JPS59223242A - 合成石英管の製造方法 - Google Patents
合成石英管の製造方法Info
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- JPS59223242A JPS59223242A JP9623783A JP9623783A JPS59223242A JP S59223242 A JPS59223242 A JP S59223242A JP 9623783 A JP9623783 A JP 9623783A JP 9623783 A JP9623783 A JP 9623783A JP S59223242 A JPS59223242 A JP S59223242A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
- C03B19/1492—Deposition substrates, e.g. targets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
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- Thermal Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は合成石英管−特には管内径の寸法精度が高く、
かつ気泡、異物などのない合成石英管の製造方法に関す
るものである。
かつ気泡、異物などのない合成石英管の製造方法に関す
るものである。
合成石英管は、従来、一般的CG工中実の合成石英イン
ゴットを超音波l二より掘削セン孔するか。
ゴットを超音波l二より掘削セン孔するか。
ダイヤモンドドリルでセン孔する方法、さらf二はこれ
を1700℃以上の温度で加熱溶融し、これに炭素棒を
押し込んで中空体とする方法で作られているが、このよ
うな方法で得られる管状体はその寸法精度がわるいため
にさらCニダイヤモンドッールによる研削または研磨な
どで内面仕上げをしなげればならないという不利があり
、これにはまた製造時における加工歪に起因する気泡や
異物の混入などがあるため、良質の管状体を得ることが
難しいという不利があった。
を1700℃以上の温度で加熱溶融し、これに炭素棒を
押し込んで中空体とする方法で作られているが、このよ
うな方法で得られる管状体はその寸法精度がわるいため
にさらCニダイヤモンドッールによる研削または研磨な
どで内面仕上げをしなげればならないという不利があり
、これにはまた製造時における加工歪に起因する気泡や
異物の混入などがあるため、良質の管状体を得ることが
難しいという不利があった。
また、この合成石英管の製造(二ついては、炭素棒など
の表面(二押発性けい素化合物の加水分解によって発生
するりリカを堆積させたのち、これを加熱溶融して中実
の炭素棒を抜去するという方法も知られているが、この
場合にはその堆積層に含まれているガス体によってその
溶融によって生成した石英ガラスが部分的に膨むという
不利があるほか、これはその内面に無数の小気泡が層状
に存在するようi二なるため、良質の管状体を得ること
ができないという欠点がある。
の表面(二押発性けい素化合物の加水分解によって発生
するりリカを堆積させたのち、これを加熱溶融して中実
の炭素棒を抜去するという方法も知られているが、この
場合にはその堆積層に含まれているガス体によってその
溶融によって生成した石英ガラスが部分的に膨むという
不利があるほか、これはその内面に無数の小気泡が層状
に存在するようi二なるため、良質の管状体を得ること
ができないという欠点がある。
本発明はこのような不利を解決した合成石英管の製造方
法(=関するものであり、これは中空状の炭素質または
黒鉛質の基体上に、揮発性けい素化合物または揮発性け
い素化合物と他の揮発性化合物との混合物の燃焼または
加水分解により発生するシリカ微粉末またはりリカ微粉
末と他の酸化物との混合物を多孔質シリカ焼結体として
堆積させたのち、これを真空中または不活性ガス雰囲気
中で加熱溶融させ、冷却後この基体を抜未することを特
徴とするものである。
法(=関するものであり、これは中空状の炭素質または
黒鉛質の基体上に、揮発性けい素化合物または揮発性け
い素化合物と他の揮発性化合物との混合物の燃焼または
加水分解により発生するシリカ微粉末またはりリカ微粉
末と他の酸化物との混合物を多孔質シリカ焼結体として
堆積させたのち、これを真空中または不活性ガス雰囲気
中で加熱溶融させ、冷却後この基体を抜未することを特
徴とするものである。
これを説明すると1本発明者らは寸法精度が高く一気泡
、異物などが内存しない合成石英管の製造方法(二つい
て種々検討した結果、げい素化合物の分解または加水分
解によって発生するりリカを多孔質シリカ焼結体として
堆積させる基体として一特C二炭素質または黒鉛質の中
空管状体を使用すれば、その後における基体抜去のため
の多孔質シリカ焼結体の溶融時に、この多孔質シリカ焼
結体から発生する気体がこの基体表面からその管状部に
入り、これから外部に導出されるので、このシリカの溶
融ガラス化により生成する合成石英管状体がこの気体に
よって膨らんだり、この気体が気泡として管内層面C二
残留することがたくな≠す。
、異物などが内存しない合成石英管の製造方法(二つい
て種々検討した結果、げい素化合物の分解または加水分
解によって発生するりリカを多孔質シリカ焼結体として
堆積させる基体として一特C二炭素質または黒鉛質の中
空管状体を使用すれば、その後における基体抜去のため
の多孔質シリカ焼結体の溶融時に、この多孔質シリカ焼
結体から発生する気体がこの基体表面からその管状部に
入り、これから外部に導出されるので、このシリカの溶
融ガラス化により生成する合成石英管状体がこの気体に
よって膨らんだり、この気体が気泡として管内層面C二
残留することがたくな≠す。
結果において良質の合成石英管を容易(:得ることがで
きることを見出すと共に、この基体/1.表面な予じめ
平滑に加工しておけばここに得られる合成石英管はその
内表面が平滑なものとなるので寸法精度の高いものにな
るということを確認して本発明を完成させた。
きることを見出すと共に、この基体/1.表面な予じめ
平滑に加工しておけばここに得られる合成石英管はその
内表面が平滑なものとなるので寸法精度の高いものにな
るということを確認して本発明を完成させた。
本0発明方法(二おける炭素質または黒鉛質の基体上(
ニジリカ微粉末を堆積させる方法は公知の気相沈積法(
以下OVD法と略記する)で行なえばよ<−シたがって
これには揮発性のけい素化合物。
ニジリカ微粉末を堆積させる方法は公知の気相沈積法(
以下OVD法と略記する)で行なえばよ<−シたがって
これには揮発性のけい素化合物。
例えば810t4.H81Ot3.0H3SiOt3゜
SIH、OH81(OCR) + 5i(OC3H)
4 3 38
34などを酸素またはI窒累、アル
ゴンガスなどの不活性ガスと共に反応室に導入し、これ
を酸水累火炎中で燃焼または加水分解させ、これC二よ
って発生するりリカ微粉末を基体上に多孔質シリカ焼結
体として堆積させればよく、この合成石英管の光屈折率
を制御しようとする場合にはこの揮発性けい素化合物に
公知のドーグ剤を添加すればよい。
SIH、OH81(OCR) + 5i(OC3H)
4 3 38
34などを酸素またはI窒累、アル
ゴンガスなどの不活性ガスと共に反応室に導入し、これ
を酸水累火炎中で燃焼または加水分解させ、これC二よ
って発生するりリカ微粉末を基体上に多孔質シリカ焼結
体として堆積させればよく、この合成石英管の光屈折率
を制御しようとする場合にはこの揮発性けい素化合物に
公知のドーグ剤を添加すればよい。
このドーグ剤としてはゲルマニワムーはう素、りんの化
合物などを使用すればよく、これにはGe0t4’−G
e(OCR3)4− BOtl、B、(OCR3)。
合物などを使用すればよく、これにはGe0t4’−G
e(OCR3)4− BOtl、B、(OCR3)。
pocL などが例示される。しかし−このドーグ剤と
してはフッ素化合物を使用してもよく、このフッ素化合
物として一般式 CtHmClnFx (ここC二m+
n+x=2 1+2− t:hl −m’h(L
nΣ0−xΣl)で示される化合物1例えば004
F 、0HOAF 、 004F 、
OHF 、OF −2ft
23 3 4などを使用すれば
合成石英体の屈折率の制御と共に、この石英中に含有さ
れるOH基の量を著しく低下させることができるという
効果が伺加される。
してはフッ素化合物を使用してもよく、このフッ素化合
物として一般式 CtHmClnFx (ここC二m+
n+x=2 1+2− t:hl −m’h(L
nΣ0−xΣl)で示される化合物1例えば004
F 、0HOAF 、 004F 、
OHF 、OF −2ft
23 3 4などを使用すれば
合成石英体の屈折率の制御と共に、この石英中に含有さ
れるOH基の量を著しく低下させることができるという
効果が伺加される。
他方1本発明の方法で使用する炭素質またを;黒鉛質の
中空管状基体は、高純度の合成石英管を取得するという
目的からは一十分純度の高い炭素または黒鉛で作られた
ものとすることがよい。また。
中空管状基体は、高純度の合成石英管を取得するという
目的からは一十分純度の高い炭素または黒鉛で作られた
ものとすることがよい。また。
この炭素質または黒鉛質の管状体は前記したようにここ
に堆積されたりリカを溶融したときに、この多孔質シリ
カ中に含有されていた空気、などの気体をこの管状部を
経−て系外に除去する作用をするものであるから、これ
はできるだけ薄いものとすることがよいが−これをあま
り薄くすると機械的、強度が低下するので、これについ
てはその内径を外径の1/2以下とすることがよい。な
お、この基体についてはこの基体上l:堆積された多孔
質シリカ焼結体の溶融時に発生する気体がこの基体表面
からその管状部に導入されるので、この基体表面はその
気体が貫通するものでなければならず。
に堆積されたりリカを溶融したときに、この多孔質シリ
カ中に含有されていた空気、などの気体をこの管状部を
経−て系外に除去する作用をするものであるから、これ
はできるだけ薄いものとすることがよいが−これをあま
り薄くすると機械的、強度が低下するので、これについ
てはその内径を外径の1/2以下とすることがよい。な
お、この基体についてはこの基体上l:堆積された多孔
質シリカ焼結体の溶融時に発生する気体がこの基体表面
からその管状部に導入されるので、この基体表面はその
気体が貫通するものでなければならず。
この点からこれは例えばその平均空孔率が0.15〜0
.30であるような多孔質のものとする必要があるが、
これはそ、の表面に小孔があるとこの空孔にシリカを溶
融したときのガラス化物が浸入し。
.30であるような多孔質のものとする必要があるが、
これはそ、の表面に小孔があるとこの空孔にシリカを溶
融したときのガラス化物が浸入し。
これが合成石英管の内面を粗くするので、このような小
孔のないものとする必要がある。また、この基体となる
炭素質又は黒鉛質の管状体はこの上に堆積された多孔質
シリカ焼結体を溶融して得られる合成石英管から抜去さ
れるのであるが、との抜去は石英ガラスの膨張係数が5
X、10−7/秒であるのに対し炭素のそれが10−
’/抄と著しく異なるので、これは冷却後に容易に抜去
することができる。しかし、この基体の表面精度がわる
かったり、それが凹凸をもつものであるとこの熱膨張率
の差にもとづく空隙だけでは抜けなくなるおそれがある
ので、この基体はその表面l二おける公差分布が平均寸
法g二対し0.5チ以下とする必要があり、これはまた
、目的とする合成石英管の内面の精度がこの基体表面の
平滑性(二左右されるものであるということから、この
中心線平均粗さくRa)を10μ以下とすることがよい
。
孔のないものとする必要がある。また、この基体となる
炭素質又は黒鉛質の管状体はこの上に堆積された多孔質
シリカ焼結体を溶融して得られる合成石英管から抜去さ
れるのであるが、との抜去は石英ガラスの膨張係数が5
X、10−7/秒であるのに対し炭素のそれが10−
’/抄と著しく異なるので、これは冷却後に容易に抜去
することができる。しかし、この基体の表面精度がわる
かったり、それが凹凸をもつものであるとこの熱膨張率
の差にもとづく空隙だけでは抜けなくなるおそれがある
ので、この基体はその表面l二おける公差分布が平均寸
法g二対し0.5チ以下とする必要があり、これはまた
、目的とする合成石英管の内面の精度がこの基体表面の
平滑性(二左右されるものであるということから、この
中心線平均粗さくRa)を10μ以下とすることがよい
。
つぎに本発明方法を添付の図面にもとづいて説明すると
、第1図は本発明方法C二より基体上にシリカ層を形成
させる方法の縦断面図を示したものであり、この場合、
炭素質または黒鉛質の中空管状体1に揮発性けい素化合
物と酸素、水°累がスと共(:燃焼させる酸水素炎バー
ナ−2から一力火炎を吹きつげ、これ6二よって発生し
た多孔質シリカ焼結体層3がこの基体上に堆積されてい
る。この基体1は駆動装置41二よって回転と共に左右
に移動されるよ5になっているので、この基体1の上に
は略々均一な厚さで多孔質シリカ焼結体層8が形成され
るのであるが−これをドーグされたものとする場合には
上記した揮発性けい素化合物に前記したようなドーグ剤
を添加すればよい。なお1図には基体1を左右C二移動
する方法が示亭れているが、これはバーナー2を移動さ
せてもよい。この多孔質シリカ焼結体の密度はそれがあ
まり小さいとそれがその成長中もしく舎工冷却時に中t
Caど平行に割れてしま5ので0.4〜1.0g/mと
することがよ・いが、これはその成長に伴なう直径の増
大によって堆積面の温度が次第に低下し、密度が小さく
なってくるので、これ(:はその成長に伴なって基体の
回転数を低下させるか、燃料ガスの童を増加させるよう
にすることが必要とされる。なお。
、第1図は本発明方法C二より基体上にシリカ層を形成
させる方法の縦断面図を示したものであり、この場合、
炭素質または黒鉛質の中空管状体1に揮発性けい素化合
物と酸素、水°累がスと共(:燃焼させる酸水素炎バー
ナ−2から一力火炎を吹きつげ、これ6二よって発生し
た多孔質シリカ焼結体層3がこの基体上に堆積されてい
る。この基体1は駆動装置41二よって回転と共に左右
に移動されるよ5になっているので、この基体1の上に
は略々均一な厚さで多孔質シリカ焼結体層8が形成され
るのであるが−これをドーグされたものとする場合には
上記した揮発性けい素化合物に前記したようなドーグ剤
を添加すればよい。なお1図には基体1を左右C二移動
する方法が示亭れているが、これはバーナー2を移動さ
せてもよい。この多孔質シリカ焼結体の密度はそれがあ
まり小さいとそれがその成長中もしく舎工冷却時に中t
Caど平行に割れてしま5ので0.4〜1.0g/mと
することがよ・いが、これはその成長に伴なう直径の増
大によって堆積面の温度が次第に低下し、密度が小さく
なってくるので、これ(:はその成長に伴なって基体の
回転数を低下させるか、燃料ガスの童を増加させるよう
にすることが必要とされる。なお。
第2図はこのバーナーのノズル部分の横断面図を示した
ものであり、第2図(a)には同心3重管からなり、N
−1の部分からはガス状のけい素化合物と酸素および/
または窒素、アルゴンガスなどの不活性ガスの混合ガス
が、またN−2からは酸素ガス、N−3からは水素ガス
または水素とメタンなどの炭化氷菓との混合ガスが送入
されるノズルが、また、第2図(bL、 (clには同
心2重管またを工同心3重管の外周部に酸素ガス噴出ノ
ズル(N’−3+N’−3)、水素ガス噴出ノズル(N
’−4−N’−4)を分散配置したノズルが示されてい
るが、この第2図(b)、(c)のノズルは特に火炎温
度が高く、シたがって密度の高い多孔質V II力焼結
体を取得するときに有用とされる。また、このバーナー
は石英ガラス、金側、セラミックなどで作られたものと
すればよいが一不純物の混入防止、耐食性、加工性の点
からは石英ガラス製とすることがよい。
ものであり、第2図(a)には同心3重管からなり、N
−1の部分からはガス状のけい素化合物と酸素および/
または窒素、アルゴンガスなどの不活性ガスの混合ガス
が、またN−2からは酸素ガス、N−3からは水素ガス
または水素とメタンなどの炭化氷菓との混合ガスが送入
されるノズルが、また、第2図(bL、 (clには同
心2重管またを工同心3重管の外周部に酸素ガス噴出ノ
ズル(N’−3+N’−3)、水素ガス噴出ノズル(N
’−4−N’−4)を分散配置したノズルが示されてい
るが、この第2図(b)、(c)のノズルは特に火炎温
度が高く、シたがって密度の高い多孔質V II力焼結
体を取得するときに有用とされる。また、このバーナー
は石英ガラス、金側、セラミックなどで作られたものと
すればよいが一不純物の混入防止、耐食性、加工性の点
からは石英ガラス製とすることがよい。
第3図はこのようにして作られた多孔質シリカ焼結体を
溶融ガラス化して合成石英とするための加熱炉の頗断面
図を示したものであり、第3図(alC二は静置式、第
3図(blには移動式のものが図示されている。第3図
(a)(二おいて、この炉内に入れられた基体1上に堆
積された多孔質シリカ焼結体3げ一加熱源5からの加熱
によって溶融し、気体を放出して縮少するが、この場合
多孔質シリカ焼結体から放出される気体は基体1の表面
からこの基体1の管状部6に進入し、この管状部6から
器外に放出されるので−この多孔質シリカ焼結体の溶融
ガラス化によって得られた合成石英体7は膨らみもなく
、その内面に気泡を含むことがない。また、第3図fb
lは移動式であり、この場合にも多孔質シリカ焼結体は
加熱源5Iからの加熱によって部分的に順次溶融されて
溶融ガラス化されて合成石英体7′とされるが、この場
合も多孔質シリカ焼結体中に含まれていた気体が基体1
の管状部6′から系外に排出されるので、この合成石英
体7′は良質なものとして取得される。この方法におけ
る多孔質シリカ溶融体の加熱温度はこの焼結体の密度、
それのドーグ剤含有の有無、その量によって相違するが
、一般にこれt!1400〜1700℃とすればよく、
またこの炉内の圧力は真空、減圧、大気圧のいずれであ
ってもよいが、減圧、大気圧の場合にはこれをアルゴン
−ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気とすることがよい。
溶融ガラス化して合成石英とするための加熱炉の頗断面
図を示したものであり、第3図(alC二は静置式、第
3図(blには移動式のものが図示されている。第3図
(a)(二おいて、この炉内に入れられた基体1上に堆
積された多孔質シリカ焼結体3げ一加熱源5からの加熱
によって溶融し、気体を放出して縮少するが、この場合
多孔質シリカ焼結体から放出される気体は基体1の表面
からこの基体1の管状部6に進入し、この管状部6から
器外に放出されるので−この多孔質シリカ焼結体の溶融
ガラス化によって得られた合成石英体7は膨らみもなく
、その内面に気泡を含むことがない。また、第3図fb
lは移動式であり、この場合にも多孔質シリカ焼結体は
加熱源5Iからの加熱によって部分的に順次溶融されて
溶融ガラス化されて合成石英体7′とされるが、この場
合も多孔質シリカ焼結体中に含まれていた気体が基体1
の管状部6′から系外に排出されるので、この合成石英
体7′は良質なものとして取得される。この方法におけ
る多孔質シリカ溶融体の加熱温度はこの焼結体の密度、
それのドーグ剤含有の有無、その量によって相違するが
、一般にこれt!1400〜1700℃とすればよく、
またこの炉内の圧力は真空、減圧、大気圧のいずれであ
ってもよいが、減圧、大気圧の場合にはこれをアルゴン
−ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気とすることがよい。
本発明の方法で得られる合成石英管は純度が高く1寸法
精度も高いのでMOVD法による光フアイバー製造用母
材として有用とされるほか、これは半導体素子製造時の
拡散管用素材として、さらにはその他の各種理化学機器
用として有用とされる。
精度も高いのでMOVD法による光フアイバー製造用母
材として有用とされるほか、これは半導体素子製造時の
拡散管用素材として、さらにはその他の各種理化学機器
用として有用とされる。
つぎに本発明方法の実施例をあげる。
実施例1゜
外径30B、内径20園、長さ800mで外径の平均値
に対する公差が±0.1 mである炭素質管状体を基体
とし、これi二四塩化けい素(sicz4)ガス750
777時を水素ガス22 Nrr?/時、酸素ガス1O
Nd1時と共に第2図(C11−示した酸水素炎バーナ
ーから供給して、この基体上に多孔質シリカ焼結体を堆
積させ、10時間後C二この基体の中心部500III
IIIの部分に平均かさ密度が0.65.!9/dの多
孔質シリカ焼結体1,140gを堆積させた管状体を得
た。
に対する公差が±0.1 mである炭素質管状体を基体
とし、これi二四塩化けい素(sicz4)ガス750
777時を水素ガス22 Nrr?/時、酸素ガス1O
Nd1時と共に第2図(C11−示した酸水素炎バーナ
ーから供給して、この基体上に多孔質シリカ焼結体を堆
積させ、10時間後C二この基体の中心部500III
IIIの部分に平均かさ密度が0.65.!9/dの多
孔質シリカ焼結体1,140gを堆積させた管状体を得
た。
つぎl二これを第3図(b)に示した電気炉を使用し。
0.5気圧のヘリウムガス雰囲気中で1,650℃に加
熱してその多孔質シリカ焼結層を溶融ガラス化し、冷却
後、基体を抜去したところ、長さ450咽1重さ1,1
38g−外径48.7欄、内径30.1桐で膨らみや気
泡の全くない合成石英管が得られ、このものの管内面の
寸法精度は基体外径の公差と同じように0.1mであっ
た。
熱してその多孔質シリカ焼結層を溶融ガラス化し、冷却
後、基体を抜去したところ、長さ450咽1重さ1,1
38g−外径48.7欄、内径30.1桐で膨らみや気
泡の全くない合成石英管が得られ、このものの管内面の
寸法精度は基体外径の公差と同じように0.1mであっ
た。
比較例1゜
外径30m+、長さ80011II!で、外径め平均値
に対する公差が±0.19I11である中笑の炭素棒を
基体とし、これC二前記実施例1と同様にして1,17
0gの多孔質シリカ焼結体を堆積させたのち、電気炉中
で溶融ガラス化し、ついでこれから炭素棒を抜去して合
成石英管を作ったところ、この場合には重さ1,165
gの石英管が得られたが、これはその中央部が犬きく膨
らんでおり、その内面に微細な気泡が多数存在するもの
であるため全体が乳白色を呈する不透明のものであった
。
に対する公差が±0.19I11である中笑の炭素棒を
基体とし、これC二前記実施例1と同様にして1,17
0gの多孔質シリカ焼結体を堆積させたのち、電気炉中
で溶融ガラス化し、ついでこれから炭素棒を抜去して合
成石英管を作ったところ、この場合には重さ1,165
gの石英管が得られたが、これはその中央部が犬きく膨
らんでおり、その内面に微細な気泡が多数存在するもの
であるため全体が乳白色を呈する不透明のものであった
。
実施例2゜
外径30−%内径20嗜、長さ800mで、内径の平均
値に対する公差が十〇、l馴である黒鉛製管状体を基体
とし、これに実施例1と同じ条件で。
値に対する公差が十〇、l馴である黒鉛製管状体を基体
とし、これに実施例1と同じ条件で。
この管状体の中心部50(lII11+の部位l二かさ
密度が0.66、li’/mの多孔質シリカ焼結体1.
L、、、55gを堆積させ、ついでこれを第3図(b
)に示した電気炉を使用し、0.9気圧のヘリウムガス
雰囲気中で溶融ガラに、冷却後基体を抜去したところ、
長さ430m+、重さ1,150g、外径49.5mm
、内径30.0+aで膨らみや気泡が全くなく、管内面
の寸法M度も0.1mである合成石英管が得られた。
密度が0.66、li’/mの多孔質シリカ焼結体1.
L、、、55gを堆積させ、ついでこれを第3図(b
)に示した電気炉を使用し、0.9気圧のヘリウムガス
雰囲気中で溶融ガラに、冷却後基体を抜去したところ、
長さ430m+、重さ1,150g、外径49.5mm
、内径30.0+aで膨らみや気泡が全くなく、管内面
の寸法M度も0.1mである合成石英管が得られた。
実施例3゜
外径60徊、内径40mn、長さ1.OOOmnj外径
の平均値に対する公差が0.2−である黒鉛製管\状体
を本体とし、これ(二、メチルトリメトキシシラン(0
H381(OCH3)3] ガス2,13(1/時を水
素ガス5.2Nm’/時、酸素ガス2.6N−/時と共
t:第2図(Q)l2示した酸水素バーナーから供給し
て、この基体上に多孔質シリカ焼結体を堆積させ、10
時間後にこの基体の中心部800@IIの部位に平均か
さ密度が0.72g/cl/lの多孔質シリカ焼結体4
,25(lを堆積させた管状体を得た。
の平均値に対する公差が0.2−である黒鉛製管\状体
を本体とし、これ(二、メチルトリメトキシシラン(0
H381(OCH3)3] ガス2,13(1/時を水
素ガス5.2Nm’/時、酸素ガス2.6N−/時と共
t:第2図(Q)l2示した酸水素バーナーから供給し
て、この基体上に多孔質シリカ焼結体を堆積させ、10
時間後にこの基体の中心部800@IIの部位に平均か
さ密度が0.72g/cl/lの多孔質シリカ焼結体4
,25(lを堆積させた管状体を得た。
つぎl2第3図(b)に示した電気炉を使用し、1気圧
のヘリウムガス雰囲気下C二、これを炉内挿入速度51
IIII/分1回転数10rpmで炉内を通過させて多
孔質シリカ焼結体を溶融ガラス化し一冷却後基体を抜去
したところ、長さ740m−重さ4.180.F、外径
83.0mm−内径69.1mで膨らみや気泡が全くな
く、かつ管内面の寸法精度が±0、2 mmである透明
な合成石英管が得られた。
のヘリウムガス雰囲気下C二、これを炉内挿入速度51
IIII/分1回転数10rpmで炉内を通過させて多
孔質シリカ焼結体を溶融ガラス化し一冷却後基体を抜去
したところ、長さ740m−重さ4.180.F、外径
83.0mm−内径69.1mで膨らみや気泡が全くな
く、かつ管内面の寸法精度が±0、2 mmである透明
な合成石英管が得られた。
比較例2゜
外径60萌、長さ1,000enで外径の平均値に対す
る公差が0.2mmである中実黒鉛棒な基体とじ−これ
C二前記実施例3と同様の方法で平灼かさ密度が0.7
3.F/lf!iの多孔質シリカ焼結体4,380.l
i’を堆積させたのち、電気炉中で溶融ガラス化し、つ
いでこれから黒鉛棒を抜去したところ1合成石英管が得
られたが、これは管内に膨張部があり。
る公差が0.2mmである中実黒鉛棒な基体とじ−これ
C二前記実施例3と同様の方法で平灼かさ密度が0.7
3.F/lf!iの多孔質シリカ焼結体4,380.l
i’を堆積させたのち、電気炉中で溶融ガラス化し、つ
いでこれから黒鉛棒を抜去したところ1合成石英管が得
られたが、これは管内に膨張部があり。
しかも管内に全体にわたって無数の気泡が存在するため
、乳白色不透明のものであった。
、乳白色不透明のものであった。
実施例4.4゜
1宗料ガスとしてのメチルトリメトキシシランC二同−
モル数(15,66モル/時−1,895g/時)のa
ct2F2 ガスを添加したほかは、実施例3と同一の
条件で実施例3と同じ基体上に多孔質シリカ焼結体を堆
積させたところ、この場合には平均かさ密度が0.60
.liT/crIの多孔質シリカ焼結体1.890gが
基体の中心部800mの部位に堆擢された。
モル数(15,66モル/時−1,895g/時)のa
ct2F2 ガスを添加したほかは、実施例3と同一の
条件で実施例3と同じ基体上に多孔質シリカ焼結体を堆
積させたところ、この場合には平均かさ密度が0.60
.liT/crIの多孔質シリカ焼結体1.890gが
基体の中心部800mの部位に堆擢された。
つぎC二、この多孔質シリカ焼結体を実施例3と同じ方
法で溶融ガラス化し、これから基体を抜去したところ、
長さ730@1.重さ1,8751外径71.3−、内
径60.1−で膨らみゃ気泡が全くなく、その屈折率が
nD=1.45118でOH基含有率が0(PPm)で
ある合成石英管が得られ、このものの管内面の寸法精+
ff1tX基体外径の公差と同じ0.2−である透明な
ものであった。
法で溶融ガラス化し、これから基体を抜去したところ、
長さ730@1.重さ1,8751外径71.3−、内
径60.1−で膨らみゃ気泡が全くなく、その屈折率が
nD=1.45118でOH基含有率が0(PPm)で
ある合成石英管が得られ、このものの管内面の寸法精+
ff1tX基体外径の公差と同じ0.2−である透明な
ものであった。
第1図は本発明による。基体上に多孔質シリカ焼結体を
堆積させる方法を例示した縦断面要図。 第2図(al、 (b)、(clはいずれも第1図の方
法c2使用されるバーナーの横断面要因、第3図(al
、 (blはいずれも本発明により多孔質シリカ焼結体
を溶融ガラス化するための電気炉の縦断面要図を示した
ものである。 1・・・中空管状体、 2・・・酸水素炎バーナ−、計
・・多孔質シリカ焼結体、 4・・・駆動装置。 5.5′ ・・・加熱源、6.6′ ・・・管状部。 7−7′ ・・・合成石英管。 第1因 第2図 (a) (b) (
c)第3図 手、続補正書 1、事件の表示 昭和58年特許願第96237号 2、発明の名称 合成石英管の製造方法 3、補正番する者 事件との関係 特許出願人 名称 (206)信越化学工業株式会社4、代 理 人 6、補正の月象 明細書よ=おける「特許請求の範囲の欄」およびl)明
細書第1頁4行〜第2頁3行の「特許請求の範囲」を別
紙のとおりに補正する。 2)明細書第3頁15行〜第4頁1行の「基体上に・・
・・・・どの混合物を」を「基体周囲上に、揮発性けい
素化合物の燃焼または火炎加水分解により発生するシリ
カ微粉末な」と補正する。 3)明細書第く頁8行の「分解または加水分解」を「燃
焼または火炎加水分解」と補正する。 4)明細書第5頁15行の「基体上」を「基体周囲上」
と補正する。 5)明細書第6頁4行〜6行の[しかし、この・・・・
・・フッ素化合物として」を「また、こ\に製造される
合成石英管中のOH基含有量を著しく低下させたいとき
には原料である揮発性けい素化合物にフッ素化合物を含
有させることが好ましく、このフッ素化合物としては」
と補正する。 )明細書第6頁lO行〜12行の「などを使用すれば・
・・・・・付加される。」を「などを例示することがで
きる。」と補正する。 7)明細書第7頁6行の「1/2以下」を「1/2以上
」と補正する。 8)明細書第8頁2行のr5X10”−7/秒」を「5
XIO/’CJと補正し、同頁3行のrlO−シ秒」を
r5 X 1 o−’/℃Jと補正する。 以上 特許請求の範囲 1、中空状の炭素質または黒鉛質の基体周囲上に、揮発
性けい紫化合物の燃焼または火炎加水分解により発生す
るシリカ微粉末を多孔質シリカ焼結体として堆積させた
のち、これを真空中または不活性ガス雰囲気中で加熱溶
融させ、冷却後この基体!抜去することを特徴とする合
成石英管の製造方法 2、内径が外径の少なくとも1/2以上である中空状の
基体を使用する特許請求の範囲第1項記載の合成石英管
の製造方法
堆積させる方法を例示した縦断面要図。 第2図(al、 (b)、(clはいずれも第1図の方
法c2使用されるバーナーの横断面要因、第3図(al
、 (blはいずれも本発明により多孔質シリカ焼結体
を溶融ガラス化するための電気炉の縦断面要図を示した
ものである。 1・・・中空管状体、 2・・・酸水素炎バーナ−、計
・・多孔質シリカ焼結体、 4・・・駆動装置。 5.5′ ・・・加熱源、6.6′ ・・・管状部。 7−7′ ・・・合成石英管。 第1因 第2図 (a) (b) (
c)第3図 手、続補正書 1、事件の表示 昭和58年特許願第96237号 2、発明の名称 合成石英管の製造方法 3、補正番する者 事件との関係 特許出願人 名称 (206)信越化学工業株式会社4、代 理 人 6、補正の月象 明細書よ=おける「特許請求の範囲の欄」およびl)明
細書第1頁4行〜第2頁3行の「特許請求の範囲」を別
紙のとおりに補正する。 2)明細書第3頁15行〜第4頁1行の「基体上に・・
・・・・どの混合物を」を「基体周囲上に、揮発性けい
素化合物の燃焼または火炎加水分解により発生するシリ
カ微粉末な」と補正する。 3)明細書第く頁8行の「分解または加水分解」を「燃
焼または火炎加水分解」と補正する。 4)明細書第5頁15行の「基体上」を「基体周囲上」
と補正する。 5)明細書第6頁4行〜6行の[しかし、この・・・・
・・フッ素化合物として」を「また、こ\に製造される
合成石英管中のOH基含有量を著しく低下させたいとき
には原料である揮発性けい素化合物にフッ素化合物を含
有させることが好ましく、このフッ素化合物としては」
と補正する。 )明細書第6頁lO行〜12行の「などを使用すれば・
・・・・・付加される。」を「などを例示することがで
きる。」と補正する。 7)明細書第7頁6行の「1/2以下」を「1/2以上
」と補正する。 8)明細書第8頁2行のr5X10”−7/秒」を「5
XIO/’CJと補正し、同頁3行のrlO−シ秒」を
r5 X 1 o−’/℃Jと補正する。 以上 特許請求の範囲 1、中空状の炭素質または黒鉛質の基体周囲上に、揮発
性けい紫化合物の燃焼または火炎加水分解により発生す
るシリカ微粉末を多孔質シリカ焼結体として堆積させた
のち、これを真空中または不活性ガス雰囲気中で加熱溶
融させ、冷却後この基体!抜去することを特徴とする合
成石英管の製造方法 2、内径が外径の少なくとも1/2以上である中空状の
基体を使用する特許請求の範囲第1項記載の合成石英管
の製造方法
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 中空状の炭素質または黒鉛質の基体上に、揮発性
けい素化合物または揮発性げい素化合物と41発性化合
物の燃焼または加水分解により発生するりqカ倣粉末ま
たはりフカ微粉末と他の酸化物との混合物を多孔質シリ
カ焼結体として堆積させたのち、これを真空中または不
活性ガス雰囲気中で加熱溶融させ、冷却後この基体を抜
去することを特徴とする合成石英管の製造方法2、内径
が外径の少なくとも1 / Z Ja上である中草状の
基体を使用する特許請求の範囲第1項記載の合成石英管
の製造方法 3、揮発性化合物が一般式 OtHmOlnF!、 (
ここにm+n+X=21+2. t’−1,m)’0−
nk O−z’:xl )で示される弗素化合物である
特許請求の範囲第1項または第2項記載の合成石英管の
製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9623783A JPS59223242A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 合成石英管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9623783A JPS59223242A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 合成石英管の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59223242A true JPS59223242A (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14159619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9623783A Pending JPS59223242A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 合成石英管の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59223242A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0701975A3 (de) * | 1994-09-15 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zum Sintern von Hohlzylindern aus Siliciumdioxid - Soot und Haltevorrichtung für derartige Hohlzylinder |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9623783A patent/JPS59223242A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0701975A3 (de) * | 1994-09-15 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zum Sintern von Hohlzylindern aus Siliciumdioxid - Soot und Haltevorrichtung für derartige Hohlzylinder |
US5665132A (en) * | 1994-09-15 | 1997-09-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Process for the sintering of hollow cylinders of silicon dioxide soot |
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