) |
| EP (1) | EP0002694B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5928072B2 (ja) |
| DE (1) | DE2861701D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2468999A1 (fr) * | 1979-10-30 | 1981-05-08 | Thomson Csf | Detecteur de rayonnement a photodiode, a capacite reduite, et dispositif de prise de vues comprenant un tel detecteur |
| DE2946108C2 (de) * | 1979-11-15 | 1985-02-14 | Koch & Sterzel Gmbh & Co, 4300 Essen | Strahlendetektor |
| FR2575602B1 (fr) * | 1984-12-27 | 1987-01-30 | Thomson Csf | Dispositif photosensible de grand format, et procede d'utilisation |
| US5066861A (en) * | 1987-07-22 | 1991-11-19 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | X ray detecting device |
| EP1167999A1 (en) * | 1989-09-06 | 2002-01-02 | University of Michigan | Multi-element-amorphous-silicon-detector-array for real-time imaging and dosimetry of megavoltage photons and diagnostic x-rays |
| US5187380A (en) * | 1992-04-09 | 1993-02-16 | General Electric Company | Low capacitance X-ray radiation detector |
| DE10052955A1 (de) * | 2000-10-25 | 2002-06-06 | Tesa Ag | Verwendung von Haftklebemassen mit anisotropen Eigenschaften für Stanzprodukte |
| FR2922320B1 (fr) * | 2007-10-12 | 2012-05-11 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif de detection de la desintegration de radioisotopes dans un tissu biologique. |
| JP2013065825A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-04-11 | Fujifilm Corp | 光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置 |
| US20150285942A1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | General Electric Company | Solid state photo multiplier device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3418473A (en) * | 1965-08-12 | 1968-12-24 | Honeywell Inc | Solid state junction device for ultraviolet detection |
| US3458782A (en) * | 1967-10-18 | 1969-07-29 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam charge storage device employing diode array and establishing an impurity gradient in order to reduce the surface recombination velocity in a region of electron-hole pair production |
| FR1552072A (ja) * | 1967-11-14 | 1969-01-03 | ||
| US3466448A (en) * | 1968-03-11 | 1969-09-09 | Santa Barbara Res Center | Double injection photodetector having n+-p-p+ |
| DD102012A1 (ja) * | 1972-12-29 | 1973-11-20 | ||
| US4101924A (en) * | 1977-06-16 | 1978-07-18 | General Electric Company | Semiconductor radiation detector |
-
1977
- 1977-12-19 US US05/861,673 patent/US4146904A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-12-06 EP EP78101584A patent/EP0002694B1/en not_active Expired
- 1978-12-06 DE DE7878101584T patent/DE2861701D1/de not_active Expired
- 1978-12-14 JP JP53153800A patent/JPS5928072B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4146904A (en) | 1979-03-27 |
| EP0002694A1 (en) | 1979-07-11 |
| JPS5496981A (en) | 1979-07-31 |
| EP0002694B1 (en) | 1982-03-24 |
| DE2861701D1 (en) | 1982-04-29 |
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