JPS5924789A - 膨張床または沸騰床としての触媒の存在下における液相炭化水素の水素化処理法および装置 - Google Patents
膨張床または沸騰床としての触媒の存在下における液相炭化水素の水素化処理法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は流体仕込物の処理または水素化処理、さらに詳
細には炭化水素の脱金属、脱硫、水素化処理および転化
または水素化転化の方法および装置に関する。
細には炭化水素の脱金属、脱硫、水素化処理および転化
または水素化転化の方法および装置に関する。
本発明は例えば重質原油に由来する留出物、炭化水素の
常圧蒸留または減圧蒸留の残油の如き液体仕込物の接触
処理に特に応用し得るものであるが、これらの処理は、
一般に、固体の触媒床上で水素および／または水素に富
む混合ガスの存在下で行われるものであり、触媒は粒子
（押出し成形触媒、各種の形状の粒、球等・０・・ａ）
として用いられている。
常圧蒸留または減圧蒸留の残油の如き液体仕込物の接触
処理に特に応用し得るものであるが、これらの処理は、
一般に、固体の触媒床上で水素および／または水素に富
む混合ガスの存在下で行われるものであり、触媒は粒子
（押出し成形触媒、各種の形状の粒、球等・０・・ａ）
として用いられている。
このような接触処理に際しては、触媒毒の存在、コーク
スの形成、ある種の金属の沈積等・・・による、触媒の
しばしば急速な不活性化が認められる。
スの形成、ある種の金属の沈積等・・・による、触媒の
しばしば急速な不活性化が認められる。
この不活性化のために、触媒床の全部または一部の頻繁
な取替えが必要となる。
な取替えが必要となる。
本発明の方法においては、触媒の反応器外への取出しは
一般に定期的に、あるいは時には連続して、もしくは仕
込物の処理の完了時に行うものである。
一般に定期的に、あるいは時には連続して、もしくは仕
込物の処理の完了時に行うものである。
採用する触媒床の形式は所Ｍｉ！ＩＩＳ騰床（ｅｂｕｌ
ｌａｔｅｄｂ ｅ ｄ ） さらには膨張床（ｅｘｐ
ａｎｄｅｄ ｂｅｄ） と称される従来の形式のもの
である。触媒粒子の膨張は、ガスと一般に仕込物自身で
ある少なくとも１種の液体とのト行進行によって達成さ
れる。
ｌａｔｅｄｂ ｅ ｄ ） さらには膨張床（ｅｘｐ
ａｎｄｅｄ ｂｅｄ） と称される従来の形式のもの
である。触媒粒子の膨張は、ガスと一般に仕込物自身で
ある少なくとも１種の液体とのト行進行によって達成さ
れる。
ガスおよび液体の一定の表面流速以上では、当初は静ｄ
−状態の触媒床が膨張または拡散状態になり、触媒は定
常運動に動かされて反応器の内部において多少とも急速
に循環する。不法においては、静りｔ状態の触媒床に対
して約１０〜３０容積係、例えば１５容積係の膨張を達
成するように操作する。沸騰床の特徴は当業者に周知の
ものであるｆ例えば米国特許第２９８７４６５号参照）
ので、これ以上説明するのは不必要である。
−状態の触媒床が膨張または拡散状態になり、触媒は定
常運動に動かされて反応器の内部において多少とも急速
に循環する。不法においては、静りｔ状態の触媒床に対
して約１０〜３０容積係、例えば１５容積係の膨張を達
成するように操作する。沸騰床の特徴は当業者に周知の
ものであるｆ例えば米国特許第２９８７４６５号参照）
ので、これ以上説明するのは不必要である。
本発明による方法および本発明による装置は、クラッキ
ング、水素化クラッキング、水素化改質、芳香族炭化水
素製造、パラフィン族、ナフテン族または芳香族炭化水
素の異性化の各反応器からの触媒粒子の取出しゃ、水素
添加、脱水素、アルキル化、アルキル転移、水素化開環
、水素化脱アルキル、水素化処理、水素化ビスブレーキ
ング（１＋ｙｄｒｏｖｉｓｃｏｒｅｄｕｅｔｉｏｎ）等
・・・の諸反応にもまた適しているが、これらの反応器
においてはこれに注入された液体仕込物とガスが下から
−Ｌへと進むものである。
ング、水素化クラッキング、水素化改質、芳香族炭化水
素製造、パラフィン族、ナフテン族または芳香族炭化水
素の異性化の各反応器からの触媒粒子の取出しゃ、水素
添加、脱水素、アルキル化、アルキル転移、水素化開環
、水素化脱アルキル、水素化処理、水素化ビスブレーキ
ング（１＋ｙｄｒｏｖｉｓｃｏｒｅｄｕｅｔｉｏｎ）等
・・・の諸反応にもまた適しているが、これらの反応器
においてはこれに注入された液体仕込物とガスが下から
−Ｌへと進むものである。
液体とガスの混合物である流体仕込物を触媒粒子のはい
っている反応器または囲域の下部に設けたディストリビ
ューション装置によって、この反応器または囲域内へ導
入する。これは仕込物の処ｉ後反応器（あ４いは、本明
細書にお上行流）。
っている反応器または囲域の下部に設けたディストリビ
ューション装置によって、この反応器または囲域内へ導
入する。これは仕込物の処ｉ後反応器（あ４いは、本明
細書にお上行流）。
（移動床式の技術における）仕込物の下行循環の使用に
よる不都合は知られている。この場合、この仕込物は反
応器の下部に配置してあり、触媒床を支えている円筒形
のグレーティングを通して反応器の基部より排出される
。このような方法は、反応器の底部より排出される液体
仕込物が触媒粒子をこのグレーティングに押付け、この
ためにグレーティングが詰まるおそれがあるという不都
合を示すものである。その際、触媒の排出時におけるこ
の触媒床の若干の部域の閉塞を伴って、触媒内における
流体の不規則な配分、ならびに触媒床中の動きを阻止さ
れた粒子と拘束を受けていない粒子および拘束を受けて
いない触媒粒子と液体仕込物排出用グレーティングの間
の摩擦による触媒床の浸食の増大がその結果生じる。
よる不都合は知られている。この場合、この仕込物は反
応器の下部に配置してあり、触媒床を支えている円筒形
のグレーティングを通して反応器の基部より排出される
。このような方法は、反応器の底部より排出される液体
仕込物が触媒粒子をこのグレーティングに押付け、この
ためにグレーティングが詰まるおそれがあるという不都
合を示すものである。その際、触媒の排出時におけるこ
の触媒床の若干の部域の閉塞を伴って、触媒内における
流体の不規則な配分、ならびに触媒床中の動きを阻止さ
れた粒子と拘束を受けていない粒子および拘束を受けて
いない触媒粒子と液体仕込物排出用グレーティングの間
の摩擦による触媒床の浸食の増大がその結果生じる。
本発明によれば、沸騰床の技術を用いるが、これは触媒
上の分布および均質化を向上せしめ、触媒の取出しを容
易にするものである。
上の分布および均質化を向上せしめ、触媒の取出しを容
易にするものである。
本発明の目的は、さらにその上に、「沸騰床」の適切な
膨張を確実にすることを可能ならしめつつも、上述の不
都合をなくする如き技術を提供することである。この技
術は、本発明の対象たる種々の配置に従って、反応器の
全断面上に配分された複数の開口を経て、触媒床を支え
る壁の下に液体およびガスを注入するものである。
膨張を確実にすることを可能ならしめつつも、上述の不
都合をなくする如き技術を提供することである。この技
術は、本発明の対象たる種々の配置に従って、反応器の
全断面上に配分された複数の開口を経て、触媒床を支え
る壁の下に液体およびガスを注入するものである。
さらに詳細には、粉末状の固体粒子を概ね閉鎖された空
間より定期的に取出し、前記空間に液体とガス（一般に
水素）より成る流体仕込物を導入する方法によつ゛て、
この結果が得られるのである。前記の概ね閉鎖された空
間は実質的には細長い実質的に垂直な回転体（ｖｏｌｕ
ｍｅ ｄｅｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）の形態を有してお
り、固体粒子は囲域の上部に導入され、該囲域の下部に
おいて（膨張床として用いられた後）定期的にまたは処
理終了時に取出され、その間一方では流体仕込物が前記
囲域の下部において少なくとも一部、例えば連続して、
導入され、前記囲域内を下から−Ｌへ進んだ後に上部か
ら取出される。すなわち、固体粒子が、従って、前記囲
域の下壁に設けである、固体粒子の排出に適当な寸法の
少なくとも１個の開口を経て、該囲域の下端より定期的
に取出され、該下壁は実質的に水平で、実質的且つ規則
的に不連続、すなわち固体粒子が前記壁を通過するのを
阻止するに足るだけ小さいが、流体仕込物および水素の
上行流が穿孔を通過するのを可能にするに足るだけの大
きさを各々が有する、規則的に間隔を置いた、少なくと
も数個の穿孔が散在している方法であって、流体仕込物
が、本発明に独特の特殊な形状を有し、前記壁の下方に
位置する少−なくとも１飼のティストリビュージョン帯
域によって、前記囲域の下部に注入されることを特徴と
する方法である。
間より定期的に取出し、前記空間に液体とガス（一般に
水素）より成る流体仕込物を導入する方法によつ゛て、
この結果が得られるのである。前記の概ね閉鎖された空
間は実質的には細長い実質的に垂直な回転体（ｖｏｌｕ
ｍｅ ｄｅｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）の形態を有してお
り、固体粒子は囲域の上部に導入され、該囲域の下部に
おいて（膨張床として用いられた後）定期的にまたは処
理終了時に取出され、その間一方では流体仕込物が前記
囲域の下部において少なくとも一部、例えば連続して、
導入され、前記囲域内を下から−Ｌへ進んだ後に上部か
ら取出される。すなわち、固体粒子が、従って、前記囲
域の下壁に設けである、固体粒子の排出に適当な寸法の
少なくとも１個の開口を経て、該囲域の下端より定期的
に取出され、該下壁は実質的に水平で、実質的且つ規則
的に不連続、すなわち固体粒子が前記壁を通過するのを
阻止するに足るだけ小さいが、流体仕込物および水素の
上行流が穿孔を通過するのを可能にするに足るだけの大
きさを各々が有する、規則的に間隔を置いた、少なくと
も数個の穿孔が散在している方法であって、流体仕込物
が、本発明に独特の特殊な形状を有し、前記壁の下方に
位置する少−なくとも１飼のティストリビュージョン帯
域によって、前記囲域の下部に注入されることを特徴と
する方法である。
一例として、第１の型のディストリビューション帯域は
一般に、例えば、反応器の中に入り込む時には実質的に
水平または垂直である１本の主管路で出来て、おり、前
記管路は場合によっては少なくとも１本のエルボ−管と
なり、その末端（すなわち注入端）が、次いで、触媒床
を支える壁の下で実質的に垂直になるものである。
一般に、例えば、反応器の中に入り込む時には実質的に
水平または垂直である１本の主管路で出来て、おり、前
記管路は場合によっては少なくとも１本のエルボ−管と
なり、その末端（すなわち注入端）が、次いで、触媒床
を支える壁の下で実質的に垂直になるものである。
次に、この注入端は複数の分校（あるいはスポーク）に
さらに細かく分かれるが、これは例えば（少なくとも３
本の分枝あるいはスポークを有する）星形に配列され（
円環式ディストリビューション装置および配管網型）、
各々の分校は分校の全長に沿って（壁に面して、または
反対側に、あるいは分枝側に）適切に配置した数個のオ
リフィスを備えており、このオリフィスを経て流体が、
膨張式触媒床を形成するのに必要な乱流を生ぜしめる目
的で、混合相として注入されるものである。
さらに細かく分かれるが、これは例えば（少なくとも３
本の分枝あるいはスポークを有する）星形に配列され（
円環式ディストリビューション装置および配管網型）、
各々の分校は分校の全長に沿って（壁に面して、または
反対側に、あるいは分枝側に）適切に配置した数個のオ
リフィスを備えており、このオリフィスを経て流体が、
膨張式触媒床を形成するのに必要な乱流を生ぜしめる目
的で、混合相として注入されるものである。
本発明は先ず第１図〜第４図によって例示される。第１
図および第１Ａ図は所謂星形のディストリビューション
装置を１個だけ有する本発明による第１の装置を軸方向
の断面図および横断図として示すものである。
図および第１Ａ図は所謂星形のディストリビューション
装置を１個だけ有する本発明による第１の装置を軸方向
の断面図および横断図として示すものである。
第２図〜第４図は流体仕込物の導入手段のその他の種々
の実施方式を示すものであり、その目的は同様にガス・
液体の一層効果的な分散を達成することである。
の実施方式を示すものであり、その目的は同様にガス・
液体の一層効果的な分散を達成することである。
第１図および第１Ａ図は沸Ｓ移動床としての触媒による
処理装置の第１の実施方式を図式化して示すものである
。
処理装置の第１の実施方式を図式化して示すものである
。
反応器（１）は（新品あるいは再生の）新鮮触媒の導入
手段を上部に備えているが、同手段は触媒粒子を流し込
んでこれを触媒床（３）に供給する管路（２）として図
式化しである。
手段を上部に備えているが、同手段は触媒粒子を流し込
んでこれを触媒床（３）に供給する管路（２）として図
式化しである。
触媒は管路（４）によって定期的にあるいは処理の完了
時に反応Ｐ、、ｙｌｌｌの下部がら排出される。この排
出に必要なｍ数または複数のゲート弁は図に示していな
い。触媒は、反応器の作動期間中、１枚の壁によって反
応器内に保持されるが、この壁はここでは通常のグレー
ティング（５）である（これは適宜に「壁」または「グ
レーティング」と称する）。グレーティング（５）の穿
孔（６）は管路（７）を経てグレーティング（５）の高
さより下方に注入された液体仕込物とガスを通過せしめ
るが、触媒粒子を通過せしめない。
時に反応Ｐ、、ｙｌｌｌの下部がら排出される。この排
出に必要なｍ数または複数のゲート弁は図に示していな
い。触媒は、反応器の作動期間中、１枚の壁によって反
応器内に保持されるが、この壁はここでは通常のグレー
ティング（５）である（これは適宜に「壁」または「グ
レーティング」と称する）。グレーティング（５）の穿
孔（６）は管路（７）を経てグレーティング（５）の高
さより下方に注入された液体仕込物とガスを通過せしめ
るが、触媒粒子を通過せしめない。
従って、流体仕込物は少なくとも１個のディ入れられる
が、これには（水平、斜め、または垂直の、あるいはい
ずれかの適当な方式、例えばある種の工業用反応器にお
いては垂直の）管路（７）が備えである。管路（７）は
少なくとも１本の垂直の注入端（８）に仕込物を供給し
、これから、反応器（１）の横断図である第１Ａ図に示
すように、噴形に配置した分校（９）が放射状に出てい
る。
が、これには（水平、斜め、または垂直の、あるいはい
ずれかの適当な方式、例えばある種の工業用反応器にお
いては垂直の）管路（７）が備えである。管路（７）は
少なくとも１本の垂直の注入端（８）に仕込物を供給し
、これから、反応器（１）の横断図である第１Ａ図に示
すように、噴形に配置した分校（９）が放射状に出てい
る。
第１Ａ図においては、星形部（１ｏ）の各々の分校（９
）には、流体仕込物の反応帯域内への注入用にオリフィ
ス＋＋２＋ （穴またはスリットあるいは同じ型の穿孔
）が設けである。
）には、流体仕込物の反応帯域内への注入用にオリフィ
ス＋＋２＋ （穴またはスリットあるいは同じ型の穿孔
）が設けである。
２相（液相および気相）より成る流体仕込物は反応器内
を−Ｌ昇した後、反応器の上部において、第１％図では
管路（１１）として示しである収集および排出手段を介
して排出される。この手段は、例えば、排出管路に連結
した収集管より成る熊手の形態を有している。
を−Ｌ昇した後、反応器の上部において、第１％図では
管路（１１）として示しである収集および排出手段を介
して排出される。この手段は、例えば、排出管路に連結
した収集管より成る熊手の形態を有している。
第１図においては、管路（７）と注入端（８）と分校（
９）の全体を以て示しであるディストリビューション装
置（複数備える場合あり）は、実質的に水平の星形にな
っている。この第１図の場合においては、それぞれの分
校（９）のオリフィス（１２（第１Ａ図参照）は所要の
口径を有し、適切に配分してあり（上方、下方、高所お
よび側方）、流量の値の開きが大きい場合にもガスと液
体の一層効果的な拡散を確実に行うようになっている。
９）の全体を以て示しであるディストリビューション装
置（複数備える場合あり）は、実質的に水平の星形にな
っている。この第１図の場合においては、それぞれの分
校（９）のオリフィス（１２（第１Ａ図参照）は所要の
口径を有し、適切に配分してあり（上方、下方、高所お
よび側方）、流量の値の開きが大きい場合にもガスと液
体の一層効果的な拡散を確実に行うようになっている。
本発明において用い得る穿孔したディストリビューショ
ン装置のその他の型を第２図および第３図に示した。こ
の２つの図の各々において、ここでは水平になっている
送入用の管路（７）と少なくとも１本の注入端（８）と
様々の形状の分校（９）とがはっきりと区別される。こ
の分校（その傾斜は水平線に対して、例えば、θ〜４０
’の間に含まれておればよい）は、あるいは第２図にお
ける如く傾斜した分校を有する星形（またはコラモリ傘
の骨をひっくり返した形）が、あるいは第３図における
如く波形の分校を有する星形のいずれかを示している。
ン装置のその他の型を第２図および第３図に示した。こ
の２つの図の各々において、ここでは水平になっている
送入用の管路（７）と少なくとも１本の注入端（８）と
様々の形状の分校（９）とがはっきりと区別される。こ
の分校（その傾斜は水平線に対して、例えば、θ〜４０
’の間に含まれておればよい）は、あるいは第２図にお
ける如く傾斜した分校を有する星形（またはコラモリ傘
の骨をひっくり返した形）が、あるいは第３図における
如く波形の分校を有する星形のいずれかを示している。
第４図は分校（９）のオリフィス（１２）の考えられる
位置を示すものである。これらオリフィス１２１は第１
図におけるグレーティング（５）の表面の一切の個所で
穿孔（６）によって流体の小滴を触媒物質中に均質に侵
入せしめるへ（、流体のこれらの小滴を様々の方向（第
１図、第１Ａ図、第２図、第３図および第４図のすべて
において矢印ｆ１３１を以て示しである）に送出す目的
を有するものである。
位置を示すものである。これらオリフィス１２１は第１
図におけるグレーティング（５）の表面の一切の個所で
穿孔（６）によって流体の小滴を触媒物質中に均質に侵
入せしめるへ（、流体のこれらの小滴を様々の方向（第
１図、第１Ａ図、第２図、第３図および第４図のすべて
において矢印ｆ１３１を以て示しである）に送出す目的
を有するものである。
ディストリビューション装置の星形は３．４．５．６．
７．８本・・・またはそれ以上の分校あるいはスポーク
を備えておればよい。
７．８本・・・またはそれ以上の分校あるいはスポーク
を備えておればよい。
不法の今一つの改良は下記を特徴としている。
すなわち、ディストリビューション帯域（星形または然
らず）を経て注入した混合流体は、触媒床を支える壁に
向って進行し、この壁に達する前に、第５図に示す１つ
の空間（１８）をまず通る。
らず）を経て注入した混合流体は、触媒床を支える壁に
向って進行し、この壁に達する前に、第５図に示す１つ
の空間（１８）をまず通る。
この空間の−Ｌ部には混合流体の気相の大部分を通過せ
しめるに足るだけ大きいが、混合流体の液相の大部分の
通過を阻止するに十分なだけ小さいオリフィスが設けて
あり、前記の空間（１８）を通る垂直管を画する垂直の
壁が空間（１８）を貫通している。混合流体は前記空間
（１８）の内部で一方では気相に、他方では液相に分か
れるようになり、気相の大部分はこの空間（１８Ｉの前
記の上部のオリフィスを通って前記壁に到達し、液相の
大部分は前記空間を通過している前記壁の画する垂直筒
を通って進行した後、且つ触媒床の膨張に十分な乱流を
作り出し、流量の値の開きが大きい場合にもガスと液体
の一層効果的な分散を確保するために気相の大部分と（
空間の前記上部の前記垂直筒の上方において）再度混合
してから、前記壁に到達する。
しめるに足るだけ大きいが、混合流体の液相の大部分の
通過を阻止するに十分なだけ小さいオリフィスが設けて
あり、前記の空間（１８）を通る垂直管を画する垂直の
壁が空間（１８）を貫通している。混合流体は前記空間
（１８）の内部で一方では気相に、他方では液相に分か
れるようになり、気相の大部分はこの空間（１８Ｉの前
記の上部のオリフィスを通って前記壁に到達し、液相の
大部分は前記空間を通過している前記壁の画する垂直筒
を通って進行した後、且つ触媒床の膨張に十分な乱流を
作り出し、流量の値の開きが大きい場合にもガスと液体
の一層効果的な分散を確保するために気相の大部分と（
空間の前記上部の前記垂直筒の上方において）再度混合
してから、前記壁に到達する。
これに対応する装置の改良は下記に説明する通りである
が、１Ｍ１ＩＸの値の開きがさらに大きい場合にも、触
媒床を通る流体のさらに一層一様な分散を達成すること
を可能にして、その間触媒床の一層効果的なｒｌ臆Ｊを
確実にするものである。この改良は、第５図に示す通り
であって、反応器（１）の中に、沸騰床を支えるグレー
ティング（５は触媒は管路（４）によって取出す）と送
入用の管路（７）との間に円板として図示しである星形
または然らざるディストリビューション帯域の注入端（
８）とこれから導入した流体の液相の大部分を通過せし
めなくするのに十分なだけ小さく、かくて流体の気相の
大部分しか通過せしめないオリフィス（２０）を有する
追加のグレーティング（１４）（あるいはその他のあら
ゆる同様な手段）を配置するものである。連続した（す
なわち穿孔または透し目のない）例えば煙突の形をした
実質的に垂直の壁あるいは障壁が、このグレーティング
（１４１の下にグレーティング（１４）に支持されて概
ね規則的に配置してあり、しかしてその下端が反応器内
において十分に低く、概ねディストリビューション帯域
の注入端（８）よりは高い位置にあって、こうして空間
（１８）すなわち区画と垂直筒（Ｉ９）を画している。
が、１Ｍ１ＩＸの値の開きがさらに大きい場合にも、触
媒床を通る流体のさらに一層一様な分散を達成すること
を可能にして、その間触媒床の一層効果的なｒｌ臆Ｊを
確実にするものである。この改良は、第５図に示す通り
であって、反応器（１）の中に、沸騰床を支えるグレー
ティング（５は触媒は管路（４）によって取出す）と送
入用の管路（７）との間に円板として図示しである星形
または然らざるディストリビューション帯域の注入端（
８）とこれから導入した流体の液相の大部分を通過せし
めなくするのに十分なだけ小さく、かくて流体の気相の
大部分しか通過せしめないオリフィス（２０）を有する
追加のグレーティング（１４）（あるいはその他のあら
ゆる同様な手段）を配置するものである。連続した（す
なわち穿孔または透し目のない）例えば煙突の形をした
実質的に垂直の壁あるいは障壁が、このグレーティング
（１４１の下にグレーティング（１４）に支持されて概
ね規則的に配置してあり、しかしてその下端が反応器内
において十分に低く、概ねディストリビューション帯域
の注入端（８）よりは高い位置にあって、こうして空間
（１８）すなわち区画と垂直筒（Ｉ９）を画している。
流体のガス部分は、液相と気相の蓄積帯域（２２）およ
び空間（１８）よりなる分離ゾーンを通過した後、空間
（１８）およびオリフィス（２０）を通って大部分がグ
レーティング（５）に到達する（矢印＋１７１ ）。プ
レートまたはじゃま鈑（２１＋が垂直筒１９１の下端の
下方（およびディストリビューション装置の高さの上方
に）備えてあり、ディストリビューション帯域の注入端
（８）によって注入され、その進路が矢印（１３）を以
て具体的に示しである混合流体か空間すなわち区画（１
８）内に溜って液体とガスの蓄積帯域（２２）を作り出
すようにし、液体の大部分は垂直筒（１９）を通って吸
込まれる（進路は矢印（１６）を以て示しである）。従
って、上に説明した改良は流体仕込物のミキサーと分散
器の役を果たすものである。
び空間（１８）よりなる分離ゾーンを通過した後、空間
（１８）およびオリフィス（２０）を通って大部分がグ
レーティング（５）に到達する（矢印＋１７１ ）。プ
レートまたはじゃま鈑（２１＋が垂直筒１９１の下端の
下方（およびディストリビューション装置の高さの上方
に）備えてあり、ディストリビューション帯域の注入端
（８）によって注入され、その進路が矢印（１３）を以
て具体的に示しである混合流体か空間すなわち区画（１
８）内に溜って液体とガスの蓄積帯域（２２）を作り出
すようにし、液体の大部分は垂直筒（１９）を通って吸
込まれる（進路は矢印（１６）を以て示しである）。従
って、上に説明した改良は流体仕込物のミキサーと分散
器の役を果たすものである。
本発明に適合する方法および装置の別の改良であって、
これもまた流体仕込物のミキサーの役目を果たすものは
第６図に例示するようなものである。（この図において
は触媒取出用の管路（４）は示していない） この方法は、星形または然らざるディストリビューショ
ン帯域によって注入した混合流体を、ディストリビュー
ション帯域の間に相互に並置し且つ同帯域と触媒床を支
える実質的に水平の壁との間に設けた複数のハニーカム
層に通して進行せしめるものである。この方法は触媒床
の一様で均質な膨張を生せしめ、流量の値の開きが大き
い場合にガスと液体の一層効果的な分散を目的としてい
る。
これもまた流体仕込物のミキサーの役目を果たすものは
第６図に例示するようなものである。（この図において
は触媒取出用の管路（４）は示していない） この方法は、星形または然らざるディストリビューショ
ン帯域によって注入した混合流体を、ディストリビュー
ション帯域の間に相互に並置し且つ同帯域と触媒床を支
える実質的に水平の壁との間に設けた複数のハニーカム
層に通して進行せしめるものである。この方法は触媒床
の一様で均質な膨張を生せしめ、流量の値の開きが大き
い場合にガスと液体の一層効果的な分散を目的としてい
る。
第６図を参照して説明する。星形または然らざる（例え
ば、第６図における如（、’ｂｒｉｓｅ−ｊｅげ式（噴
流散らしアダプター）、すなわち矢印傷）が示す如く、
噴流を散らせて雨のようにする小さい板あるいはプレー
トを上方に備えた複数のオリフィスを有する注入管路型
）のディストリビューション装置の管路（７）によって
、反応器（１）内のグレーティング（５）およびそれの
穿孔（６）に向って注入した流体を、それ自身がプレー
トまたは反応器の形状に応じて種々の形（例えば円筒形
または方形等・・・）のハニーカム層の形をしており、
相互に締付けである一連のプレー ） ｆ２４１の構成
要素で出来ている。１種のワツフル焼型の如きハニーカ
ムすなわちプレート全体（２３）を通して循環せしめる
。普通は、各々の構成要素は表面に凸四があり、あるい
は筋がはいった、もしくは尚のある（英語の慣用語は’
ＣｏｒｒｕｇａＬｉｏｎｇ ”） プレートの形を
しており、（第７図中に示す如く）リブを有している。
ば、第６図における如（、’ｂｒｉｓｅ−ｊｅげ式（噴
流散らしアダプター）、すなわち矢印傷）が示す如く、
噴流を散らせて雨のようにする小さい板あるいはプレー
トを上方に備えた複数のオリフィスを有する注入管路型
）のディストリビューション装置の管路（７）によって
、反応器（１）内のグレーティング（５）およびそれの
穿孔（６）に向って注入した流体を、それ自身がプレー
トまたは反応器の形状に応じて種々の形（例えば円筒形
または方形等・・・）のハニーカム層の形をしており、
相互に締付けである一連のプレー ） ｆ２４１の構成
要素で出来ている。１種のワツフル焼型の如きハニーカ
ムすなわちプレート全体（２３）を通して循環せしめる
。普通は、各々の構成要素は表面に凸四があり、あるい
は筋がはいった、もしくは尚のある（英語の慣用語は’
ＣｏｒｒｕｇａＬｉｏｎｇ ”） プレートの形を
しており、（第７図中に示す如く）リブを有している。
全く同一のあるいは異なるプレートを、下部より上部に
到る複雑な（第８図に例示）連続した進行路を作り出す
ように、配列し、混合流体が多数のオリフィスを通って
上部に現われ、かくてグレーティング（５）を通って触
媒床に到達することを可能にし、その間ガスー液体仕込
物の正しい混合、従って触媒床の如何なる個所において
もこれの一様な効果的な沸臆が確実に生じるようにする
。第８図に示す如く、各々の構成要素において、流体の
道筋または進路は何度も２本の新しいｉｒｉ筋に分かれ
、この新しい道筋が今度は流体の他の進路に分かれて行
くのである。
到る複雑な（第８図に例示）連続した進行路を作り出す
ように、配列し、混合流体が多数のオリフィスを通って
上部に現われ、かくてグレーティング（５）を通って触
媒床に到達することを可能にし、その間ガスー液体仕込
物の正しい混合、従って触媒床の如何なる個所において
もこれの一様な効果的な沸臆が確実に生じるようにする
。第８図に示す如く、各々の構成要素において、流体の
道筋または進路は何度も２本の新しいｉｒｉ筋に分かれ
、この新しい道筋が今度は流体の他の進路に分かれて行
くのである。
プレートの全般の外観は第７図に見られるようなもので
あるが、これは適宜の金属または合金あるいはプラスチ
ック材を以て製作しである。
あるが、これは適宜の金属または合金あるいはプラスチ
ック材を以て製作しである。
市販のものもある（例えば’ ５ＵＬＺＥＲ’ ）。
上に説明した如く、本発明による方法および装置におい
ては、ｉ！Ｉｌｉ ＩＩＩ床における反応の発熱性を制
御するために、一般には冷水素および／または適切に選
択した液体（例えば、液体仕込物と同種の液体）を以て
、例えば反応帯域の入口あるいは出口において、また触
媒床の真中でも同様に、クウェンチ（急冷または冷却）
を行うことも可能であるが、この触媒床中で行う場合お
よび後者の場合、このようなりウエンチを実施するのに
用いる流体（例えば冷水素または冷液体）を、第１図〜
第４図の場合に先に説明した形式の星形または菱形ある
いは円筒形の少なくとも１個のディストリビューション
帯域を用いて注入するのが適切であることが立証されて
いるが、この際菱形または円筒形の°ディス） ＩＪビ
ュージョン装置の間の乱流、従ってクウエンチの効率を
向上せしめるように、これらを適切な間隔を置くものと
する。その他如何なる形でも、触媒の運動に逆らうこと
のない形状を用いればよいであろう。
ては、ｉ！Ｉｌｉ ＩＩＩ床における反応の発熱性を制
御するために、一般には冷水素および／または適切に選
択した液体（例えば、液体仕込物と同種の液体）を以て
、例えば反応帯域の入口あるいは出口において、また触
媒床の真中でも同様に、クウェンチ（急冷または冷却）
を行うことも可能であるが、この触媒床中で行う場合お
よび後者の場合、このようなりウエンチを実施するのに
用いる流体（例えば冷水素または冷液体）を、第１図〜
第４図の場合に先に説明した形式の星形または菱形ある
いは円筒形の少なくとも１個のディストリビューション
帯域を用いて注入するのが適切であることが立証されて
いるが、この際菱形または円筒形の°ディス） ＩＪビ
ュージョン装置の間の乱流、従ってクウエンチの効率を
向上せしめるように、これらを適切な間隔を置くものと
する。その他如何なる形でも、触媒の運動に逆らうこと
のない形状を用いればよいであろう。
第１図は水素化処理装置の垂直断面図、第１Ａ図は同装
置の水平断面図、第２図、第３図および第４図はディス
トリビューション装置の変形を示す垂直断面図、第５図
および第６図は水素化処理装置の下部の垂直断面図、第
７図はハニーカム層を示す概略図、第８図は流体の流れ
を示す概略図である。 （１）・・・反応器、（２）・・・管路（触媒導入手段
）、（３）・・・触媒床、（４）・・・管路、（５）・
・・グレーティング（壁またはグレーティング） 、
＋６１・・・穿孔（穿孔またはスリット） 、＋７１・
・・管路（流体導入手段）、（８）・・・注入端（流体
導入手段）、＋９１・・・分枝、（ＩＩ・・・星形部、
（１１）・・・管路（流体排出手段） 、Ｑ２１・・・
オリフィス、＋１３１・・・矢印、’０４１・・・グレ
ーティング、（１５１・・・壁または障壁、（１６１・
・・矢印、＋１７１・・・矢印、（旧・・・空間（区画
）、（１９１・・・垂ｉｃｉ：ｆｎ、（ｇＯｌ・・・・
オリフィス、因）・・・じゃま板、Ｑ２）・・・蓄積帯
域、＋２３１０・・プレートの全体、（２４１・・・プ
レー） 、 ＋２５１・・・矢印。 以 上 外４名 第１図 第２図 第３図 第４Ｈ 第５図 第６図 第７図 第８図 フランス国イブリーヌ県サン・ ノン・う・プルテラシュ（７８８６ ０）アレ・デ・ロマラン８番地 ・Ｉ 手続補正書 昭和５８年８ 月ｒ１１ 特許庁長。 １、事件の表 ２、発明の名 ３、補正をする者 事件との関係 特１．′１出願人住 氏名・ｆ ４、代 理 住 氏 外４名 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 口６、
補正により増加する発明の数 ７、補正の文 ８、補正のＶ 明細書の 以上 ２、特許請求の範囲 （１） 実質的に垂直の細長い回転体の形を実質的に
有する反応帯域内において、膨張床すなわちυ１髪１１
１；ｉ床として用いる触媒の存在下において行う炭化水
素の水素化処理または水素化ビスブレーキングまたは水
素化転化法であって、液体仕込物と水素ガスか混合物と
して、触媒床を支える壁の下に配置された少なくとも１
１１１Ｉ１１のデイストリビューンヨ／帯域を用いて導
入され、液体仕込物と水素か複数の／１：入用オリフィ
スよりのその′ｔ１゛入によって、反応の全継続時間を
通じて触媒床の膨張あるいは分散を惹起しなから、前記
ディストリヒユージョン帯域および前記触媒床を下から
上へ通過し、液体とガスより成る反応流出物か反応帯域
の−Ｅ部から取出される方法。 （２） 反応帯域か細長い円筒形を有する、特許請求
の範囲第（１１項記載の方法。 （３）１個の反応帯域内において、一般に液体炭化水素
仕込物と１種のガスより成る混合流体の前記帯域内への
導入を以て、液体炭化水素仕込物の水素化処理または水
素化転化あるいは水素化ヒスブレーキングが行われ、前
記帯域が勢昇鏑栢細長く且つ実質的に垂直な回転体の形
爬し、触媒粒子が反応帯域の上部より導入され、炭化水
素の水素化転化または水素化ビスブレーキングあるいは
水素化処理中に沸騰床または膨張床あるいは分散床とし
て用いられた後に、反応帯域の下部より定期的にあるい
は仕込物の処理の完了時に取出され、一方、混合流体か
少なくとも一部は前記反応帯域の下部より導入され、反
応帯域内を下から上へ進行した後その上部から取出され
る方法であって、触媒粒子は触媒床を支える実質的に水
平の壁に設けられた少なくとも１個の開１０によって触
媒床から取出され、前記開口が触媒粒子の排出に必要な
大きさを有し、該開口か設けられている壁が実質的に且
つ一様に不連続であり、換言すれば触媒粒子が前記壁を
通過するのを阻止するのに十分なだけ小さいか、混合流
体の−Ｌ行流か該開口を通過するのに十分なだけの大き
さの寸法を有し、且つ規則正しく間隔を置いた少なくと
も数個の開口が散在している方法において、混合流体の
少なくとも一部か前記壁の下方に位置する少なくとも１
個のディストリヒユージョン帯域によって前記反応帯域
の下部に注入され、各々のディストリヒユージョン帯域
か少なくとも一端か反応帯域の内部にある主管路より一
般に成っており、前記管路の（反応帯域の内部且つ前記
壁の下の）前記末端が実質的に垂直であり、星形に配列
した複数の分枝に分かれており、各々の分校が流体の一
部を注入する数個のオリフィスを備えていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）または第（２）項記載の
方法。 （４） 星形の分校が実質的に水平である、特許請求
の範囲第（３）項記載の方法。 （５） 前記分校が傾斜しており、傾斜角か水平線に
対してＯ〜４０°の間に含まれて、いる、特許請求の範
囲第［１１１ｉ［’ｌ記載の方法。 （６） 前記分枝か波形である、特許請求の範囲第（
３）項記載の方法。 （７） 少なくとも一部がディストリビューション帯
域によって注入された流体か触媒床を支える壁前記空間
の内部で一方では気相に、他方では液相に分かれるよう
になされ、気相の大部分が前記空間の前記−Ｆ部壁の前
記オリフィスを通って前記壁に達し、液相の大部分が前
記空間を画する前記壁の間を通って進行した後、且つ触
媒床の膨張に適当な分散と乱流を作り出すために気相の
大部分と（前記空間の前記上部の前記オリフィスの上方
において）再度混合してがら、前記壁に達する、特許請
求の範囲第（１）項または（２）項に記載の方法。 （８） 少なくとも一部か単数または複数のディスト
リビューション帯域によって注入された流体が、反応；
ｊｉ′Ｉ域の断面−Ｌの大部分の複数のハニーカム層を
通って進行し、これらのハニーカム層が、触媒床の一様
且つ均質の膨張を生せしめるために、単数または複数の
ディストリビューション帯域と触媒床を支える壁との間
に配置されている、特許請求の範囲第（１）項または（
２）項記載の方法。 （９）１種の気体または液体の流体による少なくとも１
回の冷却が触媒床の内部において実施され、冷却用流体
が、実質的に垂直であり、星形に分散した複数の分枝に
分がれた末端を反応帯域の内部に有する主管路より一般
に成るディストリビューション帯域を用いて導入され、
各々の分校が各分校に沿って規則正しく配置された数個
のオリフィスを備えており、（大部分が分校の下部に配
置しである）これ経リフイスによって流体が触媒床の内
部に注入される、特許請求の範囲第（１）項〜（８）項
のう〆・ずれか１項記載の方法。 ｆｌｏｌ １基の反応器（１）と、反応器の上部への
新鮮触媒の導入手段（２）と、使用済触媒を反応器外に
排出するのに十分な大きさの少なくとも１本の取出し用
管路＋４１を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒
の排出手段と、反応器の下部への流体の導入手段（７）
と、反応器の上部よりの流体の排出手段（１１）と、前
記流体を反応器中に分散せしめる手段とを６ｆｉｉえる
液相炭化水素の水素化処理装置。 体の導入手段（７）と、反応器の上部よりの流体の（、
） 少なくとも、実質的に水平の壁（またはグレーテ
ィング）（５）の表面の少な（とも一部の上に実質的に
配分した穿孔またはスリット（６）を備えたこの壁を通
過して設けた前記の取出し用の管路（４）で、前記の穿
孔の大きさが触媒粒子の前記壁を通しての通過を阻止す
るに十分なだけ小さいが、流体の上行流の前記壁を通し
ての通過を可能にするのに十分なだけ大きいものと、 −ション装置であって、該ディストリビューション装置
か、反応器の内部に入込んだ後に、少な（とも一端を以
て終る管路（７）を備えており、前記壁の下にある前記
末端（または注入端）（８）か実質的に垂直であって、
星形の配列またはこれに相当する配列の少な（とも３本
の分校（９）のビームに分裂し、各々の分校が該分枝の
長さの少なくとも一部上に配分された穿孔またはスリッ
トを備えており、前記流体がこれによって注入されるも
の とを組合せて備えていることを特徴とする特許請求の範
囲第（１０）項記載の装置。 （１２） 分校か実質的に水平である、特許請求の範
囲第（１１）項記載の装置。 （１３） 分校が傾斜しており、傾斜角が水平線に対
して０〜４０°の間に含まれるものである、特許請求の
範囲第（１１）項記載の装置。 （１４） 分校が波形である、特許請求の範囲第（１
１）項記載の方法。 （１５） 穿孔またはスリットの少なくとも大部分が
分枝の上面、下面および側面に配置しである、特許請求
の範囲第（１１）項記載の装置。 （１Ｇ １基の反応器（１）と、反応器の上部への新鮮
触媒の導入手段と、使用済触媒を反応器外に排出するの
に十分な大きさの少な（とも１本の取出し用管路（４）
を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒の排出手段
と、反応器の下部への液体とガスより成る流体の導入手
段＋７１ ＋８１と、反応器の上部よりの流体の排出手
段と、反応器の下部に設けた実質的に水平の壁（５）で
あって、膣壁の表面の少なくとも大部分の上に実質的に
配分しである穿孔（６）を有し、前記穿孔の大きさが触
媒粒子の前記壁を通しての通過を阻止するのに十分なだ
け小さいが、前記流体の上行流の前記壁を通しての通過
を可能にするのに十分なだけ大きいものとを備えている
装置において、壁（５）と流体の導入手段＋７＋ ＋８
１との間に配置した、（ａ）流体の液相の大部分の通過
を阻止するのに十分なだグｆ＋４１ （またはこれに相
当する一切の手段）と、（１））連続しており、実質的
に垂直の壁または障壁（１５１であって、グレーティン
グｔ１４１に支持され、その下端が反応器内において流
体の導入手段より−Ｌ方の高さに位置しており、これら
の壁または障壁がかくて区画（１８）および垂直ｆｎ
（１９１を画しているものと、（Ｃ）垂直筒の末端の下
に配置したプレートまたはじゃま板（２１）を備えてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１０）項記載の
装置。 ＋＋７＋ １基の反応器（１）と、反応器の上部への
新鮮触媒の導入手段と、使用済触媒を反応器外へ排出す
るのに十分なだけの大きさの少なくとも１本の取出し用
管路を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒の排出
手段と、反応器の下部への流体の導入手段＋７１ ＋８
１と、反応器の上部よりの前記流体の排出手段と、反応
器の下部に設けである実質的に水平な壁（５）であって
、膣壁の表面の実質的に全部にわたって配分しである穿
孔（６）を有し、前記穿孔の大きさが触媒粒子の前記壁
を通しての通過を阻り卜するのに十分なだけ小さいが、
流体の上行流の前記壁を通しての通過を可能にするのに
十分なだけ大きいものとを備えている装置において、壁
（５）と流体の導入装置＋７１ ＋８１との間に配置し
た、相互に締付けた数枚のプレー）（２４＋であって、
上部のプレートが壁（５）の直ぐ近くにあり２、各々の
プレートが表面に凹凸を有し、または条線のはいった（
換言すればハニーカム状の）形を有して前記プレートの
全体２３１が多数の連続したハニーカム空間を構成して
プレートの全体を通過する流体の下から上への進行を可
能にするものを備えていることを特徴とする特許請求の
範囲第（１０）項記載の装置。 （１８） さらに、穿孔を有する壁の上方に、少なく
とも１個のディストリビューション装置を備えてて、星
形に配列した少なくとも３本の分校のビームに分裂する
一端（または注入端）を示すパイプを備えており、各々
の分校が分校の長さの少なくとも一部の上に配分された
穿孔またはスリットを有している、特許請求の範囲第（
１０）〜（１７１項のうちのいずれか１項に記載の装置
。
置の水平断面図、第２図、第３図および第４図はディス
トリビューション装置の変形を示す垂直断面図、第５図
および第６図は水素化処理装置の下部の垂直断面図、第
７図はハニーカム層を示す概略図、第８図は流体の流れ
を示す概略図である。 （１）・・・反応器、（２）・・・管路（触媒導入手段
）、（３）・・・触媒床、（４）・・・管路、（５）・
・・グレーティング（壁またはグレーティング） 、
＋６１・・・穿孔（穿孔またはスリット） 、＋７１・
・・管路（流体導入手段）、（８）・・・注入端（流体
導入手段）、＋９１・・・分枝、（ＩＩ・・・星形部、
（１１）・・・管路（流体排出手段） 、Ｑ２１・・・
オリフィス、＋１３１・・・矢印、’０４１・・・グレ
ーティング、（１５１・・・壁または障壁、（１６１・
・・矢印、＋１７１・・・矢印、（旧・・・空間（区画
）、（１９１・・・垂ｉｃｉ：ｆｎ、（ｇＯｌ・・・・
オリフィス、因）・・・じゃま板、Ｑ２）・・・蓄積帯
域、＋２３１０・・プレートの全体、（２４１・・・プ
レー） 、 ＋２５１・・・矢印。 以 上 外４名 第１図 第２図 第３図 第４Ｈ 第５図 第６図 第７図 第８図 フランス国イブリーヌ県サン・ ノン・う・プルテラシュ（７８８６ ０）アレ・デ・ロマラン８番地 ・Ｉ 手続補正書 昭和５８年８ 月ｒ１１ 特許庁長。 １、事件の表 ２、発明の名 ３、補正をする者 事件との関係 特１．′１出願人住 氏名・ｆ ４、代 理 住 氏 外４名 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 口６、
補正により増加する発明の数 ７、補正の文 ８、補正のＶ 明細書の 以上 ２、特許請求の範囲 （１） 実質的に垂直の細長い回転体の形を実質的に
有する反応帯域内において、膨張床すなわちυ１髪１１
１；ｉ床として用いる触媒の存在下において行う炭化水
素の水素化処理または水素化ビスブレーキングまたは水
素化転化法であって、液体仕込物と水素ガスか混合物と
して、触媒床を支える壁の下に配置された少なくとも１
１１１Ｉ１１のデイストリビューンヨ／帯域を用いて導
入され、液体仕込物と水素か複数の／１：入用オリフィ
スよりのその′ｔ１゛入によって、反応の全継続時間を
通じて触媒床の膨張あるいは分散を惹起しなから、前記
ディストリヒユージョン帯域および前記触媒床を下から
上へ通過し、液体とガスより成る反応流出物か反応帯域
の−Ｅ部から取出される方法。 （２） 反応帯域か細長い円筒形を有する、特許請求
の範囲第（１１項記載の方法。 （３）１個の反応帯域内において、一般に液体炭化水素
仕込物と１種のガスより成る混合流体の前記帯域内への
導入を以て、液体炭化水素仕込物の水素化処理または水
素化転化あるいは水素化ヒスブレーキングが行われ、前
記帯域が勢昇鏑栢細長く且つ実質的に垂直な回転体の形
爬し、触媒粒子が反応帯域の上部より導入され、炭化水
素の水素化転化または水素化ビスブレーキングあるいは
水素化処理中に沸騰床または膨張床あるいは分散床とし
て用いられた後に、反応帯域の下部より定期的にあるい
は仕込物の処理の完了時に取出され、一方、混合流体か
少なくとも一部は前記反応帯域の下部より導入され、反
応帯域内を下から上へ進行した後その上部から取出され
る方法であって、触媒粒子は触媒床を支える実質的に水
平の壁に設けられた少なくとも１個の開１０によって触
媒床から取出され、前記開口が触媒粒子の排出に必要な
大きさを有し、該開口か設けられている壁が実質的に且
つ一様に不連続であり、換言すれば触媒粒子が前記壁を
通過するのを阻止するのに十分なだけ小さいか、混合流
体の−Ｌ行流か該開口を通過するのに十分なだけの大き
さの寸法を有し、且つ規則正しく間隔を置いた少なくと
も数個の開口が散在している方法において、混合流体の
少なくとも一部か前記壁の下方に位置する少なくとも１
個のディストリヒユージョン帯域によって前記反応帯域
の下部に注入され、各々のディストリヒユージョン帯域
か少なくとも一端か反応帯域の内部にある主管路より一
般に成っており、前記管路の（反応帯域の内部且つ前記
壁の下の）前記末端が実質的に垂直であり、星形に配列
した複数の分枝に分かれており、各々の分校が流体の一
部を注入する数個のオリフィスを備えていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）または第（２）項記載の
方法。 （４） 星形の分校が実質的に水平である、特許請求
の範囲第（３）項記載の方法。 （５） 前記分校が傾斜しており、傾斜角か水平線に
対してＯ〜４０°の間に含まれて、いる、特許請求の範
囲第［１１１ｉ［’ｌ記載の方法。 （６） 前記分枝か波形である、特許請求の範囲第（
３）項記載の方法。 （７） 少なくとも一部がディストリビューション帯
域によって注入された流体か触媒床を支える壁前記空間
の内部で一方では気相に、他方では液相に分かれるよう
になされ、気相の大部分が前記空間の前記−Ｆ部壁の前
記オリフィスを通って前記壁に達し、液相の大部分が前
記空間を画する前記壁の間を通って進行した後、且つ触
媒床の膨張に適当な分散と乱流を作り出すために気相の
大部分と（前記空間の前記上部の前記オリフィスの上方
において）再度混合してがら、前記壁に達する、特許請
求の範囲第（１）項または（２）項に記載の方法。 （８） 少なくとも一部か単数または複数のディスト
リビューション帯域によって注入された流体が、反応；
ｊｉ′Ｉ域の断面−Ｌの大部分の複数のハニーカム層を
通って進行し、これらのハニーカム層が、触媒床の一様
且つ均質の膨張を生せしめるために、単数または複数の
ディストリビューション帯域と触媒床を支える壁との間
に配置されている、特許請求の範囲第（１）項または（
２）項記載の方法。 （９）１種の気体または液体の流体による少なくとも１
回の冷却が触媒床の内部において実施され、冷却用流体
が、実質的に垂直であり、星形に分散した複数の分枝に
分がれた末端を反応帯域の内部に有する主管路より一般
に成るディストリビューション帯域を用いて導入され、
各々の分校が各分校に沿って規則正しく配置された数個
のオリフィスを備えており、（大部分が分校の下部に配
置しである）これ経リフイスによって流体が触媒床の内
部に注入される、特許請求の範囲第（１）項〜（８）項
のう〆・ずれか１項記載の方法。 ｆｌｏｌ １基の反応器（１）と、反応器の上部への
新鮮触媒の導入手段（２）と、使用済触媒を反応器外に
排出するのに十分な大きさの少なくとも１本の取出し用
管路＋４１を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒
の排出手段と、反応器の下部への流体の導入手段（７）
と、反応器の上部よりの流体の排出手段（１１）と、前
記流体を反応器中に分散せしめる手段とを６ｆｉｉえる
液相炭化水素の水素化処理装置。 体の導入手段（７）と、反応器の上部よりの流体の（、
） 少なくとも、実質的に水平の壁（またはグレーテ
ィング）（５）の表面の少な（とも一部の上に実質的に
配分した穿孔またはスリット（６）を備えたこの壁を通
過して設けた前記の取出し用の管路（４）で、前記の穿
孔の大きさが触媒粒子の前記壁を通しての通過を阻止す
るに十分なだけ小さいが、流体の上行流の前記壁を通し
ての通過を可能にするのに十分なだけ大きいものと、 −ション装置であって、該ディストリビューション装置
か、反応器の内部に入込んだ後に、少な（とも一端を以
て終る管路（７）を備えており、前記壁の下にある前記
末端（または注入端）（８）か実質的に垂直であって、
星形の配列またはこれに相当する配列の少な（とも３本
の分校（９）のビームに分裂し、各々の分校が該分枝の
長さの少なくとも一部上に配分された穿孔またはスリッ
トを備えており、前記流体がこれによって注入されるも
の とを組合せて備えていることを特徴とする特許請求の範
囲第（１０）項記載の装置。 （１２） 分校か実質的に水平である、特許請求の範
囲第（１１）項記載の装置。 （１３） 分校が傾斜しており、傾斜角が水平線に対
して０〜４０°の間に含まれるものである、特許請求の
範囲第（１１）項記載の装置。 （１４） 分校が波形である、特許請求の範囲第（１
１）項記載の方法。 （１５） 穿孔またはスリットの少なくとも大部分が
分枝の上面、下面および側面に配置しである、特許請求
の範囲第（１１）項記載の装置。 （１Ｇ １基の反応器（１）と、反応器の上部への新鮮
触媒の導入手段と、使用済触媒を反応器外に排出するの
に十分な大きさの少な（とも１本の取出し用管路（４）
を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒の排出手段
と、反応器の下部への液体とガスより成る流体の導入手
段＋７１ ＋８１と、反応器の上部よりの流体の排出手
段と、反応器の下部に設けた実質的に水平の壁（５）で
あって、膣壁の表面の少なくとも大部分の上に実質的に
配分しである穿孔（６）を有し、前記穿孔の大きさが触
媒粒子の前記壁を通しての通過を阻止するのに十分なだ
け小さいが、前記流体の上行流の前記壁を通しての通過
を可能にするのに十分なだけ大きいものとを備えている
装置において、壁（５）と流体の導入手段＋７＋ ＋８
１との間に配置した、（ａ）流体の液相の大部分の通過
を阻止するのに十分なだグｆ＋４１ （またはこれに相
当する一切の手段）と、（１））連続しており、実質的
に垂直の壁または障壁（１５１であって、グレーティン
グｔ１４１に支持され、その下端が反応器内において流
体の導入手段より−Ｌ方の高さに位置しており、これら
の壁または障壁がかくて区画（１８）および垂直ｆｎ
（１９１を画しているものと、（Ｃ）垂直筒の末端の下
に配置したプレートまたはじゃま板（２１）を備えてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１０）項記載の
装置。 ＋＋７＋ １基の反応器（１）と、反応器の上部への
新鮮触媒の導入手段と、使用済触媒を反応器外へ排出す
るのに十分なだけの大きさの少なくとも１本の取出し用
管路を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒の排出
手段と、反応器の下部への流体の導入手段＋７１ ＋８
１と、反応器の上部よりの前記流体の排出手段と、反応
器の下部に設けである実質的に水平な壁（５）であって
、膣壁の表面の実質的に全部にわたって配分しである穿
孔（６）を有し、前記穿孔の大きさが触媒粒子の前記壁
を通しての通過を阻り卜するのに十分なだけ小さいが、
流体の上行流の前記壁を通しての通過を可能にするのに
十分なだけ大きいものとを備えている装置において、壁
（５）と流体の導入装置＋７１ ＋８１との間に配置し
た、相互に締付けた数枚のプレー）（２４＋であって、
上部のプレートが壁（５）の直ぐ近くにあり２、各々の
プレートが表面に凹凸を有し、または条線のはいった（
換言すればハニーカム状の）形を有して前記プレートの
全体２３１が多数の連続したハニーカム空間を構成して
プレートの全体を通過する流体の下から上への進行を可
能にするものを備えていることを特徴とする特許請求の
範囲第（１０）項記載の装置。 （１８） さらに、穿孔を有する壁の上方に、少なく
とも１個のディストリビューション装置を備えてて、星
形に配列した少なくとも３本の分校のビームに分裂する
一端（または注入端）を示すパイプを備えており、各々
の分校が分校の長さの少なくとも一部の上に配分された
穿孔またはスリットを有している、特許請求の範囲第（
１０）〜（１７１項のうちのいずれか１項に記載の装置
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 実質的に垂直の細長い回転体の形を実質的に
有する反応帯域内において、膨張床すなわち＋ａ床とし
て用いる触媒の存在下において行う炭化水素の水素化処
理または水素化ビスブレーキングまたは水素化転化法で
あって、液体仕込物と水素ガスが混合物として、触媒床
を支える壁の下に配置された少なくとも１個のディスト
リビューション帯域を用いて導入され、液体仕込物と水
素が複数の注入用オ・ｌ ＩＪフイスよりのその注入に
よって、反応の全継続時間を通じて触媒床の膨張あるい
は分散を惹起しながら、前記ディストリビューション帯
域および前記触媒床を下から上へ通過し、液体とガスよ
り成る反応流出物が反応帯域の上部から取出される方法
。 １２）反応帯域が細長い円筒形を有する、特許請求の範
囲第（１）項記載の方法。 （３）１個の反応帯域内において、一般に液体炭化水素
仕込物と１種のガスより成る混合流体の前記帯域内への
導入を以て、液体炭化水素仕込物の水素化処理または水
素化転化あるい体の形態を有し、触媒粒子が反応帯域の
上部より導入され、炭化水素の水素化転化または水素化
ビスブレーキングあるいは水素化処理中に４ｕｒｔ床ま
たは膨張床あるいは分散床として用いられた後に、反応
帯域の下部より定期的にあるいは仕込物の処理の完了時
に取出され、一方、混合流体が少な（とも一部は前記反
応帯域の下部より導入され、反応帯域内を下から上へ進
行した後その上部から取出される方法であって、触媒粒
子は触媒床を支える実質的に水平の壁に設けられた少な
くとも１個の開口によって触媒床から取出され、前記開
口が触媒粒子の排出に必要な大きさを有し、該開口が設
けられている壁が実質的に且つ一様に不連続であり、換
言すれば触媒粒子が前記壁を通過するのを阻止するのに
十分なだけ小さいが、混合流体の上行流が該開口を通過
するのに十分なだけの大きさの寸法を有し、且つ規則正
しく間隔を置いた少なくとも数個の開口が散在している
方法において、混合流体の少なくとも一部が前記壁の下
方に位置する少なくとも１個のディストリビューション
一端が反応帯域の内部にある主管路より一般に成ってお
り、前記管路の（反応帯域の内部且つ前記壁の下の）前
記末端が実質的に垂直であり、星形に西乙列した複数の
分校に分がれており、各々の分校が流体の一部を注入す
る数個のオリフィスを備えていることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）または（２）項記載の方法。 １４） 星形の分校が実質的に水平で、ある、特許請
求の範囲第（３）項記載の方法。 （５） 前記分枝が傾斜しており、傾斜角が水平線に
対して０〜４０００間に含まれている、特許請求の範囲
第（３）項記載の方法。 （６） 前記分枝が波形である、特許請求の範囲第（
３）項記載の方法。 （７） 少なくとも一部がディストリビューション帯
域によって注入された表体が触媒床を支える壁に向って
進行し、この壁に達する前に、先ず１つの空間を通り、
その上部には流体の気相の大部分を通過せしめるに足る
だけ大きいが、流体の液相の大部分の通過を阻止するに
足るだけ小さいオリフィスが設けてあり、前記の空間を
通った通路を画する垂直の壁が空間を通１１．・へして
おり、流体が前記空間の内部で一方では気相に、他方で
は液相に分かれるようになされ、気相の大部分が前記空
間の前記上部壁の前記オリフィスを通って前記壁に達し
、液相の大部分が前記空間を画する前記壁の間を通って
進行した後、且つ触媒床の膨張に適当な分散と乱流を作
り出すために気相の大部分と（前記空間の前記上部の前
記オリフィスの上方において）再度混合してから、前記
壁に達する、特許請求の範囲第（１）項または（２）項
に記載の方法。 （８） 少なくとも一部が単数または複数のディスト
リビューション帯域によって注入された流体が、反応帯
域の断面上の大部分の複数のハニーカム層を通って進行
し、これらのハニーカム層が、触媒床の一様且つ均質の
膨張を生ぜしめるために、°単数または複数のディスト
リビューション帯域と触媒床を支える壁との間に配置さ
れている、特許請求の範囲第（１）項または（２）項記
載の方法。 （９）１種の気体または液体の流体による少なくとも１
回の冷却が触媒床の内部において実施され、冷却用流体
が、実質的に垂直であり、星形に分散した複数の分校に
分かれた末端を反応帯域の内部に有する主管路より一般
に成るディストリビューション帯域を用いて導入され、
各々の分校が各分枝に沿って規則正しく配置された数個
のオリフィスを備えており、（大部分が分枝の下部に配
置しである）これらのオリフィスによって流体が触媒床
の内部に注入される、特許請求の範囲第（１）〜５（８
）項のうちのいずれか１項記載の方法。 （１０）１基の反応器（１）と、反応器の−Ｆ部への新
鮮触媒の導入手段（２）と、使用済触媒を反応器外に排
出するのに十分な大きさの少なくとも１本の取出し用管
路（４）を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒の
排出手段と、反応器の下部への流体の導入手段（７）と
、反応器の上部ｔｌｌｌ （ａ） 少なくとも、実質
的に水平の壁（またはグレーティング）（５）の表面の
少な（とも一部の上に実質的に配分した穿孔またはスリ
ット（６）を備えたこの壁を通過して設けた前記の取出
し用の管路（４）で、前記の穿孔の大きさが触媒粒子の
前記壁を通しての通過を阻止するに十分なだけ小さいが
、流体の上行流の前記壁を通しての通過を可能にするの
に十分なだけ大きいものと、 （ｂ） ガスと液体より成る流体のディストリビュー
ション装置であって、該ディストリビューション装置が
、反応器の内部に入込んだ後に、少なくとも一端を以て
終る管路（７）を備えており、前記壁の下にある前記末
端（または注入端）８）が実質的に垂直であって、星形
の配列またはこれに相当する配列の少なくとも３本の分
校（９）のビームに分裂し、各々の分校が該分校の長さ
の少な（とも一部上に配分された穿孔またはスリットを
備えており、前記流体がこれによって注入さの範囲第（
１０１項記載の装置。 （］２Ｉ 分枝が実質的に水平である、特許請求の範
囲第（１１１項記載の装置。 （１３） 分校が傾斜しており、傾斜角が水平線に対
してＯ〜４０°の間に含まれるものである、特許請求の
範囲第（１１）項記載の装置。 （ｌ＠ 分校が波形である、特許請求の範囲第０１）
項記載の方法。 （１５１穿孔またはスリットの少なくとも大部分が分校
の上面、下面および側面に配置しである、特許請求の範
囲第（１１）項記載の装置。 ＋１６１ １基の反応器（１）と、反応器の上部への新
鮮触媒の導入手段と、使用済触媒を反応器外に排出する
のに十分な大きさの少なくとも１本の取出し用管路（４
）を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒の排出手
段と、反応器の下部への液体とガスより成る流体の導入
手段（７）（８）と、反応器の上部よりの流体の排出手
段と、反応器の下部に設けた実質的に水平の壁（５）で
あって、該壁の表面の少なくとも大部分の上に実質的に
配分しである穿孔（６）を有し、前記穿孔の大きさが触
媒粒子の前記壁を通しての通過を阻止するのに十分なだ
け小さいが、前記流体の上行流の前記壁を通しての通過
を可能にするのに十分なだけ大きいものとを備えている
装置において、壁（５）と流体の導入手段＋７１ ＋８
１との間に配置した、（ａ）流体の液相の大部分の通過
を阻止するのに十分なだけ小さく、流体の気相の大部分
しか通過せしめないオリフィス（２０）を有する１枚の
グレーティング＋１４１ （またはこれに相当する一切
の手段）と、（＋））連続しており、実質的に垂直の壁
または障壁（１５ｊであって、グレーティング（神に支
持され、その下端が反応器内において流体の導入手段よ
り上方の高さに位置しており、これらの壁または障壁が
かくて区画（１８）および垂直筒（１９）を画している
ものと、（Ｃ）垂直筒の末端の下に配置したプレートま
たはじゃま板（２１）を備えていることを特徴とする特
許請求の範囲第（１ｏ）項記載の装置。 （１７１１基の反応器（１）と、反応器の上部への新鮮
触媒の導入手段と、使用済触媒を反応器外へ排出するの
に十分なだけの大きさの少なくとも１本の取出し用管路
を備えた、該反応器の下部よりの使用済触媒の排出手段
と、反応器の下部への流体の導入手段＋７１ ＋８１と
、反応器の上部よりの前記流体の排出手段と、反応器の
下部に設けである実質的に水平な壁（５）であって、膣
壁の表面の実質的に全部にわたって配分しである穿孔（
６）を有し、前記穿孔の大きさが触媒粒子の前記壁を通
しての通過を阻止するのに十分なだけ小さいが、流体の
上行流の前記壁を通しての通過を可能にするのに十分な
だけ大きいものとを備えている装置において、壁（５）
と流体の導入装置＋７１ ＋８１との間に配置した、相
互に締付けた数枚のプレートＱ勾であって、上部のプレ
ートが壁（５）の直ぐ近くにあり、各々のプレートが表
面に凹凸を有し、または条線のはいった（換言すればハ
ニーカム状の）形を有して前記プレートの全体（２３）
が多数の連続したハニーカム空間を構成してプレートの
全体を通過する流体の下から上への進行を可能にするも
のを備えていることを特徴とする特許請求の範囲第（１
０）項記載の装置。 （１８） さらに、穿孔を有する壁の上方に、少なく
とも１個のディストリビューション装置を備えており、
該ディストリビューション装置が、反応器の内部に入り
込んだ後に実質的に垂直であって、星形に配列した少な
くとも３本の分校のビームに分裂する一端（才たは注入
端）を示すパイプを備えており、各々の分校が分枝の長
さの少な（ともｉ部の上に配分された穿孔またはスリッ
トを有している、特許請求の範囲第（１０１項〜（１９
項のうちのいずれか１項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8212239A FR2529905B1 (fr) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | Procede et dispositif d'hydrotraitement d'hydrocarbures en phase liquide, en presence d'un catalyseur en lit expanse ou bouillonnant |
| FR8212239 | 1982-07-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924789A true JPS5924789A (ja) | 1984-02-08 |
Family
ID=9275936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125364A Pending JPS5924789A (ja) | 1982-07-09 | 1983-07-08 | 膨張床または沸騰床としての触媒の存在下における液相炭化水素の水素化処理法および装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| US (2) | US4478707A (ja) |
| EP (1) | EP0099800B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5924789A (ja) |
| DE (1) | DE3362078D1 (ja) |
| FR (1) | FR2529905B1 (ja) |
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