JPS5923412Y2 - 半導体熱処理装置用キヤツプ装着装置 - Google Patents

半導体熱処理装置用キヤツプ装着装置

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Publication number
JPS5923412Y2
JPS5923412Y2 JP1979029726U JP2972679U JPS5923412Y2 JP S5923412 Y2 JPS5923412 Y2 JP S5923412Y2 JP 1979029726 U JP1979029726 U JP 1979029726U JP 2972679 U JP2972679 U JP 2972679U JP S5923412 Y2 JPS5923412 Y2 JP S5923412Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
heat treatment
quartz tube
mounting device
treatment equipment
Prior art date
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Expired
Application number
JP1979029726U
Other languages
English (en)
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JPS55129451U (ja
Inventor
亮三 佐藤
Original Assignee
テルサ−ムコ株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by テルサ−ムコ株式会社 filed Critical テルサ−ムコ株式会社
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Priority to US06/127,009 priority patent/US4266507A/en
Publication of JPS55129451U publication Critical patent/JPS55129451U/ja
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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/005—Oxydation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002—Crucibles or containers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体熱処理用の石英管の端部にキャップを
装着する際に用いる半導体熱処理装置用キャップ装着装
置の改良に関するものである。
従来、半導体等の熱処理を行なう場合に、その処理ガス
の出口に近い方の石英管の端部に、石英キャップを装着
して管内のガスを封じ、又、温度分布の改善をすること
が行なわれている。
上記の石英管の端部と石英キャップの開口部にそれぞれ
すり合わせ面を設け、双方のすり合わせ面を嵌合すると
き、該石英管の軸に直交し、かつ互いに直交するＸ、Ｙ
方向にキャップグリッパ及びそれに抱持されたキャップ
を移動しつつ石英管端部に近接し、嵌入する従来の装置
では、キャップ頭部の外形の不整形即ちキャップグリッ
パに抱持されるキャップ部分が定められた形から若干歪
んでいて、石英管の軸とキャップ軸との間に傾きが生じ
ているとき、そのまま嵌合すると、石英管のすり合わせ
面とキャップ側のすり合わせ面が交差し、石英管の端部
がキャップのすり合わせ面をかじったりして嵌入できず
、不完全封止どなり、更には破損する等の障害が発生す
るおそれがあった。
この考案の目的は上述の点を解消するものであって、キ
ャップの頭部の外形が不整形のキャップであっても、均
一な弾力でおさえつけ、安定に該キャップの頭部を抱持
てき、かつボールジヨイント効果によって、セルファラ
イニングを可能にして、該キャップを安全に石英管に嵌
入できるようにすることである。
この考案を添付図面によって説明すると、その構成は、
リング状のリテーナ５の前側に複数のブラー３のそれぞ
れの一端をとりつけ、該リテーナ５の内側に、複数のば
ね片４を放射状に設け、上記ブラー３とばね片４の先端
をキャップ１のほぼ球状部分に押当てて抱持し、更に上
記リテーナ５の後側に椀状体６をとりつけたブツシュロ
ッド７を設け、前後方向およびそれに直交するＸ、Ｙ方
向に、上記キャップ１を移動可能に構成したキャップ装
着装置である。
１ａはキャップ十の端部のすり合せ面、２ａは石英管２
の端部のすり合せ面である。
８はばね、９は断熱材、１０はヒータである。
又θは、キャップ１と石英管２のそれぞれの軸の間の傾
斜角を表わす。
本考案は上述の通りであり、リテーナ５の複数の独立ば
ね５と、ブラー３の先端で、キャップ１のほぼ球状の部
分をおさえて該キャップ１を抱持し、矢印Ａ方向即ち前
後動および、それに直交しがつ互いに直交するＸ、Ｙ方
向に移動自在にしたブツシュロッド７に設けた椀状体６
でキャップ１を押出し、キャップ１のすり合わせ面１ａ
が石英管２のすり合わせ面２ａに、上記ばね５の弾力で
セルファライニングしつつ接面する。
本考案は、リテーナ５の内面にばね片４を放射状に設け
、その先端と複数のブラー３の先端とで、キャップ１の
ほぼ球状部を抱持したから、不整形状のキャップでも、
均一の力で該キャップ１を抱持することができ、しかも
ほぼ球状部を抱持することによるボールジヨイント効果
があるので、石英管とキャップの軸が例えば角度θだけ
ずれていても、セルファライニング効果があられれて、
石英管のすり合わせ面とキャップのすり合わせ面がかじ
り合うことなく、安全かつスムーズに接面するので、キ
ャップを不完全封止にさせず完全に嵌合することことが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例の断面図、第２図は同上の一部
の正面図である。 １・・・・・・キャップ、３・・・・・・ブラー、４・
・・・・・は゛ね片、５・・・・・・リテーナ、６・・
・・・・椀状体、７・・・・・・ブツシュロッド。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 前後方向およびそれに直交するＸ、Ｙ方向に移動可能な
    枠体６の前側に、リング状のリテーナ５をとりつけ、該
    リング状のリテーナ５の前側に複数のブラー３の一端を
    とりつけ、更に該リテーナ５の内側に、複数のバネ片４
    を放射状に設け、上記ブラー３とばね片４の先端で、キ
    ャップ１を抱持することを特徴とする半導体熱処理装置
    用キャップ装着装置。
JP1979029726U 1979-03-08 1979-03-08 半導体熱処理装置用キヤツプ装着装置 Expired JPS5923412Y2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979029726U JPS5923412Y2 (ja) 1979-03-08 1979-03-08 半導体熱処理装置用キヤツプ装着装置
US06/127,009 US4266507A (en) 1979-03-08 1980-03-04 Cap-mounting mechanism for apparatus for thermal treatment of semiconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1979029726U JPS5923412Y2 (ja) 1979-03-08 1979-03-08 半導体熱処理装置用キヤツプ装着装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55129451U JPS55129451U (ja) 1980-09-12
JPS5923412Y2 true JPS5923412Y2 (ja) 1984-07-12

Family

ID=12284103

Family Applications (1)

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JP1979029726U Expired JPS5923412Y2 (ja) 1979-03-08 1979-03-08 半導体熱処理装置用キヤツプ装着装置

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Also Published As

Publication number Publication date
US4266507A (en) 1981-05-12
JPS55129451U (ja) 1980-09-12

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