JPS59204413A - 直流ガス母線 - Google Patents
直流ガス母線Info
- Publication number
- JPS59204413A JPS59204413A JP7816583A JP7816583A JPS59204413A JP S59204413 A JPS59204413 A JP S59204413A JP 7816583 A JP7816583 A JP 7816583A JP 7816583 A JP7816583 A JP 7816583A JP S59204413 A JPS59204413 A JP S59204413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive particles
- bus bar
- voltage conductor
- shield electrode
- blocking shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/063—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings filled with oil or gas
- H02G5/065—Particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高圧導体を絶縁スペーサで支持した直流ガス母
線内のシース面の導電性粒子による高圧導体、シース間
での絶縁破壊を防止するため、高圧導体表面の移動を明
止し、導電性粒子を確実に捕捉する装置を設けた直流ガ
ス母線に関する。
線内のシース面の導電性粒子による高圧導体、シース間
での絶縁破壊を防止するため、高圧導体表面の移動を明
止し、導電性粒子を確実に捕捉する装置を設けた直流ガ
ス母線に関する。
従来は第１図に示すように、高圧導体３が課電されると
、管路シース１上に存在する導電性粒子４は、電荷を帯
びて浮上する。この場合、交流電圧では、シース表面を
長手方向に移動するのに対し、直流電圧の場合、浮上と
同時に高圧導体表面に達し、高圧導体表面を伝わって、
シース上の導電性粒子捕捉装置５を飛び越えるため、シ
ース上に設けた導電性粒子捕捉装置だけでは、導電性粒
子を完全に捕捉することができない。
、管路シース１上に存在する導電性粒子４は、電荷を帯
びて浮上する。この場合、交流電圧では、シース表面を
長手方向に移動するのに対し、直流電圧の場合、浮上と
同時に高圧導体表面に達し、高圧導体表面を伝わって、
シース上の導電性粒子捕捉装置５を飛び越えるため、シ
ース上に設けた導電性粒子捕捉装置だけでは、導電性粒
子を完全に捕捉することができない。
高圧導体に直流電圧が課電さｎると、シース上の導電性
粒子は電荷を帯びて浮上し、はちに、高圧導体に達し、
導体表面を伝わって半径、長手方向と激しく移動する。
粒子は電荷を帯びて浮上し、はちに、高圧導体に達し、
導体表面を伝わって半径、長手方向と激しく移動する。
本発明の要点はこれを防ぐため、高圧導体表面の円周上
に突起した阻止シールド電極を設け、突起した阻止シー
ルド電極により電界が強められ、導電性粒子はこの強い
電界の吸引力により、阻止シールド電極部で母線長手方
向の移動を止め、β旧ヒシールド電祢部に導電性粒子が
来ているとき、電圧をしゃ断して、導電性粒子を落下さ
せ、その位置に設けた導電性粒子捕捉装置で確実に導電
性粒子を捕捉するにある。
に突起した阻止シールド電極を設け、突起した阻止シー
ルド電極により電界が強められ、導電性粒子はこの強い
電界の吸引力により、阻止シールド電極部で母線長手方
向の移動を止め、β旧ヒシールド電祢部に導電性粒子が
来ているとき、電圧をしゃ断して、導電性粒子を落下さ
せ、その位置に設けた導電性粒子捕捉装置で確実に導電
性粒子を捕捉するにある。
第２図に本発明による高圧導体３表面の円周上に、拡大
詳細断面を第３図に巾Ｄ、高さＨ１突起先端曲率半径Ｒ
，をもったリング状の阻止７−ルド電極６を用い、阻止
シールド電極直下対向部のソース上に導電性粒子捕捉装
置１ｔ５ｆ！ｒ備えた管路母線の断面図を示す。高圧導
体３に直流電圧が課電されると、シース１上にある導電
性粒子４は電荷を帯びて浮上し、直ちに、高圧導体表面
に達する。
詳細断面を第３図に巾Ｄ、高さＨ１突起先端曲率半径Ｒ
，をもったリング状の阻止７−ルド電極６を用い、阻止
シールド電極直下対向部のソース上に導電性粒子捕捉装
置１ｔ５ｆ！ｒ備えた管路母線の断面図を示す。高圧導
体３に直流電圧が課電されると、シース１上にある導電
性粒子４は電荷を帯びて浮上し、直ちに、高圧導体表面
に達する。
高圧導体表面に達した導電性粒子は、導体表面を伝わっ
て長手方向に激しく移動する。この移動を抑制するため
、高圧導体表面の円周上に突起した阻止シールド電極６
を設けることにより、それ以上の移動は阻止することが
できる。なお、図中２はデスクスペーサである。
て長手方向に激しく移動する。この移動を抑制するため
、高圧導体表面の円周上に突起した阻止シールド電極６
を設けることにより、それ以上の移動は阻止することが
できる。なお、図中２はデスクスペーサである。
第４図に第２図の拡大詳細断面図を示す。浮上した導電
性粒子５が導体表面全矢印方向に向って移動し、阻止シ
ールド電極６に近つくと、阻止シールド電極６により電
界が強められ、導電性粒子４はこの電界の吸引力により
阻止シールド電極６部で母線長手方向の移動が止まる。
性粒子５が導体表面全矢印方向に向って移動し、阻止シ
ールド電極６に近つくと、阻止シールド電極６により電
界が強められ、導電性粒子４はこの電界の吸引力により
阻止シールド電極６部で母線長手方向の移動が止まる。
■止シールド電極６部に導電性粒子が来ているとき、第
５図に示すように任意の時間間隔（Δ’Ｉ＋ Δ１２）
で繰り返し電圧■をしゃ断すれば、導電性粒子は落下す
るため、その位置のシースｌ上に導電性粒子捕捉装置を
愼けば、確実に導電性粒子を捕捉でき、スペーサ沿面に
付着するのを防止し、Ｐ３縁性能が向上する。
５図に示すように任意の時間間隔（Δ’Ｉ＋ Δ１２）
で繰り返し電圧■をしゃ断すれば、導電性粒子は落下す
るため、その位置のシースｌ上に導電性粒子捕捉装置を
愼けば、確実に導電性粒子を捕捉でき、スペーサ沿面に
付着するのを防止し、Ｐ３縁性能が向上する。
第６図、第７図（ａ）、 （ｂ）は本発明による他の変
形例で、第６図は水平配置ガス母線に於いてスペーサと
高圧導体をチューリップコンタクト７で保持した場合の
断面図で、チューリップコンタクトを高圧導体径より大
径にして、阻止シールド電極とした場合で、この様にす
ることにより、高圧導体保持と阻止シールド電極を兼ね
ることにより、本発明の効果を十分あげることができる
。第７図（ａ）（ｂ）は水平配置のガスしゃ断器等で、
高圧導体３を絶縁支持筒８で保持したときの構造図であ
る。第７図（ａｌは絶縁支持筒８の導体保持部１１に用
いた電界緩和用腹巻シールド９を、第７図（ｂ）は前者
同様電界緩和用としたリングシールド１０を、本発明に
よる阻止シールド電極として兼用した場合で、このシー
ルド電極直下対向部のシース上に導電性粒子捕捉装置を
設けることにより、本発明の効果を十分あげることがで
きる。
形例で、第６図は水平配置ガス母線に於いてスペーサと
高圧導体をチューリップコンタクト７で保持した場合の
断面図で、チューリップコンタクトを高圧導体径より大
径にして、阻止シールド電極とした場合で、この様にす
ることにより、高圧導体保持と阻止シールド電極を兼ね
ることにより、本発明の効果を十分あげることができる
。第７図（ａ）（ｂ）は水平配置のガスしゃ断器等で、
高圧導体３を絶縁支持筒８で保持したときの構造図であ
る。第７図（ａｌは絶縁支持筒８の導体保持部１１に用
いた電界緩和用腹巻シールド９を、第７図（ｂ）は前者
同様電界緩和用としたリングシールド１０を、本発明に
よる阻止シールド電極として兼用した場合で、このシー
ルド電極直下対向部のシース上に導電性粒子捕捉装置を
設けることにより、本発明の効果を十分あげることがで
きる。
本発明によれば、浮上した導電性粒子が高圧導体を伝わ
って移動する範囲を阻止でき、導電性粒子を完全に捕捉
することができ、導電性粒子による絶縁耐力の低下を防
止することができる。
って移動する範囲を阻止でき、導電性粒子を完全に捕捉
することができ、導電性粒子による絶縁耐力の低下を防
止することができる。
第１図は従来のガス母線の断面図、第２図は本発明の一
実施例のガス母線の断面図、第３図（ａ）は第２図の■
部詳細図、第３図（ｂ）は第３図（ａｌのＢ−Ｂ矢視図
、第４図は第２図の部分詳細図、第５図は導電性粒子捕
捉するための直流電圧課電説明図、第６図は本発明の他
の実施例の断面図、第７図（ａ）（ｂ）は本発明のさら
に他の実施例の断面図である。 ６・・・阻止シールドリング、７・・・チューリップコ
ンタクト、８・・・絶縁支持筒、９・・・電界緩和用腹
巻きシールド、１０・・・電界緩和用リングシールド、
１１竿３図 第４図 第５ｎ
実施例のガス母線の断面図、第３図（ａ）は第２図の■
部詳細図、第３図（ｂ）は第３図（ａｌのＢ−Ｂ矢視図
、第４図は第２図の部分詳細図、第５図は導電性粒子捕
捉するための直流電圧課電説明図、第６図は本発明の他
の実施例の断面図、第７図（ａ）（ｂ）は本発明のさら
に他の実施例の断面図である。 ６・・・阻止シールドリング、７・・・チューリップコ
ンタクト、８・・・絶縁支持筒、９・・・電界緩和用腹
巻きシールド、１０・・・電界緩和用リングシールド、
１１竿３図 第４図 第５ｎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水平配置した、高圧導体を絶縁スペーサで支持した
直流ガス母線において、この直流ガス母線に付着した導
電性粒子を捕捉するため、高圧導体表面の円周上に突起
した阻止シールドを設け、この阻止シールド電極直下で
対向する管路シース上に前記導電性粒子の捕捉装置を設
けたことを特徴とする直流ガス母線。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記導電性粒子が
前記阻止シールド電極周辺に集１つたとき、課電中の電
圧をしゃ断して、前記導電性粒子の捕捉装置に導ひき入
れる様、任意の時間間隔で電圧を繰り返し課電、しゃ断
する手段を設けたことを特徴とするＭ流ガヌ母線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7816583A JPS59204413A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 直流ガス母線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7816583A JPS59204413A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 直流ガス母線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204413A true JPS59204413A (ja) | 1984-11-19 |
Family
ID=13654314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7816583A Pending JPS59204413A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 直流ガス母線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204413A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610768A1 (en) * | 1993-02-10 | 1994-08-17 | Hitachi, Ltd. | Enclosed electric conductor arrangement |
| CN1075906C (zh) * | 1997-05-22 | 2001-12-05 | 株式会社日立制作所 | 气体绝缘装置 |
| WO2005008856A3 (de) * | 2003-07-10 | 2005-05-19 | Siemens Ag | Leiteranordnung mit einem kapselungsgehäuse |
-
1983
- 1983-05-06 JP JP7816583A patent/JPS59204413A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610768A1 (en) * | 1993-02-10 | 1994-08-17 | Hitachi, Ltd. | Enclosed electric conductor arrangement |
| US5798484A (en) * | 1993-02-10 | 1998-08-25 | Hitachi, Ltd. | Enclosed electric conductor arrangement |
| CN1075906C (zh) * | 1997-05-22 | 2001-12-05 | 株式会社日立制作所 | 气体绝缘装置 |
| WO2005008856A3 (de) * | 2003-07-10 | 2005-05-19 | Siemens Ag | Leiteranordnung mit einem kapselungsgehäuse |
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