JPS592791B2 - ハイキカンリユウセイギヨソウチ - Google Patents
ハイキカンリユウセイギヨソウチInfo
- Publication number
- JPS592791B2 JPS592791B2 JP50128814A JP12881475A JPS592791B2 JP S592791 B2 JPS592791 B2 JP S592791B2 JP 50128814 A JP50128814 A JP 50128814A JP 12881475 A JP12881475 A JP 12881475A JP S592791 B2 JPS592791 B2 JP S592791B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- negative pressure
- diaphragm
- valve
- venturi
- amplifier
- Prior art date
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- Expired
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- Exhaust-Gas Circulating Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は内燃機関の排気浄化に有効な手段ととして知
られる排気還流（以下ＥＧＲという）制御装置に関し特
に気化器ベンチュリ負圧を制御信号とし、これを増幅し
た負圧によりＥＧＲ量制御弁を作動するようにしだＥＧ
Ｒ制御装置において、中・高速、低負荷領域のＥＧＲ量
を機関回転速度の増大に応じて低減するよう補正したＥ
ＧＲ制御装置に関する。
られる排気還流（以下ＥＧＲという）制御装置に関し特
に気化器ベンチュリ負圧を制御信号とし、これを増幅し
た負圧によりＥＧＲ量制御弁を作動するようにしだＥＧ
Ｒ制御装置において、中・高速、低負荷領域のＥＧＲ量
を機関回転速度の増大に応じて低減するよう補正したＥ
ＧＲ制御装置に関する。
気化器ベンチュリ負圧の増幅値をＥＧＲ量制御弁の制御
信号圧とした従来のＥＧＲ制御装置では例えば第１図に
示すようにベンチュリ負圧を一定に保って機関回転速度
を上げていくと、機関軸トルクが低下し、機関吸入負圧
が増大してＥＧＲ量制御弁の前後差圧が上昇し、不必要
にもかかわらずＥＧＲ量が増大する。
信号圧とした従来のＥＧＲ制御装置では例えば第１図に
示すようにベンチュリ負圧を一定に保って機関回転速度
を上げていくと、機関軸トルクが低下し、機関吸入負圧
が増大してＥＧＲ量制御弁の前後差圧が上昇し、不必要
にもかかわらずＥＧＲ量が増大する。
従って機関の運転性、燃費の悪化が大きな問題となって
いた。
いた。
本発明は従来の上述の欠点に鑑み、ＥＧＲを必要としな
い機関中高速・低負荷時にＥＧＲ量を低減することを目
的とし、機関回転速度に応じて増大する負圧を補正ダイ
ヤフラム装置に導き、該装置の出力を増幅器のダイヤフ
ラムに対し、ベンチュリ負圧の作用を打消すように作用
させて、ベンチュリ負圧を機関回転速度に従って補正す
る。
い機関中高速・低負荷時にＥＧＲ量を低減することを目
的とし、機関回転速度に応じて増大する負圧を補正ダイ
ヤフラム装置に導き、該装置の出力を増幅器のダイヤフ
ラムに対し、ベンチュリ負圧の作用を打消すように作用
させて、ベンチュリ負圧を機関回転速度に従って補正す
る。
以下に、本発明の実施例を第２図〜第６図に基づいて説
明する。
明する。
第２図において、１は気化器、２はベンチュリ３は絞り
弁、４は機関の吸気系と排気系とを連通ずるＥＧＲ通路
、５はＥＧＲ制御弁である。
弁、４は機関の吸気系と排気系とを連通ずるＥＧＲ通路
、５はＥＧＲ制御弁である。
ＥＧＲ制御弁５はダイヤフラム式であり、ダイヤフラム
スプリング６の存する負圧作動室７に機関吸入負圧、バ
キュームタンク等の負圧源８からの負圧信号を負圧通路
９ａ 、９ｂ並びに増幅器１０の負圧室１１を介して導
入する。
スプリング６の存する負圧作動室７に機関吸入負圧、バ
キュームタンク等の負圧源８からの負圧信号を負圧通路
９ａ 、９ｂ並びに増幅器１０の負圧室１１を介して導
入する。
負圧通路９ａの開口端９ａ′は上記負圧室１１内に突入
し、増幅器１０の弁１２により開閉される。
し、増幅器１０の弁１２により開閉される。
増幅器１０は大気室１３を間に挾んだ２枚のダイヤフラ
ム１４，１５と、そのダイヤフラム１４゜１５の外方に
設けた負圧作動室１６及び上記負圧室１１とからなる。
ム１４，１５と、そのダイヤフラム１４゜１５の外方に
設けた負圧作動室１６及び上記負圧室１１とからなる。
負圧作動室１６にはベンチュリ負圧が負圧通路１８を通
じて導入される。
じて導入される。
２枚のダイヤフラム１４，１５は相互に弁本体１９によ
って連結される。
って連結される。
弁１２はバルブスプリング２００弾性力を受けて弁本体
１９の弁孔１９ａを常時は閉じているがダイヤフラム１
４，１５がダイヤフラムスプリング１７の弾性に抗して
図において下降し、弁１２が負圧通路９ａの開口端９ａ
′に当接し、弁孔１９ａを開くことによって大気と大気
室１３から負圧室１１内に導き、負圧を薄める。
１９の弁孔１９ａを常時は閉じているがダイヤフラム１
４，１５がダイヤフラムスプリング１７の弾性に抗して
図において下降し、弁１２が負圧通路９ａの開口端９ａ
′に当接し、弁孔１９ａを開くことによって大気と大気
室１３から負圧室１１内に導き、負圧を薄める。
上述の構成は従来のものと同様であってその作用は次の
ようになる。
ようになる。
今、増幅器１０の２枚のダイヤフラム１４，１５の受圧
面積比をＡＩ／Ａ２とすると負圧作動室１６内のベンチ
ュリ負圧Ｐ１は負圧室１１内の負圧Ｐ２と大気室１３内
の大気圧Ａ２−ＡＩＡ２ ＰＯに対して、Ｐにｐｏ−斗Ｐ２託でバ １ ランスする。
面積比をＡＩ／Ａ２とすると負圧作動室１６内のベンチ
ュリ負圧Ｐ１は負圧室１１内の負圧Ｐ２と大気室１３内
の大気圧Ａ２−ＡＩＡ２ ＰＯに対して、Ｐにｐｏ−斗Ｐ２託でバ １ ランスする。
このバランス圧よりも負圧作動室１６内のベンチュリ負
圧Ｐ１が大きくなれば、ダイヤフラム１４，１５を図に
おいて上動させ、負圧通路開口端９ ａ’を開いて負圧
源８からの負圧をＥＧＲ量制御弁５の負圧作動室７に導
く。
圧Ｐ１が大きくなれば、ダイヤフラム１４，１５を図に
おいて上動させ、負圧通路開口端９ ａ’を開いて負圧
源８からの負圧をＥＧＲ量制御弁５の負圧作動室７に導
く。
又バランス圧よりもＰｌが小さくなると、ダイヤフラム
１４，１５は下降し、弁１２が負圧通路開口端９ａ′に
当接してこれを閉じると共に、弁孔１９ａを開くから、
負圧室１１内の負圧Ｐ２は大気圧に近づく。
１４，１５は下降し、弁１２が負圧通路開口端９ａ′に
当接してこれを閉じると共に、弁孔１９ａを開くから、
負圧室１１内の負圧Ｐ２は大気圧に近づく。
このためダイヤフラム１５に下向きに作用する全圧力Ｐ
２．Ａ２が小さくなって再びダイヤフラム１４，１５が
上動し、弁孔１９ａはパルプスプリング２０の作用で閉
じられ、更に負圧通路９ａを開いて負圧室１１内の負圧
Ｐ２を大きくする。
２．Ａ２が小さくなって再びダイヤフラム１４，１５が
上動し、弁孔１９ａはパルプスプリング２０の作用で閉
じられ、更に負圧通路９ａを開いて負圧室１１内の負圧
Ｐ２を大きくする。
このようなダイヤフラム１４，１５の上下振動を繰り返
すことにより、負圧室１１内の平均負圧Ｐ２はベンチュ
リ負圧Ｐ１に比例して増幅された値に制御されこのベン
チュリ負圧の増幅圧Ｐ２がＥＧＲ制御弁５の負圧作動室
７に導かれ、ベンチュリ負圧に応じたＥＧＲ量制御弁５
の弁開度を得る。
すことにより、負圧室１１内の平均負圧Ｐ２はベンチュ
リ負圧Ｐ１に比例して増幅された値に制御されこのベン
チュリ負圧の増幅圧Ｐ２がＥＧＲ制御弁５の負圧作動室
７に導かれ、ベンチュリ負圧に応じたＥＧＲ量制御弁５
の弁開度を得る。
しかしこれだけでは例えＥＧＲ量制御弁５の弁開度が一
定であっても、中・高速、低負荷領域のＰ２ＧＲ量制御
弁５の前後差圧が大きくなり、本来必要としないＥＧＲ
量が増大する欠点を有することは前に述べた。
定であっても、中・高速、低負荷領域のＰ２ＧＲ量制御
弁５の前後差圧が大きくなり、本来必要としないＥＧＲ
量が増大する欠点を有することは前に述べた。
本発明の実施例では、次のように機関回転速度の増大に
応じて気化器ベンチュリ負圧を打消すように構成する。
応じて気化器ベンチュリ負圧を打消すように構成する。
即ち機関吸入負圧、気化器の絞シ弁３近傍に開口するＶ
Ｃホールから導かれるいわゆるｖＣ負圧、或いはバキュ
ームタンク負圧等適当な負圧源８ａと補正ダイヤフラム
装置３０の負圧作動室３１とを負圧通路３２により連結
する。
Ｃホールから導かれるいわゆるｖＣ負圧、或いはバキュ
ームタンク負圧等適当な負圧源８ａと補正ダイヤフラム
装置３０の負圧作動室３１とを負圧通路３２により連結
する。
この負圧通路３２の途中には機関回転速度の上昇に従？
て単位時間当りの平均バルブ開度が増大するようにした
電磁弁３３を介装すると共に、オリフィス３４を有する
大気開放路３５を分岐する。
て単位時間当りの平均バルブ開度が増大するようにした
電磁弁３３を介装すると共に、オリフィス３４を有する
大気開放路３５を分岐する。
該電磁弁３３はソレノイド３３ａが励磁されると弁体３
３ｂをリターンスプリング３３ｃの弾性に抗して吸引し
、負圧通路３２の開口端３２ａを開放して負圧通路３２
を導通するがソレノイド３３ａが消磁されるとリターン
スプリング３３Ｃの弾性復元力によって弁体３３ｂが負
圧通路の開口端３２ａを閉鎖して負圧源８ａの負圧補正
ダイヤフラム装置３０の負圧作動室３１に伝達しないよ
うになっている。
３ｂをリターンスプリング３３ｃの弾性に抗して吸引し
、負圧通路３２の開口端３２ａを開放して負圧通路３２
を導通するがソレノイド３３ａが消磁されるとリターン
スプリング３３Ｃの弾性復元力によって弁体３３ｂが負
圧通路の開口端３２ａを閉鎖して負圧源８ａの負圧補正
ダイヤフラム装置３０の負圧作動室３１に伝達しないよ
うになっている。
電磁弁３３の励磁回路は次のように構成される。
４０はバッテリ、４１はイグニッションスイッチ４３は
イグニッションコイル、４４はディストリビュータ、４
５Ｈイグニツシヨンコイル４３のパルス信号（第３図）
をトリガとして第４図に示すような単安定パルス信号を
電磁弁３３に出力するパルス発生回路である。
イグニッションコイル、４４はディストリビュータ、４
５Ｈイグニツシヨンコイル４３のパルス信号（第３図）
をトリガとして第４図に示すような単安定パルス信号を
電磁弁３３に出力するパルス発生回路である。
従って機関回転速度が上昇すると第４図の出力パルスの
単位時間当りの発生数が多くなり、ソレノイド３３ａに
通電する周期が早まって単位時間当りの電磁弁平均開度
（抑が増大する。
単位時間当りの発生数が多くなり、ソレノイド３３ａに
通電する周期が早まって単位時間当りの電磁弁平均開度
（抑が増大する。
このため補正ダイヤフラム装置３０の負圧作動室３１に
伝わる負圧源８ａからの負圧Ｐｃは第５図に示すように
電磁弁３３によって機関回転速度の増大に応じて増大す
る負圧値を、大気開放路３５によって弱めた値となる。
伝わる負圧源８ａからの負圧Ｐｃは第５図に示すように
電磁弁３３によって機関回転速度の増大に応じて増大す
る負圧値を、大気開放路３５によって弱めた値となる。
補正ダイヤフラム装置３０のダイヤフラム５０は負圧作
動室３１内の負圧信号Ｐｃが一定値よりも大きくなった
ときにダイヤフラムスプリング５１の弾性に抗して上動
する。
動室３１内の負圧信号Ｐｃが一定値よりも大きくなった
ときにダイヤフラムスプリング５１の弾性に抗して上動
する。
ダイヤフラム５０にはロッド５２、揺動レバー５３等か
らなる出力伝達機構を接続する。
らなる出力伝達機構を接続する。
ロッド５２はダイヤフラム５０に固定し、増幅器１０の
負圧作動室１６内に垂下する。
負圧作動室１６内に垂下する。
該ロッド５２の下端は固定支軸５４に回転自由に支承さ
れた揺動レバー５３の一端に回動自由に軸支する。
れた揺動レバー５３の一端に回動自由に軸支する。
揺動レバー５３の他端は増幅器１０のダイヤフラム１４
に接触し、負圧信号Ｐｃが高まってダイヤフラム５０が
上動したとき固定支軸５４のまわりを回動してベンチュ
リ負圧がダイヤフラム１４に作用する力を打消す方向即
ち下方にＦの力で押圧する。
に接触し、負圧信号Ｐｃが高まってダイヤフラム５０が
上動したとき固定支軸５４のまわりを回動してベンチュ
リ負圧がダイヤフラム１４に作用する力を打消す方向即
ち下方にＦの力で押圧する。
従って、補正ダイヤフラム装置３０に導かれた負圧Ｐｃ
がダイヤフラムスプリング５１の設定圧よりも大きくな
るにつれ、これに比例した力で増幅器１０のダイヤフラ
ム１４を下方に押してベンチュリ負圧の作用力を弱める
。
がダイヤフラムスプリング５１の設定圧よりも大きくな
るにつれ、これに比例した力で増幅器１０のダイヤフラ
ム１４を下方に押してベンチュリ負圧の作用力を弱める
。
このため、増幅器１０の負圧室１１に発生する制御負圧
Ｐ２は実際のベンチュリ負圧Ｐ１よりも機関回転速度の
増大に応じて弱められた補正値を増幅した値となり第６
図に示す」：つになる。
Ｐ２は実際のベンチュリ負圧Ｐ１よりも機関回転速度の
増大に応じて弱められた補正値を増幅した値となり第６
図に示す」：つになる。
この制御負圧Ｐ２はＥＧＲ量制御弁５の負圧作動室γに
導かれＥＧＲ引１］御弁５の弁開度を増減して、中・高
速、低負荷領域のＥＧＲ量を低減する。
導かれＥＧＲ引１］御弁５の弁開度を増減して、中・高
速、低負荷領域のＥＧＲ量を低減する。
ＥＧＲ量制御弁５のダイヤフラムスプリング６の設定荷
重を例えば１０ｍｍＨ？とすると、第６図斜線部のＥＧ
Ｒは停止される。
重を例えば１０ｍｍＨ？とすると、第６図斜線部のＥＧ
Ｒは停止される。
尚補正ダイヤフラム装置３０の仕様例えばダイヤフラム
スプリング５１の設定荷重を変えれば、負圧信号Ｐｃの
不感帯が変化し、第６図に示す制御負圧特性曲線に変化
を加えることができることはいうまでもない。
スプリング５１の設定荷重を変えれば、負圧信号Ｐｃの
不感帯が変化し、第６図に示す制御負圧特性曲線に変化
を加えることができることはいうまでもない。
父上記実施例によって機関回転速度に応じて増大する負
圧Ｐｃの作用を補正ダイヤフラム装置３０及び出力伝達
機構を介１〜で増幅器１０のダイヤフラム１４を押し下
げるように働かせたが、下方から引っ張るようにしても
よく、要はベンチュリ負圧を打消す方向にダイヤフラム
１４に作用させればよいことは、上述の説明から容易に
わかることである。
圧Ｐｃの作用を補正ダイヤフラム装置３０及び出力伝達
機構を介１〜で増幅器１０のダイヤフラム１４を押し下
げるように働かせたが、下方から引っ張るようにしても
よく、要はベンチュリ負圧を打消す方向にダイヤフラム
１４に作用させればよいことは、上述の説明から容易に
わかることである。
又、補正ダイヤフラムに導入する負圧源と１〜てオイル
ポンプの吸入負圧等を採用すれば、該吸入負圧は機関回
転速度の上昇に応じて増大する負圧であるから該負圧を
そのまま補正ダイヤフラムに導入すればよく、電磁弁等
の制御手段は不要となり、補正ダイヤフラム、レバー等
の簡単な構成で所期の目的を達成することができる。
ポンプの吸入負圧等を採用すれば、該吸入負圧は機関回
転速度の上昇に応じて増大する負圧であるから該負圧を
そのまま補正ダイヤフラムに導入すればよく、電磁弁等
の制御手段は不要となり、補正ダイヤフラム、レバー等
の簡単な構成で所期の目的を達成することができる。
以上説明したように、本発明によ、ｆ′１ば、中・高速
、低負荷域のＥＧＲ量を低減でき、全運転領域にわたっ
て適切なＥＧＲ量を供給することができるため、ＮＯｘ
の低減、燃費・運転性を改善できる。
、低負荷域のＥＧＲ量を低減でき、全運転領域にわたっ
て適切なＥＧＲ量を供給することができるため、ＮＯｘ
の低減、燃費・運転性を改善できる。
ダイヤフラム式増幅器に加える修正圧力を補正ダ・イヤ
フラム装置に負圧を導いて得るように構成したから、構
成が簡単かつコンパクトで低コストに実施できるもので
ある。
フラム装置に負圧を導いて得るように構成したから、構
成が簡単かつコンパクトで低コストに実施できるもので
ある。
第１図はベンチュリ負圧特性を示すグラフ、第２図は本
発明の１実施例を示す系統図、第３図〜第６図は本発明
実施例の特性を示すグラフである。 １・・・気化器、２・・・ベンチュリ、４・・・ＥＧＲ
通路、５・・・ＥＧＲ制御弁、１０・・・増幅器、１４
・・・ダイヤフラム、１８，３２・・・負圧通路、３０
・・・補正ダイヤフラム装置、３３・・・電磁弁、５３
・・・揺動レバー、Ｅ・・・電磁弁励磁回路。
発明の１実施例を示す系統図、第３図〜第６図は本発明
実施例の特性を示すグラフである。 １・・・気化器、２・・・ベンチュリ、４・・・ＥＧＲ
通路、５・・・ＥＧＲ制御弁、１０・・・増幅器、１４
・・・ダイヤフラム、１８，３２・・・負圧通路、３０
・・・補正ダイヤフラム装置、３３・・・電磁弁、５３
・・・揺動レバー、Ｅ・・・電磁弁励磁回路。
Claims (1)
- １ 気化器のベンチュリ負圧をダイヤフラム式増幅器に
より増幅し、該増幅負圧で排気還流制御弁を作動する排
気還流制御装置において機関回転速度の増大に応じて増
大する負圧を入力信号とする補正ダイヤフラム装置を設
け、該補正ダイヤフラム装置の出力を、増幅器のダイヤ
フラムに作用するベンチュリ負圧の作用を打消すように
ダイヤフラムに作用させ、中高速低負荷時の排気還流量
を低減したことを特徴とする排気還流制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50128814A JPS592791B2 (ja) | 1975-10-28 | 1975-10-28 | ハイキカンリユウセイギヨソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50128814A JPS592791B2 (ja) | 1975-10-28 | 1975-10-28 | ハイキカンリユウセイギヨソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5253133A JPS5253133A (en) | 1977-04-28 |
| JPS592791B2 true JPS592791B2 (ja) | 1984-01-20 |
Family
ID=14994065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50128814A Expired JPS592791B2 (ja) | 1975-10-28 | 1975-10-28 | ハイキカンリユウセイギヨソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592791B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11249028B2 (en) | 2018-01-15 | 2022-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for inspecting object surface |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5222632A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-21 | Nissan Motor Co Ltd | Minos pressure amplifier |
| JPS5246228A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-12 | Nissan Motor Co Ltd | Exhaust-gas reflux control system |
-
1975
- 1975-10-28 JP JP50128814A patent/JPS592791B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5222632A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-21 | Nissan Motor Co Ltd | Minos pressure amplifier |
| JPS5246228A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-12 | Nissan Motor Co Ltd | Exhaust-gas reflux control system |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11249028B2 (en) | 2018-01-15 | 2022-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for inspecting object surface |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5253133A (en) | 1977-04-28 |
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