JPS59217359A

JPS59217359A - 高耐圧プレ−ナ型半導体装置

Info

Publication number: JPS59217359A
Application number: JP9149283A
Authority: JP
Inventors: Akio Mimura; 三村　秋男; Masayuki Obayashi; 正幸大林; Susumu Murakami; 進村上; Naohiro Monma; 直弘門馬
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-05-26
Filing date: 1983-05-26
Publication date: 1984-12-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（利用分野）本発明は、高耐圧プレーナ型半導体装置に関するもので
あシ、特に主接合（逆方向電圧を印加されたときに電圧
を負担する接合）の高耐圧化およびリーク電流の減少を
はかった高耐圧プレーナ型半導体装置Ｃこ関するもので
ある。

さらに詳細にいえば゛、本発明は、ＧＴＯサイリスタ，
サイリスタ，トランジスタ，ダイオード。

トライアックなどのように、主接合の高耐圧化、および
主接合保護（リーク電流の減少）が必要とされる、特に
、電力用のプレーナ型半導体装置に関する。

（背　景）電力用個別半導体素子の主接合端面処理は、素子の信頼
性と直接関係し、また素子面積の縮少という観点からも
重要な技術である。そして、素子の定格電圧が高くなる
ほど、前記の主接合端面処理は一層難しくなる。

この主接合端面処理には、基本的に、次の４点の実現が
不可欠である。

（１）素子面積が小さく、高耐圧化が可能であること、（２）　　リーク電流が小さいこと、（３）保護の信頼性が高いこと、（４）処理コストが安いこと。

ところが、素子の高耐圧を得るには、何らかの特殊な処
理が必要となシ、ある程度の工程増加は避は難い。以下
、特に前記の（１）〜（３）に注目し従来技術を説明す
る。

第１図に、最も基本的な高耐圧化手段を示す。

まず構成から述べる。以下の例では、各種素子の中から
典型的な例として、シリコン半導体のトランジスタ２０
を取りあげて説明するが、他の素子の主接合についても
同様である。

トランジスタ２０は、ベース・コレクタ接合１。

ベース・エミッタ接合２　ｒ　ｎコレクタ３，ｐべ一ス
４，チャンネル阻止（ｎ＋）拡散層５，熱酸化膜６，エ
ミッタ電極７，ベース電極８，コレクタ電極９，および
フィールドプレート１０から成る。

この従来例に詔いて、主接合であるベース・コレクタ接
合１は、絶縁物である熱酸化膜６で保護されている。し
たがって、ベース・コレクタ接合１のリーク電流は低く
保たれる。

また、ベース・コレクタ接合を越えて延びるフィールド
プレート１０によって、この部分の下に、点線で示した
様に、ｎコレクタ３内に空乏層が広げられる。このため
、半導体基板（ｎコレクタ３）の表面の電界が弱められ
、比較的高耐圧を得ることができる。

しかし、この方法には２つの問題点がある。

その第１は、図示しであるように、汚染などで外部Ｃζ
−すなわち、熱酸化膜６の表面に電荷が付着した場合、
電界効果作用で半導体表面に逆の電荷の蓄積が起ること
である。

そして、著しい場合には空乏層が広がる、さらに著しい
場合はｐ型チャンネルができ、チャンネル阻止拡散層５
の所まで延び、そこで阻止される。

このように、外部電荷によって、空乏層やチャンネルが
変動すると、耐圧あるいはリーク電流が変動し、素子の
信頼性を保つことが難しくなる。

もうひとつの問題点は、フィールドグレー）　１０がｐ
ベース４と等電位となるため、フィールドグレート１０
とｎコレクタ３の間に、熱酸化膜６を介して定格電圧が
印加されることになる、という事実に原因するものであ
る。

したがって、定格電圧を絶縁できるだけの厚さの熱酸化
膜６を、半導体基板の表面に形成しなければならない。

しかし、通常の方法で形成し得る熱酸化膜６の厚みは２
〜３μｍが限界で、それ以上厚い酸化膜を形成しようと
すると、プロセスが極めて複雑になる。

以上のことから、第１図に示したような、フィールドプ
レー）１０を有する半導体装置で実現できる耐圧は高々
１００ＯＶ程度と考えられる。

第２図に、改善された従来技術によるトランジスタの一
例を示す。

この例の特徴は、高耐圧化手段として、（１）半導体基
板３゛の表面に露出するフィールド・リミッティング・
リング１１が、ｐベース４を包囲するように設けられ、（２）接合が、半導体基板の表面に形成された半絶縁膜
１２と、その上に積層形成された気相反応酸化膜１３と
で保護されている、点である。なお、ここでいう半絶縁膜とは、その抵抗率
がおおむね　１０’〜１０１１Ω−αの範囲にあるもの
で、例えば、多結晶シリコンに酸素、窒素、炭紫などを
ドープしたものが利用可能である。

第２図の例では、フィールド・リミッティング・リング
１１によって、空乏層が点線で示したように広げられ、
やはシ表面での電界が小さくなるため、高耐圧が得られ
るようになる。

また、接合を半絶縁膜１２で保護すると、外部電荷が付
着した場合でも、それによって誘起される反対極性の電
荷が、半絶縁膜１２の中にトラッ゛プされてしまうため
、半導体表面は安定に保たれる。

したがって、第１図で示したようなチャンネル阻止拡散
層５は不要となシ、素子面積の縮少にも効果がある。

しかし、この方法では、リーク電流が太き（なるという
別の問題を生ずる。そのひとつの原因は、半絶縁膜１２
を流れる電流である。しかし・これは、半絶縁膜１２の
抵抗率を１０’Ω−儂　以上とすれば、実用上は無視す
ることができるようになる。

もうひとつの原因は、半導体と半絶縁膜１２の界面が汚
れることで、これは半絶縁膜１２を気相反応で形成する
過程で起る。このリーク電流の増大は、トランジスタに
関しては、ｈＦＥの低下の原因ともなる。

以上述べたように、従来技術では、高耐圧化の実現と、
リーク電流の低減あるいは信頼性の向上とを同時に満す
ことが不可能であるという欠点がある。

（目　　的）本発明は前述の欠点を除去するためになされたものであ
Ｑ、その目的は高耐圧化の実現と、リーク電流の低減あ
るいは信頼性の向上とを両立させることのできる高耐圧
ブレーナ型半導体装置を提供することにある。

（概　　要）前記の目的を達成するために、本発明は、接合保護膜の
構成と性能を新規に検討し、高耐圧プレーナ型半導体装
置の主接合を、酸化膜、半絶縁膜および酸化膜の複合積
層膜によって保護し、かつ半絶縁膜によって前記主接合
がバイパスまたは橋絡されるようＣ（構成した点に特徴
がある。

また、本発明の他の特徴は、高耐圧プレーナ型半導体装
置の主接合を、酸化膜、リンガラス膜、（必要に応じて
は、さらに酸化膜）、半絶縁膜および酸化膜の複合積層
膜ＩＣよって保護し、かつ半絶縁膜によって前記主接合
がバイパスまたは橋絡つぎに、半導体素子の具体例とし
てトランジスタをとルあげ、本発明の具体的実施例を、
図面に基づいて説明する。

第３図は、本発明の一実施例であるトランジスタ２０を
示す断面図である。

このトランジスタは、ベース・コレクタ接合１゜ベース
・エミッタ接合２　Ｈｎコレクタ３．ｐベース４．チャ
ンネル阻止（ｎ　　’）拡散層５．熱酸化膜６．エミッ
タ電極７．ベース電極８．コレクタ電極９．半絶縁膜　
１２．気相反応酸化膜１３から構成される。

この実施例の構造的な特徴は、半絶縁膜１２が、熱酸化
膜６によってｎコレクタ３（半導体基板）の表面から絶
縁された状態で、ｐベース４とチャンネル阻止拡散層５
とに、電気的に接触されておシ、これによって主接合（
ベース・コレクタ接合１）を橋絡している点ｌこある。

まず、この構造の半導体装置を製造する方法について述
べる。

所望の抵抗率のｎ型シリコンウェハ（基板）に、リンを
拡散し、コレクタの一層を形成する。次に、ボロンを拡
散してｐベース４を形成する。所望する耐圧により、拡
散深さは数μｍから数十μｍとする。つりいて、リンを
拡散して、ｎ＋のエミッタと、チャンネル阻止拡散層５
とを形成する。

ここで、拡散によって生じた酸化膜を全面除去し、再び
熱酸化して全面に熱酸化膜を形成した後ホトリソグラフ
ィ法で、ｎコレクタ３の表面部分・ベース・コレクタ接
合１の基板表面露出部分・およびｎコレクタ３・ｎ　領
域５の境界部分だけに、熱酸化膜６を残す。光、プラズ
マなど、熱エネルギ以外の助けで酸化膜を形成してもよ
い。

次に、（ＳｉＨ，＋Ｎ２０＋Ｎ２　）系の６５０℃の気
相反応で、多結晶の半絶縁膜１２と気相反応酸化膜１３
を形成する。

この場合、原料ガス比Ｎ、ｏ／　ＳｉＨ４を約２とすれ
ば、抵抗率が約１０ｓΩ−ａの半絶縁膜１２を得ること
ができる。また、前記原料ガス比Ｎ、Ｏ／ＳｉＨ，を５
０以上とすれば、はぼ８１０．の組成の気相反応酸化膜
１３を連鰺ルーて形成できゐ。

その後、１０００℃で３０分間、窒素中で焼なましして
から、ホトリソグラフィ法でコンタクト用の窓を開け、
エミッタ電極７．ベース電極８．およびコレクタ電極９
を形成する。

この構造では、まず、接合の露出部が熱酸化膜６で覆わ
れているため、リーク電流は低減されている。次に、第
３図の構造によって高耐圧が得られる原理について説明
する。

ｐベース４とｎコレクタ３との間に逆バイアスが印加さ
れると、ベース・コレクタ接合１に空乏層が広がり始め
る。これと同時に、半絶縁膜１２にも前記バイアスが印
゛加されるので、非常にわずかであるがリーク−流が流
れ始める。

このリーク電流によって電位降下が起り、半絶縁膜１２
上に電位が発生する。この電位によって、熱酸化膜６を
介する電界効果作用が起ル、ｎコレクタ３の表面に空乏
層が広がる。このようにして・自動的にｎコレクタ３の
表面の電界が弱められ、高耐圧が実現される。

この時、ｎコレクタ３の表面の空乏層は強制的に伝ばん
していくので、チャンネル阻止拡散層５を必ず設ける必
要がある。また、半絶縁膜１２を流れる電流を安定化す
るため、その表面に、絶縁作用をする（気相反応）酸化
膜１３が形成される必要がある。

次（ここの構造では、外部に電荷が付着しても、第２図
に関して述べたのと同様の作用により、電１　　　　　
　荷を半絶縁膜１２の中にトラップしてしまうので、高
い信頼性が保証される。

ところで、この構造では、半絶縁膜１２内に生ずる電位
に基づく電界効果を使うので、下地の熱酸化膜６の厚さ
が大きな影響をもつ。この点を具体的に検討した結果に
ついて、以下に説明する。

第４図に、下地の酸化膜６の厚さく横軸）とベース、コ
レクタ耐圧■。。（縦軸）との関係を示す。なお、この
場合の各サンプル半導体素子のｎコレクタ３（基板）の
抵抗率は７０Ω−ＣＩＬ　、　ｎコレクタの表面幅は４
７０μｍ、またｐベース４の拡散深さは　７０μｍであ
る。

また、図中の０印は測定サンプル点であり、それぞれの
熱酸化膜厚さは、１４０Ｘ、＜形成温度８００℃＞　、
４００Ｘ、１０３０Ｘ（同、１０００℃）、５２００又
（同、１１００℃）である。非常に薄い酸化膜（１２＾
）は、熱酸化では制御できないので、酸化性の洗浄処理
（例えば王水洗浄）で形成した。

第４図の結果から、１２Ｘの膜厚では高耐圧化に効果は
ないが、膜厚が１４０〜５２００Ｘの広い範囲では、１
５００Ｖ以上の耐圧が得られることがわかる。この値は
、プレーナ接合の理想耐圧（約１４００Ｖ）を超えるも
ので、第３図の構成が高耐圧化に効果のあることが実証
されている。

ところで、下地酸化膜厚を形成したことによる効果は、
前記酸化膜の形成条件や厚みによって幾分相違する。ま
ず薄い方は、第４図かられかるように、高耐圧化ｌζ効
果のある膜厚は約ｓｏＸ以上であシ、熱酸化法等で均一
に、制御性良く形成できるのもこの程度までである。

厚い力は、酸化膜が厚くなるほど電界効果が及ばなくな
り、高耐圧化の効果が低下する。さらに製法上の制約か
ら、通常の熱酸化（形成温度１２００℃以下）で、しか
も短時間に形成できるのは約ａｏ、ｏｏｏＸ程度までで
あ月これを超えると・気相反応を利用しなければならな
くなるなど工程数の増加を招くようになる。

以上のような、高耐圧化に寄与する効果、および膜形成
上の制約を考慮すると、実用的な下地酸化膜の厚さは５
０Ａ〜３０．０ＯＯＡである。

次に、リーク電流の観点から、下地酸化膜６の厚み範囲
を検討してみる。第５図は、逆方向電圧■ｃＢ（横軸二
単位ボルト）とリーク電流　Ｉ　ＣＢＯ（縦軸二単位ア
ンペア）との関係を、下地酸化膜６の厚みをパラメータ
として示したものである。

図中の曲線につけられた数字は、下地酸化膜６の厚み（
単位、Ｘ）を示している。また、図の右下端の直線りは
、逆方向電圧印加時に半絶縁膜１２中を流れる電流をあ
られしている。なお、曲線ＰＳＧについては後述する。

第５図から分るように、下地酸化膜６の厚さが１２Ａで
は、逆方向電圧ｖｃＢ　　の増加に伴なって、リーク電
流　ＩＣＢＯは単調に増加する特性を示す。

前記酸化膜６の厚さが、１４０Ｘ、５２００Ｘと厚くな
るに従い、リーク電流ＩＣＢＯは低下してくる。

これは、熱酸化膜が厚くなるなど、膜厚が均一になって
くるためであ′−る・−０゜また、膜厚が１４ＯＡの場合は１〜ＩＯＶの範囲で、５
２００Ｘの場合は１０〜ｉｏｏ　ｖの範囲で、それぞれ
リーク電流の増加割合（逆方向電圧の増加に対する）が
、他の領域におけるよシ大となる。

これは、半絶縁膜１２からの電界効果がｎコレクタ３−
すなわち、シリコン基板の表面ｌζ及び、シリコン基板
表面に空乏層が広がシ、空乏層電流が増加することを示
している。

このようにリーク電流増加割合か犬となる逆方向電圧の
領域は、第５図から、下地酸化膜の厚さが厚い程、高電
圧側に移動することがわかる。この現象は、第４図に関
して述べたように、下地酸化膜の厚さがある値以上にな
ると、電界効果作用がｎコレクタ３の表面に及ばなくな
ることを示している。

さらに詳しく下地酸化膜厚とリーク電流の関係を調べた
結果を第６図に示す。

この図は、逆方向電圧ＶＣＢ　を６００ボルトに設定し
、下地酸化膜６の厚さく横軸：単位Ａ）を変化させたと
きの、リーク電流ＩＣ’ＢＯ（縦軸：単位アンペア）の
変化を実測した結果である。

明らかなように、下地酸化膜の膜厚が厚くなる（ζつれ
て、リーク電流が少なくなる傾向を示している。しかし
、膜厚が非常に厚くなると、ｎコレクタ３−　すなわち
、シリコン基板と酸化膜との界面の歪が大きくなり、リ
ーク電流は増加していくと考えられる。

したがって、下地酸化膜の厚さは、第４図から限定され
たように、５０Ｘ〜３ｏ、ｏｏｏＸの範囲が実用的と考
えられる。なお、トランジスタのｈＦＦ。

もリーク電流に対応し、実験範囲内では下地酸化膜厚が
厚くなるほど大きくなっていた。

以上に述べた実施例は、本発明をブレーナ型トランジス
タに適用したものであるが、本発明はサイリスタにも適
用できるものである。本発明をサイリスタに適用した他
の実施例を第７図に示す。

同図において、第３図と同一の符号は、同一または同等
部分をあられしている。

ｎエミッタ２が露出する半導体基板（ｎベース３）の上
側主面とは反対の、下側主面に露出するように、ｐエミ
ッタ１７が形成される。そして、前記ｐエミッタ１７は
半導体基板の端部を経て上側主面にまで延長されている
。

前記上側主面においては、ｐベース４と、エミッタ１７
との中間に、チャンネル阻止（ｎ＋）拡散層５が形成さ
れる。

また、ｐベース４と拡散層５との間、および拡散層５と
ｐエミッタ１７との間には、第３図に関して前述したの
と同じ構成の、熱酸化膜６Ａ、６Ｂ。

半絶縁膜１２．および気相反応酸化膜１３を、順次に積
層形成する。

これによシ、ｐベース４と拡散層５との間、および拡散
層５とｐエミッタ１７との間は、半絶縁膜１２によって
橋絡されることになる。したがつて、この実施例におい
ても、先の実施例に関して述べたのき同様に、高耐圧化
とリーク電流の減少を両立させることができる。

前述の各実施例によれば、半絶縁膜をｎコレクタ表面に
直接形成した従来例にくらべて、リーク電流を約１桁低
減することができた。

しかし、第５図から分るように、それでも半絶縁膜１２
中を流れるリーク電流成分りに比較すれば、なお１桁以
上大きいリーク電流が流れていることになる。

このリーク電流の中、比較的大きい比重を占めるのは、
ｎコレクタ３（すなわち、半導体基板）の表面と熱酸化
膜６の界面を流れる電流であると考えられる。この界面
電流を減少させるには、熱酸化膜６の内部電荷や界面の
安定性を改譬することが有効である。

第８図は、前述の点（ζ着目し、熱酸化膜の内部電荷や
界ＷＪを安定化して、リーク電流のな奢一層の低減をは
かった本発明の第３の実施例の断面図である。同図にお
いて、第３図と同一の符号は、同一または同等部分をあ
られしている。

第３図との対比から明らかなように、この実施例は、第
３図における熱酸化膜６の代りに、熱酸化膜６１．リン
ガラス膜６２．および気相反応酸化膜６３よりなる複合
絶縁膜６０を形成したものである。

この場合の複合絶縁膜６０は、つぎのような工程で形成
することができる。

（１）拡散処理などによって生じた酸化膜を除去した後
、全面に再び厚さ約０．２　μｍの熱酸化膜を形成し、
必要部分だけにこれを残す。

（２）気相反応　Ｓ　ｉ　Ｏ２を形成するための原料ガ
ス中にホスフィン（Ｐ）Ｉ８）を混入して、リンガラス
（Ｐｈｏｓｐｈｏ　−ＳｉＡ！１ｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ
）膜を、約厚さ０．１μｍに形成する。

（３）前記リンガラス膜の耐水、耐薬品性を補強するた
めに、前記ホスフィンを遮断した原料ガスでさらに気相
反応を行ない・約０．２μｍの厚さに８１０２　　膜を
形成する。

（４）その上の、半絶縁膜１２や気相反応酸化膜１３は
、前述の実施例の場合と同様にして形成することができ
る。

この実施例の構成では、ｎコレクタ３（すなわち、半導
体基板）の表面に直接接する熱酸化膜６１の上面に、リ
ンガラス膜６２があるので、そのゲッタリング作用によ
って熱酸化膜６１内の不安定電荷がとらえられて固定化
され、かつ界面状態が安定化される。

したがって、前述の実施例にくらべてよシ一層界面電流
を減少させ、ひいてはリーク電流を減少させることがで
きる。

第５図中の曲線ＰＳＧは、この場合の逆方向電圧対リー
ク電流特性を示すものである。この図から、第３実施例
により、ざらに−桁程度リーク電流が減少されたことが
わかる。

なお、明らかなように、第８図の複合絶縁膜６０の画成
は、そのまま、第７図のサイリスタの場合にも適用でき
るものである。

（発明の効果）以上述べたように、本発明によシ、（１）プレーナ接合の理想耐圧を超える高耐圧化が可能
である。

（２）リーク電流は半絶縁膜を直接付ける場合よυは１
〜２桁低減できる、（３）半絶縁膜を使う本来の高い信頼性が維持される、等の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ従来例によるプレーナ型
半導体装置の断面図、第３図は本発明をプレーナ派トラ
ンジスタに適用した一実施例の断面図、第４図は第３図
の下地酸化膜の厚さと、トランジスタのベース・コレク
タ耐圧Ｖ。ＢＯとの関係を示す図、第５図は、第３図の
トランジスタに印加する逆方向電圧とリーク電流ＩＣＢ
Ｏとの関係を、下地酸化膜の厚さをパラメータとして示
す図、第６図は、逆方向電圧を固定した場合の、下地酸
化膜の厚さとリーク電流”ＣＢＯとの関係を示す図、第
７図は本発明をプレーナ型サイリスタに適用した場合の
他の実施例を示す断面図、第８図は本発明をプレーナ型
トランジスタに適用した場合の、さらに他の実施例を示
す断面図である。１・・・ベース・コレクタ接合、　２・・・ベース・エ
ミッタ接合、　３・・・ｎコレクタ（ｎベース）、４・
・・ｐベース、　　５−、・・チャンネル阻止拡散層、
６．６Ａ　、６Ｂ・・・熱酸化膜、　　７・・・エミッ
タ電極、　　９・・・コレクタ電極、　１２・・・半絶
縁膜、１３・・・気相反応酸化膜、　６１・・・熱酸化
膜、６２・・・リンガラス膜、　　６３・・・気相反応
酸化膜代理人弁理士　平　木　道　人牙１図才２図牙３図７４図（Ｖ）２０：０ｉ２５図（Ａ）５ｔ−６図（△）牙７図牙８図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１導電屋の半導体基板と、前記半導体基板の一
生面に露出し、前記半導体基体との間にｐｎ接合を形成
する第２導電型の半導体領域と、前記半導体基板の一生
面に露出し、前記ｐｎ接合を取囲むように形成された第
１導電屋の高濃度領域と、前記半導体基板の一生面上に
、前記ｐｎ接合から前記半導体基板と第１導電屋高濃度
領域との境界までの領域を覆うように形成された第１絶
縁膜と、前記第１絶縁膜の上に形成され、前記第２導電
型半導体領域および第１導電型高濃度領域に電気的に接
続された半絶縁膜と、前記半絶縁膜の上に形成された第
２絶縁膜とを具備したことを特徴とする高耐圧ブレーナ
屋半導体装置。
（２）上記第１の絶縁膜が半導体基板の酸化膜であり、
半絶縁膜は高抵抗率の非結晶質シリコン膜であることを
特徴とする特許記載の高耐圧プ？Ｔす型半導体装置。
（３）前記第１の絶縁膜は、半導体基板の酸化膜と、そ
の上に積層形成されたリンガラス膜とよルなる複合膜で
あることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の
高耐圧プレーナ盤半導体装置。
（４）前記第１の絶縁膜は、半導体基板の酸化膜と、そ
の上に順次積層形成されたリンガラス膜あよび第３絶縁
膜とよシなる複合膜であることを特徴とする前記特許請
求の範囲第１項記載の高耐圧プレーナ減半導体装置。
（５）第１導電製の半導体基板と、前記半導体基板の一
生面に露出し、前記半導体基体との間に第ｌｐｎ接合を
形成する第２導電製の第１半導体領域と、前記半導体基
板の一生面に露出し、前記＠１ｐｎ接合を取囲むように
形成された第１導電型の高濃度領域と、前記半導体基体
の反対側主面に露出すると共に、前記半導体基板の端面
から一生面にまで延び、前記半導体基板との間に第２　
ｐｎ接合を形成する第２導電型の第２半導体領域と、前
記半導体基板の一生面上に、前記第１および第２のｐｎ
接合から前記半導体基板と第１導電型高濃度領域との境
界までの領域を覆うように形成された第１絶縁膜と、前
記第１絶縁膜の上に形成され、前記２つの第２導電型半
導体領域および第１導電型高濃度領域に電気的に接続さ
れた半絶縁膜と、前記半絶縁膜の上に形成された第２絶
縁膜とを具備したことを特徴とする高耐圧プレーナ型半
導体装置。
（６）上記第１の絶縁膜が半導体基板の酸化膜であシ、
半絶縁膜は高抵抗率の非結晶質シリコン膜であｇことを
特徴とする特許記載の高耐圧プレーナ型半導体装置。
（７）前記第１の絶縁膜は、半導体基板の酸化膜と、そ
の上に積層形成されたリンガラス膜とよシなる複合膜で
あることを特徴とする前記特許請求の範囲第５項記載の
高耐圧プレーナ型半導体装置。
（８）前記第１の絶縁膜は、半導体基板の酸化膜と、そ
の上に弧次積層形成されたリンガラス膜および第３絶縁
膜とよｐなる複合膜であることを特徴とする前記特許請
求の範囲第５項記載の高耐圧プレーナ型半導体装置。