JPS59216043A - 少なくとも１個の金属酸化物を含むセンサを備えたガス検出装置 - Google Patents
少なくとも１個の金属酸化物を含むセンサを備えたガス検出装置Info
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- JPS59216043A JPS59216043A JP5461884A JP5461884A JPS59216043A JP S59216043 A JPS59216043 A JP S59216043A JP 5461884 A JP5461884 A JP 5461884A JP 5461884 A JP5461884 A JP 5461884A JP S59216043 A JPS59216043 A JP S59216043A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N31/00—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods
- G01N31/22—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods using chemical indicators
- G01N31/223—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods using chemical indicators for investigating presence of specific gases or aerosols
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/78—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour
- G01N21/783—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour for analysing gases
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｒ９ｒ定の温度で加熱されて被検出ガスの作
用下でその性質を変える少なくとも１個の金縞酸化物ま
たはそれらの混合物を含むセンサを備えたガス検出用装
置に関する。
用下でその性質を変える少なくとも１個の金縞酸化物ま
たはそれらの混合物を含むセンサを備えたガス検出用装
置に関する。
数年来、いろいろな目的例えば、環境保護。
ガレージの監視、防火および防爆等の用途にガス・セン
サが用いられている。この目的で、導電率が周囲の空気
中の被検出ガスの濃度に依存する金属酸化物から成る経
済的なセンサが利用されている。このようなセンサを用
いてガス検出を実施するためには、センサを約ＪＩ１７
（７℃の温度に加熱する必要がある。公知の導電率の機
能を利用した痕跡ガス検出は一応満足なものであるけれ
ども、以下に詳述するような幾つかの欠点がある。セン
サをその動作温度に加熱するための電力は４１００ ｍ
ＷないしｇθθｍＷの範囲にある。このような電力は多
くの用途において許容し得ないものである。特に、広大
な面積ｆこ亘つて配設される監視設備における長い導体
での電圧降下は問題とされる。更に、広範囲の監視装置
においては、この電力消費に適合するために必要とされ
る緊急時の電力供給は、比較的複雑であり、高価なもの
である。電力消費は、センサに設けられる導体の数およ
びセンサにおける熱損失の主たる原因であるセンサ表面
積の大きさによってあらかた決定され・る。公知のセン
サは、該センサの導電率を測定するためのり本の導体を
有しており、そのため該センサには相当大きな熱損失が
生ずる。熱エネルギの消費についてのセンサ導体による
影響は、センサ素子が小さくなれば小さくなる。はど応
分に大きくなる。
サが用いられている。この目的で、導電率が周囲の空気
中の被検出ガスの濃度に依存する金属酸化物から成る経
済的なセンサが利用されている。このようなセンサを用
いてガス検出を実施するためには、センサを約ＪＩ１７
（７℃の温度に加熱する必要がある。公知の導電率の機
能を利用した痕跡ガス検出は一応満足なものであるけれ
ども、以下に詳述するような幾つかの欠点がある。セン
サをその動作温度に加熱するための電力は４１００ ｍ
ＷないしｇθθｍＷの範囲にある。このような電力は多
くの用途において許容し得ないものである。特に、広大
な面積ｆこ亘つて配設される監視設備における長い導体
での電圧降下は問題とされる。更に、広範囲の監視装置
においては、この電力消費に適合するために必要とされ
る緊急時の電力供給は、比較的複雑であり、高価なもの
である。電力消費は、センサに設けられる導体の数およ
びセンサにおける熱損失の主たる原因であるセンサ表面
積の大きさによってあらかた決定され・る。公知のセン
サは、該センサの導電率を測定するためのり本の導体を
有しており、そのため該センサには相当大きな熱損失が
生ずる。熱エネルギの消費についてのセンサ導体による
影響は、センサ素子が小さくなれば小さくなる。はど応
分に大きくなる。
センサの活性物質は、導電率の測定によく適した形態で
製造しなければならない。それらは、一般に、いろいろ
な方法１例えばスパッタリング、蒸着、スプレィ、塗布
等により基板にフィルムすたは層形態で設けられる。し
かしながら、フィルムの形成が容易でない多くの材料が
ある。
製造しなければならない。それらは、一般に、いろいろ
な方法１例えばスパッタリング、蒸着、スプレィ、塗布
等により基板にフィルムすたは層形態で設けられる。し
かしながら、フィルムの形成が容易でない多くの材料が
ある。
％に、例えば高温で分解する有機材料を製造過程で用い
る場合には、上述の方法では均質な層の形態で実現する
ことはできない。
る場合には、上述の方法では均質な層の形態で実現する
ことはできない。
公知のガス・センサのガス活性層は、特別１こガス選択
性のものではない。所定の選択性を得るためには、異な
ったガス活性を有する複数の層の応答曲線を活用して、
ガス・センサの導電率の測定ｌこおける横方向感度を除
去しなければならない。このことは、何個かのセンサを
加熱する必要があることを意味し、したがって導体を介
しての相当大きな熱損失を甘受しなければならないこと
を意味する。
性のものではない。所定の選択性を得るためには、異な
ったガス活性を有する複数の層の応答曲線を活用して、
ガス・センサの導電率の測定ｌこおける横方向感度を除
去しなければならない。このことは、何個かのセンサを
加熱する必要があることを意味し、したがって導体を介
しての相当大きな熱損失を甘受しなければならないこと
を意味する。
ガス・センサは、爆発の危険がある空間または地域に設
置されることがしばしばある。このような状況ｌこおい
ては、高い熱出力ならびに電気導体の存在は特に危険な
ものである。
置されることがしばしばある。このような状況ｌこおい
ては、高い熱出力ならびに電気導体の存在は特に危険な
ものである。
公知の監視装置においては、例えば、伝送線路に対して
誘導的（こ結合される電磁的干渉から生じるような妨害
の影響を受けて、誤った警報の発生を惹起することがあ
る。したがって１周知のように、特ζこ周辺のセンサか
ら相当遠隔に設置されていることの多い中央局へアナロ
グ値で伝送が行なわれるシステムの場合には、伝送線路
上の上記のような妨害を識別するために高価な電子的計
測手段を配備する必要があった。
誘導的（こ結合される電磁的干渉から生じるような妨害
の影響を受けて、誤った警報の発生を惹起することがあ
る。したがって１周知のように、特ζこ周辺のセンサか
ら相当遠隔に設置されていることの多い中央局へアナロ
グ値で伝送が行なわれるシステムの場合には、伝送線路
上の上記のような妨害を識別するために高価な電子的計
測手段を配備する必要があった。
本発明の課題は上に述べたような欠点を除去することに
ある。本発明は、最適な加熱ｌこ対する小さい加熱電力
および外部形・響による妨害の阻止のような有利な効果
を達成しようとするものである。本発明のこの課題は、
特許請求の範囲第１項の謂ゆる特徴部分に記載の本発明
の構成によって解決される。
ある。本発明は、最適な加熱ｌこ対する小さい加熱電力
および外部形・響による妨害の阻止のような有利な効果
を達成しようとするものである。本発明のこの課題は、
特許請求の範囲第１項の謂ゆる特徴部分に記載の本発明
の構成によって解決される。
以下５図面を参照し１本発明の実施例を詳細ｆこ説明す
る。
る。
第１図は、ガス・センサの表面を被検出ガスに露出した
時の該ガス・センサの光学的性質の変化を示すグラフで
ある。ガス・センサは、詳細には後述する通常の加熱装
置で室温または周囲温と３３０℃との間の領域にある温
度ｔこ加熱される。時点１．で、被検出ガス、例えば水
素がガス・センサの表面に付着すると一該ガス・センサ
の光学的性質が変わる。即ち、その色が変化する。この
光学的性質の変化をΔＥで表わす。時点ｔ２で、時間に
関連する光学的性質の変化△Ｅ７ｉ−示す曲、Ｗ／は飽
和状態に達する。時点ｔ３においては、水素ガスはガス
・センサの表面に付着しない。そこで１曲１１／は短時
間内に再びぞの出発点に戻る。したがって、ガス・セン
サの光学的性質の変化には可逆性があることが確認され
る。応答時間（ｔ、）および減衰時間（ｔ３）は、ガス
・センサ温度に依存し、数秒から数分の範囲内にある。
時の該ガス・センサの光学的性質の変化を示すグラフで
ある。ガス・センサは、詳細には後述する通常の加熱装
置で室温または周囲温と３３０℃との間の領域にある温
度ｔこ加熱される。時点１．で、被検出ガス、例えば水
素がガス・センサの表面に付着すると一該ガス・センサ
の光学的性質が変わる。即ち、その色が変化する。この
光学的性質の変化をΔＥで表わす。時点ｔ２で、時間に
関連する光学的性質の変化△Ｅ７ｉ−示す曲、Ｗ／は飽
和状態に達する。時点ｔ３においては、水素ガスはガス
・センサの表面に付着しない。そこで１曲１１／は短時
間内に再びぞの出発点に戻る。したがって、ガス・セン
サの光学的性質の変化には可逆性があることが確認され
る。応答時間（ｔ、）および減衰時間（ｔ３）は、ガス
・センサ温度に依存し、数秒から数分の範囲内にある。
動作温度を適切に選択することにより、ガス・センサを
、所望の適用分野に対応する迅速性をもって、ガスの存
在に対し応答させることができる。ガス・センサの材料
は、第ｉ図に示した実施例では二酸化スズ（Ｓ’ｎＯ，
）である。この二酸化スズは濃度ｔｏｏ。
、所望の適用分野に対応する迅速性をもって、ガスの存
在に対し応答させることができる。ガス・センサの材料
は、第ｉ図に示した実施例では二酸化スズ（Ｓ’ｎＯ，
）である。この二酸化スズは濃度ｔｏｏ。
Ｉ’ｐｍの水素ガスの影響下で、約２５θ℃の温度でそ
の光学的性質を曲線／で示すように変化する。ガス・セ
ンサとして、追って詳述するような他の材料を用いた場
合には、量または濃度の多少ｌこよる他のガスもしくは
蒸気の影響下において、その光学的性質△Ｅを表わす曲
線は第１図に示した曲線とは異なっている。しかしなが
ら、基本的ｌこは、これらの光学的性質の変化はｍ１図
に示した曲線に対応する。
の光学的性質を曲線／で示すように変化する。ガス・セ
ンサとして、追って詳述するような他の材料を用いた場
合には、量または濃度の多少ｌこよる他のガスもしくは
蒸気の影響下において、その光学的性質△Ｅを表わす曲
線は第１図に示した曲線とは異なっている。しかしなが
ら、基本的ｌこは、これらの光学的性質の変化はｍ１図
に示した曲線に対応する。
第２図は、ガスの段階的に増大する濃度、例えば、、２
ｏｏθｐｐｍの水素（Ｈ２）め段階的な増大の影響下に
おけるガス・センサの光学的性質の変化△Ｅ （縦軸〕
を示す。第２図において、時点ｔ、で１本例の場合Ｓｎ
Ｏ□からなるガス・センサの表面にλθθθｐｐｍのＨ
２を接触させる。時点ｔ２ ｖ ｔ３およびｔ４で、Ｈ
２の濃度をそれぞれ２０００ｐｐｍずつ段階的に増大さ
せる。曲線コの形状または包絡線から認められるように
、光学的性質の変化△Ｅはほぼ線形的である。ガス・セ
ンサの表面にガスが現われなくなる（時点ｔｓ）と、Δ
Ｅは直ちにその初期レベルに戻る。この第２図における
場合（こも、ガス・センサの光学的性質は可逆性のもの
である。なお、「光学的性質」とは、ガス・センサの反
射特性ならびに透過特性を表わすものと理解されたい。
ｏｏθｐｐｍの水素（Ｈ２）め段階的な増大の影響下に
おけるガス・センサの光学的性質の変化△Ｅ （縦軸〕
を示す。第２図において、時点ｔ、で１本例の場合Ｓｎ
Ｏ□からなるガス・センサの表面にλθθθｐｐｍのＨ
２を接触させる。時点ｔ２ ｖ ｔ３およびｔ４で、Ｈ
２の濃度をそれぞれ２０００ｐｐｍずつ段階的に増大さ
せる。曲線コの形状または包絡線から認められるように
、光学的性質の変化△Ｅはほぼ線形的である。ガス・セ
ンサの表面にガスが現われなくなる（時点ｔｓ）と、Δ
Ｅは直ちにその初期レベルに戻る。この第２図における
場合（こも、ガス・センサの光学的性質は可逆性のもの
である。なお、「光学的性質」とは、ガス・センサの反
射特性ならびに透過特性を表わすものと理解されたい。
ガス・センサの材料としては１周期率表のランタニド系
元素およびアクチニド系元素を含めＩｔ）、Ｉａ。
元素およびアクチニド系元素を含めＩｔ）、Ｉａ。
ｌｂ 、 Ｉａ 、 Ｉｂ 、 ＩＶａ 、 ＩＶｂ
、 Ｖａ 、 Ｖｂ 、 Ｍａ 、 Ｖｌｂ 、■ｂ、
ｖｉ族のｌ″）または複数の族から選択された元素の金
属酸化物または金属酸化物の混合物がある。
、 Ｖａ 、 Ｖｂ 、 Ｍａ 、 Ｖｌｂ 、■ｂ、
ｖｉ族のｌ″）または複数の族から選択された元素の金
属酸化物または金属酸化物の混合物がある。
また、これらの金属酸化物または金属酸化物の混合物は
触媒によって活性化されうるものである。次のような金
属酸化物を使用するのが特に好ましい。即ち、 Ｓｎ
Ｏ，、ＺｎＯ、Ｔｉｅ、 、 ＷＯ，、０ｒｔＯ，。
触媒によって活性化されうるものである。次のような金
属酸化物を使用するのが特に好ましい。即ち、 Ｓｎ
Ｏ，、ＺｎＯ、Ｔｉｅ、 、 ＷＯ，、０ｒｔＯ，。
Ｆｅ２Ｏ３である。また、次のような金属酸化物を互い
をこ混合して用いるのも有利である。即ちＳｎＯ，、Ｏ
ｕＯ、ＺｎＯ、ＮｉＯである。さらＣコ、金属酸化物も
しくは金属酸化物の混合物を、例えば、Ｐｔ 、 Ｐｄ
、 Ｒｈ 、 ＯｕＯ、ＮｉＯ等の触媒で活性化する
ことができる。
をこ混合して用いるのも有利である。即ちＳｎＯ，、Ｏ
ｕＯ、ＺｎＯ、ＮｉＯである。さらＣコ、金属酸化物も
しくは金属酸化物の混合物を、例えば、Ｐｔ 、 Ｐｄ
、 Ｒｈ 、 ＯｕＯ、ＮｉＯ等の触媒で活性化する
ことができる。
第３図は、ガス・センサ５に向けられる光ビームが反射
される型式のガス検出用装置の一実施例を示す。コンバ
ータまたは電池の如き電源コは光源３に給電する。該光
源は、ガス・センサＳの表面に回けて光線またはレーザ
ピームダを投射する。光源３は１発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザ光臨、熱放射または熱イオン光源、若しく
は、スペクトル・ランプとして構成することができる。
される型式のガス検出用装置の一実施例を示す。コンバ
ータまたは電池の如き電源コは光源３に給電する。該光
源は、ガス・センサＳの表面に回けて光線またはレーザ
ピームダを投射する。光源３は１発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザ光臨、熱放射または熱イオン光源、若しく
は、スペクトル・ランプとして構成することができる。
ガス・センサ５は適当な加熱装置乙により動作温度に加
熱される。加熱装置６は。
熱される。加熱装置６は。
第７０図、第１／図、第１２図、第１３図および第７４
’図に示すようすこ、いろいろな形態で実現することが
できる。光ビーム弘は、ガス・センサＳの表面で光ビー
ム７として反射されて検光器または受光器ｇにより受光
される。該受光器ざは電気信号を増幅器りに供給される
。該受光器ざには、元ビーム７の光学的スペクトルを評
価するための光学手段が設けられることができる。この
ような手段には、フィルタ、プリズムおよび回折格子が
含すれる。この電気＜ｓ号は反射光ビーム７の光の強さ
に対応する。光ビーム弘が常に安定した強さを有するよ
うに光源３が構成されている場合（こは、この電気信号
は通常の評価装置１０４こおいて直接的ｌこ評価される
。
’図に示すようすこ、いろいろな形態で実現することが
できる。光ビーム弘は、ガス・センサＳの表面で光ビー
ム７として反射されて検光器または受光器ｇにより受光
される。該受光器ざは電気信号を増幅器りに供給される
。該受光器ざには、元ビーム７の光学的スペクトルを評
価するための光学手段が設けられることができる。この
ような手段には、フィルタ、プリズムおよび回折格子が
含すれる。この電気＜ｓ号は反射光ビーム７の光の強さ
に対応する。光ビーム弘が常に安定した強さを有するよ
うに光源３が構成されている場合（こは、この電気信号
は通常の評価装置１０４こおいて直接的ｌこ評価される
。
光源３がそのように構成されていない場合には、第３図
に点線で示した基準光ビーム３１を、評価装置１０ｆこ
設けられている比較器に伝送されて、該比較器によって
基準光ビーム、？ ／を光ビーム７を表わす電気信号と
比較するようにしなければならない。反射光ビーム７の
強度測定の結果あるいは光ビーム３１と７との間の強度
比較の結果は表示装置／／ｊこよって示される。いま、
第１図および第２図をこよるカス・センサＳの表面にガ
スが接触したものとすると、該ガス・センサ５の表面の
反射特性が変化する。したがって、反射光ビーム７の強
度は２現に存在するガスの種類および量または濃度を示
すことになる。その結果は表示装置／／で読取られる。
に点線で示した基準光ビーム３１を、評価装置１０ｆこ
設けられている比較器に伝送されて、該比較器によって
基準光ビーム、？ ／を光ビーム７を表わす電気信号と
比較するようにしなければならない。反射光ビーム７の
強度測定の結果あるいは光ビーム３１と７との間の強度
比較の結果は表示装置／／ｊこよって示される。いま、
第１図および第２図をこよるカス・センサＳの表面にガ
スが接触したものとすると、該ガス・センサ５の表面の
反射特性が変化する。したがって、反射光ビーム７の強
度は２現に存在するガスの種類および量または濃度を示
すことになる。その結果は表示装置／／で読取られる。
監視装置に対する重大な事実として、反射特性の変化に
よるガスの検出は、局部的な、または遠隔の原因部から
の電磁的な妨害に対して鈍感であるということがある。
よるガスの検出は、局部的な、または遠隔の原因部から
の電磁的な妨害に対して鈍感であるということがある。
さらに、ガス・センサＳは単純なやり方で小型化するこ
とができ、しかもこのセンサは層形前またはフィルム形
態にする必要はない。加熱部６もまた単純化される。２
本の導電縁のみが必要とされるが、これにより、熱損失
は相応に減少される。したがって、加熱装置は電池によ
って給電されることが可能である。
とができ、しかもこのセンサは層形前またはフィルム形
態にする必要はない。加熱部６もまた単純化される。２
本の導電縁のみが必要とされるが、これにより、熱損失
は相応に減少される。したがって、加熱装置は電池によ
って給電されることが可能である。
第ｑ図を参照するに、光源３は電源または電池２により
給電される。この光源３は、光線またはレーザ・ビーム
ｔＩヲカス・センサＳの表面に垂直に送出する。該ガス
・センサ５は、加熱装置乙により動作温度になるまで加
熱される。
給電される。この光源３は、光線またはレーザ・ビーム
ｔＩヲカス・センサＳの表面に垂直に送出する。該ガス
・センサ５は、加熱装置乙により動作温度になるまで加
熱される。
ガス・センサＳ力）ら出た光ビーム７は受光器ｇにより
受光される。この受光器ｇは、光ビーム７の強度に対応
する電気信号を発生し、増幅器デに供給する。増幅され
た信号は通常の評価装置ｉｏで処理される。光源３が、
光ビーム弘の強度を安定（こするもの、即ち、それを実
質的に一定に保持するものである場合には、評価装置１
０はガス・センサ５から発する光ビーム７を表わす電気
信号だけを評価し、その結果は表示装置／ｌで表示され
る。光源３からガス・センサＳへの入射光ビーム弘が安
定化されていない場合には、基準光ビーム３／が評価装
置１０に伝送されて、ガス・センサ５から発する光ビー
ム７を表わす電気信号は、この基準光ビーム３１と比較
される。その結果は２表示装置／／で表示される。いま
、ガスがガス・センサ５の表面と接触したものとすると
、該ガス・センサ５の透過特性が変化する。透過光ビー
ムの強度は、それにしたがって変化する。評価装置１０
は１表示装置／／に、ガスの種類および量または濃度に
対応する電気信号を供給する。双方の値は表示装置／ｌ
で読取ることができる。第グ図に示した実施例によるガ
ス・センサＳは、小型化することができ、また、層構成
にする必要はない。また、加熱手段の小型化ならびに無
接触測定で、加熱エネルギは相当に節減される。
受光される。この受光器ｇは、光ビーム７の強度に対応
する電気信号を発生し、増幅器デに供給する。増幅され
た信号は通常の評価装置ｉｏで処理される。光源３が、
光ビーム弘の強度を安定（こするもの、即ち、それを実
質的に一定に保持するものである場合には、評価装置１
０はガス・センサ５から発する光ビーム７を表わす電気
信号だけを評価し、その結果は表示装置／ｌで表示され
る。光源３からガス・センサＳへの入射光ビーム弘が安
定化されていない場合には、基準光ビーム３／が評価装
置１０に伝送されて、ガス・センサ５から発する光ビー
ム７を表わす電気信号は、この基準光ビーム３１と比較
される。その結果は２表示装置／／で表示される。いま
、ガスがガス・センサ５の表面と接触したものとすると
、該ガス・センサ５の透過特性が変化する。透過光ビー
ムの強度は、それにしたがって変化する。評価装置１０
は１表示装置／／に、ガスの種類および量または濃度に
対応する電気信号を供給する。双方の値は表示装置／ｌ
で読取ることができる。第グ図に示した実施例によるガ
ス・センサＳは、小型化することができ、また、層構成
にする必要はない。また、加熱手段の小型化ならびに無
接触測定で、加熱エネルギは相当に節減される。
したがって、加熱部６は適当な電池で付勢することがで
きる。透過特性の変化によるガスの存在の検出ならびｌ
こ該ガスの量の測定は１局部的な才たは遠隔の環境にお
ける電磁的な妨害には全く関係がない。
きる。透過特性の変化によるガスの存在の検出ならびｌ
こ該ガスの量の測定は１局部的な才たは遠隔の環境にお
ける電磁的な妨害には全く関係がない。
第Ｓ図は、第３図に示したガス検出装置ζこおけるオプ
チカル・ガイドの実施例を示す。光ピームダはオプチカ
ル・ファイバから形成することができるオプチカル導体
１２を介してガス・センサ５の表面に導かれる。そこで
光ビーム弘は反射され、光ビーム７としてオプチカル導
体１３に入射し、受光器ｇに導かれる。ガス・センサ５
の表面は、入射光ビームｑが該表面の大きな部分に当り
、反射光ビーム７の大部分がカラス導体１３に向くよう
に形成されている。この目的のために４レンズを設けて
も良い。加熱は。
チカル・ガイドの実施例を示す。光ピームダはオプチカ
ル・ファイバから形成することができるオプチカル導体
１２を介してガス・センサ５の表面に導かれる。そこで
光ビーム弘は反射され、光ビーム７としてオプチカル導
体１３に入射し、受光器ｇに導かれる。ガス・センサ５
の表面は、入射光ビームｑが該表面の大きな部分に当り
、反射光ビーム７の大部分がカラス導体１３に向くよう
に形成されている。この目的のために４レンズを設けて
も良い。加熱は。
加熱装置乙によりガス・センサ５の背面側で行なわれる
。
。
第６図は、ガス・センサ５に入射する光ピームクおよび
反射光ピームクが同一のオプチカル導体／Ｍ’で案内さ
れる構成のオプチカル・ガイドめ別の実施例を示す。ガ
ス・センサｊの反射面は、入射光ビーム弘がガス・セン
サタの表面の大きな部分に当り、また、オプチカル導体
／ｌＩができるだけ多くの反射光を集光するように形成
されている。反射面とオプチカル導体ｌｑとの間の空間
に配設されているレンズを用いて光ビーム弘および７を
所望の仕方で透過することも勿論可能である。
反射光ピームクが同一のオプチカル導体／Ｍ’で案内さ
れる構成のオプチカル・ガイドめ別の実施例を示す。ガ
ス・センサｊの反射面は、入射光ビーム弘がガス・セン
サタの表面の大きな部分に当り、また、オプチカル導体
／ｌＩができるだけ多くの反射光を集光するように形成
されている。反射面とオプチカル導体ｌｑとの間の空間
に配設されているレンズを用いて光ビーム弘および７を
所望の仕方で透過することも勿論可能である。
第７図は、光ビーム弘が１本のオプチカル導体ｌＳを介
してガス・センサＳに案内される光ビームのためのオプ
チカル・ガイドの実施例を示す。光ピームクはガス・セ
ンサ５を透過した後にオプチカル導体／６によって集光
されて受光器ｇに導かれる。この実施例（こおいては、
加熱装置６は通常の抵抗加熱要素で構成されてｌ／）る
。透過特性が変われば出射光ピームクの強度も変化する
。
してガス・センサＳに案内される光ビームのためのオプ
チカル・ガイドの実施例を示す。光ピームクはガス・セ
ンサ５を透過した後にオプチカル導体／６によって集光
されて受光器ｇに導かれる。この実施例（こおいては、
加熱装置６は通常の抵抗加熱要素で構成されてｌ／）る
。透過特性が変われば出射光ピームクの強度も変化する
。
第３図には、いわゆるマルチ・センサＳが示されている
。このマルチ・センサは、複数の互いに独立のセンサ５
／、３２．！；３，５Ｆ、ｊ！および５６から構成され
ている。これら個々のセンサは、共通に光ビーム弘によ
りオプチカル導体／７７５介して照射される。センサ５
１ないしＳ６の各々は、その構成材料の適切な選択によ
り特定のガスの感知することができる。したがって、こ
のようなマルチ・センサは、複雑な組成を有するガス混
合物が予想されるような場所で用いられる。これら諸種
のセンサは、共通の加熱装置６により動作温度に共同的
に加熱されてもよいし、あるいはまた、センサＳ／ない
しＳ６の各々に対してＩＩＷ々に加熱装置を設けること
もできる。後者の場合には、個々のセンサを異なった動
作温度に加熱し、それにより異なったガスに対Ｔる感度
を高めるようにすることができる。この場合（こは、
１＠々のガス・センサＳｔないしＳ６は互いｌこ熱絶縁
し、互いに影響し合わないようにされる。ガス・センサ
の各々は、ガスに対応して特定的にその透過特性を変え
る。この透過特性の変化は、出射光ビーム７／、７２．
り３，７≠、７Ｓおよび７６の強度の変化として現イつ
れる。オプチカル導体／ｌ、／９゜２０．２／、２コお
よび２３がそれぞれの光ビームを関連の受光器ｇに導く
。このマルチ・センサ（こおいては、受光器は、通常％
評価装置ｌＯと共に動作される。該評価装置１０は、電
気信号を処理して、表示装置ｌ／を、個々のセンサＳ／
ないし５６の測定結果を時系列的にまたは同時に表示す
るように制御する。なお、時系列的に表示するか同時に
表示するかは、表示装置／’ ／の構造によって決まる
ことである。例えば表示装置が６個のディスプレイ・フ
ィールドを有している場合（こは、６個のガス・センサ
５１ないし５６の測定結果を同時に表示することができ
る。ごれに対して表示装置が１個のディスプレイ・フィ
ールドだけを備えている場合には。
。このマルチ・センサは、複数の互いに独立のセンサ５
／、３２．！；３，５Ｆ、ｊ！および５６から構成され
ている。これら個々のセンサは、共通に光ビーム弘によ
りオプチカル導体／７７５介して照射される。センサ５
１ないしＳ６の各々は、その構成材料の適切な選択によ
り特定のガスの感知することができる。したがって、こ
のようなマルチ・センサは、複雑な組成を有するガス混
合物が予想されるような場所で用いられる。これら諸種
のセンサは、共通の加熱装置６により動作温度に共同的
に加熱されてもよいし、あるいはまた、センサＳ／ない
しＳ６の各々に対してＩＩＷ々に加熱装置を設けること
もできる。後者の場合には、個々のセンサを異なった動
作温度に加熱し、それにより異なったガスに対Ｔる感度
を高めるようにすることができる。この場合（こは、
１＠々のガス・センサＳｔないしＳ６は互いｌこ熱絶縁
し、互いに影響し合わないようにされる。ガス・センサ
の各々は、ガスに対応して特定的にその透過特性を変え
る。この透過特性の変化は、出射光ビーム７／、７２．
り３，７≠、７Ｓおよび７６の強度の変化として現イつ
れる。オプチカル導体／ｌ、／９゜２０．２／、２コお
よび２３がそれぞれの光ビームを関連の受光器ｇに導く
。このマルチ・センサ（こおいては、受光器は、通常％
評価装置ｌＯと共に動作される。該評価装置１０は、電
気信号を処理して、表示装置ｌ／を、個々のセンサＳ／
ないし５６の測定結果を時系列的にまたは同時に表示す
るように制御する。なお、時系列的に表示するか同時に
表示するかは、表示装置／’ ／の構造によって決まる
ことである。例えば表示装置が６個のディスプレイ・フ
ィールドを有している場合（こは、６個のガス・センサ
５１ないし５６の測定結果を同時に表示することができ
る。ごれに対して表示装置が１個のディスプレイ・フィ
ールドだけを備えている場合には。
６個のガス・センサ５１ないし５６の測定結果は所定の
時系列で表示されることになる。
時系列で表示されることになる。
第９図は、ガスＱセンサ！？、！；ｌ！：、！；９およ
び６０のアレイから構成されるマルチ・センサの別の実
施例を示す。これらの九−・センサは光源３２によって
照射される。個々のガス・センサは、それらの下側すた
は上側もしくは両側からマルチ・センサのハウジング内
Ｅこ流入する被検出ガスもしくはガス混合物番こさらさ
れて、その光学的透過特性を変化させる。これらのガス
・センサ５７ないし６０は第３図の実施例の場合と類似
の仕方で共通の１つの加熱装置により動作温度に加熱さ
れるかまたは個別ｆこ加熱される。
び６０のアレイから構成されるマルチ・センサの別の実
施例を示す。これらの九−・センサは光源３２によって
照射される。個々のガス・センサは、それらの下側すた
は上側もしくは両側からマルチ・センサのハウジング内
Ｅこ流入する被検出ガスもしくはガス混合物番こさらさ
れて、その光学的透過特性を変化させる。これらのガス
・センサ５７ないし６０は第３図の実施例の場合と類似
の仕方で共通の１つの加熱装置により動作温度に加熱さ
れるかまたは個別ｆこ加熱される。
それらが個別（こ加熱される場合には、ガス・センサの
各々に固有の加熱装置が設けられ、該加熱装置により個
々のセンサはそれぞれの動作温度に加熱される。ガス・
センサから出る光ビームは、その強度が透過特性の変化
に対応して変化されてホト・ダイオードｇ／、Ｉ！：２
，１３およびｆｆ１Ｉｆこ入射する。そこで該ホト・ダ
イオードは第ｖ図の実施例で説明したように対応の電気
信号を増幅器ワに供給する。全ての受光器もしくはホト
・ダイオードｇ／、ｔ２．ｇ３およびｇｒ／、からの電
気信号は、１個の共通の評価装置１０で処理されて、同
時にまたは時系列的に表示装置／／で表示される。
各々に固有の加熱装置が設けられ、該加熱装置により個
々のセンサはそれぞれの動作温度に加熱される。ガス・
センサから出る光ビームは、その強度が透過特性の変化
に対応して変化されてホト・ダイオードｇ／、Ｉ！：２
，１３およびｆｆ１Ｉｆこ入射する。そこで該ホト・ダ
イオードは第ｖ図の実施例で説明したように対応の電気
信号を増幅器ワに供給する。全ての受光器もしくはホト
・ダイオードｇ／、ｔ２．ｇ３およびｇｒ／、からの電
気信号は、１個の共通の評価装置１０で処理されて、同
時にまたは時系列的に表示装置／／で表示される。
第１０図は加熱装置６の実施例を示す。加熱ワイヤ６／
はカス・センサ５〔こ巻回されていて。
はカス・センサ５〔こ巻回されていて。
該ガス・センサを動作温度に加熱する０なお破線および
実線で示す光ビームは、この実施例の抵抗加熱が反射方
法ならびに透過型定方法番こ適用可能であることを示す
ものである。
実線で示す光ビームは、この実施例の抵抗加熱が反射方
法ならびに透過型定方法番こ適用可能であることを示す
ものである。
第１／図は、誘導加熱を示す。ガス・センサＳはリング
形状または正方形もしくは矩形のメタル・フレームＳＯ
Ｏにより囲繞されている。
形状または正方形もしくは矩形のメタル・フレームＳＯ
Ｏにより囲繞されている。
この金属フレームの形状はガス・センサｊの形状に依存
するものである。絶縁されたワイヤ６２を流れる電流は
メタル・フレームＳＯＯ内ｆこ、ガス・センサタを動作
温度まで加熱するために必要な温度を誘起する。破線お
よび実線で示した光ビームは、この加熱手段が反射型お
よび透過型の測定方法に適用可能であることを表イつす
ものである。
するものである。絶縁されたワイヤ６２を流れる電流は
メタル・フレームＳＯＯ内ｆこ、ガス・センサタを動作
温度まで加熱するために必要な温度を誘起する。破線お
よび実線で示した光ビームは、この加熱手段が反射型お
よび透過型の測定方法に適用可能であることを表イつす
ものである。
第１２図は、放射式加熱装置を示す。電池３グから給電
される光源３３は吸光ｆ＠ ｇ Ｏ／を照射する。この
吸光層！ｒ Ｏ、／はガス・センサＳをその動作温度に
加熱する。吸光層ＳＯｔは。
される光源３３は吸光ｆ＠ ｇ Ｏ／を照射する。この
吸光層！ｒ Ｏ、／はガス・センサＳをその動作温度に
加熱する。吸光層ＳＯｔは。
ガス・センサの全周辺に分布して設けて複数の光源３３
で照射されるようにすることができる。
で照射されるようにすることができる。
この加熱装置は、透過型測定方法をこ対してだけ適用さ
れ、このことは実線で示した光ビームで表わされている
。
れ、このことは実線で示した光ビームで表わされている
。
第１３図は１反射型測定方法に対してだけ適用すること
ができる放射式加熱装置を示す。電池３１こよって給電
される光＠３３は、吸光層５θ２を照射し９．該吸光層
５θコはガス・センサＳを動作温度に上昇させる。光源
３３は、平行光線を生成するレーザ光源とすることが好
ましい。ガス・センサＳおよび吸光層ｓｏ２の空間的な
寸法を適切に選択することにより、ガス・センサ５に当
てる光ビームダ８．動作温度に加熱するためζこ使用す
ることもできる。
ができる放射式加熱装置を示す。電池３１こよって給電
される光＠３３は、吸光層５θ２を照射し９．該吸光層
５θコはガス・センサＳを動作温度に上昇させる。光源
３３は、平行光線を生成するレーザ光源とすることが好
ましい。ガス・センサＳおよび吸光層ｓｏ２の空間的な
寸法を適切に選択することにより、ガス・センサ５に当
てる光ビームダ８．動作温度に加熱するためζこ使用す
ることもできる。
第１ｔ１図は、対流式加熱装置を示す。ガス・センサ５
は１例えば、高温の空気が流入せしめられるハウジング
６３により囲繞されてい条、。この手段ｆこより動作温
度に加熱されるときには、ガス・センサは、透過型およ
び反射型測定方法に適用可能であり、このことは夫々に
破線および実線で示されている光ビームリおよびりによ
り表わされている。
は１例えば、高温の空気が流入せしめられるハウジング
６３により囲繞されてい条、。この手段ｆこより動作温
度に加熱されるときには、ガス・センサは、透過型およ
び反射型測定方法に適用可能であり、このことは夫々に
破線および実線で示されている光ビームリおよびりによ
り表わされている。
この発明の好適な実施例について説明されたけれども、
この発明は、これらに限定されるものではなく、特許請
求の範囲内で、別異の諸種の具体化および実施化がなさ
れつるものであることは明らかである。
この発明は、これらに限定されるものではなく、特許請
求の範囲内で、別異の諸種の具体化および実施化がなさ
れつるものであることは明らかである。
第１図および第一図は、ガス・センサの光学的性質に対
するガスの影響をグラフで示す図。 第３図は本発明の第１の実施例を示す図、第弘図は本発
明の第コの実施例を示す図、第Ｓ図および第６図は第３
図に示した第１の実施例のための光ビームガイド（案内
）のλつの実施例を示す図、第７図、第３図および第り
図は第弘図に示した本発明の第コの実施例のための光ビ
ームガイドならびにガス・センサの配列例を示す図、そ
して第１０図、７８７１図、第１コ図、第７３図および
第１Ｆ図はガス・センサのいろいろな加熱装置例を示す
図である。 λ、３ｔＩ・・電池、３，３２．３３・・光諒、ダ・・
レーザビーム、 ５．Ａ；／〜６０ ・・ガス・センサ
、６・・加熱装置％７，３／・・光ビーム％ｇ・・受光
器、９・・増幅器、１０・・評価装置、／／・・表示”
Ａｆｌ、／２〜／６・・オプチカル導体、７ｔ〜り６・
・出射光ビーム、ｇ／〜ｇグ・・ホト・ダイオード、ｂ
／、６２パ・ワイヤ、６３・・ハウジング、５θＯ・・
メタル・フレーム。 ＳＯ／、！０．２ ・・吸光層。 １面の浄化（内容に変更なし） １９１ １９２ １１ ＋２ １３４４ ＋５
＋ｒｓ ＋ｊＩＩ
Ｊ Ｉ＋Ｆｉｇ、４ Ｆｉｇ、５ ３／４ Ｆｉｇ、１０ Ｆｉｇ、
１１Ｆｉｇ、１２ Ｆｉｇ、１
３丁−続 抽 ｉ’１．（２’、： 昭和５！〕年ｊ′）月２３０ １、ン、、′１庁艮官 才゛、（ビ、和夫ｊ／′ピ）、
“ｊ２イ・１の表示 昭和５９年Ｖｒ許願第５４６１８号 ２、発明の名称 少なくとも１個の金属酸化物を含むセンサな４（ｉｔえ
たガス検出装置 ３、補」１：、をする者 ｊｌ−１牛との関係 特許出願人 名称 ツエルベルス・アクチェンデゼルシャフト
・↑０代理人 〒１０（） １］゛所 東Ｎ冒１１１千代ｕ１区丸の内二丁［二１４
番１号丸の内ビルディング４階 図面
するガスの影響をグラフで示す図。 第３図は本発明の第１の実施例を示す図、第弘図は本発
明の第コの実施例を示す図、第Ｓ図および第６図は第３
図に示した第１の実施例のための光ビームガイド（案内
）のλつの実施例を示す図、第７図、第３図および第り
図は第弘図に示した本発明の第コの実施例のための光ビ
ームガイドならびにガス・センサの配列例を示す図、そ
して第１０図、７８７１図、第１コ図、第７３図および
第１Ｆ図はガス・センサのいろいろな加熱装置例を示す
図である。 λ、３ｔＩ・・電池、３，３２．３３・・光諒、ダ・・
レーザビーム、 ５．Ａ；／〜６０ ・・ガス・センサ
、６・・加熱装置％７，３／・・光ビーム％ｇ・・受光
器、９・・増幅器、１０・・評価装置、／／・・表示”
Ａｆｌ、／２〜／６・・オプチカル導体、７ｔ〜り６・
・出射光ビーム、ｇ／〜ｇグ・・ホト・ダイオード、ｂ
／、６２パ・ワイヤ、６３・・ハウジング、５θＯ・・
メタル・フレーム。 ＳＯ／、！０．２ ・・吸光層。 １面の浄化（内容に変更なし） １９１ １９２ １１ ＋２ １３４４ ＋５
＋ｒｓ ＋ｊＩＩ
Ｊ Ｉ＋Ｆｉｇ、４ Ｆｉｇ、５ ３／４ Ｆｉｇ、１０ Ｆｉｇ、
１１Ｆｉｇ、１２ Ｆｉｇ、１
３丁−続 抽 ｉ’１．（２’、： 昭和５！〕年ｊ′）月２３０ １、ン、、′１庁艮官 才゛、（ビ、和夫ｊ／′ピ）、
“ｊ２イ・１の表示 昭和５９年Ｖｒ許願第５４６１８号 ２、発明の名称 少なくとも１個の金属酸化物を含むセンサな４（ｉｔえ
たガス検出装置 ３、補」１：、をする者 ｊｌ−１牛との関係 特許出願人 名称 ツエルベルス・アクチェンデゼルシャフト
・↑０代理人 〒１０（） １］゛所 東Ｎ冒１１１千代ｕ１区丸の内二丁［二１４
番１号丸の内ビルディング４階 図面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ ガス検出装置であって。 被検出ガスの影響によりその光学的特性を変化させる少
なくとも／ ４１ＶＡの金属酸化物を含むガス・センサ
と： 前記ガス・センサに対して第１の光ビームを発生させる
ための光源と； ガス・センサの光学的特性により影響を受けた第２の光
ビームを受入れて、これに対応する電気信号を発生させ
るための受光器と；前記電気信号を受入れ、これ（こよ
り、被検出ガスの濃度レベルを定めるための評価装置と
；および 前記評価装置に接続され、前記濃度レベルの値を表示す
るための表示装置； が含まれている前記ガス検出装置。 ユ 前記光源から前記ガス・センサに向けて前記第１の
光ビームを案内するための第１の光案内手段と； ガス・センサから遠さかるように前記第２の光ビームを
案内するための第λの光案内手段と； が含まれ、そして 前記評価装置には第２の光ビームの所定の値を測定する
ための評価手段が含まれている；特許請求の範囲第／項
記載のガス検出装置。 ３、 前記光源から前記ガス・センサに向けて前記第１
の光ビームを案内するための第１の光案内手段と； ガス・センサから遠ざかるように前記第λの光ビームを
案内するための第ユの光案内手段と； が含まれ、そして 前記評価装置には、前記第１の光ビームの所定の値を、
前記第２の光ビームの所定の値と比較するための評価手
段が含まれている；特許請求の範囲第１項記載のガス検
出装置。 弘 前記第１の光案内手段および前記第２の光案内手段
にはオプチカル導体が含まれている、特許ａｉ！を求の
範囲第３項記載のガス検出装置。 Ｓ 前記第１の光案内手段および前記第一の光案内手段
曇こはオプチカル導体が含まれている、特許請求の範囲
第１２項記載のガス検出装置。 ム 前記第１の光ビームおよび゛前記第コの光ビームは
、夫々に、前記ガス・センサに衝突する平行光線である
、特許請求の範囲第１項記載のガス検出装置。 ２ 前記光源は発光ダイオード（ＬＥＤ ）である。 特許請求の範囲第１項記載のガス検出装置。 ＆ 前記光源はレーザ光源である。特許請求の範囲第１
項記載のガス検出装置。 デ 前記光源は熱イオン光臨である。特許請求の範囲第
１項記載のガス検出装置。 ｌＯ前記光源はスペクトル・ランプである。特許請求の
範囲第１項記載のガス検出装置。 ／ｉ 前記ガス・センサの材料は、周期律表１こおけ
る元素の中で、 Ｉｂ、Ｉａ、ｉｂ、ｌａ、Ｗｂ、Ｉ
Ｖａ。 ＩＶｂ、 Ｖａ 、 Ｖｂ 、 Ｖｉａ 、 Ｖｌｂ
、 Ｖｌｌｌ）および■族、ランタニド系およびアクチ
ニド系の少な（とも１群中の少なくとも１個の元素から
なる少なくとも１個の酸化物の混合物を含むものである
。 特許請求の範囲第１項記載のガス検出装置。 １、Ｌ 前記ガス・センサの前記材料には、これに加
えて、少な（とも１個の触媒が含まれている。特許請求
の範囲第１／項記載のガス検出装置。 １３、前記触媒は白金である。特許請求の範囲第１２項
記載のガス検出装置。 ／／Ｉ 前記触媒はパラジウムである。特許請求の範囲
第１２項記載のガス検出装置。 ｌ左 前記触媒はロジウムである。特許請求の範囲第
１２項記載のガス検出装置。 ｌム 前記触媒はＯｕＯである、特許請求の範囲第１２
項記載のガス検出装置。 ／２ 前記触媒はＮｉ、Ｏである、特許請求の範囲第
１−項記載のガス検出装置。 ／＆ 前記ガス・センサは所定の動作温度を有してお
り；そして 加熱手段は前記所定の動作温度を発生させ、一定に維持
させるものである； 特許請求の範囲第１項記載のガス検出装置。 １５！ 前記加熱手段は抵抗加熱器である。特許請求
の範囲７３４１１項記載のガス検出装置。 ：ｌＯ前記加熱手段は放射式加熱・器である、特許請求
の範囲第１ｇ項記載のガス検出装置。 コｌ 前記加熱手段は誘導式加熱器である。特許請求の
範囲第７１項記載のガス検出装置。 二 前記加熱手段は対流式加熱器である、特許請求の範
囲第７ｇ項記載のガス検出装置。 ２３、前記第１の光ビームはある強度を有し：前記第２
の光ビームはある強度を有し；前記光源はその前記強度
のレベルを実質的に安定化された前記第１の光ビームを
発生させ； 前記評価装置には： 前記受光器ｌこよって発生された前記電気信号を増幅す
るための増幅器； 前記電気信号に基づいて受光器により受光された第２の
光ビームの前記強度を測定して、それから被検出ガスの
濃度レベルを定めるための電子的評価ユニット； が含まれており。 前記表示装置は前記濃度レベルの値を表示する； ようにされている、特許請求の範囲第１項記載のガス検
出装置。 該 前記第１の光ビームはある強度を有し；前記第一の
元ビームはある強度を有し；＠配光源はその前記強度の
レベルが安定化されていない前記第１の光ビームを発生
させ；前記評価装置には： 前記受光器によって発生された前記電気信号を増幅する
ための増幅器； 前記第一の光ビームの強度に対する前記第１の光ビーム
の強度の割合を定め、それから被検出ガスの濃度レベル
を足めるための電子的評価ユニット； が含まれており。 前記表示装置は前ｄピ硬度レベルの値を表示する； ようにされている、特許請求の範囲第１項記載のガス検
出装置。 蒜 前記第λの光ビームはある光学スペクトルを有し；
そして 前記受光器には前記光学スペクトルの評価を可能化させ
るための光学手段が含まれている； 特許請求の範囲第１項記載のガス検出装置。 ２１− 前記光学手段には光学フィルタが含まれている
。特許請求の範囲第２５項記載のガス検出装置。 、２２ 前記光学手段には光学プリズムが含まれてい
る、特許請求の範囲第、２５項記載のカス検出装置。 ２ｇ 前記光学手段には光学回折格子が含まれている
。特許請求の範囲第２Ｓ項記載のガス検
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH157883A CH665718A5 (de) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | Vorrichtung fuer den gasnachweis mit einem mindestens ein metalloxid enthaltenden sensor. |
| CH1578/830 | 1983-03-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59216043A true JPS59216043A (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=4213690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5461884A Pending JPS59216043A (ja) | 1983-03-23 | 1984-03-23 | 少なくとも１個の金属酸化物を含むセンサを備えたガス検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0120231A3 (ja) |
| JP (1) | JPS59216043A (ja) |
| CH (1) | CH665718A5 (ja) |
| ES (1) | ES531230A0 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196142A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 化学感応素子 |
| JPS61196204A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 光学フイルタ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3506684A1 (de) * | 1985-02-26 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur kontinuierlichen messung des partialdruckes von gasen und daempfen |
| EP0247789A3 (en) * | 1986-05-27 | 1989-08-02 | The BOC Group, Inc. | Gas constituent measurement and recording |
| DE3735176A1 (de) * | 1987-10-17 | 1989-04-27 | Draegerwerk Ag | Dosimeter |
| EP1062498B1 (de) * | 1998-03-07 | 2006-07-26 | Robert Bosch Gmbh | Optischer sensor |
| DE102006018767A1 (de) | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Hochschule Wismar | Wasserstoffsensor |
| DE102016209798A1 (de) * | 2016-06-03 | 2017-12-07 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektronische Sensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung |
| DE102019003021A1 (de) * | 2019-04-29 | 2020-10-29 | Dräger Safety AG & Co. KGaA | Gaserfassungsvorrichtung zur Erfassung wenigstens eines Parameters eines Gases |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE819734C (de) * | 1949-12-17 | 1951-11-05 | Basf Ag | Verfahren zur Ermittlung von Kohlenoxyd und Wasserstoff in Gasgemischen |
| US3663176A (en) * | 1969-07-24 | 1972-05-16 | Phillips Petroleum Co | Colorimetric oxygen detectors |
| US3870469A (en) * | 1973-04-30 | 1975-03-11 | Nalco Chemical Co | Apparatus and method for monitoring the presence of volatile organic lead compounds |
| US3920402A (en) * | 1974-05-16 | 1975-11-18 | Nikolai Gavrilovich Afanasiev | Photocolorimetric gas analyzer |
| DE2840867C2 (de) * | 1978-09-20 | 1983-04-21 | Drägerwerk AG, 2400 Lübeck | Gasmeßvorrichtung mit einem von dem nachzuweisenden Gas durchströmten Prüfröhrchen |
| JPS5724844A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | Detecting device for abnormality of gas |
-
1983
- 1983-03-23 CH CH157883A patent/CH665718A5/de not_active IP Right Cessation
-
1984
- 1984-02-03 EP EP84101104A patent/EP0120231A3/de not_active Withdrawn
- 1984-03-23 JP JP5461884A patent/JPS59216043A/ja active Pending
- 1984-03-23 ES ES531230A patent/ES531230A0/es active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196142A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 化学感応素子 |
| JPS61196204A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 光学フイルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES8502545A1 (es) | 1985-01-01 |
| CH665718A5 (de) | 1988-05-31 |
| EP0120231A3 (de) | 1986-07-16 |
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| ES531230A0 (es) | 1985-01-01 |
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