JPS5927755B2 - エピタキシヤル層の成長方法及びそのための化学気相析出反応器 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は化学気相析出反応器（ＣｈｅｍｉｃａｌａｐＯ
ｒｄｅｐＯｓｉｔｉＯｎｒｅａｃｔＯｒ）に関し、より
詳しくは、通常な利用されない放射エネルギー（Ｒａｄ
ｉａｔｅｄｅｎｅｒｇｙ）を利用して、システム（Ｓｙ
ｓｔｅｍ）の必要電力を減少し、ウエーハ（Ｗａ一Ｆｅ
ｒ）内における滑り（Ｓｌｉｐ）を排除する化学気相析
出反応器に関する。

誘導加熱気相析出反応器（ＩｎｄｕｃｔｉＯｎｈｅａ−
ＴｅｄｖａｐＯｒｄｅｐＯｓｉｔｉＯｎｒｅａｃｔＯｒ
）は、サセプタ（ＳｕｓｃｅｐｔＯｒ）上に取付けられ
たウエーハがその中に配置されている析出密閉容器（Ｄ
ｅ−ＰＯｓｉｔｉＯｎｅｎｌＯｓｕｒｅ）〔エピタキシ
ヤル（Ｅｐｉ一Ｔａｘｉａｌ）石英管またはベル・シャ
ー（Ｂｅｌｌｊａｒ）の如き〕を典型的に包含する。

密封容器を取り巻いて配置されている高周波誘導コイル
Ｒ．Ｆ．ｉｎｄｕｃｔｉＯｎｃＯｉｌ）の電気的非絶縁
ターンによつてエネルギーが放射される。電流がコイル
・ターン（ＣＯｉｌｔｕｒｎ）を通つて流れると、コイ
ル（ＣＯｉｌ）がサセプタの加熱を誘起し、次に析出密
閉容器を通過するガスがウエーハ上にエピタキシヤルに
析出するに充分な温度にまでサセプタに取付けられてい
るウエーハを加熱する。誘導加熱反応器が加熱されると
、まず第一にサセプタが暖まり、次に、伝導と輻射と対
流との組合せとによつてウエーハを加熱する。

しかし、サセプタが徐々に加熱されるにも拘らず、ウエ
ーハが高温側から加熱されるという事実のために、ウエ
ーハの厚さ方向に温度こう配が常に存在する。ウエーハ
が皿形に曲り、ウエーハの外側のリム（Ｒｉｍ）がサセ
プタ表面から離れ、ウエーハの中心よりもウエーハの外
側のリムの方が加熱されることが少くなるので不均一加
熱が起る。この輻射型温度こう配は蓄るしい転位運動（
ＤｉｓｌＯｃａｔｉＯｎｍＯｔｉＯｎ）または滑り（Ｓ
ｌｉｐ）の原因となる応力をひき起こす。発生する応力
は、温度が高い程、またウエーハが大きい程大きい。滑
りの問題は、ウエーハを直接に加熱する熱源を用いるこ
とによつて解決されうる。

これは、熱源として高周波誘導コイルの代りに高強度ハ
ロゲン化タングステン・ランプ（Ｈｉｇｈｉｎｔｅｎｓ
ｉｔｙｔｕｎｇｓｔｅｎ−Ｈａｌｉｄｅｌａｍｐ）で置
き換えることによつて行なわれる、このようなランプは
ウエーハを直接に輻射的に加熱し、電力、ランプの間隔
および回転を正しく選択することによつて望ましくない
転置運動がほとんど起こらない。しかし、ウエーハを輻
射的に加熱することは温度こう配によつて惹き起こされ
る全体の転置運動を排除するという望ましい成果を有し
てはいるが、このような装置の使用は非常に高価な初期
資本設備費とその装置の高運転費とのために実際的でな
い。

反応器の満足な運転のために発生しなければならない輻
射源量は、運転に非常に費用がかかる禁止的に高価な装
置の使用を必要とする。この理由のために幅射加熱式化
学析出反応器は、ウエーハ当り最小費用で高生産性を要
求する工業的条件のための実際的な代案とは考えられな
かつた。ウエーハを輻射熱源によつて直接加熱するか、
または高周波誘導コイルによつてサスセプタを介して間
接的に加熱するかということは他の問題をも惹き起こす
。密閉容器に向うエネルギーは析出密閉容器の壁を加熱
する傾向があり、それによつて、析出密閉容器を通るガ
スが析出密閉容器の内壁上に析出するのを促進する。析
出密閉容器の内壁上へのこのような析出は、スパイク（
Ｓｐｉｋｅ）、ピツト（Ｐｉｔ）およびその他の各種表
面欠陥の発現を促進するので、析出密閉容器内で成長し
ている物質の品質に有害な影響を有している。さらに析
出は所与運転からのドパント（ＤＯｐａｎｔｓ）を包含
し、この場合、その後の引き続いての運転において、析
出は望ましくないドパント源の働きをするかも知れない
。このような析出が生成するのを防ぐために、析出密閉
容器を冷却するのが通例である。

この成果を得るために、各種の既知の技術を用いること
ができる。たとえば、空気、窒素または脱イオン（Ｄｅ
−１０ｎｉｚｅｄ）水の如き流体を析出密閉容器の外側
の冷却流中に流し、そこからの吸収、除去する。あるい
はまた、熱損失を吸収する黒体（Ｂｌａｃｋｍａｔｅｒ
ｌａｌ）で反応器の全表面を被覆してしまつてもよい。
このように、析出または密閉容器の被覆を避けるために
、反応器から過剰の熱を連続的に除去することが必要で
あると普通考えられた。

大量の高価な電気が反応器の運転に必要であり、運転費
が増大するのみでなく、より多くの電力供給が必要であ
るから、熱の除去が初期資本設備投下費用をふやすにも
拘らず、熱の除去が行なわれる。

さらに、反応器を冷却するのに必要な装置の取得と運転
とは資金と運転費とを増大させる。太陽光線を直接的に
電気に変換する太陽電池は、誘導加熱型および輻射加熱
型の両型式の従来技術の化学気相析出反応器内で成長し
たウエーハで製造される。しかし、高い初期資本設備投
下費および高い運転費のこのような反応器で、その反応
器内で成長したウエーハを従来つくつてきた。従つて、
それらから作られる太陽電池もまた実際目的のためには
高価であつた。慣用燃料についてのエネルギー費の絶え
ざる値上りと石油および天然ガスの不足の脅威とのため
に、安価に太陽電池を製造する方法を開発することの重
要性が近年劇的に増大してきた。従つて、本発明の第１
の目的は、増進された効率で働く化学気相析出反応器を
提供することである。

本発明の第２の目的は、通常は使われないエネルギーを
有効に利用する赤外線反射鏡を備えた化学気相析出反応
器を提供することである。

本発明の第３の目的は、小さな電力供給源の利用を可能
にすることによつて、初期資本設備費を減少した赤外線
反射鏡を備えた化学気相析出反応器を提供することであ
る。

本発明の第４の目的は、システムの運転費を大幅に減少
する赤外線反応鏡を備えた化学気相析出反応器を提供す
ることである。

本発明の第５番目の目的は、システムの必要人力電力が
大幅に減少する赤外線反射鏡を備えた化学気相析出反応
器を提供することである。

本発明の第６番目の目的は、誘導加熱によつて起こるウ
エーハ材内の温度こう配を大幅に減じ、転位運動または
渭りをもたらす材料応力を排除する赤外線反射鏡を備え
た化学気相析出反応器を提供することである。

本発明の第７番目の目的は、高価な輻射加熱源の使用の
必要を排除する赤外線反射鏡を備えた化学気相析出反応
器を提供することである。

本発明の他の目的は、密閉容器の外面上に直接に脱イオ
ン液体を噴霧することによつて密閉容器壁上の望ましく
ない析出を減少する赤外線反射鏡を備えた化学気相析出
反応器を提供することである。

本発明の目的はまた、誘導コイルを利用するが、しかし
より高価な輻射加熱反応器と同様な方法で渭りを防ぐ赤
外線反射鏡を備えた化学気相析出反応器を提供すること
である。

さらに本発明の目的は、誘導コイルから放射されるエネ
ルギーをウエーハ上に集中する輻射熱に変換することに
よつて、放射エネルギーを有効に利用する赤外線反射鏡
を備えた化学気相析出反応器を提供することである。

本発明に従つて、化学気相析出反応器の効率を増進する
方法と装置とが提供される。

反応器は、その内のサセプタ上に取付けられるウエーハ
を受けるのに適合した析出密閉容器を包含する。密閉容
器はガスの入口部およびガスの出口部を備えている。析
出ガスの供給源をガス入口部に連結する。高周波誘導コ
イルは密閉容器の外側に位置し、電源に実施可能に連結
され、エネルギー放射用に供される。放射されたエネル
ギーの一部分はサセプタを誘起し、ウエーハを加熱する
。放射されたエネルギーの残余は密閉容器から去つて了
い、それ故、通常は利用されない。通常は利用されない
エネルギーの少くとも一部分をウエーハの方へ向け直し
、ウエーハを加熱するための装置を提供する。向け直す
装置は、向け直されたエネルギーを密閉容器上に集中す
るように設計された凹面形状を有する高放射性金属製（
Ｈｉｇｈｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙｍｅｔａｌｌｉｃ）赤外
線反射鏡より成る。反射鏡は、密閉容器に面するモリブ
デン製反射面を支持する枠を包含する。反射鏡の外面は
アルミニウムより成０ている・石英綿（Ｑｕａｒｔｙｗ
ＯＯｌ）などでつくられた絶縁材が表面の間に位置する
。反射鏡は高周波誘導コイルから放射されて通常は利用
されないエネルギーの大部分を捕捉して、方向を向け直
し、輻射熱の形で、このエネルギーをウエーハの外面上
に集中する。

この方法でウエーハは両面から同時に加熱される。サセ
プタに隣接する面はサセプタによつて加熱され、サセプ
タに対し反対側を向いている面は反射された輻射熱によ
つて加熱される。ウエーハの両面を同時に加熱すること
によつて、誘導加熱反応器において通常生じる温度こう
配を排除する。温度こう配の排除は、全体の転位運動ま
たは滑りの原因であるウエーハ内の熱応力（Ｔｈｅｒｍ
ａｌｓｔｒｅｓｓ）を防ぎ、最終製品の品質を高める。
また、本発明の反射鏡の使用は、渭りを防ぐために高周
波誘導コイルの代わりになりうる放射熱源を使用する必
要を排除する。

このような放射熱源は非常に高価であり、それ故、反応
器を工業的に非実用的にするので、このことは大きな利
点である。また、密閉容器の表面を冷却するための装置
が備えられているのが好ましい。

冷却装置は、密閉容器の外面上に少くとも１４メガオー
ム−センチメートル（Ｍｅｇａｈｍｓ−Ｃｅｎｔｉｍｅ
ｔｅｒ）の抵抗率を有する脱イオン液体を噴霧する装置
より成る。さらに、反応器を稼働するのに必要な高価な
電気量を減少することによつて運転費を減じ、２，従来
使用不可能であつたエネルギーを有効に使用することを
可能にすることによつて、反射鏡集合体の使用は反応器
の効率を増進する。加うるに、反射鏡は必要人力電力を
減じることによつて初期資本設備投資を減じ、従つて、
より小さな、より廉価な電力供給源を使用できる。さら
にまた、析出密閉容器の外側を冷却する噴霧装置と共に
使用すれば、システムは析出密閉容器の内壁上への望ま
しくない析出を排除する。上述の目的の遂行および以下
において明らかになるその他の目的のために、添付図面
と共に以下の明細書において述べ、また特許請求の範囲
に列挙する如く、本発明は赤外線反射鏡を備えた化学気
相析出反応器に関する。

添付図面において同一数字は同一部分を示す。以下図面
について説明する。

特に第１，２および３図は、１０で概括的に示される誘
導加熱形の化学気相析出反応器より成る本発明の好適な
実施態様を示す。装置１０は頂部開放しセプタクル（０
ｐｅｎ−ＴＯｐｐｅｄｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ）即ち流体
を受けるのに適しているパン（Ｐａｎ）１２内に据付け
られていて、水平な石英エピタキシ管などの如き析出密
閉容器１４を囲んでいる。析出密閉容器１４の周りに配
設されているものは、析り返し１８を具備している内部
水冷式高周波誘導加熱コイル１６である。結晶成長に必
要なガスを析出密閉容器１４の人口端部に供給するため
に入口導管２０が備えられている。

消費されなかつたガスを取り除くために、析出密閉容器
１４の出口端部に出口導管２２を連結する。かくして矢
印２３の方向に密閉容器内をガスが流れる。電気絶縁材
製の適切なスペーサ（Ｓｐａｃｅｒ）（図示せず）をコ
イル折り返し部１８の間隔維持のために使用する。

高周波誘導コイル１６の一端２４を高周波発生器（問示
せず）の如ぎ電源に連結し、コイルの他端２６を大地に
連接する。ウエーハ担持器またはサセプタ（図示せず）
は析出密閉容器１４内に位置し、発生器の振動回路（０
ｓｃｉ１１ａｔ０ｒｃｉｒｃｕｉｔ）に接続している。
エピタキシヤル成長がその上で起こるウエーハ（図示せ
ず）をサセプタに取付ける。反射集合体は誘導コイル１
６の周りに位置し、概括的に２８で示す。

反射鏡２８は凹面形状を有する高放射性金属製赤外線反
射鏡である。好適には反射鏡は２つの部分２８ａおよび
２８ｂより成り、以下に述べる目的のために、２８ａと
２８ｂとは空間３０によつて、反応器の軸方向に沿つて
分割されている。反射鏡２８は反射作用をし、誘導コイ
ル１６によつて放射されるエネルギーを輻射熱の形で、
その内部でウエーハを加熱する密閉容器に向けて集中す
る。端から見ると、第２図に見られる如く、反射鏡２８
はほぼ半円形状を有し、２８ａおよび２８ｂの部分はそ
れぞれほぼ９００の円孤状曲線を有している。反射鏡部
２８ａおよび２８ｂは水平側面部材３２ａおよび３２ｂ
、水平頂部部材３４ａおよび３４ｂ，および側面部材と
頂部部材とを連結する３組の円孤状支柱（Ａｒｃｕａｔ
ｅｓｔｒｕｔ）またはリブ部材（Ｒｉｂｍｅｍｂｅｒ）
３６ａおよび３６ｂ；３８ａおよび３８ｂ；および４０
ａと４０ｂより成る。

枠部材は好適には軽くて強いアルミニウムより成る。パ
ン１２の内壁から延び、それに取付けられている分割取
付けブラケツト（Ｂｒａｃｋｅｔ）によつてリブ部材３
６ａ，３６ｂ；３８ａ，３８ｂ：４０ａ，４０ｂはそれ
ぞれ支えられている。取付けブラケツトはそれぞれ水平
に延びている部材４２より成り、部材４２の上に直立ロ
ツド（ＲＯｄ）４４が据付けられている。直立ロツド４
４のそれぞれの頂部近くに絶縁部材４６があり、その上
に反射部２８ａ，２８ｂがそれぞれ据付けられている。
反射鏡それ自体の構造は、反射鏡のｈ面を示す第２図お
よび第４図に最もよく図示されている。

反射鏡部２８ａ，２８ｂはそれぞれ約０．２５ｍＴ１Ｌ
（約０．０１インチ）厚の研磨モリブデン製の内側薄板
（ＩｎｔｅｒｉＯｒｓｈｅｅｔ）より成り、枠部材の下
側に取付けられている。反射鏡の外面はアルミノ ニウ
ムの薄板５０であり、枠部材の外面に取付けられている
。薄板４８と５０との間の空間にあるのは石英綿の如き
絶縁材５２である。このように、反射鏡の各部分が内側
の薄板４８と外側の薄板５０との間に絶縁材５２をはさ
んでいることが断５面において明らかになる。密閉容器
の内壁上にドパントが析出するのを防ぐために、析出密
閉容器１４を冷却する装置が備えられている。

この冷却装置には、本発明と同一の発明者の名前で、か
つその譲渡される本願と同ｏ時係属出願の１９７８年１
０月２３印こ提出された“誘起加熱気相析出装置冷却方
法とその冷却装置”と題する通番第９５３５７５号に詳
細に記述されている如き噴霧システムが好適である。そ
の出願に記述されている如く、パン１２は好適には電気
的に接地された枠（図示せず）内に据付けられ、電気絶
縁性のドレン（Ｄｒａｉｎ）５４を備えており、そのド
レンはパン１２内の流体５５の水準をパンの底より約２
５詣（約１インチ）上に維持し、過剰の排流体を排出す
る。概括的に５６で示される噴霧システムは、析出装置
１０の上に配設されている。

噴霧システム５６は反射鏡２８ａと２８ｂとの間の空間
３０に位置する多数のノズル（ＮＯｚｚｌｅ）６０を具
備する液体入口導管５８より成る。ノズル６０は装置の
頂部、より詳細には析出密閉容器１４とコイルの析返し
１８との上に液体を噴霧するのに適し、噴霧システム５
６、より詳細には導管５８は少くとも１４メガオームセ
ンチメートルの抵抗率を有する脱イオン液体、好適には
脱イオン水の供給源に連結されており、その供給源は導
管５８と装置１０上のノズル６０とを介して所与の抵抗
率の脱イオン液体を導入するのに適している。脱イオン
液体が少くとも１４メガオーム−センチメートル、好適
には１４〜１８の抵抗率を有することという必要条件は
、析出密閉容器および高周波コイルに沿つて分配される
脱イオン流体の経路（Ｐａｔｈ）は制禦不可能であり、
時々分配噴霧された液体が高周波電源（たとえば１６キ
ロボルト）の全電力にさらされる電路（Ｅｌｅｃｔｒｉ
ｃａｌｐａｔｈ）を構成することがあるという前提に基
づいている。

析出装置上に噴霧される液体の脱イオン〔すなわち脱鉱
物（Ｄｅ−Ｍｉｎｅｒａｌｌｚｅｄ〕性が、局所的冷却
を起こし結局析出物除去のために装置の操業停止が必要
となるかも知れない析出装置の外壁上への鉱物の析出の
生成を排除する。高周波コイル１６の端部２４，２６が
レセプタクル１２の底部を貫通しており、そこにはパン
１２の底部の上に横たわる流体５５の浅いためがあるの
で、高周波コイルの各端部は概括的に６４で示される絶
縁集合体によつてパン（およびその中の流体）から遮蔽
されている。絶縁集合体６４のそれぞれの精密な構造は
、上記の出願通し番号第９５３５７３号に詳細に記述さ
れている。

しかし、本目的のためには絶縁集合 く体６４は１対の
同軸管より成ることを理解すれば充分であり、内側の管
（図示せず）はテフロン（ＴＥＦＬＯＮ）〔デユポン（
４）ＵｐＯｎｔ）の登録商標〕製であり、外側の管６５
はアルミニウム製である。フ管はテフロン製のブツシン
グ（Ｂｕｓｈｉｎｇ）６６によつて正しい位置に保たれ
ており、ブツシングは中心穴を具備し、コイルの端部が
そこを通つて内側の管の内部を貫くことができる。

ここに述べた噴霧冷却方法は反応器、を容易に、かつ経
済的に冷却することができ、それによつて析出密閉容器
１４の内壁上への析出を減少することができる。

このため、析出するエピタキシヤル結晶の品質が改良さ
れ（スパイク、ピツトおよび表面欠陥を最小にする）、
同時に管の保全が最小になり、吸収されたドパントによ
る次の運転の汚染が最小となり、またガス冷却、水ジヤ
ケツト、６ブラツク・ボツクス”（ＢｌａｃｋｂＯｘ）
および排気システム（Ｅｘｈａｕｓｔｓｙｓｔｅｍ）が
必要でないので、運転費も減少する。本発明の誘導加熱
化学気相析出反応器において、反射鏡集合体２８はウエ
ーハの外面を直接に加熱する輻射熱源として働く。

システムへの必要人力電力を著しく減少するように、赤
外線反射鏡集合体は通常は利用されない誘導コイルから
外へ向う放射エネルギーを析出密閉容器の方へ向け直す
。これは、従来技術の高周波発生器によつて供給される
負荷（サセプタ）、または減少した容量の高周波発生器
によつて供給される標準的な大きさの負荷を著しく大き
くすることを可能にする。さらに、必要人力電力の減少
は反応器を運転するのに必要な高価な電気量を減じる。
加うるに、反射鏡によつてウエーハ上に集中された輻射
熱は、ウエーハをより均一に加熱するのに役立ち、望ま
しくない全体的な転置運動または滑りを惹き起こす材料
歪をもたらす温度こう配を排除する。説明の目的のため
に、ここに本発明のただ１つの好適な実施態様を述べた
が、それに多くの変化と変更とを行なうことが可能であ
ることは明らかである。

特許請求の範囲に列挙されている如く、本発明の範囲内
にある総てのこれらの変化と変更とを包含することを意
図するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、枠構造を説明するために反射鏡表面の一部分
を切り取つた本発明の反応器の平面図である。 第２図は、第１図の線２−２についての第１図の反応器
のｈ面図である。第３図は第１図に示した本発明の反応
器の側面図である。第４図は反射鏡の構造を示す断面図
である。主要部分の符号の説明、１０・・・・・・誘導
加熱器、１２・・・・・・レセプタクルまたはパン、１
４・・・・・・析出密閉容器、１６・・・・・・誘導加
熱コイル、２０・・・・・・入口導管、２２・・・・・
・出口導管、２８・・・・・・反射鏡（集合体）、４８
・・・・・・反射鏡の内面、５０・・・・・・アルミニ
ウム薄板、５２・・・・・・絶縁材、５４・・・・・・
ドレン、５５・・・・・・流体、５６・・・・・・噴霧
装置、６０・・・・・・ノズル、６４・・・・・・絶縁
集合体、６６・・・−・・ブツシング。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ （ａ）ウェーハの第１表面がサセプタに隣接しウェ
   ーハの第２表面を外側に面するようにして析出密閉容器
   １４内のサセプタ上にウェーハを置くこと；（ｂ）ウェ
   ーハの第１表面を加熱するためのエネルギーを誘起する
   ためにサセプタにエネルギーを与えること；（ｃ）ウェ
   ーハの第２表面を輻射的に加熱すること；および（ｄ）
   反射されたエネルギーがウェーハ上に集中するように、
   熱源１６から放射するエネルギーをウェーハに向けて反
   射することの工程を特徴とする化学析出反応器内のウエ
   ーハ上にエピタキシャル層を成長させる方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の方法において、エネ
   ルギーを与える工程は、密閉容器の外側に位置する熱源
   １６からエネルギーを放射する工程より成ることを特徴
   とする方法。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載の方法において、輻射
   的に加熱する工程は、放射されたエネルギーの一部分を
   増射熱源として利用する工程より成ることを特徴とする
   方法。 ４ （ａ）ウェーハの第１表面がサセプタに隣接しウェ
   ーハの第２表面を外側に面するようにして析出密閉容器
   １４内のサセプタ上にウェーハを置くこと；（ｂ）ウェ
   ーハの第１表面を加熱するためのエネルギーを誘起する
   ためにサセプタにエネルギーを与えること；（ｃ）ウェ
   ーハの第２表面を幅射的に加熱すること；および（ｄ）
   反射されたエネルギーがウェーハ上に集中するように、
   熱源１６から放射するエネルギーをウェーハに向けて反
   射することの工程を包含する化学析出反応器内のウェー
   ハ上にエピタキシャル層を成長させる方法において、上
   記析出密閉容器１４上に液体を噴霧して析出密閉容器１
   ４を冷却する冷却工程より成ることを特徴とする方法。 ５ 特許請求の範囲第４項に記載の方法において、液体
   を噴霧する工程は、少くとも１４メガオーム−センチメ
   ートルの抵抗率を有する脱イオン液体を噴霧する工程よ
   り成ることを特徴とする方法。 ６ サセプタ上に取付けられたウェーハを受けるのに適
   しガス入口部２０とガス出口部２２とを具備している析
   出密閉容器１４と、上記入口部２０に実施可能的に連結
   される析出ガス源と、上記サセプタを誘起して上記ウェ
   ーハを加熱するエネルギーを与えるための装置１６とよ
   り成り、反射エネルギーを上記ウェーハ上に集めるよう
   にして、上記のエネルギーを与えるための装置１６より
   の輻射エネルギーの一部分を利用するための、上記ウェ
   ーハを輻射的に加熱する装置２８を有することを特徴と
   する化学気相析出反応器。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載の反応器において、上
   記サセプタと上記輻射加熱装置２８とは上記、ウェーハ
   のそれぞれ反対側の面を加熱することを特徴とする反応
   器。 ８ 特許請求の範囲第６項ないし第７項のいずれかに記
   載の反応器において、エネルギーを与える上記装置１６
   は電源と該電源に実施可能的に連結される高周波コイル
   １６とより成ることを特徴とする反応器。 ９ 特許請求の範囲第８項に記載の反応器において、上
   記コイルはエネルギーを放射することを特徴とする反応
   器。 １０ 特許請求の範囲第６項に記載の反応器において、
   上記のウェーハを輻射的に加熱するための装置は赤外線
   反射鏡２８より成ることを特徴とする反応器。 １１ 特許請求の範囲第１０項に記載の反応器において
   、上記反射鏡２８は凹面形状を有していることを特徴と
   する反応器。 １２ 特許請求の範囲第１０項ないし第１１項のいずれ
   かに記載の反応器において、上記反射鏡２８は高放射性
   金属製反射鏡であることを特徴とする反応器。 １３ 特許請求の範囲第１０項ないし第１２項のいずれ
   かに記載の反応器において、上記反射鏡モリブデン製表
   面４８を具備していることを特徴とする反応器。 １４ 特許請求の範囲第１３項に記載の反応器において
   、上記モリブデン製表面は上記密閉容器１４に面してい
   ることを特徴とする反応器。 １５ 特許請求の範囲第１０項ないし第１３項のいずれ
   かに記載の反応器において、上記反射鏡２８はアルミニ
   ウム製の外面５０を具備していることを特徴とする反応
   器。 １６ 特許請求の範囲第１５項に記載の反応器において
   、絶縁材５２が上記表面４８と５０との間に位置してい
   ることを特徴とする反応器。 １７ 特許請求の範囲第１６項に記載の反応器において
   、上記絶縁材は石英綿絶縁であることを特徴とする反応
   器。 １８ サセプタ上に取付けられたウェーハを受けるのに
   適しガス入口部２０とガス出口部２２とを具備している
   析出密閉容器１４と、上記入口部２０に実施可能的に連
   結される析出ガス源と、上記サセプタを誘起して上記ウ
   ェーハを加熱するエネルギーを与えるための装置１６と
   より成り、反射エネルギーを上記ウェーハ上に集めるよ
   うにして、上記のエネルギーを与えるための装置１６よ
   りの輻射エネルギーの一部分を利用するための、上記ウ
   ェーハを輻射的に加熱する装置２８を有することを特徴
   とする化学気相析出反応器において、上記反応器が上記
   析出密閉容器１４の外面上に液体を噴霧する装置６０を
   有する上記析出密閉容器１４の外面を冷却するための装
   置５６を有していることを特徴とする反応器。 １９ 特許請求の範囲第１８項に記載の反応器において
   、上記液体は脱イオン化されていて、少くとも１４メガ
   オーム−センチメートルの抵抗率を有することを特徴と
   する反応器。