JPS59200485A - 半導体装置及び製造方法 - Google Patents

半導体装置及び製造方法

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JPS59200485A
JPS59200485A JP59075685A JP7568584A JPS59200485A JP S59200485 A JPS59200485 A JP S59200485A JP 59075685 A JP59075685 A JP 59075685A JP 7568584 A JP7568584 A JP 7568584A JP S59200485 A JPS59200485 A JP S59200485A
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conductivity type
layer
semiconductor
inactive
substrate
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JP59075685A
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English (en)
Inventor
テオドルス・ヘラルドウス・ヤコブス・フアン・オイルシヨツト
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明−は、半導体本体を具え、該本体に、少くとも１
個の細条状隆起部分を設けたほぼ平坦な表面を有する第
１導電型の不純物多量添加半導体基板と、該基板の前記
隆起部分の両側に位置する第２（反対）導電型の阻止半
導体領域と、該阻止領域と相俟ってｐｎ接合を形成する
第１導電型の不活性層状半導体領域と、該不活性層状領
域上に設けられた肉薄活性半導体層と、該活性半導体層
上に位置し、電磁放射線の屈折率が隣接する不活性半導
体領域よりも大きな第２導電型の不活性半導体層と、前
記第２導電型の活性層及び前記基板に導電的に接続され
る接点層とを設けて成る電磁放射線を発生又は増幅する
半導体装置、及び該半導体装置を製造する方法に関する
ものである。
上述した構体の半導体装置はアプライドフィジックスレ
ター、第４１巻、第１０号、１９８２年１１月１５日第
９０８−９０５頁に記載されたエッチ・ブロウベル等の
論文から既知である。この論文に記載された半導体装置
は、活性層を少くともその大部分に亘り、隣接する半導
体材料の導電型とは反対の導電型の埋込阻止領域によっ
て画成するようにした半導体レーザである。この半導体
レーザでは、細条状活性領域を半導体結晶の外側で例え
ば酸化物層に設けたスロット又はプロトン衝撃により画
成するようにしたダブルへテロ接合（ＤＩ（）レーザの
利点を有している。例えば、一般にスレシホルド電流が
特に通常の°′ストライブ構造のダブルへテロ接合レー
ザのスレシホルド電流よりも低い。
しかし上述したアプライドフィジックスレターによるレ
ーザ構体は、この場合第１導〜電型の不活性層状領域の
厚さを極めて薄く且つ均一とし得ない大きな欠点を有し
ているが、電流の拡がりが著しく大きくなるのを防止す
るためには極めて薄い不活性領域がしばしば必要となる
。その理由は、基板の隆起部分近辺の阻止層の厚さが著
しく変化しその結果この阻止層上に成長させた第１導電
型の不活性層の上面が、基板のメサ型隆起部分の近くに
おいてこの隆起部分が比較的厚い場合にのみほぼ平坦（
プレーナ）となるからである。かかる平坦な上面は同様
にほぼ平坦な活性層を得るために必要であり、しかもレ
ーザ特性の安定性、光分布の対称性及び規則正しい成長
の観点からも好適である。従来の半導体装置の他の欠点
は半導体装置を連続成長処理で製造し得ないことである
。その理由はこの成長プロセスは゛′メルトバック′″
工程で中断する必要があるからである。
この点は、前記論文に記載の半導体装置において″メサ
″又は隆起基板部分の幅を極めて狭くする必要があるこ
とと関連する。その理由はメルトバックプロセスが極め
て臨界的であり、これによって広いメサ構体の場合に不
規則性が生ずるからである。メサ構体が極めて狭い場合
には電流密度が局部的に高くなると共に直列抵抗が高く
なる。
本発明の目的は埋込阻止領域を有し、基板の側に位置す
る不活性領域を極めて薄くすると共に隆起基板部分の幅
に何等制限を課す必要はなく、しかも層構体全体を連続
成長プロセスで形成し得るようにした電磁放射線を発生
又は増幅する半導体・装置を提供せんとするにある。
本発明の他の目的は上述した半導体装置を製造するに極
めて好適な方法を提供せんとするにある。
本発明は半導体本体を具え、該本体に、少くとも１個の
細条状隆起部分を設けたほぼ平坦な表面を有する第１導
電型の不純物多量添加半導体基板と、該基板の前記隆起
部分の両側に位置する第２（反対）導電型の阻止半導体
領域と、該阻止領域と相俟ってｐｎ接合を形成する第】
導電型の不活性層状半導体領域と、該不活性層状領域上
に設けられた肉薄活性半導体層と、該活性半導体層上に
位置し、電磁放射線の屈折率が隣接する不活性半導体領
域よりも大きな第２導電型の不活性半導体層と、前記第
２導電型の活性層及び前記基板に導電的に接続される接
点層とを設けて成る電磁放射線を発生又は増幅する半導
体装置において、前記基板及び隆起部分上に第２導電型
の阻止層を設け、前記不活性層状領域は前記阻止層上に
設けた第１導電型の不活性層を具え、前記阻止層領域は
、第１導電型の少くとも不活性層から前記阻止層内に・
拡散されると共に第１導電型の不活性層を前記隆起基板
部分に接続する第１導電型の区域によって囲むようにし
たことを特徴とする。
＠ｌｓ電型の不活性層と基板との闇の電気接続をこの不
活性層から阻止層内に少くとも拡散さねた第１導電型の
区域によって主として構成するため、メルトバック工程
の成長処理を中断する必要なく、隆起基板部分に阻止層
を成長させることができる。
本発明の重要な好適例では隆起基板部分の両側の阻止層
の厚さを、隆起部分の上面の幅の少くとも２倍、好適に
は少くとも５倍の距離に亘ってほぼ一定となるようにす
る。これがため第１導電型の不活性層を所望に応じ極め
て薄＜ＬＡ＠、、、ｆｌつ比較的広いメサ形状の隆起基
板部分を何等支障なく用いることができる。
第１導電型の不活性層は阻止層と同一組成の半導体材料
で造ることができる。しがし殆んどの場合これら両層の
半導体材料は導電型及び組成を相違させて電気的特性及
び電気−光学特性の最適の・組合せが得られるようにす
る。
基板の細条状隆起部分は直線状とすることができるが、
所定の用途に対しては例えば、特に半導体装置を電磁放
射線ビームの増幅及び／又は導通に用いる場合、細分も
しくは彎曲形状とすること並びに／又は高さ及び／もし
くは幅を変化させることもできる。
本発明の重要な好適例では基板の細条状隆起部分にその
長手方向に延在する条溝を設け、この深さを基板表面の
残存部分上の隆起基板部分の高さよりも浅くするのが好
適である。Ｖ字状が好適なこの条溝はその深さを適宜定
めてその内側に位置する阻止層の部分が第１導電型の拡
散領域で完全に充填されるようにする。かかる構体を有
するレーザはインデックス・ガイプツト（ｉｎｄｅｘ−
ｇｕｉｄｅｄへ）形レーザである。
本発明半導体装置は任意の好適な半導体材料で造ること
ができる。しかし、全部の半導体領域を組成Ａ！ｘＧａ
、−ｘＡｓ　（こ＼にＯくＸく１　）の半導体材料で造
るのが有利である。基板及び第１導電型（この場合ｐ型
）の不活性層に対するドー、＜ント（不純物添加剤）と
しては迅速に拡散して高い不純物濃度が得られる亜鉛、
マグネシウム又はベリリウムを用いるのが好適である。
又、この場合には少くとも１個のｎ導電型領域にテルル
又はセレニウムをドープして充分に高い不純物添加濃度
が得られるようにする。
かかる半導体装置を製造するに極めて好適な本発明方法
は、エツチング処理によって第１導電型の不純物多量添
加半導体基板に、少くとも１個の細条状隆起部分を局部
的に有するほぼ平坦な表面を設け、この平坦表面及び隆
起部分にエピタキシャル成長により第２（反対）導電型
の半導体阻止層を形成し、この阻止層上に第１導電型の
不活性半導体層をエピタキシャル成長させ、次いでこの
不活性層上に肉薄活性半導体層を成長させ、更にこの活
性層上に第２導電型の不活性半導体層を成長サセ、この
際全エピタキシャル成長処理は中断することなく行い、
この成長処理中ドープくントを第１導電型の隣接半導体
材料から前記阻止層内に拡散させてこ＼に第１導電型の
不活性層を前記隆起部分に接続する第１導電型の拡散区
域を形成するようにしたことを特徴とする。
以下、図面につき本発明を説明する。
なお図面は構造を明瞭にすることを主眼として図的に記
載してあり、実施例の相対寸法を示すものではなく、特
に厚さ方向の寸法を誇大に示しである。図面において対
応する部分は同一数字で示し、同一導電形式の半導体領
域は同一方向の斜線を施して示す。
第１図は本発明による半導体装置の実施例の要部を断面
と共に示す斜視図である。本例の半導体装置は、約７８
０　ｎｍの波長（空気中）を有するコヒーレントビーム
において電磁放射線を発射できる半導体レーザである。
本例の半導体装置は第１導電型としてｐ導電型の基板１
を有する半導体本体を具える。本例ではこの基板は亜鉛
を不純物として添加したｐ形砒化ガリウムで構成し、（
１００）配向及び１ｏ１８亜鉛原子／Ｃｍ’の添加濃度
を有する。この基板は約８０μｍの厚さををし、かつ細
条状隆起部分８を配設したほぼ平坦な面２を有し、この
隆起部分８は約１．８μｍの高さを有するいわゆるメサ
（台状）の形態で平坦面２上に突出する。隆起部分８の
上側は約２μｍの幅を有する。
基板ｌにおいては更に隆起部分８の両側に、第２導電型
即ち反対導電型（従ってｎ導電型）の阻止半導体領域４
を配設する。更に、ｎ型阻止領域４とｐｎ接合５を形成
する第１（ｐ）導電型の層状不活性半導体領域（６，７
）を配設し、この半導体領域の上に薄い活性半導体層８
を配設し、この活性層８の上に第２即ちｎ導電型不活性
半導体層９を配設する。活性層８は前記放射線に対し防
接する不活性半導体層６及び９より高い屈折率を有する
。不活性層９には不純物を多量に添加されたｎ型上側導
電層１０を介して導通可能な態様で金属（カソード）接
点層１１を配設し、基板１には導通可能な態様で金属（
アノード）接点層１２を配設する。
本発明では基板１上及び隆起部分８上に第２（ｎ）導電
型の阻止層１４を配設する。この阻止層１４上に、前記
不活性領域６，７の一部を構成する第１（ｐ）導電型の
不活性層６を配設する。
ｎ型阻止領域４は本発明においてｐ型置域７によって限
定され、本例ではこのｐ型置域７は基板ｌ及び不活性層
６の双方から阻止層１４への拡散によって形成し、この
ｐ型置域７により不活性層６が隆起部分８に接続される
。
本例で使用する種々の層の厚さ及び組成は次の通りであ
る。
４　　Ａｌｏ、８Ｇａ。、、Ａｓ　　　Ｍ　　　２　　
５Ｘ　１０”　Ｔｅ６　　Ａｌｏ、、Ｇａ、５Ａｓ　　
　Ｐ　　　１　　　ａｘ　１０１８Ｍｇ８”０．１６”
０．８μｓ　　　　　０．１　　添加せず９　　Ａ／（
、、Ｇａｏ、、Ａｓ　　　ｌｊ　　　　２　　１．５Ｘ
１０　　　ＴｅＮｏ　　ＧａＡＳ　　　　　　Ｎ”　　
　０．５　８Ｘ　１０１８Ｔｅ結晶の境界面はメサ状隆
起部分８の長手方向に対し直角である。これら境界面は
へき開面であり、同時にレーザに対する共振胴部を形成
する鏡面を構成する。活性層８を流れる電流は阻止層１
４のｎ型導電部４により、隆起部分８上に位置する細条
状活性領域にＩＩＪ限され、この細条状活性領域は不活
性層６が薄い場合隆起部分３より僅かだけ幅が広くなる
。上側接点層１１は、本例における如く、上側導電層１
０全体を覆うようにすることができ、その結果製造がか
なり簡単に゛なる。更に、このようにすることにより、
通常の如く接点層１１と共にレーザをヒートシンク上に
配設した場合、効果的かつ規則的な冷却を行うことがで
きる。
しかし、所要に応じ、接点層１１を隆起部分３上の細条
状領域だけに対する接点を形成する態様において構成す
ることもできる。
本例の半導体層は本発明方法により次に述べる態様で有
利に製造することができる。
出発材料は（第２図参照）配向（１００）及び１０１８
亜鉛原子／ｃ＋＋＋８の添加濃度を有するｐ型砒化ガリ
ウムの厚さ約８０９μｍの基板であって、マスキング及
びエツチングにより上ｆｌｆＪＨＷｔｓに、＜　０１’
　１　）方向における細長い細条の形態のメサ形隆起部
分８を局部的に配設した基板ｌである。
隆起部分８の幅は下側が約６μｍであり、上側が約２μ
ｍである。なお１（［１のＧａＡｓウェハには多数のメ
サ形隆起部分８を配設し、この隆起部分と同数のレーザ
構体を成長させる。しかし説明をｗＲ明にするため図面
にはががる構体の−っだけ製造する場合を示しである。
液相からのエピタキシャル成長により、通常の技術によ
ってこの基板ｌ上に、組成Ａｌ。、８Ｇａｏ、、Ａｓ及
び約２μｍの厚さを有する、テルルを添加された砒化ガ
リウム・アルミニウムのｎ型阻止層１４を堆積する。そ
の場合阻止層１４の厚さは隆起部分８においてはその両
側部分に比べがなり薄くし、例えば、隆起部分の両側に
おいて２μｍであるのに対し隆起部分においては０．２
μｍとする。これは特に成長させる材料に依存し、本例
では、組成ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ　（ここで０．１＜Ｘ
＜０．８）の層と共に実現することができる。本例では
阻止層１４は隆起部分８から距離１２μｍまではほぼ一
定の厚さを有し、これにより距離の大きい部分では厚さ
が若干減少して約１．５μｍになる。
次いで、半導体ウェハを成長装置がら除去すること無く
、上記組成、厚さ及び添加濃度を有する層６，８．９及
び１ｏを成長法により順次形成する（第８図参照）。そ
の場合層６には亜鉛、マグネシウム又はベリリウムの如
き高速拡散アクセプタを添加する。この成長過程及び所
要に応じ、後続の後加熱に当り、ドーパントをＮ６及び
基板ｌからある距離にわたり（第８図において破線で示
す）阻止層１４内に拡散させる。層６がら拡散したｐ型
置域７はｐ型導電基板隆起部分３と合体する。ｆａ１図
に示したレーザの部分は第２及び８図の直線ＡＡ’及び
Ｂ　Ｂ’の間に配設する。阻止層１４の残りのｎ型部分
は阻止領域４を構成する。
従ってこの成長処理は連続的に行うことができるので、
成長装置に基板ｌを導入した後メサ形部分をバック・メ
ルティングするため又は他の理由・で成長処理を中断す
る必要がなくなる。従って、成長に当り層６及び隆起部
分８の間において層１４を介して接触を自動的に確立す
る簡単な方法が得られる。
成長処理の終了後、隆起部分８の外側の基板部分に対す
る最終の厚さ８０μｍが得られるまで研削及びエツチン
グにより基板１を薄くする。
次いで金属接点層１１及び１２を配設し、然る後スクラ
イビング及び破断（ｂｒｅａｋｉｎｇ　）によりへき開
面を形成し、次いでウェハを別個のレーザに分割し、前
記鏡面が得られる。
このようにして形成したレーザは極めて好ましい電気及
び電子光学特性を有する。波長は約７８０ｎｍである。
起動電流は比較的小さく、即ち８゜°Ｃにおいて約７０
　ｍＡであり、この起動電流は、６０℃において鏡面当
り５１ｎＷの電力で５００時間の連続動作後でも、大部
分の供試レーザにおいてほぼ変化しない。スレシホール
ド１ＥＩＥハ１．９Ｖである。このレーザはいわゆる“
ゲイン・ガイデッド（ｇａｉｎ−ｇｕｉｄｅｄ　）　”
形のレーザであり、ゲイ、ン・ガイデッド形レーザでは
、放射線を発生する活性領域はメサ形隆起部分８の中央
上に最大部を有する増幅プロフィルによって横方向に制
限される。
第４図は本発明半導体装置の重要な他の好適実施例の断
面を図的に示す。本例では図面の平面に直角に延在する
隆起部分８において長手方向にＶ字状条溝２０を配設す
る。本例では隆起部分８の上側の全幅は約５μｍであり
、Ｖ字状条溝２０の深さは約１μｍであり、基板平坦面
２上における隆起部分８の高さ２．８μｍより小さい。
基板１の厚さは８０μｍであり、層４（面２及び１８の
間）、層６，８，９及び１０の厚さはそれぞれ２．５μ
ｍ。
０．２１１ｍ　、　０．１１１ｍ　、　２７４ｍ及び０
．５μｍである。本例では層４の組成はＡｊ　ｏ、　４
Ｇａｏ、　、Ａｓであり、他の層は先に述べた実施例に
おけると同じ組成を有する。
第４図に示したレーザは、放射線を発生する活性領域が
Ｖ字状条溝２０上の活性領域に配置され、かつＶ字状条
溝２０の両側における隆起部分８の部分によって生ぜし
める有効屈折率の変化により横方向に制限されるいわゆ
るインデックス・ガイデッド（ｉｎｄｅｘ−ｇｕｉｄｅ
ｄ　）形レーザである。
本例ではＶ字状条溝２ｏ内の半導体材料は層６及び基板
ｌからの拡散により充分にｐ導電型となる。これは、所
定の環境の下ではＶ字状条溝内に変換されない小さい領
域を許容することができるが、完全な電流導通（ｕｎｈ
ｉｎｄｅｒｅｄ　ｃｕｒｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎ
　）の観点から大程は望ましいものである。
第４図に示した半導体レーザは、エツチングにより隆起
部分８にＶ字状条溝２ｏを形成した後第１〜８図に示し
たレーザと同一態様で製造するｉとができる。
上述した実施例では阻止層１４への拡散は主として不活
性Ｎ６から行い、基板１がらの拡散は少なかった。しか
しこれに限定する必要はなく、例えば、使用するドーパ
ントに応じこの拡散を、はぼ不活性層６からだけ行う（
第５図）が、又は主として基板１から行い、かつ不活性
Ｎ６からの拡散２“を少なくする（第６図）こともでき
る。
当業者であれば本発明の範囲内で種々の変形が可能であ
る。上述した実施例においては阻止領域４及び不活性層
６は異なる材料で構成する。しかし代案としてこれらの
層を同一材料で構成することができ、これは成長処理を
簡単にするために所望されることがある。しかしレーザ
の動作を可能な最大範囲まで最適化するため、これらの
層は主として異なる組成を有する。
鏡面を省略した場合、上述した装置はこの装置に入射す
る放射線ビームを増幅するのに使用することができ、例
えば、集積光学装置において使用。
することができる。細条状隆起部分の形状は直線状に限
定されず、代案として、傾斜形状、分枝形状又は湾曲形
状とすることができ、またその長さ方向にわたり高さ及
び／又は幅を変えることもできる。
条溝２ｏはＶ字状に限定されず、代案として、例えば、
平坦な底部を有するようにすることもできる。更に、砒
化ガリウム及び砒化ガリウム・ア・ルミニウムに代えて
、例えば、燐化インジウムの如きレーザ構体に好適な他
の半導体材料を使用することもできる。使用される高速
拡散ドナー不純物が既知である半導体材料を選定した場
合には、種々の層の導電型式を逆にする（同時に）こと
もできる。種々の層の厚さ並に隆起部分及び条溝の寸法
も所要に応じ変更することができる。例えば、ｌＱｃｍ
　　の不純物添加濃度を有し、層９は１．２μｍの厚さ
及び２　Ｘ　１０１８ｃｍ−８の不純物添加濃度を有し
、層１０は５μｍの厚さ及び８　Ｘ　Ｉ　０１８ｃｍ−
８の不純物添加濃度を有するようにすることができる（
他のデータは同じ）。この実施例における如く、厚さの
厚い上側導電層１０により、活性領域がはんだ面から一
層遠くなるので障害（例えば短絡）のおそれが遥かに小
さくなる。第４図に示した実施例では数個の条溝２０を
互に近接配置して数個の隣接放射線ビームを発生するか
又は増幅することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明半導体装置の実施例を断面と共に示す斜
視図、 第２及び８図は第１図の実施例の製造過程における状態
を製造過程層に示す断面図、 第４図は本発明半導体装置の他の実施例を示す断面図、 第５及び６図は第１〜８図の実施例に対する２つの変形
例を示す断面図である。 ｌ・・・基板　　　　　　　２・・・平坦面８・・・細
条状隆起部分　　４・・・阻止領域５・・・ｐｎ接合　
　　　　６・・・不活性層７・・・ｐ型置域　　　　　
８・・・活性層９・・・不活性層　　　　　１０・・・
上側導電層１１　、１２・・・金属接点層　１４・・・
阻止層２０・・・Ｖ字状条溝 ｊ／１１

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　半導体本体を具え、該本体に、少くとも１個の細条
    状隆起部分を設けたほぼ平坦な表面を有する第１導電型
    の不純物多量添加半導体基板と、該基板の前記隆起部分
    の両側に位置する第２（反対）導電型の阻止半導体領域
    と、該阻止領域と相俟ってｐｎ接合を形成する第１導電
    型の不活性・層状半導体領域と、該不活性層状領域上に
    設けられた肉薄活性半導体層と、該活性半導体層上に位
    置し、電磁放射線の屈折率が隣接する不活性半導体領域
    よりも大きな第２導電型の不活性半導体層と、前記第２
    導電型の活性層及び前記基板に導電的に接続される接点
    層とを設けて成る電磁放射線を発生又は増幅する半導体
    装置において、前記基板及び隆起部分上に第２導電型の
    阻止層を設け、前記不活性層状領域は前記阻止層上に設
    けた第１導電型の不活性層を具え、前記阻止層領域は、
    第１ｓ電型の少くとも不活性層から前記阻止層内に拡散
    されると共に第１導電型の不活性層を前記隆起基板部分
    に接続する第１導電型の区域によって囲むようにしたこ
    とを特徴とする半導体装置。 λ　前記隆起基板部分の両側の阻止層の厚さを、前記隆
    起基板部分の上面の幅の少くとも２倍の距離にわたりほ
    ぼ一定とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ＆　前記隆起基板部分の両側の阻止層の厚さを・、前記
    隆起基板部分の上面の幅の少くとも５倍の距離にわたり
    ほぼ一定とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置
    。 表　前記第１導電型の不活性層が前記隆起基板部分の組
    成とは異なる組成を有する半導体材□料から成る特許請
    求の範囲第１乃至３項中のいずれか一項記載の半導体装
    置。 ６、　前記隆起基板部分が長手方向に延在する条溝を有
    する特許請求の範囲第１乃至４項中のいずれか一項記載
    の半導体装置。 ａ　前記条溝の深さが前記平坦な表面の残存部分上にお
    ける前記隆起基板部分の高さより小さい特許請求の範囲
    第５項記載の半導体装置。 ７、　前記条溝がＶ字状である特許請求の範囲第５又は
    ６項記載の半導体装置。 ８、　前記条溝内の前記阻止層の半導体材料が前記第１
    導電型の区域によって完全に麩される特許請求の範囲第
    ５項記載の半導体装置。 ９、　前記基板がｐ導電型であり、かつすべての半導体
    領域が組成Ａ、Ｉ！ｘＧａ□−ｘＡＳ（但し０くＸく１
    ）を有する特許請求の範囲第１乃至８項中のいずれか一
    項記載の半導体装置。 １０、　　前記基板及び前記第１導電型の不活性層が亜
    鉛、マグネシウム及びベリリ゛ウムを含む群から選択し
    たドーパントを具える特許請求の範囲第９項記載の半導
    体装置。 １１　　少なくとも１個のｎ型領域に、テルル及びセレ
    ニウムを含む群から選択したドーパントを添加する特許
    請求の範囲第９又は１０項記載の半導体装置。 １＆　前記第２導電型の不活性層め一側上に、実際上そ
    の全面と接触するよう電極層を配設する特許請求の範囲
    第１乃至１１項中のいずれか一項記載の半導体装置。 １＆　エツチング処理によって第１導電型の不純物多量
    添加半導体基板に、少くとも１個の細条状隆起部分を局
    部的に有するほぼ平坦な表面を設け、この平坦表面及び
    隆起部分にエピタキシャル成長により第２（反対）導電
    型の半導体阻止層を形成し、この阻止層上に第１導電型
    の不活性半導体層をエピタキシャル成長させ、次いでこ
    の不活性層上に肉薄活性半導体層を成長させ、更にこの
    活性層上に第２導電型の不活性半導体層を成長させ、こ
    の際全エピタキシャル成長処理は中断することなく行い
    、この成長処理中ドーパントを第１導電型の瞬接半導体
    材料から前記阻止層内に拡散させてこ＼に第１導電型の
    不活性層を前記隆起部分に接続する第１導電型の拡散区
    域を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の
    製造方法。 １４　　前記基板がｐ導電型であり、かつすべての半導
    体領域が組成１ｘＧａ、−ＸＡｓ　（但し０くＸく１）
    を有する特許請求の範囲第１８項記載の製造方法。 １＆　前記基板及び前記第１導電型の不活性層に、亜鉛
    、マグネシウム及びベリリウムを含む群から選択したド
    ーパントを添加する特許請求の範囲第１４項記載の製造
    方法。 １ａ　　少なくとも１個のｎ導電型領域に、テルル及び
    セレニウムを含む群から選択したドーパントを添加する
    特許請求の範囲第１４又は１５項記載の製造方法。 １７、　　前記阻止層の成長以前に、前記隆起基板部分
    にエツチングにより長手方向に延在する条溝を設け、成
    長処理に当り前記条溝内の前記阻止層の半導体材料全体
    を第１導電型の隣接半導体材料からの拡散により第１導
    電型に変換する特許請求の範囲第１８乃至１６項中のい
    ずれか一項記載の製造方法。
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