DE102016209798A1 - Mikroelektronische Sensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung schafft eine mikroelektronische Sensorvorrichtung und ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung. Die Mikroelektronische Sensorvorrichtung umfasst eine Infrarot-Quelle und eine drucksensitive Mikromembran, wobei auf einer Oberseite der drucksensitiven Mikromembran eine Gaskammer mit einem spezifischen Gas angeordnet ist. Ferner ist zwischen der Infrarot-Quelle und der Gaskammer der mikroelektronischen Sensorvorrichtung ein Absorptionsbereich ausgebildet, innerhalb dessen das spezifische Gas erfassbar ist, wobei die drucksensitive Mikromembran eingestellt ist, um einen Druckanstieg des durch die Infrarot-Quelle erwärmten spezifischen Gases in der Gaskammer zu messen und die drucksensitive Mikromembran derart ausgebildet ist, dass bei Gegenwart des spezifischen Gases im Absorptionsbereich ein Druckabfall an der drucksensitiven Mikromembran messbar ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine mikroelektronische Sensorvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung.
- Stand der Technik
- Das Überwachen von Luftqualität, insbesondere in abgeschlossen Räumen, gewinnt immer mehr an Bedeutung. Ziel einer derartigen Überwachung ist selektiv Komponenten, beispielsweise CO2, der Umgebungsluft zu erfassen bzw. zu messen. Insbesondere in Schulklassen und Großraumbüros kann sich aufgrund der großen Anzahl von Menschen auf relativ kleinem Raum die Qualität der Umgebungsluft rapide verschlechtern. Stellt sich ein zu hoher CO2-Anteil in der Umgebungsluft ein, kann dies die Leitungsfähigkeit beeinträchtigen.
- Folglich, besteht ein Bedarf an mikroelektronischen Sensorvorrichtungen, die insbesondere selektiv Gase beispielsweise aus der Umgebungsluft detektieren bzw. messen können.
- Ein Beispiel für Gassensoren sind photoakustische Gassensoren. Diese umfassen eine Gaskammer, welche Gaszugangsöffnungen umfasst. Diese Gaskammer wird mit monochromatischem Infrarot-Licht, welches mit einer akustischen Frequenz moduliert wird, bestrahlt. Die Wellenlänge des monochromatischen Infrarot-Lichtes ist so gewählt, dass sie in einem Absorptionspeak des nachzuweisenden Gases liegt. Bei Vorhandensein des nachzuweisenden Gases in der Gaskammer absorbiert dieses Gas einen Teil des Infrarotlichtes und erwärmt sich dadurch. Durch die Modulation des Infrarot-Lichtes mit einer akustischen Frequenz erfolgt die Erwärmung in gleichartiger Modulation, wodurch in der Gaskammer ein Schalldruck bei der entsprechenden akustischen Frequenz entsteht. Am Rand der Gaskammer ist ein Mikrofon vorhanden. Das Mikrofon umfasst eine perforierte Membran und misst einen Differentialdruck. Da sich auf einer Vorderseite des Mikrofons ein Großteil des Gaskammervolumens befindet und auf einer Rückseite des Mikrofons nur ein kleines Volumen zwischen der Membran und entsprechender Kammerwand, kann so der Schalldruck aus dem Gaskammervolumen erfasst werden.
- Die
EP 0120231 A3 offenbart eine Vorrichtung für den Gasnachweis mit einem aus Metalloxid bestehenden Sensor. Der Gasnachweis wird mit der Vorrichtung durchgeführt, deren Gassensor mindestens ein Metalloxid enthält und bei Einwirkung durch ein Gas seine optischen Eigenschaften ändert. - Offenbarung der Erfindung
- Die Erfindung schafft eine mikroelektronische Sensorvorrichtung nach Anspruch 1 und ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung nach Anspruch 10.
- Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
- Vorteile der Erfindung
- Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht insbesondere darin, eine photoakustische bzw. photobarometrische Sensorvorrichtung mittels Halbleitertechnologie bzw. MEMS-Technologie derart weiterzuentwickeln, dass insbesondere eine Down-Skalierung einfach durchführbar ist und eine mikroelektronische Sensorvorrichtung bereitstellbar ist. Beispielsweise basiert die hier beschriebene mikroelektronische Sensorvorrichtung auf Silizium-Technologie.
- Ferner kann durch die hier beschriebene mikroelektronische Sensorvorrichtung besonders genau eine zu detektierende bzw. zu messende Gaskomponente, beispielsweise CO2, aus der Umgebungsluft gemessen werden.
- Gemäß eines Aspekts der Erfindung umfasst die mikroelektronische Sensorvorrichtung eine Infrarot-Quelle. Unter der Infrarot-Quelle ist insbesondere eine Infrarot-Lichtquelle zu verstehen. Die Infrarot-Quelle emittiert beispielsweise monochromatisches Licht im infraroten Spektralbereich. So lässt sich eine Wellenläge der Infrarot-Quelle so wählen, dass die Wellenlänge der Infrarot-Quelle in einem Absorptionspeak eines spezifischen Gases liegt. Alternativ kann die mikroelektronische Sensorvorrichtung eine breitbandige Infrarot-Quelle aufweisen, so dass zeitgleich mehrere spezifische Gase gemessen werden können.
- Die mikroelektronische Sensorvorrichtung umfasst eine drucksensitive Mikromembran, wobei auf einer Oberseite der drucksensitiven Membran eine Gaskammer mit dem spezifischen Gas angeordnet ist. Unter der Gaskammer kann auch eine Kappe verstanden werden. Die Gaskammer kann insbesondere hermetisch auf der drucksensitiven Mikromembran angeordnet sein. Insbesondere umfasst die drucksensitive Mikromembran einen Randbereich, auf der die Gaskammer bzw. die Kappe angeordnet sein kann. Mit anderen Worten kann die drucksensitive Mikromembran als eine Kammerwand fungieren und die Gaskammer hermetisch abschließen. Die Gaskammer kann insbesondere eine Silizium-Kappe sein, die eine Ausnehmung bzw. eine Kavität mit dem spezifischen Gas aufweist. Silizium ist durchlässig für infrarotes Licht, so dass ein hermetisches Einschließen des spezifischen Gases einfach durchführbar ist. Das spezifische Gas kann beispielsweise Wasser (H2O), Kohlenstoffdioxid (CO2), Ozon (O3), Sauerstoff (O2), Distickstoffmonoxid (N2O), Methan (CH4), Kohlenstoffmonoxid (CO) oder Stickstoffdioxid (NO2) sein.
- Hierbei ist eine Wellenlänge der Infrarot-Quelle so gewählt bzw. eingestellt, dass ein Absorptionspeak des spezifischen Gases im Wellenlängenbereich der Infrarot-Quelle liegt.
- Zwischen der Infrarot-Quelle und der Gaskammer der mikroelektronischen Sensorvorrichtung ist ein Absorptionsbereich ausgebildet, innerhalb dessen das spezifische Gas erfassbar ist, wobei die drucksensitive Mikromembran eingestellt ist, einen Druckanstieg des durch die Infrarot-Quelle erwärmten spezifischen Gases in der Gaskammer zu messen und die drucksensitive Mikromembran derart ausgebildet ist, dass bei Gegenwart des spezifischen Gases im Absorptionsbereich ein Druckabfall an der drucksensitiven Mikromembran messbar ist. Mit anderen Worten ist die Wellenlänge der Infrarot-Quelle so gewählt, dass die Wellenlänge des beispielsweise monochromatischen Lichts der Infrarot-Quelle in einem Absorptionspeak des spezifischen Gases in dem Absorptionsbereichs und in der Gaskammer liegt.
- Das spezifische Gas in der Gaskammer absorbiert Licht der Infrarot-Quelle und erwärmt bzw. dehnt sich in der Gaskammer aus, wobei ein Druckanstieg an der drucksensitiven Mikromembran messbar ist. Kommt nun das spezifische Gas als Komponente der Umgebungsluft in den Absorptionsbereich, so absorbiert das spezifische Gas der Umgebungsluft bzw. eines Gasgemisches bereits einen Teil des Lichts der Infrarot-Quelle, wodurch sich die Absorption des spezifischen Gases in der Gaskammer verringert und der Druckabfall an der drucksensitiven Mikromembran messbar ist.
- Ferner ist es möglich, die mikroelektronische Sensorvorrichtung in einem Vakuum oder mittels eines in einem relevanten Frequenzbereich inerten Gases bzw. Edelgases zu kalibrieren, so dass neben einer Konzentrationsänderung des zu messenden spezifischen Gases in einem Absorptionsbereich bzw. einem Probenraum auch ein Absolutwert einer Menge des spezifischen Gases bestimmbar ist.
- Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist auf einer der Gaskammer gegenüberliegenden Seite der drucksensitiven Mikromembran eine Inert-Gas-Kammer mit der drucksensitiven Mikromembran verbunden. Hierdurch wird eine Gesamtstruktur mechanisch stabiler bzw. robuster. Ferner ist ein Messen dadurch insbesondere unabhängig von einem Umgebungsdruck. Weiterhin wird das Messen quasi unabhängig von Umgebungs- und Betriebstemperatur, solange ein Betriebsbereich gewählt wird, in dem für beide Gase – also das spezifische Gas und das Inertgas – im Wesentlichen die ideale Gasgleichung gültig ist.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Inert-Gas-Kammer ein Edelgas auf. Beispielsweise kann die Inert-Gas-Kammer Argon aufweisen.
- So lässt sich die mikroelektronische Sensorvorrichtung besonders genau betreiben, da Edelgase im Infraroten Bereich nicht absorbieren.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung umfasst die Sensorvorrichtung eine Vielzahl von weiteren drucksensitiven Mikromembranen, wobei die Vielzahl an weiteren drucksensitiven Mikromembranen jeweils die Gaskammer aufweist und die Gaskammer zumindest teilweise unterschiedliche spezifische Gase aufweist. Hierbei kann jede der drucksensitiven Mikromembrane an ihrer Rückseite eine Inert-Gas-Kammer aufweisen. Mit anderen Worten kann die mikroelektronische Sensorvorrichtung ein integriertes Array von mehreren drucksensitiven Mikromembranen auf dem gleichen Chip bzw. Halbleitersubstrat umfassen, wobei jede der drucksensitiven Mikromembranen jeweils eine separate Gaskammer aufweisen kann, in die unterschiedliche spezifische Gase eingeschlossen sein können. Hierdurch können bei Einsatz einer breitbandigen Infrarot-Quelle mehrere spezifische Gase, insbesondere zeitgleich, gemessen werden. Das heißt, dass bei Betrieb mit breitbandigem Infrarot-Licht, in dessen Bandbreite für alle n spezifischen Gase jeweils mindestens ein Absorptionspeak liegt, die mikroelektronische Sensorvorrichtung mit dem integrierten Array für n unterschiedliche spezifische Gase bereitgestellt werden kann, wobei insbesondere ausschließlich eine Infrarot-Quelle benötigt wird. Zum Einbringen der verschiedenen spezifischen Gase wird entweder die Gaskammer bzw. die Kappe geöffnet, anschließend evakuiert, mit dem spezifischen Gas befüllt und mit dem Laser-Reseal-Prozess wieder verschlossen. Alternativ werden anfangs die Kappen bzw. die Gaskammern geöffnet und dann immer alle noch offenen Kappen bzw. Gaskammern evakuiert und mit dem nachzuweisenden spezifischen Gas befüllt und daraufhin eine Gaskammer entsprechend verschlossen.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die drucksensitive Mikromembran direkt auf ein Halbleitersubstrat strukturierbar. So lässt sich eine besonders kleine mikroelektronische Sensorvorrichtung bereitstellen. Insbesondere lässt sich eine Down-Skalierung einfach realisieren bzw. durchführen. Beispielsweise wird ein MEMS strukturiert, der eine drucksensitive Silizium-Mikromembran als Drucksensor umfasst. Zum Auslesen entsprechender Membranbewegung werden beispielsweise auf der drucksensitiven Silizium-Mikromembran vor ihrer Freistellung piezoresistive Elemente strukturiert. Alternativ ist ein kapazitives Ausleseverfahren möglich.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Gaskammer mittels Waferbonden auf der Oberseite mit der drucksensitiven Mikromembran verbunden. Die Gaskammer und/oder die Inert-Gas-Kammer – auch als Kavernen bezeichnet – werden auf die drucksensitive Mikromembran durch ein Waferbond-Verfahren aufgebondet. Dies geschieht im Fall der Gaskammer in Atmosphäre des nachzuweisenden spezifischen Gases, im Fall der Inert-Gas-Kammer in Atmosphäre eines im Infraroten optisch inerten Gases. So lässt sich einfach das spezifische Gas in der Gaskammer bzw. das inerte Gas in der Inert-Gas-Kammer hermetisch einschließen.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die drucksensitive Mikromembran in Richtung der Infrarot-Quelle eine Infrarot-reflektierende Metallschicht auf. Die Infrarot-reflektierende Metallschicht kann beispielsweise durch physikalisches Abscheiden, beispielsweise Zerstäuben bzw. Sputtern, auf die drucksensitive Mikromembran abgeschieden werden. So läuft die elektromagnetische Strahlung der Infrarot-Quelle mehrfach, insbesondere doppelt, durch das spezifische Gas und die Absorption wird erhöht. Weiterhin kann so in der Inert-Gas-Kammer auch das spezifische Gas verwendet werden. Dadurch kann eine Temperaturabhängigkeit des hier beschriebenen Druckes von dem spezifischen Gas in der Gaskammer und der Inert-Gas-Kammer absolut identisch in jeglichem Temperaturbereich sein.
- Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Gaskammer durch einen Laser-Reseal-Prozess verschließbar. Der Laser-Reseal Prozess wird insbesondere in der
DE 10 2014 202 801 A1 beschrieben. Sollte das Waferbonden in Atmosphäre des spezifischen Gases oder des Inertgases sich als technisch ungünstig erweisen, so kann das spezifische Gas oder das Inertgas mit einer alternativen Methode in die Gaskammer bzw. in die Inert-Gas-Kammer eingeschlossen werden. In die Gaskammer wird eine kleine Öffnung strukturiert, beispielsweise mittels Fotolithografie und Trench-Ätzen. Dies kann vor oder nach dem Waferbonden erfolgen. Nach dem Waferbonden und Erzeugen der Öffnung in der Kappe wird zuerst ein Vakuum erzeugt und anschließend wird das spezifische Gas bzw. das Inertgas eingelassen, wobei die Öffnung in der Gaskammer oder der Inert-Gas-Kammer mittels des Laser-Reseal-Prozesses einfach verschließbar ist. - Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung umfasst die drucksensitive Mikromembran einen Temperatursensor. Beispielsweise umfasst der Temperatursensor eine Temperaturdiode. Der Temperatursensor steht hierbei mit dem spezifischen Gas in Kontakt, wodurch eine Temperatur des spezifischen Gases messbar ist.
- Die Erfindung führt auch zu einem Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung. Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst das Verfahren ein Bereitstellen einer Infrarot-Quelle und einer drucksensitiven Mikromembran, wobei auf einer Oberseite der drucksensitiven Mikromembran eine Gaskammer mit einem spezifischen Gas angeordnet wird. In einem nächsten Schritt des Verfahrens wird ein Absorptionsbereich zwischen der Infrarot-Quelle und der Gaskammer ausgebildet und eine Wellenlänge oder ein Wellenlängenbereich der Infrarot-Quelle derart eingestellt, dass die Wellenlänge oder der Wellenlängenbereich der Infrarot-Quelle in einem Absorptionspeak des spezifischen Gases in dem Absorptionsbereich und in der Gaskammer liegt.
- Die hier offenbarten Merkmale für die mikroelektronische Sensorvorrichtung gelten auch für das Verfahren zum Herstellen der mikroelektronischen Sensorvorrichtung sowie auch umgekehrt.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen mit Bezug auf die Figuren erläutert.
- Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und -
2 ein Flussdiagramm zum Erläutern des Verfahrens zum Herstellen der mikroelektronischen Sensorvorrichtung. -
1 zeigt eine schematische Darstellung einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung und eines entsprechenden Herstellungsverfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - In
1 bezeichnet Bezugszeichen100 eine mikroelektronische Sensorvorrichtung, insbesondere einen MEMS-Sensor. Die Mikroelektronische Sensorvorrichtung100 umfasst eine Infrarot-Quelle10 und eine drucksensitive Mikromembran20 , wobei auf einer Oberseite O1 der drucksensitiven Mikromembran20 eine Gaskammer30 mit einem spezifischen Gas G1 angeordnet ist. Auf einer der Oberseite O1 gegenüberliegende Seite U1 der drucksensitiven Mikromembran20 ist eine Inert-Gas-Kammer40 mit der drucksensitiven Mikromembran20 verbunden. In der Inert-Gas-Kammer40 kann beispielsweise ein Edelgas50 , beispielsweise Argon, hermetisch eingeschlossen sein. Insbesondere umfasst die drucksensitive Mikromembran einen Randbereich R1, auf der die Gaskammer30 bzw. die Kappe angeordnet ist. Ferner ist zwischen der Infrarot-Quelle10 und der Gaskammer30 der mikroelektronischen Sensorvorrichtung100 ein Absorptionsbereich A1 ausgebildet, innerhalb dessen das spezifische Gas G1 erfassbar ist, wobei die drucksensitive Mikromembran20 eingestellt ist, um einen Druckanstieg des durch die Infrarot-Quelle10 erwärmten spezifischen Gases G1 in der Gaskammer30 zu messen und die drucksensitive Mikromembran20 derart ausgebildet ist, dass bei Gegenwart des spezifischen Gases G1 im Absorptionsbereichs A1 ein Druckabfall an der drucksensitiven Mikromembran20 messbar ist. Das spezifische Gas G1 der Gaskammer30 und das Inertgas, hier Argon50 , der Inert-Gas-Kammer40 stehen mit der drucksensitiven Mikromembran20 zumindest bereichsweise in direktem Kontakt. Die drucksensitive Mikromembran20 kann direkt auf einem Halbleitersubstrat20‘ strukturiert sein. -
2 zeigt ein Flussdiagramm zum Erläutern des Verfahrens zum Herstellen der mikroelektronischen Sensorvorrichtung. - Im Schritt A des Verfahrens zum Herstellen der mikroelektronischen Sensorvorrichtung
100 wird eine Infrarot-Quelle10 bereitgestellt. - Im Schritt B des Verfahrens zum Herstellen der mikroelektronischen Sensorvorrichtung
100 wird eine drucksensitive Mikromembran20 bereitgestellt, wobei auf der Oberseite O1 der drucksensitiven Mikromembran20 die Gaskammer30 mit dem spezifischen Gas G1 angeordnet wird. - Im Schritt C des Verfahrens zum Herstellen der mikroelektronischen Sensorvorrichtung
100 wird ein Absorptionsbereich A1 zwischen der Infrarot-Quelle10 und der Gaskammer30 ausgebildet. - Im Schritt D des Verfahrens zum Herstellen der mikroelektronischen Sensorvorrichtung
100 wird eine Wellenlänge der Infrarot-Quelle10 derart eingestellt, dass die Wellenlänge der Infrarot-Quelle10 in einem Absorptionspeak des spezifischen Gases G1 in dem Absorptionsbereich A1 und in der Gaskammer30 liegt. - Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt. Insbesondere sind die genannten Materialien und Topologien nur beispielhaft und nicht auf die erläuternden Beispiele beschränkt.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- EP 0120231 A3 [0005]
- DE 102014202801 A1 [0023]
Claims (12)
- Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) mit: einer Infrarot-Quelle (10 ); und einer drucksensitiven Mikromembran (20 ), wobei auf einer Oberseite (O1) der drucksensitiven Mikromembran (20 ) eine Gaskammer (30 ) mit einem spezifischen Gas (G1) angeordnet ist; wobei eine Wellenlänge der Infrarot-Quelle (10 ) so gewählt ist, dass ein Absorptionspeak des spezifischen Gases (G1) im Wellenlängenbereich der Infrarot-Quelle (10 ) liegt; und zwischen der Infrarot-Quelle (10 ) und der Gaskammer (30 ) ein Absorptionsbereich (A1) ausgebildet ist, innerhalb dessen das spezifische Gas (G1) erfassbar ist; wobei die drucksensitive Mikromembran (20 ) eingestellt ist, um einen Druckanstieg des durch die Infrarot-Quelle (10 ) erwärmten spezifischen Gases (G1) in der Gaskammer (30 ) zu messen; und die drucksensitive Mikromembran (20 ) derart ausgebildet ist, dass bei Gegenwart des spezifischen Gases (G1) im Absorptionsbereich (A1) ein Druckabfall an der drucksensitiven Mikromembran (20 ) messbar ist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach Anspruch 1, wobei auf einer der Gaskammer (30 ) gegenüberliegenden Seite (U1) der drucksensitiven Mikromembran (20 ) eine Inert-Gas-Kammer (40 ) mit der drucksensitiven Mikromembran (20 ) verbunden ist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach Anspruch 2, wobei die Inert-Gas-Kammer (40 ) ein Edelgas (50 ) aufweist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mikroelektronische Sensorvorrichtung (100 ) eine Vielzahl von weiteren drucksensitiven Mikromembranen (20 ) umfasst, wobei die Vielzahl an weiteren drucksensitiven Mikromembranen (20 ) jeweils die Gaskammer (30 ) aufweist und die Gaskammer (30 ) zumindest teilweise unterschiedliche spezifische Gase aufweist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die drucksensitive Mikromembran (20 ) direkt auf ein Halbleitersubstrat (20‘ ) strukturierbar ist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gaskammer (30 ) mittels Waferbonden auf der Oberseite (O1) mit der drucksensitiven Mikromembran (20 ) verbunden ist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die drucksensitive Mikromembran (20 ) in Richtung der Infrarot-Quelle (10 ) eine Infrarot-reflektierende Metallschicht aufweist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gaskammer (30 ) durch einen Laser-Reseal-Prozess verschließbar ist. - Mikroelektronische Sensorvorrichtung (
100 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die drucksensitive Mikromembran (20 ) einen Temperatursensor (T1) umfasst. - Verfahren zum Herstellen einer mikroelektronischen Sensorvorrichtung (
100 ) mit den Schritten: A) Bereitstellen einer Infrarot-Quelle (10 ); B) Bereitstellen einer drucksensitiven Mikromembran (20 ), wobei auf einer Oberseite (O1) der drucksensitiven Mikromembran (20 ) eine Gaskammer (30 ) mit einem spezifischen Gas (G1) angeordnet wird; C) Ausbilden eines Absorptionsbereichs (A1) zwischen der Infrarot-Quelle (10 ) und der Gaskammer (30 ); und D) Einstellen einer Wellenlänge der Infrarot-Quelle (10 ) derart, dass die Wellenlänge der Infrarot-Quelle (10 ) in einem Absorptionspeak des spezifischen Gases (G1) in dem Absorptionsbereich (A1) und in der Gaskammer (30 ) liegt. - Verfahren nach Anspruch 10, wobei die drucksensitive Mikromembran (
20 ) direkt auf ein Halbleitersubstrat (20‘ ) strukturiert wird. - Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Anordnen der Gaskammer (
30 ) auf die drucksensitive Mikromembran (20 ) durch Waferbonden erfolgt.
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