JPS592445A - 局部発振回路 - Google Patents
局部発振回路Info
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- JPS592445A JPS592445A JP57109857A JP10985782A JPS592445A JP S592445 A JPS592445 A JP S592445A JP 57109857 A JP57109857 A JP 57109857A JP 10985782 A JP10985782 A JP 10985782A JP S592445 A JPS592445 A JP S592445A
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- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は局部発振回路に係り、特に周波数シンセサイザ
方式の電子同調チューナにおいて、局部発振出力の高調
波レベルを低減させてプリスケーラに入力するようにし
、プリスケーラでの分周誤動作を防止するようにした局
部発振回路に関する。
方式の電子同調チューナにおいて、局部発振出力の高調
波レベルを低減させてプリスケーラに入力するようにし
、プリスケーラでの分周誤動作を防止するようにした局
部発振回路に関する。
テレビ用選局装置における周波数シンセサイザ方式では
、チューナの局部光振出ツノを分周して基準光１辰器と
の周波数１位相を比較し、チューナのバラクタ・ダイオ
ードを制御している。即ち、チューナの局部発振出力を
ある端子より取り出し、プリスケーラ回路を通してＰＬ
Ｌ （位相同期ループ）回路に加える。ある受信ヂャン
ネルを指定した場合、局部発振出力がＰＬＬ回路に入り
、その回路で受信チャンネルに応じたヂューニング電圧
がロックされ、希望チャンネルを受信するようにしてい
る。ここで、受信ヂャンネルはプリスケーラおよびプロ
グラマブル分周器あるいは基ｆ％Ｒ振器の周波数を制御
して選択することができ、プリスケーラはチューナの局
部発振出力をプログラマブル分周器の動作周波数範囲内
に分周する。
、チューナの局部光振出ツノを分周して基準光１辰器と
の周波数１位相を比較し、チューナのバラクタ・ダイオ
ードを制御している。即ち、チューナの局部発振出力を
ある端子より取り出し、プリスケーラ回路を通してＰＬ
Ｌ （位相同期ループ）回路に加える。ある受信ヂャン
ネルを指定した場合、局部発振出力がＰＬＬ回路に入り
、その回路で受信チャンネルに応じたヂューニング電圧
がロックされ、希望チャンネルを受信するようにしてい
る。ここで、受信ヂャンネルはプリスケーラおよびプロ
グラマブル分周器あるいは基ｆ％Ｒ振器の周波数を制御
して選択することができ、プリスケーラはチューナの局
部発振出力をプログラマブル分周器の動作周波数範囲内
に分周する。
第１図は従来のＶＨＦチューナに用いられる局部発振回
路の回路図である。
路の回路図である。
第１図において、発振用トランジスタ１は、そのコレク
タがコンデンサＣ１を介して接地され、エミッタが抵抗
Ｒ１を介して接地されていて、ベースにはコンデンサＣ
２とコンデンサＣ３を直列接続して接地すると共にその
接続点をエミッタに接続している。そして、ベースにコ
ンデンサＣ４を接続し、さらにコンデンサＣ４にはハイ
・バンド・コイル２及びロー・バンド・コイル３を接続
しコンデンサＣ５を介して接地している。ハイ・バンド
・コイル２とロー・バンド・コイル３の接続点ａにはス
イッチング・ダイオード４を接続し、そのカソードをコ
ンデンサＣ６を介して接地する一方抵抗Ｒ２を介してバ
ンド切換え端子５に接続している。尚、発振用トランジ
スタ１のコレクタには抵抗Ｒ３を介して直流電源６を接
続する一方、コレクタ・ベース間に抵抗Ｒ４を接続し、
ベース・接地間に抵抗Ｒ５を接続してベース・バイアス
を与えるようにしている。そして、ｉ〜ランジスタ１の
エミッタにコンデンサ７の一端を接続し他端に抵抗８お
よびコンデンサ９を並列接続して接地し、この並列回路
の両端に接続した出ノｊ端子１０から局部発振出力を取
り出すようにしている。尚、ロー・バンド・コイル３に
はこれと並列にダンピング抵抗１１を接続し、ロー・バ
ンドのダンピングを図るように（構成する場合がある。
タがコンデンサＣ１を介して接地され、エミッタが抵抗
Ｒ１を介して接地されていて、ベースにはコンデンサＣ
２とコンデンサＣ３を直列接続して接地すると共にその
接続点をエミッタに接続している。そして、ベースにコ
ンデンサＣ４を接続し、さらにコンデンサＣ４にはハイ
・バンド・コイル２及びロー・バンド・コイル３を接続
しコンデンサＣ５を介して接地している。ハイ・バンド
・コイル２とロー・バンド・コイル３の接続点ａにはス
イッチング・ダイオード４を接続し、そのカソードをコ
ンデンサＣ６を介して接地する一方抵抗Ｒ２を介してバ
ンド切換え端子５に接続している。尚、発振用トランジ
スタ１のコレクタには抵抗Ｒ３を介して直流電源６を接
続する一方、コレクタ・ベース間に抵抗Ｒ４を接続し、
ベース・接地間に抵抗Ｒ５を接続してベース・バイアス
を与えるようにしている。そして、ｉ〜ランジスタ１の
エミッタにコンデンサ７の一端を接続し他端に抵抗８お
よびコンデンサ９を並列接続して接地し、この並列回路
の両端に接続した出ノｊ端子１０から局部発振出力を取
り出すようにしている。尚、ロー・バンド・コイル３に
はこれと並列にダンピング抵抗１１を接続し、ロー・バ
ンドのダンピングを図るように（構成する場合がある。
このような構成においては、局部発振回路のバンド切換
え端子５に切換信号を入力しスイッチング・ダイオード
４を導通、非導通することによってハイ・バンド周波数
とロー・バンド周波数とを切り換える。スイッチング・
ダイオード４が導通した場合には、発振用トランジスタ
１のベース側にハイ・バンド・コイル２とコンデンサｃ
６から成る回路が挿入され、またスイッチング・ダイオ
ード４が非導通の場合には発振用トランジスタ１のベー
ス側にハイ・バンド・コイル２及びロー・バンド・コイ
ル３とコンデンサｃ５がら成る回路が挿入されることに
なる。そして、プリスケーラに入力するための局部発振
出力は、発振用トランジスタ１のエミッタにコンデンサ
７、抵抗８．コンデンサ９から成る回路を接続して取り
出すようにしている。このようにして、発振用トランジ
スタのエミッタから取り出された局部発振出力は、基本
波は十分出力されるが、第２高調波も大きくレベル差が
７ｃｌ［３前後である。横軸を周波数ｆ、縦軸を出力レ
ベルしとすると第２図のように基本波Ｆ＋、第２高調波
Ｆ２．第３高調波Ｆ３の出力レベルが示される。
え端子５に切換信号を入力しスイッチング・ダイオード
４を導通、非導通することによってハイ・バンド周波数
とロー・バンド周波数とを切り換える。スイッチング・
ダイオード４が導通した場合には、発振用トランジスタ
１のベース側にハイ・バンド・コイル２とコンデンサｃ
６から成る回路が挿入され、またスイッチング・ダイオ
ード４が非導通の場合には発振用トランジスタ１のベー
ス側にハイ・バンド・コイル２及びロー・バンド・コイ
ル３とコンデンサｃ５がら成る回路が挿入されることに
なる。そして、プリスケーラに入力するための局部発振
出力は、発振用トランジスタ１のエミッタにコンデンサ
７、抵抗８．コンデンサ９から成る回路を接続して取り
出すようにしている。このようにして、発振用トランジ
スタのエミッタから取り出された局部発振出力は、基本
波は十分出力されるが、第２高調波も大きくレベル差が
７ｃｌ［３前後である。横軸を周波数ｆ、縦軸を出力レ
ベルしとすると第２図のように基本波Ｆ＋、第２高調波
Ｆ２．第３高調波Ｆ３の出力レベルが示される。
このように、第１図に示す従来の周波数シンセサイザ方
式に用いられるチューナ局部発振回路では、局部発振出
力を発振用ｌ−ランジスタのエミッタ側から取り出丈構
成であるために、その基本波どともに高調波も大きいレ
ベルで出ツノされてしまい（第２図に示すように基本波
レベルと高調波レベルのレベル差し１が小ざい）、この
ためこの出力をプリスケ−うに入力した場合、高調波成
分によってプリスケーラが誤動作し、希望ヂトンネルを
受信できないという欠点がある。
式に用いられるチューナ局部発振回路では、局部発振出
力を発振用ｌ−ランジスタのエミッタ側から取り出丈構
成であるために、その基本波どともに高調波も大きいレ
ベルで出ツノされてしまい（第２図に示すように基本波
レベルと高調波レベルのレベル差し１が小ざい）、この
ためこの出力をプリスケ−うに入力した場合、高調波成
分によってプリスケーラが誤動作し、希望ヂトンネルを
受信できないという欠点がある。
本発明の目的は、例えば周波数シンセサイザ方式に用い
られるチューナ局部発振回路において、この局部発振回
路から局部発振出力の基本波だけを主に出力させ、ｆｆ
！２高調波以下の高調波成分を低減させてプリスケーラ
の誤動作を防止することができる局部発振回路を提供す
ることにある。
られるチューナ局部発振回路において、この局部発振回
路から局部発振出力の基本波だけを主に出力させ、ｆｆ
！２高調波以下の高調波成分を低減させてプリスケーラ
の誤動作を防止することができる局部発振回路を提供す
ることにある。
本発明の局部発振回路は、チューナ用局部発振回路の発
振用トランジスタに設けられたタンク回路の発振コイル
なハイ・バンド・コイルとロー・バンド・コイルで構成
してハイ・バンドとロー・バ、ドの切換えを行うように
するとともに、これらのコイルに結合されて局部発振出
力の基本波を取り出すための出力回路を具備し、この出
力回路を介して局部発振出力を取り出し、プリスケーラ
に入力するように構成するものである。具体的には、前
記出力回路は、同一ボビン上にハイ・バンド・コイルと
もに結合コイルを巻回し、この結合コイルから誘導結合
によって局部発振出力を取り出してプリスケーラに入力
するように構成するか、又はハイ・バンド・コイルとロ
ー・バンド・コイルの接続箇所に抵抗（或いはコイル）
・とコンデンサを接続して局部発振出力を取り出し、プ
リスケーラに入力するように構成する。
振用トランジスタに設けられたタンク回路の発振コイル
なハイ・バンド・コイルとロー・バンド・コイルで構成
してハイ・バンドとロー・バ、ドの切換えを行うように
するとともに、これらのコイルに結合されて局部発振出
力の基本波を取り出すための出力回路を具備し、この出
力回路を介して局部発振出力を取り出し、プリスケーラ
に入力するように構成するものである。具体的には、前
記出力回路は、同一ボビン上にハイ・バンド・コイルと
もに結合コイルを巻回し、この結合コイルから誘導結合
によって局部発振出力を取り出してプリスケーラに入力
するように構成するか、又はハイ・バンド・コイルとロ
ー・バンド・コイルの接続箇所に抵抗（或いはコイル）
・とコンデンサを接続して局部発振出力を取り出し、プ
リスケーラに入力するように構成する。
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の局部発振回路の第１実施例を示す回路
図である。但し、第３図で、第１図と同一部分には同一
符号を付して説明する。
図である。但し、第３図で、第１図と同一部分には同一
符号を付して説明する。
第３図において、発振用トランジスタ１はコレクタをコ
ンデンサＣ１を介して接地し、エミッタを抵抗Ｒ＋を介
して接地し、ベースにコンデンサＣ２及びコンデンサＣ
３を直列接続して接地する。
ンデンサＣ１を介して接地し、エミッタを抵抗Ｒ＋を介
して接地し、ベースにコンデンサＣ２及びコンデンサＣ
３を直列接続して接地する。
ぞして、コンデンサＣ２と０３の接続点とエミッタとを
接続している。さらに、トランジスタ１のベースにはコ
ンデンサＣ４を接続し、このコンデンサＣ４を介してハ
イ・バンド・コイル２及びロー・バンド・コイル３を直
列接続しさらにコンデンサＣ５を接続して接地している
。コンデンサＣ２、Ｃ３およびコイル２，３はタンク回
路を構成し、発振出力はコンデンサ０２ 、Ｃ３で分圧
されて発振用１〜ランジスタ１のベースに帰還されるよ
うになっている。そして、ハイ・バンド・コイル２とロ
ー・バンド・コイル３の接続点ａにスイッチング・ダイ
オード４を接続し、そのカソードをコンデンサＣ６を介
して接地すると共に抵抗Ｒ２を介してバンド切換え端子
５に接続している。ハイ・バンド・コイル２にはこれと
誘導結合する結合コイル１２を配置しその一端を出力端
子１０に接続して、その出力端子１０から局部発振出力
を取り出すようにしている。尚、発振用トランジスタ１
のコレクタには抵抗Ｒ３を介して直流電源６を接続し、
かつコレクタ・ベース間に抵抗Ｒ４を接続し、ベース・
接地間に抵抗Ｒ５を接続してベース・バイアスを与える
ようにしている。
接続している。さらに、トランジスタ１のベースにはコ
ンデンサＣ４を接続し、このコンデンサＣ４を介してハ
イ・バンド・コイル２及びロー・バンド・コイル３を直
列接続しさらにコンデンサＣ５を接続して接地している
。コンデンサＣ２、Ｃ３およびコイル２，３はタンク回
路を構成し、発振出力はコンデンサ０２ 、Ｃ３で分圧
されて発振用１〜ランジスタ１のベースに帰還されるよ
うになっている。そして、ハイ・バンド・コイル２とロ
ー・バンド・コイル３の接続点ａにスイッチング・ダイ
オード４を接続し、そのカソードをコンデンサＣ６を介
して接地すると共に抵抗Ｒ２を介してバンド切換え端子
５に接続している。ハイ・バンド・コイル２にはこれと
誘導結合する結合コイル１２を配置しその一端を出力端
子１０に接続して、その出力端子１０から局部発振出力
を取り出すようにしている。尚、発振用トランジスタ１
のコレクタには抵抗Ｒ３を介して直流電源６を接続し、
かつコレクタ・ベース間に抵抗Ｒ４を接続し、ベース・
接地間に抵抗Ｒ５を接続してベース・バイアスを与える
ようにしている。
このような構成において、バンド切換え端子５から入力
される信号に基づいてスイッチング・ダイオード４が導
通、非導通してハイ・バンドとロー・バンドの切換えを
行うようにしている。スイッチング・ダイオード４が導
通した場合にはハイ・バンド・コイル２とコンデンサＣ
６から成る回路が発振用トランジスタ１のベース側に接
続されたことになり、ハイ・バンドの局部発振出力が結
合コイル１２を通して出力端子１０から得られる。
される信号に基づいてスイッチング・ダイオード４が導
通、非導通してハイ・バンドとロー・バンドの切換えを
行うようにしている。スイッチング・ダイオード４が導
通した場合にはハイ・バンド・コイル２とコンデンサＣ
６から成る回路が発振用トランジスタ１のベース側に接
続されたことになり、ハイ・バンドの局部発振出力が結
合コイル１２を通して出力端子１０から得られる。
スイッチング・ダイオード４が非導通の場合にはハイ・
バンド・コイル２とロー・バンド・コイル３とコンデン
サＣ５とから成る回路が発振用トランジスタ１のベース
側に接続され、ロー・バンドの局部発振出力が結合コイ
ル１２を通して出力端子１０から得られる。この場合、
局部発振出力はハイ・バンド・］コイルと相互誘導的に
結合した結合コイル１２から取り出すようにしているの
で、第１図に示すような従来の発振用トランジスタのエ
ミッタ側から抵抗やコンデンサを介して出力を取り出す
方法に比して周波数の選択性が良くなり不要な高調波成
分を低減することができる。
バンド・コイル２とロー・バンド・コイル３とコンデン
サＣ５とから成る回路が発振用トランジスタ１のベース
側に接続され、ロー・バンドの局部発振出力が結合コイ
ル１２を通して出力端子１０から得られる。この場合、
局部発振出力はハイ・バンド・］コイルと相互誘導的に
結合した結合コイル１２から取り出すようにしているの
で、第１図に示すような従来の発振用トランジスタのエ
ミッタ側から抵抗やコンデンサを介して出力を取り出す
方法に比して周波数の選択性が良くなり不要な高調波成
分を低減することができる。
第４図は、第５図は第３図に示す出力回路の具体的な構
成例を示す説明図であり、第４図はボビンを立てた状態
を示し、第５図はボビンを横にした状態を示している。
成例を示す説明図であり、第４図はボビンを立てた状態
を示し、第５図はボビンを横にした状態を示している。
第４図、第５図に示すように、出ツノ回路は同一のボビ
ン１３にハイ・バンド・コイル２及び結合コイル１２を
巻回（バイファイラ巻き）し、これを基板１４にロー・
バンド・コイル３と共に配設して構成される。第４図に
示す場合は、ポビン１３外面にハイ・バンド・コイル２
を下側に巻き結合コイル１２を上側に巻いて出力端子１
０と接続するようにし、結合コイル１２による調整を容
易に行えるようにしている。
ン１３にハイ・バンド・コイル２及び結合コイル１２を
巻回（バイファイラ巻き）し、これを基板１４にロー・
バンド・コイル３と共に配設して構成される。第４図に
示す場合は、ポビン１３外面にハイ・バンド・コイル２
を下側に巻き結合コイル１２を上側に巻いて出力端子１
０と接続するようにし、結合コイル１２による調整を容
易に行えるようにしている。
第６図は上記実施例に示す出力回路にて得られる局部発
振出力の周波数スペクＩ・ラム図である。
振出力の周波数スペクＩ・ラム図である。
この図では、横軸を周波数「とし、縦軸を出力レベルＬ
として、その基本波Ｆ＋、第２高調波Ｆ２、第３高調波
Ｆ３の出力レベルを示している。
として、その基本波Ｆ＋、第２高調波Ｆ２、第３高調波
Ｆ３の出力レベルを示している。
このように、第３図に示す出力方法によれば、基本波Ｆ
＋ と第２高調波Ｆ２のレベル差Ｌ２−が第２図のレベ
ル差Ｌ＋に比して増大し、第２高調波以下の高調波成分
が低減される。
＋ と第２高調波Ｆ２のレベル差Ｌ２−が第２図のレベ
ル差Ｌ＋に比して増大し、第２高調波以下の高調波成分
が低減される。
第７図は本発明の第２実施例を示す回路図である。
第７図に示す実施例は、第３図に示す実施例と異なり、
局部発振回路を取り出す場合、ハイ・バンド・コイル２
とロー・バンド・コイル３の接続点ａに抵抗１５とコン
デンサ１６を接続して出力端子１０に導くように構成し
ている。
局部発振回路を取り出す場合、ハイ・バンド・コイル２
とロー・バンド・コイル３の接続点ａに抵抗１５とコン
デンサ１６を接続して出力端子１０に導くように構成し
ている。
この場合も、第３図に示す実施例と同様に局部発振出力
を発振用トランジスタ１のベース側に接続したバンド換
えコイル側から取り出すので、従来の発振用トランジス
タのエミッタ側から出力を取り出す方法に比して周波数
の選択性が良くなり不要な高調波成分を低減することが
できる。しかも、第７図に示す回路では、第１図に示す
ダンピング抵抗１１も兼ねることができ、ロー・バンド
時の局部発振を安定させることができる。また、スイッ
チング・ダイオード４がオンしＩζ時はハイ・バンド受
信状態となるが、ハイ・バンドでの局部発振の感度を小
さくすることもなく性能上も良い。この出力方法による
局部発振出力の周波数スペクトラムに関しても第６図と
ほぼ同様となり、基本波Ｆ＋ と第２高調波Ｆ２以下と
のレベル差が改善される。
を発振用トランジスタ１のベース側に接続したバンド換
えコイル側から取り出すので、従来の発振用トランジス
タのエミッタ側から出力を取り出す方法に比して周波数
の選択性が良くなり不要な高調波成分を低減することが
できる。しかも、第７図に示す回路では、第１図に示す
ダンピング抵抗１１も兼ねることができ、ロー・バンド
時の局部発振を安定させることができる。また、スイッ
チング・ダイオード４がオンしＩζ時はハイ・バンド受
信状態となるが、ハイ・バンドでの局部発振の感度を小
さくすることもなく性能上も良い。この出力方法による
局部発振出力の周波数スペクトラムに関しても第６図と
ほぼ同様となり、基本波Ｆ＋ と第２高調波Ｆ２以下と
のレベル差が改善される。
尚、上記第２実施例で、ロー・バンドのダンピングを必
要としない場合には、抵抗１５の代りにコイルを用いた
構成としてもよい。
要としない場合には、抵抗１５の代りにコイルを用いた
構成としてもよい。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、例えば周波数シンセ
サイザ方式に用いられるチューナ局部発振回路において
、局部発振回路から出力を取り出す方法として、発振用
トランジスタのベース側に接続されたバンド切換用発振
コイルにこのコイルと結合する結合回路を設けて取り出
１ように構成したので、局部発振出力の基本波成分を取
り出しかつ不要な高調波成分を低減させてプリスケーラ
に入力させることができ、プリスケーラでの分周誤動作
を防止することができるという効果がある。
サイザ方式に用いられるチューナ局部発振回路において
、局部発振回路から出力を取り出す方法として、発振用
トランジスタのベース側に接続されたバンド切換用発振
コイルにこのコイルと結合する結合回路を設けて取り出
１ように構成したので、局部発振出力の基本波成分を取
り出しかつ不要な高調波成分を低減させてプリスケーラ
に入力させることができ、プリスケーラでの分周誤動作
を防止することができるという効果がある。
第１図は従来の周波数シンセサイザ方式に用いられるチ
ューナ局部発振回路の回路図、第２図は第１図に示す出
力回路から得られる局部発振出力の周波数スペクトラム
図、第３図は本発明の局部発振回路の第１実施例を示す
回路図、第４図、第５図は第３図に示す出力回路の具体
的な構成を示す説明図であって、第４図はボビンを立て
た状態を示す図、第５図は横にした状態を示す図、第６
図は第３図に示す出力回路から得られる局部発振出力の
周波数スペクトラム図、第７図は本発明の局部発振回路
の第２実施例を示す回路図である。 １・・・発振用トランジスタ、 Ｃ２、Ｃ３・・・コン
デンサ、 ２・・・ハイ・バンド・コイル、 ３・・・
ロー・バンド・コイル、 ４・・・スイッチング・ダイ
オード、 ５・・・バンド切換え端子、 １０・・・局
部発振出力端子、 １２・・・結合コイル、 １３・・
・ボビン、 １５・・・抵抗、 １６・・・コンデンサ
。 （（：ｆＪ！、人弁理士 則近憲１（１（ばか１名）第
１図 第２図 ｆ 第３図 Ｑｔ。 第４図 第５図
ューナ局部発振回路の回路図、第２図は第１図に示す出
力回路から得られる局部発振出力の周波数スペクトラム
図、第３図は本発明の局部発振回路の第１実施例を示す
回路図、第４図、第５図は第３図に示す出力回路の具体
的な構成を示す説明図であって、第４図はボビンを立て
た状態を示す図、第５図は横にした状態を示す図、第６
図は第３図に示す出力回路から得られる局部発振出力の
周波数スペクトラム図、第７図は本発明の局部発振回路
の第２実施例を示す回路図である。 １・・・発振用トランジスタ、 Ｃ２、Ｃ３・・・コン
デンサ、 ２・・・ハイ・バンド・コイル、 ３・・・
ロー・バンド・コイル、 ４・・・スイッチング・ダイ
オード、 ５・・・バンド切換え端子、 １０・・・局
部発振出力端子、 １２・・・結合コイル、 １３・・
・ボビン、 １５・・・抵抗、 １６・・・コンデンサ
。 （（：ｆＪ！、人弁理士 則近憲１（１（ばか１名）第
１図 第２図 ｆ 第３図 Ｑｔ。 第４図 第５図
Claims (4)
- （１）タンク回路を備え、このタンク回路の発振コイル
が互いに直列接続されたハイ・バンド・コイルとロー・
バンド・コイルから成り、これらのハイ・バンド・コイ
ルとロー・バンド・コイルの接続点にスイッチング・ダ
イオードを接続してハイ・バンドと０−・バンドの切換
えを行うようにしたチューナ局部発振回路においてζ前
記発振コイルに結合或いは接続して局部発振比ノコを取
り出すための出力回路を具備することを特徴とする局部
発振回路。 - （２）前記出力回路は、前記ハイ・バンド・コイルに電
磁的に結合する結合コイルで構成され、前記結合コイル
と前記ハイ・バンド・コイルが同一ボビンにバイファイ
ラ巻きして結合されて、この結合コイル両端から局部発
振出力を取り出すことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の局部発振回路。 - （３）前記出力回路は、前記ハイ・バンド・コイルと前
記ロー・バンド・コイルの前記接続点に接続された抵抗
とコンデンサの直列回路で構成され、この直列回路を介
して局部発振出力を取り出１ことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の局部発振回路。 - （４）前記出力回路は、前記ハイ・バンド・コイルと前
記ロー・バンド・コイルの前記接続点に接続されたコイ
ルとコンデンサの直列回路で構成され、この直列回路を
介して局部発振出力を取り出すことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の局部発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109857A JPS592445A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 局部発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109857A JPS592445A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 局部発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592445A true JPS592445A (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=14520949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109857A Pending JPS592445A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 局部発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159937U (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-19 |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57109857A patent/JPS592445A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159937U (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-19 |
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