JPS5927595A - 光検出器用小型冷却装置 - Google Patents
光検出器用小型冷却装置Info
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- JPS5927595A JPS5927595A JP58129275A JP12927583A JPS5927595A JP S5927595 A JPS5927595 A JP S5927595A JP 58129275 A JP58129275 A JP 58129275A JP 12927583 A JP12927583 A JP 12927583A JP S5927595 A JPS5927595 A JP S5927595A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C3/00—Vessels not under pressure
- F17C3/02—Vessels not under pressure with provision for thermal insulation
- F17C3/08—Vessels not under pressure with provision for thermal insulation by vacuum spaces, e.g. Dewar flask
- F17C3/085—Cryostats
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/06—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
- G01J5/061—Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
木発I’ll Vi光光検出器用小型冷却層間関する。
放射、糠に対して!1、)も高い感度を示すようにする
ノドめに、例えば赤外線検出器のような検出器では周囲
fHI’J、を非常に低くして動作させなりればならな
い。このように周囲温度を低くするために、検出器の通
常、冷却装置内に置かれる。この冷却装置は非常に低い
温度にされる指状の突起部を有し、この突起部に冷却す
べき検出器が設りられ、この突起部は壁によって囲まれ
、この壁と突起部とで密閉空間を形成している。その壁
の検出器に面し/こ部分にtま、検出すべき光に対して
透明な物質でできた窓が設けられている。さらに密閉空
間り1、冷却突起部の周囲における熱植失をさけるため
、通常;1?ノンピング管継手を介し7て41(、空に
される。
ノドめに、例えば赤外線検出器のような検出器では周囲
fHI’J、を非常に低くして動作させなりればならな
い。このように周囲温度を低くするために、検出器の通
常、冷却装置内に置かれる。この冷却装置は非常に低い
温度にされる指状の突起部を有し、この突起部に冷却す
べき検出器が設りられ、この突起部は壁によって囲まれ
、この壁と突起部とで密閉空間を形成している。その壁
の検出器に面し/こ部分にtま、検出すべき光に対して
透明な物質でできた窓が設けられている。さらに密閉空
間り1、冷却突起部の周囲における熱植失をさけるため
、通常;1?ノンピング管継手を介し7て41(、空に
される。
従来の装置^でtj:、玲却突rシd部は通常ガラスで
作られ、外壁t、J−ガラスまたは金属で作られでいる
。ガラスを用いることには問題がある。メjラスは熱い
時に&J: ’rtJ銀性があるlξめに、2つの部品
を−gKして牡をするときに簡単に変形し、iF、 4
:#=な大きさを得ることt」、困))((でム。加え
て、ガラスを機械工作【7たり、みがいたりするのは細
心の好意を必要とする操作である。それ故、夕1.11
111の壁が適切な位1iKある冷却装置を低価格で作
ることtJ−困難である。したがって、冷却装置を止1
i(Iiな位仇におくだめの伺属部品を用いることが必
要となる。このため、通常、冷却装置“す、11、その
外側の壁に適合する正確な機械部品の中に股(Piされ
る。しかしこの機械部品のため全体の重さや占有i1積
が増大する。
作られ、外壁t、J−ガラスまたは金属で作られでいる
。ガラスを用いることには問題がある。メjラスは熱い
時に&J: ’rtJ銀性があるlξめに、2つの部品
を−gKして牡をするときに簡単に変形し、iF、 4
:#=な大きさを得ることt」、困))((でム。加え
て、ガラスを機械工作【7たり、みがいたりするのは細
心の好意を必要とする操作である。それ故、夕1.11
111の壁が適切な位1iKある冷却装置を低価格で作
ることtJ−困難である。したがって、冷却装置を止1
i(Iiな位仇におくだめの伺属部品を用いることが必
要となる。このため、通常、冷却装置“す、11、その
外側の壁に適合する正確な機械部品の中に股(Piされ
る。しかしこの機械部品のため全体の重さや占有i1積
が増大する。
さらに、検出器は、冷却装置内にある検出器の斂だけの
tl:線により、処(、+1 =lξ問に接続さJする
。この14.線乞j1、冷却装置の密閉?と間の気’/
’l? l;lを(%:もつつ通さなIt)れIt’、
f ltらない。これは、突起部と外側の)l、% 7
j形成゛Iるλつの部品間の密遥nl(分に通したり、
外111のJ(Yのガラスや金ハに直接通したりするよ
うな多くの方法でなされている。密ン高部分に通゛ナー
介には、通常、1pリイミ1゛でできた伺加的な絶縁部
品を使う必要がある。宵、 糸rs ttこの絶縁部品
に埋め込まれる。さらに、電気的に44〕絡するのを防
止“J−る〆こめし0畢Jilnllのすきまd、十分
なくて社ならず、この/ヒめ、出力線の<Q &J:突
起部の外周長さの関数で制限される。さらにnこ、金属
の壁f、頁jσ;さぜる1μ合には、金1(1幕の11
1.線t」ガラス玉を貫通さぜ、樟から絶Hする。ごの
ようにこれらの部品があるたゲ)、冷却装置の大きさは
増大し、出方端子数が制限される。
tl:線により、処(、+1 =lξ問に接続さJする
。この14.線乞j1、冷却装置の密閉?と間の気’/
’l? l;lを(%:もつつ通さなIt)れIt’、
f ltらない。これは、突起部と外側の)l、% 7
j形成゛Iるλつの部品間の密遥nl(分に通したり、
外111のJ(Yのガラスや金ハに直接通したりするよ
うな多くの方法でなされている。密ン高部分に通゛ナー
介には、通常、1pリイミ1゛でできた伺加的な絶縁部
品を使う必要がある。宵、 糸rs ttこの絶縁部品
に埋め込まれる。さらに、電気的に44〕絡するのを防
止“J−る〆こめし0畢Jilnllのすきまd、十分
なくて社ならず、この/ヒめ、出力線の<Q &J:突
起部の外周長さの関数で制限される。さらにnこ、金属
の壁f、頁jσ;さぜる1μ合には、金1(1幕の11
1.線t」ガラス玉を貫通さぜ、樟から絶Hする。ごの
ようにこれらの部品があるたゲ)、冷却装置の大きさは
増大し、出方端子数が制限される。
特ニ赤外線検出器&:l: tすまず携帯用機器におい
C用いられて・16す、冷却装置Nの大き濾と■1jさ
をで −きるだけ小さく 1.ようとする試みが凌さ
れている。
C用いられて・16す、冷却装置Nの大き濾と■1jさ
をで −きるだけ小さく 1.ようとする試みが凌さ
れている。
したがって本発明の第1の目的な」1、従来の装置に比
べ“C小型の光検出器用冷却装置を提供することにある
。
べ“C小型の光検出器用冷却装置を提供することにある
。
本発明の81!Jの目的に、伺加的な位的自、ヒ用部品
を必要としない光検出器用冷却装置を提供することにあ
る。
を必要としない光検出器用冷却装置を提供することにあ
る。
本発明の第3の目的は、比較的高く安定した真築度が得
られるだめに小型にもかかわらず長い寿命を有する光検
出器用冷却装置を4J′X:供することにを)る。一 本発明の第1の1〕的t、j5、多数の出力IIi!i
lを設けることができ、その結果多数の光検出器を冷却
することのできる光検出器用小型冷却装置i?jを提供
−j−ることにある。
られるだめに小型にもかかわらず長い寿命を有する光検
出器用冷却装置を4J′X:供することにを)る。一 本発明の第1の1〕的t、j5、多数の出力IIi!i
lを設けることができ、その結果多数の光検出器を冷却
することのできる光検出器用小型冷却装置i?jを提供
−j−ることにある。
したがっで本発明に」これば、装置な形成・ノる種りの
部品が機わ成約に安定しlc性質を有し、正確な機械工
作や成型がTiJ能寿物質からできている冷却装置が提
供される。
部品が機わ成約に安定しlc性質を有し、正確な機械工
作や成型がTiJ能寿物質からできている冷却装置が提
供される。
本発明による光検出器用小型冷却装置Nは、一端に少な
くともひとつの光検出器:が固定され極めて低侃、にさ
れる指状の突起部と、真空密閉空間を形成゛j−る4L
うにQl、l H+、’突起+t11を11ソリ囲むタ
ロG′と、検IJJ−ノ“べき−)Y:線に対して透明
l物質で作られ前記)″r:検出器に而1/ yt s
、+;sに固定@I+/ね窓とを備え、前記突起部n1
低い熱伝層性を41し、すきまのない寸たtJ、判気ネ
れ/(セラミックで作られ、′J113台へ’11T、
気的導線を:1「jずように密閉され、このJll・台
3、j4、前記突起部とは#9′同じ熱膨張係数の機械
的加工精度のよいt1々H41Oから作られ、前nL基
α上に、前記密閉空間の前N12外壁が設りられている
ことを特徴とする・突起部を形成する十ラミックとして
は、苦土撤(重石(forr、torite )、ジル
コニア(zirconta)、ノ・ライト(mu:l’
i1.te )、スラ゛′アタイト(FIteatj、
to )がある。多(1,、l/、1セラミ、りのQ3
自には、エナメル引きによりすき−まがなくされる。
くともひとつの光検出器:が固定され極めて低侃、にさ
れる指状の突起部と、真空密閉空間を形成゛j−る4L
うにQl、l H+、’突起+t11を11ソリ囲むタ
ロG′と、検IJJ−ノ“べき−)Y:線に対して透明
l物質で作られ前記)″r:検出器に而1/ yt s
、+;sに固定@I+/ね窓とを備え、前記突起部n1
低い熱伝層性を41し、すきまのない寸たtJ、判気ネ
れ/(セラミックで作られ、′J113台へ’11T、
気的導線を:1「jずように密閉され、このJll・台
3、j4、前記突起部とは#9′同じ熱膨張係数の機械
的加工精度のよいt1々H41Oから作られ、前nL基
α上に、前記密閉空間の前N12外壁が設りられている
ことを特徴とする・突起部を形成する十ラミックとして
は、苦土撤(重石(forr、torite )、ジル
コニア(zirconta)、ノ・ライト(mu:l’
i1.te )、スラ゛′アタイト(FIteatj、
to )がある。多(1,、l/、1セラミ、りのQ3
自には、エナメル引きによりすき−まがなくされる。
基台も七ラミックで作られることが望捷しい。
この、1箱合は、突起部と基台との間での鉱物による密
閉が容易におこ々える。
閉が容易におこ々える。
本発明の仙の特徴によれば、基台の外周輪郭が位IK1
合せ手段として用いられる。この輪郭は多角形や回転形
状であり位(4合せ用手段を有することが望オしい。
合せ手段として用いられる。この輪郭は多角形や回転形
状であり位(4合せ用手段を有することが望オしい。
本発明の他のl特徴によれば、導線が突起部に、塗装や
融りた金属中への投入やディッピングや真空蒸着により
直接設けられている。導線の位■合せを容易にするため
に、突起部の外側表面にみぞが形成される。
融りた金属中への投入やディッピングや真空蒸着により
直接設けられている。導線の位■合せを容易にするため
に、突起部の外側表面にみぞが形成される。
本発明のさらに他の特徴によれば、外壁は、基台とを1
に同じ熱膨張係数を有する、セラミックまたは金属また
は合金で作られる。合金には、Ko〜var(商品名)
や])j、IVer P (商品名)のような鉄−ニッ
ケルを主成分とした合金を用いることが望ましい。
に同じ熱膨張係数を有する、セラミックまたは金属また
は合金で作られる。合金には、Ko〜var(商品名)
や])j、IVer P (商品名)のような鉄−ニッ
ケルを主成分とした合金を用いることが望ましい。
インジウノ・線またはインジウノ、項を流すことに↓す
l)られる気密t(を用い−C1外壁は基台」二に気密
性よく設りられる。
l)られる気密t(を用い−C1外壁は基台」二に気密
性よく設りられる。
以下図示の実施例に基づいて本発明を説明する。
まず第1図、第2図に示−J゛ように、参照番号/は、
非常に低い温度にされる指状の突起部を示している。本
発明によれは、突起部/は、例えN71:、名士1敢1
’1i、石(foreterite )1.)ルコニア
(zirConia)、ムライト(mu’il:Lte
)、スデアタイl−(eteatite)のような熱
体りt性が低く、空気を通さないセラミ、りで作られる
。しかし、突起部/fま、例えばエナメル引きすること
により空気を通さなくしだ多孔性のセラミックで作るこ
ともできる。図示するように、突起部/り」主円柱部を
有し、この主円柱部にtit冷却器(図示せず)5L・
入れる穴コが形成されている。冷却器は、ジュールトノ
・ソン膨張ゾローブのような既知のどん疫冷却器でもよ
い。主円柱部の両端のうちの−9;1晶は広くなって円
錐形状をしており、仙9!+、iは底すなわち台弘によ
り閉じられており、光検出器jtま台グの上に設りられ
ている。
非常に低い温度にされる指状の突起部を示している。本
発明によれは、突起部/は、例えN71:、名士1敢1
’1i、石(foreterite )1.)ルコニア
(zirConia)、ムライト(mu’il:Lte
)、スデアタイl−(eteatite)のような熱
体りt性が低く、空気を通さないセラミ、りで作られる
。しかし、突起部/fま、例えばエナメル引きすること
により空気を通さなくしだ多孔性のセラミックで作るこ
ともできる。図示するように、突起部/り」主円柱部を
有し、この主円柱部にtit冷却器(図示せず)5L・
入れる穴コが形成されている。冷却器は、ジュールトノ
・ソン膨張ゾローブのような既知のどん疫冷却器でもよ
い。主円柱部の両端のうちの−9;1晶は広くなって円
錐形状をしており、仙9!+、iは底すなわち台弘によ
り閉じられており、光検出器jtま台グの上に設りられ
ている。
−具体例によれは、台グは、J、2 X Jj素子から
なるモザイク状の検出器′f:載せることができ、有効
直径がψ〜j窮である。冷却器により非常に低温にされ
る台グQ:1、速やかに熱を伝導しなけれd:ならない
。それ故、台グは、突起部/の熱膨張係数と適合する熱
膨張係数を有する、良orな熱伝導物質でできている。
なるモザイク状の検出器′f:載せることができ、有効
直径がψ〜j窮である。冷却器により非常に低温にされ
る台グQ:1、速やかに熱を伝導しなけれd:ならない
。それ故、台グは、突起部/の熱膨張係数と適合する熱
膨張係数を有する、良orな熱伝導物質でできている。
したがっ゛C1台471よ、白金やtljlやモリブデ
ン等の金属や、アルミナ、酸化4リリ9ム等のセラミッ
クで作られることが望マしい。
ン等の金属や、アルミナ、酸化4リリ9ム等のセラミッ
クで作られることが望マしい。
さらに台pは、適したエナメルやガラスセラミックによ
り、突起部/の円柱部にびっだり掴をするよう処して固
定される。
り、突起部/の円柱部にびっだり掴をするよう処して固
定される。
本発明のもうひとつの特徴によれば、突起部/上に導線
列6が直接設けられている。この導線列6は、冷却適れ
た台グがら円o1c形状部/′へ、すなわち冷却装置の
外側へ延びている。この導線列ぷりま図と異なるように
形成してもよい。この導線列6を形成するための種りの
方法は、図示してこのあと説明する。
列6が直接設けられている。この導線列6は、冷却適れ
た台グがら円o1c形状部/′へ、すなわち冷却装置の
外側へ延びている。この導線列ぷりま図と異なるように
形成してもよい。この導線列6を形成するための種りの
方法は、図示してこのあと説明する。
突起部/の全外表面」二に導体Wi衾堆積させることに
より、導線列tを形成°することができる。この導体層
は、例えば真空蒸着により得られた?It!膜により形
成してもよいし、塗装や融けた金属中への投入やシルク
スクリーン印刷用のペーストへのディッピングにより得
られた19膜により形成してもよい。それから、導線列
6は、この導体R4を、機械的加工したり、レーザ力1
げしたり、先のとがった固い過具で線を引いたり、さら
に写真蝕刻したりすることにより形成される。
より、導線列tを形成°することができる。この導体層
は、例えば真空蒸着により得られた?It!膜により形
成してもよいし、塗装や融けた金属中への投入やシルク
スクリーン印刷用のペーストへのディッピングにより得
られた19膜により形成してもよい。それから、導線列
6は、この導体R4を、機械的加工したり、レーザ力1
げしたり、先のとがった固い過具で線を引いたり、さら
に写真蝕刻したりすることにより形成される。
他の具体例によれば導線列7 fJ、マスクを通したR
空蒸着により、あるいd、スリヅトを通した真空蒸着に
より14′Iることができる。後者の方法によれば、導
線のピッチを変化させることができ、望むならば、ni
紗の導線を並列させてより広い導線を形成する゛ことが
できる。この方法ではスリットは固5? i!i持され
て、突起部/がA空蒸着を終了するたびに例えはスラッ
ピングモーフで回転するようにすることが望ましい。
空蒸着により、あるいd、スリヅトを通した真空蒸着に
より14′Iることができる。後者の方法によれば、導
線のピッチを変化させることができ、望むならば、ni
紗の導線を並列させてより広い導線を形成する゛ことが
できる。この方法ではスリットは固5? i!i持され
て、突起部/がA空蒸着を終了するたびに例えはスラッ
ピングモーフで回転するようにすることが望ましい。
さらに導線列乙にWlする他の具体例によれば、突起部
/の、少なくとも導線が設けられている部分にO」みそ
“7が形成されている。これらのみそのひとつtよ、第
2図に、破線で示されている。みぞ7d4、分、セ造寸
たは機械油1:により形成される。望ましくは、これら
のみぞ7の幅(]、導線の幅に一致しており、みぞ7の
ピッチは導線列6のピッチに一致している方がよい。2
〜10Bntの)9さを有する、シルクスクリーン印刷
用の厚膜や、例えシ」′真空蒸着によるクロシラノ・−
金書膜tJ、冷却される突起部/上に形成される。凸部
」二に形成された導体層はグラインダや布やすりによる
加]−によりtよがされる。
/の、少なくとも導線が設けられている部分にO」みそ
“7が形成されている。これらのみそのひとつtよ、第
2図に、破線で示されている。みぞ7d4、分、セ造寸
たは機械油1:により形成される。望ましくは、これら
のみぞ7の幅(]、導線の幅に一致しており、みぞ7の
ピッチは導線列6のピッチに一致している方がよい。2
〜10Bntの)9さを有する、シルクスクリーン印刷
用の厚膜や、例えシ」′真空蒸着によるクロシラノ・−
金書膜tJ、冷却される突起部/上に形成される。凸部
」二に形成された導体層はグラインダや布やすりによる
加]−によりtよがされる。
上述の場合、光検出器jの出力端は、超音波はんだやマ
スクを介しての真空蒸着により、導線列乙に直接、接続
される。さらに後述するように、冷却後後置の出力りh
lに導線列6を結合させるために伺加的絶縁部品を用い
る必要tまない。
スクを介しての真空蒸着により、導線列乙に直接、接続
される。さらに後述するように、冷却後後置の出力りh
lに導線列6を結合させるために伺加的絶縁部品を用い
る必要tまない。
本発明の冷却装置i、11よ、突起部/を取り囲む外壁
εを有し、この外壁l上であって光検出器、tK面する
部分に窓りが設けられている。窓りは検出すべき放射線
に対して透明な物rv4で作られる。外壁g(」1円1
’+<:状部により形成され、その−)端に窓2を設り
るための甲状の内側係止部g′が形成されている。外壁
ざの他GEM f;+、突起部/に密封された基台10
J:、に設けられ、これらの部品により7F、空吸引す
ることができる密閉空間カリ1ネ成される。基台10は
スリーブ形状Sニジ−T:おり、その中の穴t:1.1
1jlt’i1部/グと、突起部/の円S形彷部/′げ
−11−する円(イ1形状部/のこ〃っでおり、内硬形
状部7′に正f(cに合致するつ本発明によit゛げ、
基台’10fJ、電気的絶縁物質で作られ、この物質e
J、安定してi1席な機械的加工I11:を有し、その
熱膨張係数V:t:突81!己部/と同じでおる。した
がって基台10はセラミック、望ま(−くけ突起部/と
同じセラミックで作られる。基台lθは突起部/の円錐
形状部/′にエナメル寸たはガラスセラミックに、しり
密封される円φ11形状部/に伸びたN9線列乙に手を
つけることなく密封される。このように導線列乙はこの
密刊部を目通する。
εを有し、この外壁l上であって光検出器、tK面する
部分に窓りが設けられている。窓りは検出すべき放射線
に対して透明な物rv4で作られる。外壁g(」1円1
’+<:状部により形成され、その−)端に窓2を設り
るための甲状の内側係止部g′が形成されている。外壁
ざの他GEM f;+、突起部/に密封された基台10
J:、に設けられ、これらの部品により7F、空吸引す
ることができる密閉空間カリ1ネ成される。基台10は
スリーブ形状Sニジ−T:おり、その中の穴t:1.1
1jlt’i1部/グと、突起部/の円S形彷部/′げ
−11−する円(イ1形状部/のこ〃っでおり、内硬形
状部7′に正f(cに合致するつ本発明によit゛げ、
基台’10fJ、電気的絶縁物質で作られ、この物質e
J、安定してi1席な機械的加工I11:を有し、その
熱膨張係数V:t:突81!己部/と同じでおる。した
がって基台10はセラミック、望ま(−くけ突起部/と
同じセラミックで作られる。基台lθは突起部/の円錐
形状部/′にエナメル寸たはガラスセラミックに、しり
密封される円φ11形状部/に伸びたN9線列乙に手を
つけることなく密封される。このように導線列乙はこの
密刊部を目通する。
j]“こ、窓9tまグルマニウノ・で作られることが望
ましい。窓りtJ、外壁gの係lE部g′に通常の方法
で%Iiτ閉接着し、でもよい。しかし後述するように
インジツ、/−糾を用い゛にの係止部g′に窓Pを密閉
後πて一ノ“ることか望寸しい。基台IOにも密閉接着
される外壁gは、窓りと基台10と同じ熱膨張係数の物
質 ′で作られなりれけならない。これらの部品間
の密閉は後述する」:うに冷却時になされるが、はとん
どの場合、使用条f;は、一般的には−qO°Cから+
7(2°Cの広い需1度範囲内でW;閉性を保持した゛
ま虜装置6が1lil+作しなし〕れν」々らグいとい
うものでおる。
ましい。窓りtJ、外壁gの係lE部g′に通常の方法
で%Iiτ閉接着し、でもよい。しかし後述するように
インジツ、/−糾を用い゛にの係止部g′に窓Pを密閉
後πて一ノ“ることか望寸しい。基台IOにも密閉接着
される外壁gは、窓りと基台10と同じ熱膨張係数の物
質 ′で作られなりれけならない。これらの部品間
の密閉は後述する」:うに冷却時になされるが、はとん
どの場合、使用条f;は、一般的には−qO°Cから+
7(2°Cの広い需1度範囲内でW;閉性を保持した゛
ま虜装置6が1lil+作しなし〕れν」々らグいとい
うものでおる。
その結果、外壁ざQ」、−1−、ラミックや、白金のよ
うな金屑や、Kove、r(商品名)、1)ilvnr
P (商品名)゛のよすな鉄−ニッケルを主成分とし
た合金で作られる。ある(ハ合にt」、外jlrf f
−:I:、1tマ、磁シールドされた検出器を411供
するプこめに、磁気的金属または合金で作られる。
うな金屑や、Kove、r(商品名)、1)ilvnr
P (商品名)゛のよすな鉄−ニッケルを主成分とし
た合金で作られる。ある(ハ合にt」、外jlrf f
−:I:、1tマ、磁シールドされた検出器を411供
するプこめに、磁気的金属または合金で作られる。
また、基t−:10ii、fW+η5に機械加工や四端
ができ、機械的N’i’f度がだせる物質で作られるの
で、冷却装置の軸力111目dよび回転方向の位11h
゛決め手段とじて基台IOを用いることかできる。簡単
に位置決めするltめには、基台ioの外層輪郭10/
//を円1v1)形にし、ノツチまたr;]ニスリット
のような指ij’g部(図示せず)を設ける。しかし、
基台/θのこの部分の形状&よ、多角形や、ブビ円形や
他のどんな回転形状にも変更しうろことtJ尚業渚にと
っで明らかである。
ができ、機械的N’i’f度がだせる物質で作られるの
で、冷却装置の軸力111目dよび回転方向の位11h
゛決め手段とじて基台IOを用いることかできる。簡単
に位置決めするltめには、基台ioの外層輪郭10/
//を円1v1)形にし、ノツチまたr;]ニスリット
のような指ij’g部(図示せず)を設ける。しかし、
基台/θのこの部分の形状&よ、多角形や、ブビ円形や
他のどんな回転形状にも変更しうろことtJ尚業渚にと
っで明らかである。
まブヒ、基台10に設りられだ穴12内には少な(とも
ひとつゲッタ/lがそなえつけられている。ゲッタ/l
の目的は、それが活性状態のどきは、主に突起部/と基
台10と外環ざとで形成された密閉部分内の真空をにイ
1持することである。寸だ、J木の導線が基台10」二
に形成され、ゲッタ//の’yW子Ciジュール効果に
よるその活性化だめタ1都電、源に接続されている5゜
ゲッタ//f」穴7.2の中に、エナメルまたはシルク
スクリーン印刷用ベーストを用いることにより固着され
る。このベーストによれシ、)′、固着に加え又、導線
と端子との間の?lj、気的接触もなされる。
ひとつゲッタ/lがそなえつけられている。ゲッタ/l
の目的は、それが活性状態のどきは、主に突起部/と基
台10と外環ざとで形成された密閉部分内の真空をにイ
1持することである。寸だ、J木の導線が基台10」二
に形成され、ゲッタ//の’yW子Ciジュール効果に
よるその活性化だめタ1都電、源に接続されている5゜
ゲッタ//f」穴7.2の中に、エナメルまたはシルク
スクリーン印刷用ベーストを用いることにより固着され
る。このベーストによれシ、)′、固着に加え又、導線
と端子との間の?lj、気的接触もなされる。
第、1図にrJ、窓りを夕11+iYiざの係止部ざ′
に密封接着すること、外J、+Irgに基台10を密刊
接是することが示、さり、−tいる。この密−J’J接
着は、゛まず玲却時に、インジウムめ1を非常に狭いず
き′まに入れることに上りなされる、窓りの場合にt」
、外壁gの係止部ざ′に対−ノ゛る祥りの位置合−U後
、イン、ノウム;陳/3を窓9と外4+Bgとのmlの
現状のすきまに挿入し、挿入物ioをイン、ジウ入線l
J上しこ位1炸合せし、挿入物/りに圧力を加える。す
ると・イン・ジウム線/3はフィルノ、/、1−に変化
し、第3図の右側部分に示すように、押入物/4’と窓
りと係止部g′との間の全てのすきまを少−だ−J。
に密封接着すること、外J、+Irgに基台10を密刊
接是することが示、さり、−tいる。この密−J’J接
着は、゛まず玲却時に、インジウムめ1を非常に狭いず
き′まに入れることに上りなされる、窓りの場合にt」
、外壁gの係止部ざ′に対−ノ゛る祥りの位置合−U後
、イン、ノウム;陳/3を窓9と外4+Bgとのmlの
現状のすきまに挿入し、挿入物ioをイン、ジウ入線l
J上しこ位1炸合せし、挿入物/りに圧力を加える。す
ると・イン・ジウム線/3はフィルノ、/、1−に変化
し、第3図の右側部分に示すように、押入物/4’と窓
りと係止部g′との間の全てのすきまを少−だ−J。
外IJ^gを411台/θに密JF、I接着するために
は、基台10e形成〜するスリーブの外面がdつの・\
こみ/6゜/7を形成′するように、機械加工′まプヒ
けi4i造される。
は、基台10e形成〜するスリーブの外面がdつの・\
こみ/6゜/7を形成′するように、機械加工′まプヒ
けi4i造される。
へこみ/A 、 /?のうち内l1111のへこみ16
は、夕1j廣gの厚さとはI五層じIMを有する。リン
グ/g11:Jへこみ/7−にに設けられ、みぞを形成
−ノーる。それから吸引して構成体を焼いプC後7(空
フレーム中に設りられた、外壁f&まこのみぞしく挿入
され圧力が加えられる。
は、夕1j廣gの厚さとはI五層じIMを有する。リン
グ/g11:Jへこみ/7−にに設けられ、みぞを形成
−ノーる。それから吸引して構成体を焼いプC後7(空
フレーム中に設りられた、外壁f&まこのみぞしく挿入
され圧力が加えられる。
その結果、インジウム線の、フイルノ、状に変化し、リ
ング/8とへこみ/1.と基台IOとの間の全てのすき
まをみブこす。
ング/8とへこみ/1.と基台IOとの間の全てのすき
まをみブこす。
このJ、うしく、非′爪に小宴いりれども多数の出力芹
1を有)る冷却装置1?Jがイ1ノられる。−J’j、
体側として、−・直径が/ハ〃、で長さがり0mM、す
、下で、71.の出力端を有する冷却装置11”がある
。
1を有)る冷却装置1?Jがイ1ノられる。−J’j、
体側として、−・直径が/ハ〃、で長さがり0mM、す
、下で、71.の出力端を有する冷却装置11”がある
。
1だ、本発明の冷却装置め、し、低価格で、簡単で、コ
ンパクトで、ilE +:缶であるという利点を41す
る。
ンパクトで、ilE +:缶であるという利点を41す
る。
本発明の冷7.11装(蝕によれば、既ケ11の装置の
性能を改良できることの、当契者に、理解できるであろ
う。
性能を改良できることの、当契者に、理解できるであろ
う。
これは特に赤外線を用いる宜庭用装置1へ1や携帯用赤
外i1?+iプノメラに用いろことができるはかりでな
く、小型の冷却される検出器を必要とする装置であれは
どんなものにも用いることがで六る。
外i1?+iプノメラに用いろことができるはかりでな
く、小型の冷却される検出器を必要とする装置であれは
どんなものにも用いることがで六る。
’l−図面(7)l¥ri llj すt’、lp、明
第1Ii′!!lは本発明による冷却装置の一部を切り
取った余1.4.F、!図、 第λ図e」同冷却装置M?の縦断面図、第3図は同冷却
装置1?の基台と外壁、外壁と窓の密捌接着時のHgi
面図である。
第1Ii′!!lは本発明による冷却装置の一部を切り
取った余1.4.F、!図、 第λ図e」同冷却装置M?の縦断面図、第3図は同冷却
装置1?の基台と外壁、外壁と窓の密捌接着時のHgi
面図である。
/・・・突起部、λ・・・穴、弘・・・台、!・・・ブ
(:検出器、t・・・漕体列、7・・・みぞ、ざ・・・
外壁、り・・グ?、10・基台、/ハ・・ゲ1.夕、/
2・・・穴、八7・・・インジウム線、llj・・・挿
入物、/S・・・フィルム、/A、/7・・・へこミ、
/g・・・リング。
(:検出器、t・・・漕体列、7・・・みぞ、ざ・・・
外壁、り・・グ?、10・基台、/ハ・・ゲ1.夕、/
2・・・穴、八7・・・インジウム線、llj・・・挿
入物、/S・・・フィルム、/A、/7・・・へこミ、
/g・・・リング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 /、低い熱伝導性を有する、すき棟のないまたは封気さ
れたセラミックで作られ、一端に少なくともひとつの光
検出器が固定され、極めて低温にされる指状の突起部と
、 真空密閉空間を形成するように前記突起部を取り囲む外
壁と、 検出すべき光線に対(−て透明な物質で作られ、前記光
検出器に面したnl(記外壁に固定された窓とを備え、 前記突起部は、基台へ電気的導線を通すように密封され
、この基台は1.前記突起部とほぼ同じ熱膨張係数の機
械的加工精度のよい物質から作られ、前記基台−ヒに、
前記密閉空間の前記外壁が設けられていることを特徴と
する光検出器用小型冷却装置。 J、/侍N’rNiV求の範囲第1現記i−トの装面°
において、前R1’、+突起部を形成するセラミックは
、苦土抛攬石、ジルコニア、ムライ)・、スデアタイト
から選ばれプヒものであることを重機(!ニする光検出
器用小型冷却装置6゜ 3、特¥F NN求の範囲第1.1n記載の装置Δにお
いて、前;11ユ突起部を形成するセラミックld、エ
ナメル引ぎにより・ノーきまかなくされた2多孔性セラ
ミックであることをIrI徴とする)′r、検出器用小
型冷却装置μ、。 グ、’l’!j訂請求のφiΣ囲第1珀記Nil!の装
a6′において、前記基台は士ラミックで作られたこと
を特徴とするう”(、検出器用小型冷却装置、。 j、/1:4i’l’ Hi’4求の範囲gr’r /
M fli:載(’) 装置n、IICオイテ、前記
基台の外側の輪郭シ;【、軸方向オdよび回転方向のイ
〜けh′合せ手段−2二して用いられでいることを特徴
とする光検出器用小型冷却装置。 6.特許請求の範囲第5項記載の装置において、前記外
側の輪郭tよ、多角形状または回転形状であり、位1n
含せ用指標を有ゴることf特徴とずる光検出器用小型冷
却装置W。 7.特許請求の範囲第1項記載の装置1イ、において、
前記f#線は、前記光検出器を支持している一端から装
置の外部へ、前記突起部表面上に直接、設けられている
ことを特徴とする光検出器用小型冷却装置。 ♂、I庁W1−請求の範囲my項記載の装置において、
前記突起部はみそを有していることを特徴とする光検出
器用小型冷却装置。 P、 /if許請求の範囲第1埴nc載の装置において
、前記外壁は、前記基台とはt丁同じ熱膨張係数を有す
るセラミックまたは金属゛まだは合金で作られているこ
とを1特徴とする光検出器用小型冷却装置。 10、 /l’¥W「請求の範囲第り項記載の装置にお
いて、前記金属またtよ前記合金f」1、磁性体である
ことを特徴とする光検出器用小型冷却装置1N。 //、特l1lr請求の範囲第2項記載の装置において
、1’itl Ri:合金は、鉄−ニッケルを主成分と
した合金であることをll′¥徴とする光検出器用小型
冷却装置6゜ /り特?’l梢求の範囲第1傾記載の装置tにおい“て
、前ij1タロh’f (!: nil記基台との間の
気密性および/または前記窓と前記外壁との間の気密性
は、インジウ六晶−オたtまインビウノ、環を流すこと
により達成していることを特徴とする光検出器用小型冷
却装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8212467A FR2530382B1 (fr) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | Dispositif cryostatique de faibles dimensions pour photodetecteurs |
FR8212467 | 1982-07-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5927595A true JPS5927595A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=9276034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58129275A Pending JPS5927595A (ja) | 1982-07-16 | 1983-07-15 | 光検出器用小型冷却装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4487037A (ja) |
EP (1) | EP0102262B1 (ja) |
JP (1) | JPS5927595A (ja) |
DE (1) | DE3372014D1 (ja) |
FR (1) | FR2530382B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0335271Y2 (ja) * | 1987-10-31 | 1991-07-25 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4565925A (en) * | 1983-08-10 | 1986-01-21 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Infrared detector dewar with all-Kovar leads, and method of making the same |
US4597175A (en) * | 1983-08-10 | 1986-07-01 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Method for making infrared detector dewar |
DE3337194A1 (de) * | 1983-10-13 | 1985-04-25 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Gehaeuse fuer ein optoelektronisches halbleiterbauelement |
FR2571128B1 (fr) * | 1984-10-02 | 1986-11-14 | Telecommunications Sa | Dispositif cryostatique pour photodetecteurs |
US4645931A (en) * | 1985-03-15 | 1987-02-24 | Honeywell Inc. | Detector dewar assembly |
US4833898A (en) * | 1987-01-07 | 1989-05-30 | Ford Aerospace & Communications Corporation | Multi-detector dewar |
JPH0766976B2 (ja) * | 1987-02-27 | 1995-07-19 | 三菱電機株式会社 | 赤外線検知器 |
US4918929A (en) * | 1987-07-01 | 1990-04-24 | Ford Aerospace Corporation | Multi-detector dewar |
US4876413A (en) * | 1988-07-05 | 1989-10-24 | General Electric Company | Efficient thermal joints for connecting current leads to a cryocooler |
FR2629912B1 (fr) * | 1988-08-05 | 1992-01-10 | Detecteurs Infrarouges Ste Fse | Dispositif de detection infra-rouge fonctionnant a basse temperature |
US4918312A (en) * | 1988-11-23 | 1990-04-17 | Santa Barbara Research Center | Dewar coldfinger |
JP2763355B2 (ja) * | 1989-12-06 | 1998-06-11 | 富士通株式会社 | 赤外線検知装置 |
US5017786A (en) * | 1989-12-19 | 1991-05-21 | Honeywell Inc. | V2 O3 protection for IR detector arrays against intense thermal radiation |
JPH0536995A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知器及び該検知器に用いられる内筒への配線パターンの形成方法 |
GB9617175D0 (en) * | 1996-08-15 | 1996-09-25 | Univ Aberdeen | Liquid gas cryostat |
FR3008825B1 (fr) * | 2013-07-18 | 2016-12-09 | Soc Francaise De Detecteurs Infrarouges - Sofradir | Doigt froid ameliore et dispositif de detection comportant le doigt froid |
RU183130U1 (ru) * | 2018-04-20 | 2018-09-12 | Акционерное общество "Московский завод "САПФИР" | Криостат для приемников излучения |
CN114353953B (zh) * | 2022-01-13 | 2024-04-12 | 浙江珏芯微电子有限公司 | 一种用于快速制冷的杜瓦冷头及红外探测器杜瓦组件 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3080542A (en) * | 1959-01-02 | 1963-03-05 | Santa Barbara Res Ct | Infrared detector and method of manufacture thereof |
US3259865A (en) * | 1964-01-06 | 1966-07-05 | Micro State Electronics Corp | Dewar for cryogenic cooling of solid state device |
US3358463A (en) * | 1966-07-15 | 1967-12-19 | Lockheed Aircraft Corp | Integrated superconducting magnetcryostat system |
DE1751051C3 (de) * | 1968-03-26 | 1974-01-03 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Kryostat mit einer Vakuumkammer |
US4059764A (en) * | 1968-08-13 | 1977-11-22 | Texas Instruments Incorporated | Multi-element infra red sensors |
US3851173A (en) * | 1973-06-25 | 1974-11-26 | Texas Instruments Inc | Thermal energy receiver |
US4206354A (en) * | 1976-07-09 | 1980-06-03 | Honeywell Inc. | Axial matrix Dewar |
US4118947A (en) * | 1977-05-19 | 1978-10-10 | Selenia-Industrie Elettroniche Associate S.P.A. | Low thermal loss cryogenic containers for infrared radiation detecting devices, with integrated feed-through connections |
US4325530A (en) * | 1978-03-02 | 1982-04-20 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Cryogenic structural support |
US4340405A (en) * | 1980-10-29 | 1982-07-20 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus and method for maintaining low temperatures about an object at a remote location |
-
1982
- 1982-07-16 FR FR8212467A patent/FR2530382B1/fr not_active Expired
-
1983
- 1983-07-04 EP EP19830401372 patent/EP0102262B1/fr not_active Expired
- 1983-07-04 DE DE8383401372T patent/DE3372014D1/de not_active Expired
- 1983-07-08 US US06/512,147 patent/US4487037A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-07-15 JP JP58129275A patent/JPS5927595A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0335271Y2 (ja) * | 1987-10-31 | 1991-07-25 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3372014D1 (en) | 1987-07-16 |
EP0102262B1 (fr) | 1987-06-10 |
EP0102262A1 (fr) | 1984-03-07 |
US4487037A (en) | 1984-12-11 |
FR2530382A1 (fr) | 1984-01-20 |
FR2530382B1 (fr) | 1985-06-07 |
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