JPS59226974A - 外観検査装置 - Google Patents
外観検査装置Info
- Publication number
- JPS59226974A JPS59226974A JP10168583A JP10168583A JPS59226974A JP S59226974 A JPS59226974 A JP S59226974A JP 10168583 A JP10168583 A JP 10168583A JP 10168583 A JP10168583 A JP 10168583A JP S59226974 A JPS59226974 A JP S59226974A
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- JP
- Japan
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- signal
- predetermined
- article
- differentiating
- sensor output
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、薬剤用カプセルの如き円筒状物品の表面を
検査する外観検査装置、特にその２値化回路に関する。
検査する外観検査装置、特にその２値化回路に関する。
〔従来技術とその問題点−１
第１図はかかる薬剤カプセルを示す外観図である。すな
わち、カプセルｌはキャップ１１とボデー１２とから構
成され、さらにチャツプ１１には、これとボデー１２と
を相互にロックするためのロック孔（ノツチ）１３が設
けられている。薬剤光てん前のカプセルを空カプセルと
い〜、このときのキャップ１１とボデー１２の結合力は
小さく、同図（ａ）の如く、いわば仮結合状態にある。
わち、カプセルｌはキャップ１１とボデー１２とから構
成され、さらにチャツプ１１には、これとボデー１２と
を相互にロックするためのロック孔（ノツチ）１３が設
けられている。薬剤光てん前のカプセルを空カプセルと
い〜、このときのキャップ１１とボデー１２の結合力は
小さく、同図（ａ）の如く、いわば仮結合状態にある。
この空カプセルは、薬剤光てん後は同図（ｂ）の如（キ
ャップ１１とボデー１２が更に押圧されて、結合力の大
きな本結合状態にされる。このように形成されるカプセ
ルにおいては、その製造時１ｃ種々の欠陥を生じること
がある。例えば、カプセルの肉厚が部分的に薄くなった
スイン（ｔｈｉｎ）スポット、とのスインスポットが更
に大きくなった穴、ピンホール等がそれである。また、
製造されたカプセルの中には、キャップとボデーが分離
したルース品、分離したキャップが正常晶のボデ−１１
Ｃ再ＩＮ合したツインキャップ、またはカプセル搬送中
に空カプセルが本結合状態となるロックカプセルと呼ば
れる不良品が混在することがある。したがって、空カプ
セルを検査して上記のような欠陥をもつ不良品を排除す
ることが必要である。
ャップ１１とボデー１２が更に押圧されて、結合力の大
きな本結合状態にされる。このように形成されるカプセ
ルにおいては、その製造時１ｃ種々の欠陥を生じること
がある。例えば、カプセルの肉厚が部分的に薄くなった
スイン（ｔｈｉｎ）スポット、とのスインスポットが更
に大きくなった穴、ピンホール等がそれである。また、
製造されたカプセルの中には、キャップとボデーが分離
したルース品、分離したキャップが正常晶のボデ−１１
Ｃ再ＩＮ合したツインキャップ、またはカプセル搬送中
に空カプセルが本結合状態となるロックカプセルと呼ば
れる不良品が混在することがある。したがって、空カプ
セルを検査して上記のような欠陥をもつ不良品を排除す
ることが必要である。
ところで、かかるカプセルの検査は、例えば次のように
行なわれる。
行なわれる。
第２図はカプセル検査装置の従来例を示す構成図、第２
Ａ図はカプセルの搬送態様とセンサ出力波形の関係を示
す説明図、第３図はカプセルの走査方法を説明するため
の説明図である。第２図において、２は例えばカプセル
に光を照射しその反射光を受光する光学センサ、３はア
ナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ ）変換器、４はメモリ、
５はディジタル処理装置（ＣＰＵ）、６はコントローラ
（ＣＴＬ）である。なお、カプセル１は、その長さ方向
軸を回転中心軸として回転せしめられながら、第２Ａ図
（イ）に示される搬送部材７により示矢の方向へ移送さ
れるので、第２図のセンサ２によって各カプセルの表面
が走査されることになる。
Ａ図はカプセルの搬送態様とセンサ出力波形の関係を示
す説明図、第３図はカプセルの走査方法を説明するため
の説明図である。第２図において、２は例えばカプセル
に光を照射しその反射光を受光する光学センサ、３はア
ナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ ）変換器、４はメモリ、
５はディジタル処理装置（ＣＰＵ）、６はコントローラ
（ＣＴＬ）である。なお、カプセル１は、その長さ方向
軸を回転中心軸として回転せしめられながら、第２Ａ図
（イ）に示される搬送部材７により示矢の方向へ移送さ
れるので、第２図のセンサ２によって各カプセルの表面
が走査されることになる。
かかる走査はヘリカルスキャンとも云われるが、このヘ
リカルスキャンによって得られる出力波形は、例えば第
２Ａ図（ロ）の如きアナログ波形となるので、Ａ／Ｄ変
換器３にでディジタル信号に変換した後メモリ４へ書き
込み、ディジタル処理装置（ＣＰＵ）５で、このメモリ
４へ格納されたデータにもとづき所定の処理を行なうこ
とにより、カプセル検査を行なうことができる。
リカルスキャンによって得られる出力波形は、例えば第
２Ａ図（ロ）の如きアナログ波形となるので、Ａ／Ｄ変
換器３にでディジタル信号に変換した後メモリ４へ書き
込み、ディジタル処理装置（ＣＰＵ）５で、このメモリ
４へ格納されたデータにもとづき所定の処理を行なうこ
とにより、カプセル検査を行なうことができる。
しカルながら、このような検査装置においては、次のよ
うな欠点がある。
うな欠点がある。
まず、第１は、メモリの容量がぼう大になるという点で
ある。すなわち、例えば第３図の如く、カプセルの直径
なｄａ、カプセルの全長をＬＴ。
ある。すなわち、例えば第３図の如く、カプセルの直径
なｄａ、カプセルの全長をＬＴ。
カプセルが１回転する間に搬送される距離なＬＩＦＡ／
Ｄ変換器３からのディジタルデータを読込むなメモリｃ
Ｔは の如く表わされる。ここで、例えばｄｃ＝７ｍｍ。
Ｄ変換器３からのディジタルデータを読込むなメモリｃ
Ｔは の如く表わされる。ここで、例えばｄｃ＝７ｍｍ。
ＬＴ＝２１ｍｍのカプセルに生じている孔径０．５φの
傷を検査するため、０．１ｍｍの間隔でデータを読み込
もうとすると、ＬＰ＝ ０．５ｍｍ、 ｄｐ＝ ０．
１ｍｍであるから、上記（１）式は ・−・・・・（２） となり、必要な容量はＩＯＫバイトということになる。
傷を検査するため、０．１ｍｍの間隔でデータを読み込
もうとすると、ＬＰ＝ ０．５ｍｍ、 ｄｐ＝ ０．
１ｍｍであるから、上記（１）式は ・−・・・・（２） となり、必要な容量はＩＯＫバイトということになる。
第２は、演算時間が長くなるという点である。
つまり、上述の如き大容量の情報を用いて波形を解析す
べく各種演算を行なおうとすると、その処理時間が長く
なり、実用的でなくなるということである。
べく各種演算を行なおうとすると、その処理時間が長く
なり、実用的でなくなるということである。
つまり、従来の方式は、アナログ信号を何ら加工せず、
そのま瓦記憶するものであるため、メモリの容量がぼう
太となるばかりでなく、演算時間も長くなるという欠点
がある。
そのま瓦記憶するものであるため、メモリの容量がぼう
太となるばかりでなく、演算時間も長くなるという欠点
がある。
この発明は上記に鑑みてなされたもので、メモリ容量が
少なくて済み、かつ演算時間の短縮化が可能な外観扶育
装置を提供することを目的とするものである。
少なくて済み、かつ演算時間の短縮化が可能な外観扶育
装置を提供することを目的とするものである。
カプセルがその長手軸を中心に１回転する間の検査はリ
アルタイムで行ない、その結果を一定時間保持し、その
間に該データをメモリへ読込む方式とすることにより、
読込み時間々隔を太き（してメモリ容量を減少させると
ともに、センサ出力からカプセルの回転方向の速度（周
速）とカプセル長さ方向の速度（搬送速度）とを考慮し
て各種検査に有効な２値化信号を作るセンサ出力操作回
路を設け、この回路からの２値化信号にもとづいて演算
を行なうことにより、演算装置による２値化のための演
算を不要として演算時間を短縮させるものである。
アルタイムで行ない、その結果を一定時間保持し、その
間に該データをメモリへ読込む方式とすることにより、
読込み時間々隔を太き（してメモリ容量を減少させると
ともに、センサ出力からカプセルの回転方向の速度（周
速）とカプセル長さ方向の速度（搬送速度）とを考慮し
て各種検査に有効な２値化信号を作るセンサ出力操作回
路を設け、この回路からの２値化信号にもとづいて演算
を行なうことにより、演算装置による２値化のための演
算を不要として演算時間を短縮させるものである。
第４図はこの発明の実施例を示す構成図、第５図は第４
図の動作を説明するための各部波形図、第６図はメモリ
の書込み（ＷＲＩＴＥ）、読出しくＲＥＡＤ）動作を説
明する説明図、第７図はセンサ出力のメモリへの読込み
タイミングを説明する波形図、第８図は第７図における
各種信号の部分的な記憶態様を示すメモリ構成図である
。
図の動作を説明するための各部波形図、第６図はメモリ
の書込み（ＷＲＩＴＥ）、読出しくＲＥＡＤ）動作を説
明する説明図、第７図はセンサ出力のメモリへの読込み
タイミングを説明する波形図、第８図は第７図における
各種信号の部分的な記憶態様を示すメモリ構成図である
。
第４図において、２１１ ２１２は微分器、２２１〜２
２５はコンパレーク、２３１〜２３４は単安定マルチパ
イプレーク、２４，２６はバス切換スイッチ、２５１，
２５２はメモリ、２７１，２７２はデータ書込みバス、
２７］’、２７２’ はデータ読出しバス、２８はアン
ドゲート、２，５および６は第２図と同様のセンサ、デ
ータ処理装置（ＣＰＵ）およびコントローンである。
２５はコンパレーク、２３１〜２３４は単安定マルチパ
イプレーク、２４，２６はバス切換スイッチ、２５１，
２５２はメモリ、２７１，２７２はデータ書込みバス、
２７］’、２７２’ はデータ読出しバス、２８はアン
ドゲート、２，５および６は第２図と同様のセンサ、デ
ータ処理装置（ＣＰＵ）およびコントローンである。
ここで、第５図も参照してその動作を説明する。
なお、この場合、Ｎ回目では良品カプセル１１が、また
、Ｎ＋１回目では穴１４のある不良品カプセル１２がそ
れぞれ検査されるものとする。
、Ｎ＋１回目では穴１４のある不良品カプセル１２がそ
れぞれ検査されるものとする。
カプセル１１，１２は、センサ２によってヘリカルスキ
ャンされ、第５図（イ）の如き信号ａが得られる。なお
、ａｌはノツチ１３によって生じた四部であり、ａ２は
穴１４によって生じた凹部である。この信号ａかも、次
のようにして４種類の信号ｂｙ ｆｙ ｇおよびｍが
得られる。まず、信号すはアナログ信号ａをコンパレー
タ２２１にて所定のレベルａＬ（第５図（イ）参照）と
比較することにより得られ、第５図（ロ）の如くカプセ
ルや搬送部材７の有無に応じて変化することに１よる。
ャンされ、第５図（イ）の如き信号ａが得られる。なお
、ａｌはノツチ１３によって生じた四部であり、ａ２は
穴１４によって生じた凹部である。この信号ａかも、次
のようにして４種類の信号ｂｙ ｆｙ ｇおよびｍが
得られる。まず、信号すはアナログ信号ａをコンパレー
タ２２１にて所定のレベルａＬ（第５図（イ）参照）と
比較することにより得られ、第５図（ロ）の如くカプセ
ルや搬送部材７の有無に応じて変化することに１よる。
信号ｆｙ ｇはセンサの視野の大きさ、カプセルの搬
送速度■Ｔおよびカプセルの形状によって決まる所定の
微分係数をもつ微分器２１１によってアナログ信号ａを
微分した後、コンパレータ２２２．２２３において第５
図（ハ）に示されるレベルｃＨ，ｃＬで２値化されたも
ので、搬送部材７に形成されたカプセル収納穴７１の始
まりや終りおよびボデー、キャップの始まりや終りに応
じて、それぞれ第５図（ニ）、（ホ）の如く得られる。
送速度■Ｔおよびカプセルの形状によって決まる所定の
微分係数をもつ微分器２１１によってアナログ信号ａを
微分した後、コンパレータ２２２．２２３において第５
図（ハ）に示されるレベルｃＨ，ｃＬで２値化されたも
ので、搬送部材７に形成されたカプセル収納穴７１の始
まりや終りおよびボデー、キャップの始まりや終りに応
じて、それぞれ第５図（ニ）、（ホ）の如く得られる。
なお、この信号ｆ２ｇはコンパレータ２２２２２３の出
力を単安定マルチバイブレータ２３１゜２３２によって
それぞれ所定幅の信号に整形したものであるが、このよ
うに所定時間だけ信号を保持する理由については後述す
る。一方、信号ｍはセンサの視野の大きさ、カプセル周
速度ｖＮおよび欠陥部の形状等によって決まる所定の微
分定数を有する微分器２１２によって、上記アナログ信
号ａを微分して得られる第５図（へ）の如き信号りを、
コンパレータ２２４ ２２５にて所定のレベルｈＨ，ｈ
Ｌとそれぞれ比較することによって信号１ｙ ｊを得
、この信号ｊを所定幅の信号に整形する単安定マルチバ
イブレータ２３４を通して得た信号にと信号ｉとをアン
ドゲート２８にて論理積操作した信号ｌを、さらに単安
定マルチバイブレータ２３３によって所定幅の信号に整
形したものである。したがって、信号ｌまたはｍは第５
図（ト）の如く、アナログ信号ａにａｌの如き凹部が存
在するときのみ得られ、それ以外の場合には得られない
。なお、ここではカプセルのノツチを含む凹部な単安定
マルチバイブレータ２３３ ２３４およびアンドゲート
２８を用いて検出するようにしているが、コンパレータ
２２４，２２５の出力ｉ。
力を単安定マルチバイブレータ２３１゜２３２によって
それぞれ所定幅の信号に整形したものであるが、このよ
うに所定時間だけ信号を保持する理由については後述す
る。一方、信号ｍはセンサの視野の大きさ、カプセル周
速度ｖＮおよび欠陥部の形状等によって決まる所定の微
分定数を有する微分器２１２によって、上記アナログ信
号ａを微分して得られる第５図（へ）の如き信号りを、
コンパレータ２２４ ２２５にて所定のレベルｈＨ，ｈ
Ｌとそれぞれ比較することによって信号１ｙ ｊを得
、この信号ｊを所定幅の信号に整形する単安定マルチバ
イブレータ２３４を通して得た信号にと信号ｉとをアン
ドゲート２８にて論理積操作した信号ｌを、さらに単安
定マルチバイブレータ２３３によって所定幅の信号に整
形したものである。したがって、信号ｌまたはｍは第５
図（ト）の如く、アナログ信号ａにａｌの如き凹部が存
在するときのみ得られ、それ以外の場合には得られない
。なお、ここではカプセルのノツチを含む凹部な単安定
マルチバイブレータ２３３ ２３４およびアンドゲート
２８を用いて検出するようにしているが、コンパレータ
２２４，２２５の出力ｉ。
ｊを所定幅の信号に整形してメモリへ記憶させ、ＣＰＵ
５の内部でその検出を行なうようにすることができる。
５の内部でその検出を行なうようにすることができる。
こうして得られるカプセルからの２値化信号力＼例えば
第５図に示されるＮ番目のカプセル１１からのものであ
り、そのときバス切換スイッチ２４，２６が第４図の実
線の位置にあるものとすれば、それらの信号はメモ’Ｊ
２５１へ格納される。このときメモリ２５２にはＮ−１
番目のカプセルに関するデータが書き込まれており、し
たがって、ＣＰ Ｕ ５はこのデータによってＮ−１番
目のカプセルの判定を行ない、その結果をコントローラ
６へ送る。次に、第５図に示される如きＮ＋１番目のカ
プセル１２を走査するときは、コントローラ６によって
バス切換スイッチ２４，２６を第４図の点線の位置に切
り換えることにより、２値化信号はメモリ２５２へ書込
まれる一方、メモリ２５１はＣＰＵ５と接続されルノテ
、ＣＰＵ５はＮ番目のカプセルの判定を行なう。
第５図に示されるＮ番目のカプセル１１からのものであ
り、そのときバス切換スイッチ２４，２６が第４図の実
線の位置にあるものとすれば、それらの信号はメモ’Ｊ
２５１へ格納される。このときメモリ２５２にはＮ−１
番目のカプセルに関するデータが書き込まれており、し
たがって、ＣＰ Ｕ ５はこのデータによってＮ−１番
目のカプセルの判定を行ない、その結果をコントローラ
６へ送る。次に、第５図に示される如きＮ＋１番目のカ
プセル１２を走査するときは、コントローラ６によって
バス切換スイッチ２４，２６を第４図の点線の位置に切
り換えることにより、２値化信号はメモリ２５２へ書込
まれる一方、メモリ２５１はＣＰＵ５と接続されルノテ
、ＣＰＵ５はＮ番目のカプセルの判定を行なう。
ここで、２値化信号をメモリへ書込むタイミングについ
て、第７図を参照して説明する。なお、第７図（イ）は
センサ出力ａを、同図（イ）′はその部分拡大波形を、
同図（ロ）は第４図におけるアンドゲート２８の出力を
、同図（ハ）は同じく第４図の単安定マルチパイプレー
ク２３３の出方を、同図（ニ）はタイミングパルスｔを
それぞれ示すもので、ＯＫタイミングパルスｔの間隔は
カプセル長さ方向の判定粘度の基準となるが、ここでは
、例えばカプセルが１／４周だけ回転するに要する時間
と等しく選ばれる。ところで、上述の如き２値化信号１
０時間幅は、カプセルのノツチや穴などの大きさによっ
て決まるが、その値はカプセルが１回転するに要する時
間の略１／１０以下である。したがって、第７図（ニ）
の如き読込みタイミングでは、信号１を読むことができ
ないので、単安定マルチバイブレータ２３３によって信
号ｌを１／４周期より若干長い時間ＴＨだけ保持するこ
とにより信号ｍを作るものである。なお、この信号ｍに
よれば、第７図の如く１回以上読込むことができるが、
この点は、信号ｆｙ ｇの場合も同様である。こうして
、第６図（イ）、（ロ）の如く、２値化信号はメモ１．
１２５１ ２５２へ交互に書込まｈ（ＷＲＩＴＥ）また
は読出され（ＲＥＡＤ ）、例えば、第７図の場合の例
では第８図の如く記憶される。なお、柁６図（イ）は例
えばメモリ２５１の、同図（ロ）はメモリ２５２の動作
をそれぞれ示すものである。
て、第７図を参照して説明する。なお、第７図（イ）は
センサ出力ａを、同図（イ）′はその部分拡大波形を、
同図（ロ）は第４図におけるアンドゲート２８の出力を
、同図（ハ）は同じく第４図の単安定マルチパイプレー
ク２３３の出方を、同図（ニ）はタイミングパルスｔを
それぞれ示すもので、ＯＫタイミングパルスｔの間隔は
カプセル長さ方向の判定粘度の基準となるが、ここでは
、例えばカプセルが１／４周だけ回転するに要する時間
と等しく選ばれる。ところで、上述の如き２値化信号１
０時間幅は、カプセルのノツチや穴などの大きさによっ
て決まるが、その値はカプセルが１回転するに要する時
間の略１／１０以下である。したがって、第７図（ニ）
の如き読込みタイミングでは、信号１を読むことができ
ないので、単安定マルチバイブレータ２３３によって信
号ｌを１／４周期より若干長い時間ＴＨだけ保持するこ
とにより信号ｍを作るものである。なお、この信号ｍに
よれば、第７図の如く１回以上読込むことができるが、
この点は、信号ｆｙ ｇの場合も同様である。こうして
、第６図（イ）、（ロ）の如く、２値化信号はメモ１．
１２５１ ２５２へ交互に書込まｈ（ＷＲＩＴＥ）また
は読出され（ＲＥＡＤ ）、例えば、第７図の場合の例
では第８図の如く記憶される。なお、柁６図（イ）は例
えばメモリ２５１の、同図（ロ）はメモリ２５２の動作
をそれぞれ示すものである。
第９，１０図は第５図の如く正常晶カプセル１１ 穴あ
きカプセル１２をそれぞれ走査して得られた信号のうち
、特に信号ｂｙ’ｐｇおよびｍの記憶態様を説明するた
めの説明図である。
きカプセル１２をそれぞれ走査して得られた信号のうち
、特に信号ｂｙ’ｐｇおよびｍの記憶態様を説明するた
めの説明図である。
第９，１０図において、各アドレスに示される記号は次
のようにしてつけられる。すなわち、ＣＰＩＮＩ、２は
２値化信号すが′１”となる始まりと終りのアドレスに
、ＲＩＳＥＩ、２は２値化信号ｆが１”となるアドレス
で、カプセルの始まりと終り付近のアドレスに、ＣＥＮ
ＴＥＲ−Ｂ。
のようにしてつけられる。すなわち、ＣＰＩＮＩ、２は
２値化信号すが′１”となる始まりと終りのアドレスに
、ＲＩＳＥＩ、２は２値化信号ｆが１”となるアドレス
で、カプセルの始まりと終り付近のアドレスに、ＣＥＮ
ＴＥＲ−Ｂ。
Ｃはカプセル中央部付近のアドレスに、ＦＡＬＬｌ、２
は２値化信号ｇが“１”となるアドレスで、カプセルの
始まりと終り付近のアドレスに、Ｎ０ＴＣ）ＩＩ、２は
２値化信号ｍがパ１”となるアドレスで、キャップとボ
デーが■、なり合う領域で生じたアドレスに、また、Ｉ
−Ｉ ＯＬ Ｅは上記Ｎ０ＴＣ）Ｉ以外の領域で２値化
信号ｍが°１”となるアドレスにそれぞれ対応して付さ
れるものである。なお、第９し１はキャップを先にして
搬送される正常晶の場合であり、第１０図はボデーに穴
カｔあり、かつボデーな先にして１般送される不良品の
場合であることから、第９図ではノツチを示すアドレス
（ＮＯＴＣｉｌｌ、２）が第１０図の場合よりも先に現
われているとともに、穴を示すアドレス（ＨＯＬＥ’）
は現われていないことがわ力）る。
は２値化信号ｇが“１”となるアドレスで、カプセルの
始まりと終り付近のアドレスに、Ｎ０ＴＣ）ＩＩ、２は
２値化信号ｍがパ１”となるアドレスで、キャップとボ
デーが■、なり合う領域で生じたアドレスに、また、Ｉ
−Ｉ ＯＬ Ｅは上記Ｎ０ＴＣ）Ｉ以外の領域で２値化
信号ｍが°１”となるアドレスにそれぞれ対応して付さ
れるものである。なお、第９し１はキャップを先にして
搬送される正常晶の場合であり、第１０図はボデーに穴
カｔあり、かつボデーな先にして１般送される不良品の
場合であることから、第９図ではノツチを示すアドレス
（ＮＯＴＣｉｌｌ、２）が第１０図の場合よりも先に現
われているとともに、穴を示すアドレス（ＨＯＬＥ’）
は現われていないことがわ力）る。
次に、上記の如くして抽出、記憶された情報（ｂ、ｆ、
ｇ、ｍ等の信号）にもとづ（・て、どのように判定が行
なわれるかにつ（・て説明する。
ｇ、ｍ等の信号）にもとづ（・て、どのように判定が行
なわれるかにつ（・て説明する。
ここで、信号す、ｆ、ｇおよびｍのもつ意味について整
理すると、次の如くなる。
理すると、次の如くなる。
］）信号すについて
カプセルまたは搬送部材を走査するとき“１″′となる
。
。
２）信号ｆについて
カプセルの始まり、搬送部材上のカプセル収納になる。
３）イ百号ｇについて
カプセルの終り、カプセル雇ｊ収穴の始まり、またはカ
プセルがキャップを先にして搬送されたときにキャップ
切り口を走査すると１″になる。
プセルがキャップを先にして搬送されたときにキャップ
切り口を走査すると１″になる。
４）信号ｍについて
カプセル表面の四部、肉薄部また＆１反射率の低い部分
を走査するとき１”となる。
を走査するとき１”となる。
以上の如く、各、信号はそれぞれに個有の意味を持って
いるが、必ずしも一義的に決まるものでを１なく、した
がって、これらをさらに分析する必要力；ある。すなわ
ち、信号ｆ、ｇ４上カプセルの始まり、終りまたは中央
部付近で発生するカー、これらをま互いにアドレスが遠
く離れて（・ること力・ら、容易に・区別することかで
きる。しかし、信号ｍ＆まノツチ（ＮＯＴＣＨ）による
ものと２Ｋ （ＨＯＬ Ｅ ）によるものとがあるので
、ここでしよ、次のようにして区別をしている。
いるが、必ずしも一義的に決まるものでを１なく、した
がって、これらをさらに分析する必要力；ある。すなわ
ち、信号ｆ、ｇ４上カプセルの始まり、終りまたは中央
部付近で発生するカー、これらをま互いにアドレスが遠
く離れて（・ること力・ら、容易に・区別することかで
きる。しかし、信号ｍ＆まノツチ（ＮＯＴＣＨ）による
ものと２Ｋ （ＨＯＬ Ｅ ）によるものとがあるので
、ここでしよ、次のようにして区別をしている。
第１１図は信号の判定方法を説明するフローチャートで
ある。
ある。
まず、上記２Ｌ３）項からも明ら力）なように、信号ｆ
またはｇが１″となるアドレスを調べることにより、カ
プセルの搬送方向とキャップ切口の位置を判別する（■
、■参照）０次に、信号ｍ力じ１°″となるアト勿を調
べ（Ｏ１■参照）、このアドレスがキャラ宸にあり、か
つキャップ切り口より所定距離以上熱れていない場合は
、ｍ＝１なる信号はノツチによるものであり、一方、所
定距雛以上！？Ｋｆでいて、かつボデー劉にある場合は
穴によるものと考えることができる。したがつて、ここ
では、中心位置を表わすｆ ＝１またはｇ＝１どなるア
ドレスと、ｍ−１となるアドレスとの差が所定の設定値
ＣＴＩより小さいか否かを判別し［相］、Ｏ参照）、Ｙ
’ＢＳならばノツチによるもので、正常と判定しく■参
照）、ＮＯならば穴がある不良品であると判定する（○
参照）。なお、Ｏ２０において、ｍ＝１となるアドレス
が存在しないときは、エラーとする（■、■参照）。
またはｇが１″となるアドレスを調べることにより、カ
プセルの搬送方向とキャップ切口の位置を判別する（■
、■参照）０次に、信号ｍ力じ１°″となるアト勿を調
べ（Ｏ１■参照）、このアドレスがキャラ宸にあり、か
つキャップ切り口より所定距離以上熱れていない場合は
、ｍ＝１なる信号はノツチによるものであり、一方、所
定距雛以上！？Ｋｆでいて、かつボデー劉にある場合は
穴によるものと考えることができる。したがつて、ここ
では、中心位置を表わすｆ ＝１またはｇ＝１どなるア
ドレスと、ｍ−１となるアドレスとの差が所定の設定値
ＣＴＩより小さいか否かを判別し［相］、Ｏ参照）、Ｙ
’ＢＳならばノツチによるもので、正常と判定しく■参
照）、ＮＯならば穴がある不良品であると判定する（○
参照）。なお、Ｏ２０において、ｍ＝１となるアドレス
が存在しないときは、エラーとする（■、■参照）。
以上、主としてカプセル表面の検査について説明したが
、前述の如きツインキャップ、チップドキャップまたは
口〃カプセル等の検査も同様にして可能である。また、
第４図の実施例では、アナログ信号の四部を検出するた
めに単安定マルチバイブレータ２３４を設けるようにし
ているが、この単安定マルチバイブレータ２３４をコン
パレータ２２５ではなく２２４側へ接続することにより
、アナログ信号の凸部を検出することができる。また、
アナログ信号の凹凸を区別しない場合は単安定マルチバ
イブレータを省略することが可能である。
、前述の如きツインキャップ、チップドキャップまたは
口〃カプセル等の検査も同様にして可能である。また、
第４図の実施例では、アナログ信号の四部を検出するた
めに単安定マルチバイブレータ２３４を設けるようにし
ているが、この単安定マルチバイブレータ２３４をコン
パレータ２２５ではなく２２４側へ接続することにより
、アナログ信号の凸部を検出することができる。また、
アナログ信号の凹凸を区別しない場合は単安定マルチバ
イブレータを省略することが可能である。
また、前述した如く、コンパレータ２２４ 、２２５の
出力を直接記憶させ、その検出処理をＣＰＵ５にて行な
わせるようにしてもよいものである。
出力を直接記憶させ、その検出処理をＣＰＵ５にて行な
わせるようにしてもよいものである。
以上のように、この発明によれば、センサ出力から複数
の２値化信号を作る２値化回路を設け、該回路を介して
センサ出力データを取込むようにしたので、デ→を取込
む間隔を長くすることができ、その結果、メモリへ格納
す憧データ量が少なくなるので、メモリ容量を減少させ
ることができるとともに、メモリ内容のチェックに要す
る時間を短くすることが走る利点を有するものである０
つまり、メモリ容量は先の（１）式の如く表わされ、そ
の際、カプセル全長およびカプセルが１回転する間に搬
送される距離が一定であれば、メモリ容量ＣＴはデータ
をとり込む間隔ｃｔｐで決まるが、ここで（ゴｄｐ！；
πｄＣ／４の如く選ばれているので、 Ｃｒ−πｄｃ（ＬＴ／Ｌｐ）／（ｙｒｄｃ／４）＝ ４
（ＬＴ／ＬＰ ） となり、先の（２）式の定数を当てはめると、ＣＴ＝４
Ｘ２１１０．５−１６８ で、従来にくらべてメモリ容量を約１１５６にすること
ができる。
の２値化信号を作る２値化回路を設け、該回路を介して
センサ出力データを取込むようにしたので、デ→を取込
む間隔を長くすることができ、その結果、メモリへ格納
す憧データ量が少なくなるので、メモリ容量を減少させ
ることができるとともに、メモリ内容のチェックに要す
る時間を短くすることが走る利点を有するものである０
つまり、メモリ容量は先の（１）式の如く表わされ、そ
の際、カプセル全長およびカプセルが１回転する間に搬
送される距離が一定であれば、メモリ容量ＣＴはデータ
をとり込む間隔ｃｔｐで決まるが、ここで（ゴｄｐ！；
πｄＣ／４の如く選ばれているので、 Ｃｒ−πｄｃ（ＬＴ／Ｌｐ）／（ｙｒｄｃ／４）＝ ４
（ＬＴ／ＬＰ ） となり、先の（２）式の定数を当てはめると、ＣＴ＝４
Ｘ２１１０．５−１６８ で、従来にくらべてメモリ容量を約１１５６にすること
ができる。
また、センサ出力を演算装置（データ処理装置）におい
て２値化する必要がないので、演算時間を短縮すること
が可能である。
て２値化する必要がないので、演算時間を短縮すること
が可能である。
なお、この発明は、上述の如き薬剤カプセルばかりでな
く、これと同形状の物品を検査する検査装置一般に適用
することができる。
く、これと同形状の物品を検査する検査装置一般に適用
することができる。
第１図はカプセルを示す外観図、第２図はカプセル検査
装置の従来例を示す構成図、第２Ａ図はカプセルの搬送
態様とセンサ出力波形との関係を示す説明図、第３図は
カプセルの走査方法を説明する説明図、第４図はこの発
明の実施例を示す構成図、第５図は第４図の動作を説明
するための各部波形図、第６図は２つのメモリの書込み
、読出し動作を説明する説明図、第７図はセンサ出力の
メモリへの読込みタイミングの関係を説明する波形図、
第８図は各種信号の部分的な記憶態様を示すメモリ構成
図、第９図および第１０図は第５図に示される各種信号
の記憶態様を示すメモリ構成図、第１１図は信号の判定
方法を説明するフローチャートである。 符号説明 １ｙｌｌｙ１２・・・・・−カプセル、１１・・・・・
・キャップ、１２・・・・・・ボデー、１３・・・・・
・／ツチ、１４・・・・・・穴、２・・・・・・光学セ
ンサ、３・・・・・・Ａ／Ｄ変換器、４゜２５、 、２
５２・・・・・・メモリ、５・−・データ処理装置（Ｃ
ＰＵ）、６・・・・・・コントローラ（ＣＴＬ）、７・
・曲搬送部材、７１・・・・・・搬送部材のカプセル収
納穴、２１１ｐ２１ｚ・・・・・・微分！、２２１〜２
２５・−・・・・コンノぐレータ、２３１〜２３４・・
・・・・単安定マルチノくイブレータ、２４，２６・・
・・・・バス切換スイッチ、２７１゜２７２ ｔ ２７
ｔ 、２７２ ・・・・・・アータバス代理人 弁理士
並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 第 １ 図 第 ２図 第５図 （ｄリ 庁（ｅ） 第６ｒ：４ 第７図 第 ８ 図 第９囚 第１０２第 １１図
装置の従来例を示す構成図、第２Ａ図はカプセルの搬送
態様とセンサ出力波形との関係を示す説明図、第３図は
カプセルの走査方法を説明する説明図、第４図はこの発
明の実施例を示す構成図、第５図は第４図の動作を説明
するための各部波形図、第６図は２つのメモリの書込み
、読出し動作を説明する説明図、第７図はセンサ出力の
メモリへの読込みタイミングの関係を説明する波形図、
第８図は各種信号の部分的な記憶態様を示すメモリ構成
図、第９図および第１０図は第５図に示される各種信号
の記憶態様を示すメモリ構成図、第１１図は信号の判定
方法を説明するフローチャートである。 符号説明 １ｙｌｌｙ１２・・・・・−カプセル、１１・・・・・
・キャップ、１２・・・・・・ボデー、１３・・・・・
・／ツチ、１４・・・・・・穴、２・・・・・・光学セ
ンサ、３・・・・・・Ａ／Ｄ変換器、４゜２５、 、２
５２・・・・・・メモリ、５・−・データ処理装置（Ｃ
ＰＵ）、６・・・・・・コントローラ（ＣＴＬ）、７・
・曲搬送部材、７１・・・・・・搬送部材のカプセル収
納穴、２１１ｐ２１ｚ・・・・・・微分！、２２１〜２
２５・−・・・・コンノぐレータ、２３１〜２３４・・
・・・・単安定マルチノくイブレータ、２４，２６・・
・・・・バス切換スイッチ、２７１゜２７２ ｔ ２７
ｔ 、２７２ ・・・・・・アータバス代理人 弁理士
並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 第 １ 図 第 ２図 第５図 （ｄリ 庁（ｅ） 第６ｒ：４ 第７図 第 ８ 図 第９囚 第１０２第 １１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）長さ方向軸を回転軸として回転せしめられながら軸
方向に搬送される略円筒状の物品を光学センサにより順
次走査し、該物品の外形および表面の形状に応じた所定
の位置毎に変化するセンサ出力から物品の検査を行なう
外観検査装置であって、該センナ出力を所定のしきい値
レベルで２値化することによりその第１の変化点に関す
る信号を抽出する第１の信号抽出手段と、少なくとも前
記物品の搬送速度を考慮した所定の微分定数を有し前記
センサ出力を微分する第１の微分手段と、該第１微分手
段から得られる正、負の信号をそれぞれ所定のレベルで
２値化することによりその第２、第３の変化点に関する
信号を抽出する第２゜第３の信号抽出手段と、少なくと
も物品の回転速度を考慮した所定の微分定数を有し前記
センサ出力を微分する第２の微分手段と、該第２微分手
段から得られる正、負の信号をそれぞれ所定のレベルで
２値化することにより第４．第５の変化点に関する信号
を抽出する第４．第５の信号抽出手段とを備え、これら
信号抽出手段から得られる信号を物品毎に所定の時間々
隅でサンプリングし、所定のメモリに記憶して検査を行
なうことを特徴とする外観検査装置。 ２）長さ方向軸を回転軸として回転せしめられながら軸
方向に搬送される略円筒状の物品を光学センサにより順
次走査し、該物品の外形および表面の形状に応じた所定
の位置毎に変化するセンサ出力から物品の検査を行なう
外観検査装置であって、該センナ出力を所定のしきい値
レベルで２値化することによりその第１の変化点に関す
る信号を抽出する第１の信号抽出手段と、少なくとも前
記物品の搬送速度を考慮した所定の微分定数を有し前記
センサ出力を微分する第１の微分手段と、該第１の微分
手段から得られる正、負の信号をそれぞれ所定のレベル
で２値化することによりその第２．第３の変化点に関す
る信号を抽出する第２゜第３の信号抽出手段と、少なく
とも物品の回軸速度を考慮した所定の微分定数を有し前
記センサ出力を微分する第２の微分手段と、該第２倣分
手段から得られる正、負の信号をそれぞれ所定のレベル
で２値化することにより第４．第５の変化点に関する信
号を抽出する第４．第５の信号抽出手段と、該第４また
は第５の信号のいずれ一方を所定△ 幅の信号に整形する信号整形手段と、該整形された信号
と第４．第５の信号のうちの整形されない信号との論理
積を演算する論理積手段とを備え、前記第１ないし第３
の信号抽出手段および該論理積手段から得られる信号を
物品毎に所定の時間々隔でサンプリングし、所定のメモ
リに記憶して検査を行なうことを特徴とする外観検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10168583A JPS59226974A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10168583A JPS59226974A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 外観検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59226974A true JPS59226974A (ja) | 1984-12-20 |
| JPH0145024B2 JPH0145024B2 (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=14307191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10168583A Granted JPS59226974A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | 外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59226974A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5470720A (en) * | 1977-11-16 | 1979-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | Binary coding circuit |
| JPS58743A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-05 | Fuji Electric Co Ltd | 傷検査装置 |
-
1983
- 1983-06-09 JP JP10168583A patent/JPS59226974A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5470720A (en) * | 1977-11-16 | 1979-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | Binary coding circuit |
| JPS58743A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-05 | Fuji Electric Co Ltd | 傷検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0145024B2 (ja) | 1989-10-02 |
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