JPS59209854A - Thin-film changed into multilayer and manufacture thereof - Google Patents

Thin-film changed into multilayer and manufacture thereof

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JPS59209854A
JPS59209854A JP8479683A JP8479683A JPS59209854A JP S59209854 A JPS59209854 A JP S59209854A JP 8479683 A JP8479683 A JP 8479683A JP 8479683 A JP8479683 A JP 8479683A JP S59209854 A JPS59209854 A JP S59209854A
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JP
Japan
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metal
thin film
solution
thin
composite metal
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JP8479683A
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勉 七尾
江口 民行
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208Oxides, e.g. ceramics

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は機能性多層化薄膜およびその製造法に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a functional multilayer thin film and a method for producing the same.

機能性無機薄膜は、たとえば各種センサー、透明導電膜
、半導体、誘電体および圧電体M1磁性膜などの主とし
て電子機器関連のデバイスとしての゛応用が盛んに検討
されている。
Functional inorganic thin films are being actively considered for application as devices mainly related to electronic equipment, such as various sensors, transparent conductive films, semiconductors, dielectrics, piezoelectric M1 magnetic films, and the like.

そしてそれらの薄膜の製造法としては真空技術を利用し
た方法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法などが
採用されており、かなりの種類の薄膜が製造可能となっ
ている。
As methods for producing these thin films, methods using vacuum technology, such as vacuum evaporation and sputtering, are employed, and a wide variety of thin films can be produced.

しかしながら、この真空技術を用いたNfG4の製造法
には、設備コストが高くなる、ユーティリティが高くな
る、大面積化が困難である、生産性が低く高価であるな
どの短所があり、応用分野に制限があるのが現状である
。さらに金属成分を2種以上含む摺合金属化合物を薄膜
化するためには、各々の金属成分の蒸気圧が異なったり
、金属′によっては種々の原子価をとって目的以外の化
合物を生成したりするため、目的とする化合物の化学量
論性や結晶性が安定してえられないばあいが多い。
However, the manufacturing method of NfG4 using this vacuum technology has disadvantages such as high equipment cost, high utility cost, difficulty in increasing the area, low productivity and high price, and is not suitable for applied fields. The current situation is that there are limitations. Furthermore, in order to make a sliding metal compound containing two or more metal components into a thin film, the vapor pressure of each metal component must be different, and some metals may have different valences, producing compounds other than the intended ones. Therefore, there are many cases where the stoichiometry and crystallinity of the target compound cannot be stably obtained.

また1この機能性薄膜の機能を有効に生かすぞれ独自の
機能をもつ薄膜を積層させて新たに複合化した機能を付
帯させ、新しい機能をもつデバイスを開発しようとする
動きもある。
1. There is also a movement to effectively utilize the functions of these functional thin films by stacking thin films, each with its own function, to add new complex functions and to develop devices with new functions.

本発明はそうした新規な機能をもちうる多層化薄膜およ
びその製造法に関するもので、従来の真空技術による方
法では製造が困難な組成の薄膜や大面積状の薄膜を多層
化して新規な機能材料を作製することを目的とする。
The present invention relates to a multilayered thin film that can have such novel functions and a method for manufacturing the same.The present invention relates to a multilayered thin film that can have such novel functions, and a method for manufacturing the same.The present invention relates to a multilayered thin film that can have such novel functions and a method for producing the same.New functional materials can be created by multilayering thin films with compositions that are difficult to manufacture using conventional vacuum technology, or thin films with large areas. The purpose is to create.

本発明の薄膜の製造法は、1種または2種以上の有機金
属化合物を溶媒に溶解させたのち基板上に塗布し、熱分
解することを特徴とするものである。
The method for producing a thin film of the present invention is characterized by dissolving one or more organometallic compounds in a solvent, applying the solution onto a substrate, and thermally decomposing the solution.

本発明に用いる有機金属化合物としては金属アルコキシ
ド、金属有機錯化合物またはそれらの反応生成物の1種
−または2種以上が用いられ、2種以上の金属アルコキ
シドを用いるばあいは有機キレート剤を添加するのが好
ましい。
As the organometallic compound used in the present invention, one or more of metal alkoxides, metal-organic complex compounds, or reaction products thereof are used, and when two or more metal alkoxides are used, an organic chelating agent is added. It is preferable to do so.

金属アルコキシドとしては単一組成の金属アルコキシド
、部分金属アルコキシド、複合金属アルコキシド、また
はそれらの金属アルコキシドの多量体などがあげられる
。金属原子としては、たとえばリチウム、ナトリウム、
カリウム、ルビジュウム、セシウム、ベリリウム、マグ
ネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チ
タン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ
、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マン
ガン、鉄、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛、カドミウム
、水銀、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、
タリウム、シリコン、ゲルマニウム、m 、G 、ヒ素
、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル、ランタノイ
ド系の金属などがあげられる。
Examples of the metal alkoxide include metal alkoxides of a single composition, partial metal alkoxides, composite metal alkoxides, and multimers of these metal alkoxides. Examples of metal atoms include lithium, sodium,
Potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, nickel, cobalt, copper, zinc, cadmium, mercury, boron, aluminum, gallium, indium,
Examples include thallium, silicon, germanium, m 2 , G 2 , arsenic, antimony, bismuth, selenium, tellurium, and lanthanoid metals.

金属とアルコキシドを形成する化合物としては一般式H
OR(Rはヒドロキシル化されているかまたはされてい
ない炭素数1〜20個のアルキル基またはアリール基)
で示されるアルコール性水酸基を有する1価または多価
アルコールであればよい。好ましい具体例としては、た
とえはメチルアルコール、エチルアルコール、n−プロ
ピルアルコール、イソブチルアルコール、n−ブチルア
ルコール、イソブチルアルコール、ペンチルアルコール
、ヘキシルアルコール、2−エチルヘキシルアルコール
、オクチルアルコール、七−ブチルアルコール、ラウリ
ルアルコール、1,4−ブタンジオール、グリセリン、
エチレングリコール、オクチルアルコール、エチレング
リコールのモノアルキルエーテルなどがあげられる。
As a compound that forms an alkoxide with a metal, the general formula H
OR (R is a hydroxylated or non-hydroxylated alkyl group or aryl group having 1 to 20 carbon atoms)
Any monohydric or polyhydric alcohol having an alcoholic hydroxyl group represented by the above formula may be used. Preferred specific examples include methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isobutyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, pentyl alcohol, hexyl alcohol, 2-ethylhexyl alcohol, octyl alcohol, 7-butyl alcohol, and lauryl alcohol. Alcohol, 1,4-butanediol, glycerin,
Examples include ethylene glycol, octyl alcohol, and monoalkyl ether of ethylene glycol.

また部分金属アルコキシドのアルコキシ基以外の官能基
としては、たとえばハロゲン原子、水酸基またはβ−ジ
ケトンもしくは有機:lJ ルyyン酸の残基があげら
れる。
Examples of the functional group other than the alkoxy group of the partial metal alkoxide include a halogen atom, a hydroxyl group, a β-diketone, or a residue of an organic acid.

本発明に用いられうる金属アルコキシドの具体例として
は、前記のほがディ・シー・プラン ・ドレイ (D、
 O,Bradley)ら、メタル・アルコキシドズ(
Metal alkoxides )、1978年、ア
カデミツク・プレス(Academic Press 
)社に記載されているものも使用できる。
Specific examples of metal alkoxides that can be used in the present invention include the above-mentioned H.
O, Bradley) et al., metal alkoxides (
Metal alkoxides), 1978, Academic Press
) can also be used.

金属有機錯化合物は金属アルコキシドとの共通溶媒が存
在しかつ熱分解により目的とする複合金属酸化物を形成
するものであればよく、とくに金属β−ジケトン錯体が
好ましい。
The metal-organic complex compound may be any compound as long as it has a common solvent with the metal alkoxide and forms the desired composite metal oxide by thermal decomposition, and metal β-diketone complexes are particularly preferred.

金属有機錯化合物を形成する金属としては前記金属アル
コキシドに用いられる金属があげられる。
Examples of the metal forming the metal-organic complex compound include the metals used for the metal alkoxides.

β−ジケトンとしては、たとえばアセチルアセトン、ベ
ンゾイルアセトン、ジベンゾイルアセトン、ジイソブチ
リルメタン、ジピバロイルメタン、3−メチルペンタン
−2,4−ジオン、2.2−ジメチルペンクン−3,5
−ジオンまたはそれらのフッ素化物などがあげられ、と
くにアセチルアセトンが好ましい。
Examples of the β-diketone include acetylacetone, benzoylacetone, dibenzoylacetone, diisobutyrylmethane, dipivaloylmethane, 3-methylpentane-2,4-dione, 2,2-dimethylpencune-3,5
-dione or their fluorinated products, and acetylacetone is particularly preferred.

本発明に用いられつる金属β−ジケトン錯体としては、
前記のほかにアール・シー・メーロトラ(R,0,、M
ehrotra )ら、′メタル ベータージケトンズ
 アンド アライド デリバティブズ(Metalβ−
Dilcetones and A11ied der
ivatives)”、1978年、アカデミツク・プ
レス社に記載されている金属ケトン錯体があげられる。
The vine metal β-diketone complex used in the present invention includes:
In addition to the above, R C Mehrotra (R,0,,M
metal beta diketones and allied derivatives (metal beta diketones and allied derivatives)
Dilcetones and A11ied der
Examples include metal ketone complexes described in ``Academic Press'', 1978, Academic Press.

複合金属溶液の調製は、2種以上の有機金属化合物を用
いるはあいそれらが相溶であるときはとくに溶媒を必要
としないが、それらが相溶でないときは共通溶媒が必要
となる。
Preparation of a composite metal solution does not require a particular solvent when two or more types of organometallic compounds are compatible, but a common solvent is required when they are not compatible.

共通溶媒としては、たとえば1価または多価アルコール
;カルボン酸エステル;ケトン;ヘンゼン、トルエン、
キシレンなどの芳i 族溶媒ニジオキサン、テトラヒド
ロフランなどのエーテルなどの1種または2種以上の混
合溶媒があげられる。それらのうち、1価または多価の
低級アルコール;低級カルボン酸エステル:ジオキサン
、テトラヒドロフランなどのエーテルは金属アルコキシ
ドと金属ケトン錯体との種々の組合せに広く用いること
ができるが、具体的な溶媒は用いる有機金属化合物の組
合せに応じて適宜選定すればよい。
Common solvents include, for example, monohydric or polyhydric alcohols; carboxylic acid esters; ketones; Hensen, toluene,
Examples include aromatic solvents such as xylene, dioxane, ethers such as tetrahydrofuran, and one or more mixed solvents. Among them, monohydric or polyhydric lower alcohols; lower carboxylic acid esters: ethers such as dioxane and tetrahydrofuran can be widely used in various combinations of metal alkoxides and metal ketone complexes, but specific solvents are It may be selected as appropriate depending on the combination of organometallic compounds.

また金属アルコキシドと金属ケトン錯体のばあい、それ
らの一方または両方が溶媒に溶解しない組合せにおいて
も、アルデヒドを加え1.必要に応じて加熱処理すると
きは、均一な溶液なすることができる。加熱処理は、通
常溶媒の還流温度以下で行なうのが好ましい。
In the case of metal alkoxide and metal ketone complexes, even in combinations in which one or both of them are not soluble in the solvent, aldehyde is added in step 1. A homogeneous solution can be obtained by heat treatment if necessary. The heat treatment is usually preferably carried out at a temperature below the reflux temperature of the solvent.

アルデヒドとしては、炭素数1〜8個のアルデヒド、と
くにホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセト
アルデヒド、ベンズアルデヒドなどが好ましい。
Preferred aldehydes include aldehydes having 1 to 8 carbon atoms, particularly formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, and the like.

そのほか複合金属溶液の製法として、2種以上の金属ア
ルコキシドに有機キレート剤を加えて、安定化お−よび
均一化する方法がある。2種以上の金属アルコキシドの
混合系、好ましくは共通溶媒中で溶解させた状態下に有
機キレート剤、たとえばE+DTA (エチレンジアミ
ン四酢酸)、NTAにトリロ三酢酸) 、UDA  (
ウラミルニ酢酸)、ジメチルグリオキシム、ジチゾン、
オキシン、β−ジケトン、グリシン、メチルアセトアセ
テート、エチルアセトアセテートおよびリルン酸、オレ
イン酸、オクチル酸などの単価カルボン酸、シュウ酸、
シトラコン酸、マレイン酸、フタAI酸、ナフテン酸な
どの多価カルボン酸の1種または2種以上、とくにβ−
ジケトン、メチルアセトアセテート、エチルアセトアセ
テート、単価または多価カルボン酸の1種または2種以
上を加え、均一溶液化することにより目的の組成の溶液
が容易に調製できる。なお不溶性の沈殿物が発生すると
きは、前記と同様にアルデヒドを加えて加熱することに
より溶解させることができる。用いられる金属アルコキ
シド1共通溶媒およびアルデヒドは前記に例示したもの
が使用できる。
In addition, as a method for producing a composite metal solution, there is a method in which an organic chelating agent is added to two or more metal alkoxides to stabilize and homogenize the solution. In a mixed system of two or more metal alkoxides, preferably dissolved in a common solvent, an organic chelating agent such as E+DTA (ethylenediaminetetraacetic acid), NTA (trilotriacetic acid), UDA (
uramyl diacetic acid), dimethylglyoxime, dithizone,
Oxine, β-diketones, glycine, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate and monohydric carboxylic acids such as lylunic acid, oleic acid, octylic acid, oxalic acid,
One or more polyhydric carboxylic acids such as citraconic acid, maleic acid, phta-AI acid, and naphthenic acid, especially β-
A solution having a desired composition can be easily prepared by adding one or more of diketone, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, and monocarboxylic or polycarboxylic acids and forming a homogeneous solution. If an insoluble precipitate occurs, it can be dissolved by adding aldehyde and heating in the same manner as described above. As the metal alkoxide 1 common solvent and aldehyde used, those exemplified above can be used.

かくしてえられる接合金属溶液を基板に塗布し、熱分解
することにより、金属化合物薄膜が製造される。
The thus obtained bonding metal solution is applied to a substrate and thermally decomposed to produce a metal compound thin film.

複合金属化合物層をうる方法としては、たとえば基板上
に複合金属溶液をスプレー、デイツビイング、スピンコ
ーティングなどにより塗布したのち加熱して熱分解する
方法、分解温度に加熱された基板に溶液を噴霧する方法
、溶液をガス化したのち加熱して熱分解するか、または
プラズマもしくはレーザー光によって分解しながら分解
物を基板上に堆積させる方法、あるいは印刷法など金属
アルコキシドを単独で使用するときに通常用いられる方
法が採用されうる。
Methods for obtaining a composite metal compound layer include, for example, a method in which a composite metal solution is applied onto a substrate by spraying, coating, spin coating, etc., and then heated and pyrolyzed, or a method in which the solution is sprayed onto a substrate heated to a decomposition temperature. Usually used when a metal alkoxide is used alone, such as by gasifying a solution and then heating it for thermal decomposition, or by depositing the decomposed product on a substrate while being decomposed by plasma or laser light, or by printing. methods may be employed.

熱分解温度は300°O以上が好ましい。The thermal decomposition temperature is preferably 300°O or higher.

多層化するには塗布した薄膜の有機成分が完全に熱分解
もしくは揮散により除去されたのちつぎの薄膜を積み重
ねることが重要であるが、とくに膜厚が薄いばあいは多
層化したのちにまとめて焼成処理を行なってもよい。な
お、1工程における生成膜厚が1μmを超えると熱分解
時にクラックを発生したり、基板との密着性がわるくな
るため、好ましくない。
In order to form multiple layers, it is important to stack the next thin film after the organic components of the applied thin film are completely removed by thermal decomposition or volatilization, but especially when the film is thin, it is important to stack the next thin film after forming multiple layers. A firing treatment may also be performed. It should be noted that if the thickness of the produced film in one step exceeds 1 μm, cracks may occur during thermal decomposition or the adhesion to the substrate may deteriorate, which is not preferable.

また熱処理の雰囲気を変えることにより種々の金属化合
物薄膜にすることができる。たとえば大気中または酸素
雰囲気中では酸化物薄膜、チッ素雰囲気中ではチツ化金
属N膜、硫化水素雰囲気中では金属硫化物薄膜、水素な
どの還元雰囲気中では金属(あるいは合金)薄膜の製造
が可能となる。また基板としては、熱処理工程に耐える
素材であることが必要であり、たとえばポリイミド、金
属、ガラス、セラミックスなどか好ましい。
Furthermore, by changing the heat treatment atmosphere, various metal compound thin films can be formed. For example, it is possible to produce oxide thin films in the air or oxygen atmosphere, metal nitrite N films in a nitrogen atmosphere, metal sulfide thin films in a hydrogen sulfide atmosphere, and metal (or alloy) thin films in a reducing atmosphere such as hydrogen. becomes. Further, the substrate needs to be made of a material that can withstand heat treatment processes, and is preferably made of polyimide, metal, glass, ceramics, or the like.

かかる薄膜の製造法によるときは、真空技術による方法
では製造の困難であった種々の組成の薄膜の製造が可能
となる0たとえはチタン酸バリウムやチタン酸鉛で代表
されるペロブスカイト構造の強誘電体および圧電体薄膜
、ニッケルフェライトやコバルトフェライトなどで代表
されるスピネル構造の強磁性薄膜、バリウムフェライト
やストロンチタンフエライトなどのマグネドプラ′バイ
ト構造の強磁性薄膜、その他金属元素を2種以上含む複
合金属のN膜が簡単な装誼により大面積のものまで容易
に製造可能である。
When using such a thin film manufacturing method, it is possible to manufacture thin films with various compositions that are difficult to manufacture using methods using vacuum technology. ferromagnetic thin films with a spinel structure such as nickel ferrite and cobalt ferrite, ferromagnetic thin films with a magneto-dopplerite structure such as barium ferrite and strontitium ferrite, and other composite metals containing two or more metal elements. It is possible to easily manufacture large-area N films using simple equipment.

本発明の多層化薄膜は以上の薄膜の製造工程を少なくと
も1回行なうことによりえられる。
The multilayer thin film of the present invention can be obtained by performing the above thin film manufacturing process at least once.

すなわち前記薄膜製造工程を2回以上繰り返してもよい
し、真空技術による薄膜化方法を併用して多層化しても
よいが、少なくとも1層は厚さ10μm以下の複合金属
化合物層を含むことが必要である。複合金属化合物層の
厚さ・はその機能上および製造法上、10μmを超える
と好ましくない。
That is, the above thin film manufacturing process may be repeated two or more times, or a thin film forming method using vacuum technology may be used in combination to form multiple layers, but at least one layer must include a composite metal compound layer with a thickness of 10 μm or less. It is. It is not preferable for the thickness of the composite metal compound layer to exceed 10 μm due to its function and manufacturing method.

本発明の多層化薄膜は、たとえばガラスなどの透明基板
上に酸化錫またGは酸化インジウムを主体とする透明導
電膜、PbTiO3または(PbX−La1−x)(T
iy−Zr1−y )03薄膜、透明導電膜を重ねた光
メモリ−、電気的偏光素子、導電膜とチタン酸バリウム
などの強誘電体を交互に積層した積層コンデンサー、(
NiX−Zr1−z ) ・Fe2O4などの軟磁性膜
と00Fe204あるいはBs0・6Fθ203を積層
した磁気記録材、その他光関連デバイス、センサ、フィ
ルター、記憶材料などに巾広い応用が期待できる。
The multilayer thin film of the present invention is a transparent conductive film mainly composed of tin oxide or indium oxide, PbTiO3 or (PbX-La1-x) (T
iy-Zr1-y ) 03 thin film, optical memory made by stacking transparent conductive films, electrical polarizing element, multilayer capacitor made by alternately stacking conductive films and ferroelectric materials such as barium titanate, (
A wide range of applications can be expected in magnetic recording materials in which soft magnetic films such as NiX-Zr1-z ) and Fe2O4 and 00Fe204 or Bs0.6Fθ203 are laminated, as well as other optical-related devices, sensors, filters, and storage materials.

つぎに実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はか
かる実施例のみに限定されるものではない。
Next, the present invention will be explained with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

実施例1 錫テトライソプロポキシド15gとアンチモントリイソ
プロポキシド0.7gを無水エチルアルコール100g
に溶かし、透明導電膜形成用溶液とした。一方バリウム
アセチルアセトネー)8.49チタンテトライソプロポ
キシド乙?りを無水エチルアルコール1009に加え、
さらに加熱攪拌しながらパラホルムアルデヒド1gを加
えて均一溶液トし、さらに溶媒をエチルアルコールから
テトラヒドロフランに変換してチタン酸バリウム化溶液
とした。
Example 1 15 g of tin tetraisopropoxide and 0.7 g of antimony triisopropoxide were added to 100 g of absolute ethyl alcohol.
A solution for forming a transparent conductive film was prepared. On the other hand, barium acetylacetonate) 8.49 titanium tetraisopropoxide? Add the solution to absolute ethyl alcohol 1009,
Further, 1 g of paraformaldehyde was added while stirring with heating to form a homogeneous solution, and the solvent was further changed from ethyl alcohol to tetrahydrofuran to obtain a barium titanate solution.

ついで透明導電膜形成用溶液を石英ガラスに引上げ速度
5 cm 7分でディップコーティングしたのぢ昇温速
度10°C/分で<SODooまで加熱し、その温度に
1時間保って焼成した。冷却後チタン酸バリウム化溶液
を用いて同様に塗布、加熱焼成した。以上の処理を再度
行ない透明性を有する4層からなる薄膜をえた。
The solution for forming a transparent conductive film was then dip-coated onto quartz glass at a pulling rate of 5 cm for 7 minutes, heated at a temperature increase rate of 10°C/min to <SODoo, and fired at that temperature for 1 hour. After cooling, a barium titanate solution was applied in the same manner and fired. The above treatment was repeated to obtain a transparent thin film consisting of four layers.

えられた多層化薄膜をwsah (表面光電子分光分析
)によって測定したところ、アンチモンドープ酸化錫膜
、チタン酸バリウム膜が交互に約50OAの厚さで積層
されていることが判明した。
When the obtained multilayer thin film was measured by WSAH (surface photoelectron spectroscopy), it was found that antimony-doped tin oxide films and barium titanate films were alternately laminated to a thickness of about 50 OA.

このものは透明な積層コンデンサーとしての用途が期待
できる。
This product can be expected to be used as a transparent multilayer capacitor.

実施例2 Fe:N1=2:1になるように鉄トリエトキシド10
g゛とニッケルアセチルアセトネート6、72gを加熱
した無水エチルアルコール100gに溶かしてニッケル
フェライト化溶液をえた。
Example 2 Iron triethoxide 10 so that Fe:N1=2:1
A nickel ferrite solution was obtained by dissolving 6.72 g of nickel acetylacetonate and 6.72 g of nickel acetylacetonate in 100 g of heated absolute ethyl alcohol.

一方、Fe : Ba=12 : 1になるようにバリ
ウムアセチルアセトナート1gと鉄トリエトキシド6、
829を無水エチルアルコール1009中に加え、加熱
攪拌しなからパラホルムアルデヒド0.59を加えてバ
リウムフェライト化溶液をえた。
On the other hand, 1 g of barium acetylacetonate and 6 iron triethoxide were added so that Fe:Ba=12:1.
829 was added to anhydrous ethyl alcohol 1009, and while stirring with heating, 0.59% of paraformaldehyde was added to obtain a barium ferrite solution.

石英ガラス板上にニッケルフェライト化溶液を10cm
/分の速度でディピングしたのち1000/’l)の昇
温速度で800°01時間焼成し、冷却したのちさらに
その上にバリウムフェライト化溶液を同じ条件で塗布後
加熱処理した。えられた薄膜は赤色半透明性の薄膜であ
り、ESOAによる表面分析の結果、目的としているベ
リラムフェライト組成(Fao・6Fθ203)とニラ
ナルフェライト組成NiFe2O4の薄膜がそれぞれ約
1.000Aおよび約5ooXの厚さで積層されている
ことが判明した。
Spread 10 cm of nickel ferrite solution on a quartz glass plate.
After dipping at a rate of 1/min, it was fired at a heating rate of 1000/min for 800° for 1 hour, cooled, and then a barium ferrite solution was applied thereon under the same conditions, followed by heat treatment. The obtained thin film is a red semi-transparent thin film, and as a result of surface analysis by ESOA, thin films with the target beryllum ferrite composition (Fao 6Fθ203) and niranal ferrite composition NiFe2O4 have a diameter of about 1.000A and about 5ooX, respectively. It was found that the layers were laminated to a thickness of .

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 厚さ10μm以下の複合金属化合物層を少なくとも
1層含む多層化薄膜。 2 複合金属化合物が複合金属酸化物である特許請求の
範囲第1項の多層化薄膜。 31種または2種以上の有機金属化合物を溶媒に溶かし
てなる複合金属溶液を基板上に塗布したのち熱処理する
薄膜製造工程を少なくとも1回行なうことを特徴とする
厚さ10μm以下の複合金属化合物層を少なくとも1層
含む多層化薄膜の賭造法。
[Scope of Claims] 1. A multilayer thin film containing at least one composite metal compound layer with a thickness of 10 μm or less. 2. The multilayer thin film according to claim 1, wherein the composite metal compound is a composite metal oxide. A composite metal compound layer with a thickness of 10 μm or less, characterized by performing a thin film manufacturing process at least once in which a composite metal solution prepared by dissolving 31 types or 2 or more types of organometallic compounds in a solvent is applied onto a substrate and then heat-treated. A method for producing a multilayer thin film containing at least one layer of
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