JPS59199176A - 短絡を伴なう溶接の電流の制御方法と装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は短絡移行を伴なう溶接における電流の制御方
法と装置に関する。

従来技術 ガスシールド溶接において、溶接ワイヤと母材との間で
短絡とアーク発生とを交互にくり返しながら溶接を行な
う短絡移行溶接におけるスパッタは、短絡が破れアーク
が再生する瞬間に発生することが明らかになっている。

またアークが再生する時の状態によシ２つの形弗に分か
れる。従来のりアクドルにより電流の上昇を遅らせる定
電圧電源の出力波形を用いて説明する。第１図は短絡時
の溶滴移行過程を示し、第２図は溶接ワイヤの電流波形
と電圧波形とを示す。第１図と第２図で、それぞれ状態
（コリ〜（ｄ）は相互に対応している。第１図と第２図
で溶接ワイヤ１と母材２が短絡するとアークが消弧し、
溶接ワイヤの電流は、溶接電源である定電圧電源のりア
クドルによシ上昇速度が決められ、徐々に上昇し、上昇
の過程でアークが再生するというくり返しが行なわれる
が短絡過程における溶滴３の変化は電流波形との関係を
対応させると（ａ）〜（ｄｌのようになっている。ここ
で溶滴変化の第１の形暖はＢの波形の時のように溶滴３
が移行完了し、（ｅｌのアーク再生の時に・スパッタが
発生するものであシ、第２の形態は溶滴３が修行する前
の（ａ）−（ｂｌの中間時（ＥｌＯ時点で１′部分の細
い部分で溶断し波形Ｂ′のような過程を取る場合である
。第２の形態は溶滴移行に貢献することなく、また溶接
ワイヤの先端にぶら下っている溶滴が大きいことからス
パッタも大きい場合が多く、溶接過程において、無意味
であるばかりでなく有害である。

リアクトルが小さいと波形Ａのように電流の立上りは急
でアーク再生時のピーク電流も上がシ、第１の形態のス
パッタは、ピーク電流に比例することから多くなる。ま
た第２の形態のスパッタは、短絡直後でａ′部がまた細
い時点で電流が高いとこの細い部分が電流のピンチ力で
破断することから発生するものであるので、やはり波形
Ａの場合には、スパッタの発生が多い。総合して波形Ａ
はスパッタの発生が多い。

一方すアクドルが大きいと波形Ｃのように電流の立上シ
はゆるやかでアーク再生時の電流も低く、スパッタはＡ
の波形と″Ａ象的に少なくなるが短絡時間が長いこと、
手ぶれ送給速度の変動、溶融池の振動などにより短絡が
異常に長いケースが瑛われるなど全体の溶接が不安定と
なる。

このようなことからりアクドルは適当なりの波形を選択
して行なわれているが妥協的なものであり理想的ではな
い。短絡移行時の理想的な要件は、■短絡直後（ａ＋−
（ｂｌに移る開電流が上昇しないこと史には電流を低下
させ０に近いことであり、これは溶滴下端と母材との接
触部ａ′の結合が強固に７ｚり（ｂｌの状態になるまで
電流のピンチ力を加えずａ′部での再破断を防止するだ
めの要件である。

■アーク再生ｆｅ１点で電流ができるだけ小さいことで
あり、これはスパッタ飛散エネルギーを低くおきえるた
めの要件である。

■（’）］−（Ｃ１の過程において適当な電流が確保さ
れること、これは短絡時間の適長による欠陥や、溶接全
体の安定性を向上させるために必要な要件である。

発明の目的 この発明は上述の点に鑑みてなされたものであって、（
ｂｌ〜（Ｃ）の過程で短絡電流を増大することによって
、スパッタの発生を防止できる何間方法と装置とを提供
することを目的とするものである。

発明の概要 上述の目的を達成するために、唖終電流を増大するタイ
ミングが重要であり、このタイミング如何によってスパ
ッタの発生量が以下に示すように変化することがこの発
明の発明者の考察により判明した。

いま溶接ワイヤと母材間の短絡発生後短絡電流を増大さ
せるまでの時間１’ｌ）’ｅＯ〜５ｎ１ＳｅＣの間で変
化させた。その結果以下の如き結果が得られた。

■　０〜Ｑ、　５　ｍ　ｓｅｃでは、はとんど（ａ）点
のａ′部で破断し、大粒のスパッタか多量に発生する。

■　１ｍ５６ｃでは、時々大粒のスパッタが発生するが
ほとんどの場合溶滴移行は行なわれる。しがしトーチ角
度か前進角をもった場合には大粒のスパッタの数は増加
するなど状況により不安定である。

■　２ｍ５ｅｃでは■の傾向が若干残るものの■の状態
より良好である。

■　３ｍ５ｅｃの時は、■■の傾向は完全になくなるが
短絡時間が長くなり、条件により、溶融してないワイヤ
先端が溶融池に入シ込み長時間短絡が破れない場合が出
てくる。

■　４〜５ｍ５ｅｃでは、■の傾向が顕著シてなり、溶
接が不安定である。

上記のようにＴＤは短くても長くてもそれぞれの弊＝害
があり、かつ最適値は条件によシ変化するばかりでなく
、同一条件においてもバラツキを有している。

高速度カメラによる観察によれば、同一条件であっても
、溶融池の振動、ワイヤ送給速度の変動溶接者の手振れ
などのため各短絡毎に第１図の（ａ）から（ｂｌＫ移る
時１ハ］が変化しているこ七が確認された。

一方、溶接全体から考えれば居絡時間は短い方が好まし
く特に送給速度（平均電流）が高い場合には、１回の短
絡で移行する溶滴量を大きくするか短１ｈ四数が多くす
る必要があるが溶滴量を大きくすることは、アーク長の
変動か犬きくなり、好ましくなく、また上路回数が増加
すると短絡時間のアーク時間に対する比が大きくなり、
母材への溶込みが少なくなるなどの弊害が生じる。

これらの問題点を解決するためにけＴＤは固定でなく、
第１図のｆｂ１点近傍すなわちイ容滴と母材の結合が強
固になったことを、各類絡毎に検出し、この時短絡大電
流を印加するという副脚を行う必要かあることが判った
。それ故この発明においては、短絡期間における溶滴の
母材への接触状部を検出し、この他高値が所定値に達し
たときに短絡電流を増大させる。

以下に実施方法を詳細に説明する。

第４図は短絡開始から大電流印加までの電流波形で短絡
後、アーク時よシ亀流を下げている。短絡後の電流レベ
ルの違う１１　とｒｌ’Ｊ、　ｆ示している。

先ず第１の例を第５図にもとづいて説明する。第５図は
第４図の電圧波形でＡ１．ｍｌに応じ１２、　ｍ２　　
と変化している。第５図から明らかなように第１図の（
ａ＋からｆｂ）に移行するに従い、溶滴の母（副への接
触断面積が増加して行くため、抵抗が減少し溶接ワイヤ
電圧が減少する。接触状■の検出は電圧値Ｖ（Ａ２．ｍ
２）で行い、所定値ばｋｌでｋはに＝Ｌ２ｘ／Ｌｎ　　
−＝Ｍ２１／Ｍｎ−一定と決定しておく。ここにおいて
第２１．Ｍ２１およびＬｌｌ。

Ｍｌｌは　接触が強ｉ固になったと判断する電圧と電流
値である。このようにして、Ｖ≦に１１　と彦った時溶
接ワイヤと画材との接触が強固になったと判断すれば良
い。短絡時の溶接ワイヤの′直流Ｉがたとえばｌ−１１
１Ｍ１ｌと変」されても、これに応じてｋＩが変化し、
電流の影響は除去される。この制御の場合、接触が強固
になったと判断するレベ）ｖ　第２１　、　Ｍ２１を出
力増大の最適レベルより少し手自ｉＪに取っている。

これは最適値を求めようとすると設定誤差などにより、
永久に判断レベルに達しない場合があるからで、従って
検出値（Ｖ　）が所定１１ｆ（ｋＩ）に遂した後ある一
定時間遅らせて出力を増大させれば良い。多少の誤差要
因がこれによって含まれるが本制御を行う効果は後述の
ように大きい。最適１直にできるだけ近いＬ／ベパ／Ｉ
Ｃ設定し、遅れ時間を小さくして行なえば精度は向上す
る。この場合には、短絡置プことえＨｔｉ３　ｚｎ　ｓ
ｅｃ後に設定レベルに達しない場合においては無条件に
出力を増大させるという回路を付属させておくことが９
２才しい。

第２の例について、第４図と第６図を用いて説明する。

第６図は１−可ｉ？１の第４図の峙の抵抗波形で電流Ａ
Ｉ、ｍ１　と変化しても抵抗波形ｊ″・まｅ３＝ｍ３と
同一である。第１の例と：・’］　骸’ＸＳ　、ｉ　ｉ
；’Ｊの（３）から（ｂｌに移行するに従って接触１新
而ト１ガが増加して行す１ｄ接ワイヤの抵抗が減少する
。この場合、溶滴と母材間の接触状態の検出は溶接ワイ
ヤと母材間の抵抗値にで行い、比較のための所定′１Ｉ
ｉ（廿一定直］（１とする。第６図の例では１ｃ１＝　
Ｌａ１．　Ｍ３１の項でありに≦に１の時接触が強固Ｖ
こなったものさ判断して良い。第２の例においても第１
の例と同様〕ジ触か強固になったと判断するレベ／Ｉ／
を出力増大の最適時期より手前としているのは第１の例
の理由と老く同じでその対応も第１の例に記載のものと
同様である。

第３の例を第７図表第８図を用いて説明する。

第７図は・短絡開始から出力増大までの″電流波形であ
る。波形は３つの同一波形が重なって描かれており０１
　＝Ｐ１　＝９１である。第８図は第７図の′、１１流
波形に相当した電圧波形で０２　　、Ｐ２　．９２はそ
′れぞれワイヤ突出長が１２η＋ｉ、１６賭、２０ｊｍ
の場合である。第１図の（λ）−（１））間の抵抗差は
。

本来ワイヤ突出長とは無関係なものであわ、従ってその
電圧差は、電流が第７図のように短絡後ある一定６ｈ（
（固定された場合、ある定数に２、電流■として、ｋ２
ｉ　に相当する。従って短絡後電圧Ｖ１　　（＝　０２
１　＝　１″２１＝Ｑ２１）を記憶ｉ〜、その後のｉｔ
ｉ：　Ｊモ■との差かＶｌ　　−Ｖ≧に２Ｉ　になった
時、接触か強固になつ／とものと判断して良い。第１の
例、第２の例と１司様に接触が強固になったと判断する
レベルを出力増大の最適時期よりより手前としているの
は、第１−ｍ＜２の例と同じであるが、第３の例ばＩ出
長の変動に影響されないので遅れ時間は少なくて済み従
って誤差も少なくなる。

第゛４の例を第９図と第１０図を用いて説明する。

第９図は短絡開始から出力増大−までの電流波形で、短
絡後一定電流とした０１　＝Ｐｌ　−９１と短絡１衷徐
々に電流が減少するＰ′１　と短絡後電流が−Ｊケ低下
しその後糸々に上昇しているＰｉ　が描かれている。第
１０図、は箔９図の電１唯の時の抵抗波形で０３　　、
Ｐ３　　、Ｐ’３　　、Ｉ）”３　．４３　ｕそれぞれ
浴接ワイヤ装出４Ｑ　７Ｊｓ　１２　ＩＮ　、　ｌ　６
Ｎｍ　、　１５　ｍ７Ｎ　、　１５　ｄｍ　。

２　Ｑ　ｉ＋Ｉｉの場合である。Ｐ３　　、　Ｐ’３　
　、　Ｐ″３は同一波形を示している。第１図のｔａ）
−ｆｂｊ間の抵抗差は本来溶接ワイヤ突出長とは無関係
なものであり、ワイヤ怪や材質が決まれば、１（２（一
定）とみなすことができる。従って短絡後浴接ワイヤと
母材１１１１の抵抗Ｒ１（−０３１、Ｐ３１・Ｐ′３１
・１′ち１．　Ｑ３１　’）を記憶しその後の抵抗にと
の差がｉ＜　１−　Ｒ≧に２になった時、接触が強固に
なったものと判断して艮い。第４の例は短絡時の電流か
変化しても抵抗値で検出しているので波形はワイヤ突出
長と接触状■だけで変わるので＠３の例」こり更に信頼
性が増加する。従って第３の例で示した遅れ時間は史に
少なく出来、誤差も少々くなる。

第５の例を第７図、第８図、第１１図を用いて第１１図
１ｒｉ、第８図の溶接ワイヤの電圧ツモ分した波形で溶
接ワイヤの突出長に関係ない波形となるため第８図の３
条件の波形は１つの波形ｄＶ／ｄｔとなる。この場合に
は電圧微分値がｄＶ／ｄｃ≦に３１の時接触か強固にな
ったものと判断して良い。この時溶接ワイヤの電流■は
検出期間中略一定であることか必要である。精度として
は第３の例と同等のものか得られるが電流リップル等の
影？Ｊｋ除去するため′１Ｅ圧検出器と電流検出器にフ
ィ　ルターを要する場合心）ある。

第６の例イｃ、窟９図、第１０図、第１２図を用いてワ
イヤ突出長に関係なくなる他、第９図のＰ′１−やＰ′
１　のように電流がスロ一プを描いていてもその影響は
除去される。また電源のリップルについてもその影響が
抵抗波形で除去されていることから第５の例より精度は
向上する。第６の例においては抵抗微分値ｄＲ／ｄｔ≦
に３の時、接触か強固になったと判断すれば良い。

以下に芙施例について説明する。

第１の例テｉｄ　Ｖ　≦ｋＩ　Ｉ　　（Ｊ＝５０Ａ　、
　ｋｉ＝ｏ、ｏ　１６　）、短絡検出から大電流印加ま
での遅れ Ｌ時間：ＴをＱ、　５　ｍ　Ｓａｃとした。

第４の例ではＲ１−Ｒ≧に２（Ｉぐ２　　＝７ｍ、Ｑ）
７　”’　０．３　ｎｌ　ｓｅｃとした。

第６の例ではｄ　ｉ　／ｄ　ｔ≦に３（Ｋ３＝２ｍΩ／
ｍ、ｓｅｃ　）７　＝　Ｑ、　４　ｍ　ｓｅｃとした。

従来例１では短絡から大電流印加７Ｆでの時間ＴＩ）を
ＴＤ　＝　ｌ　ｍ泌Ｃとした。

従来例２ではｒＤ＝　２　ｍ　ｓｅＣとした。

従来例３ではＴＤ　＝　３　ｍ　ｓｅｃとした。

他の溶接条件として下記を用いた。

電流　１５０Ａ 電圧　２０Ｖ 速度　２０α／　ｍ　ｉ値 ワイヤ　ｙｃｗ−２，１，２φ シールドガス　Ｃ０２２０Ａ／ｍｉｎ 上記条件にて溶接トーチを台車に設置し、板厚１２羽の
上にビードオンプレート溶接し、溶接時間を１０分とし
た。結果は、平均・車路時間、アークの安定性、飛散し
たスパッタとノズル付着スバ全 ツタを集めて重量測定し／シζバッタで比較した。

全スパッタ測定では、時間ＴＤの影響によるスパックと
そうでないものの分離測定が不可能であることから、全
スパッタの能特にＴＤの影響の大きい大粒のスパックに
ついて目視で多少について観察した結果も並記した。な
お、実験はくり返し３回とした。

◎　　　　猛　　　　≦　　　　倣　　　　鳳　　　　
二写従来法でｊｄ全スパッタおよび大粒のスパッタを減
少させようとすれば短絡時間が増加し、逆に短絡時間を
減少させよ′うとすれば全スパッタおよび大粒のスパッ
タが発生するという傾向かある。本発明の例によれば、
各側により若干の差異はあるものの全スパックおよび大
粒のスパッタを減少させつつ、短絡時間′ｆ：減少でき
ることが分かる。

次に上述の各側を実施する装置を説明する。

第１３図はこの発明に用いられる溶接装置を示しており
、ｌは出力電圧と出力電流の制御可能な溶接電源であり
その出力はケーブル２とアースケープ／ｖ３とを介して
消耗電極ワイヤを用いた溶接ワイヤ４ａに供給され、こ
の溶接ワイヤ４ａ七母１才４ｂとの間にアーク４を発生
する。溶接ワイヤ４ａは図示しないモータによって母材
４ｂに向って速度制御されなから送給′され、母材４ｂ
との間で所定間隔で短絡とアーク再生とを交互にくり返
して、公知の短絡移行溶接が行なわれる。なお溶接トー
チ４Ｃからはシールドガスが溶接ワイヤ４ａの突出部を
包囲すべく排出きれる。

５は溶接トーチ４Ｃと母材４ｂ間の電圧を検出する電圧
検出器、６は溶接ワイヤ４ａに流れる電流を検出する電
流検出器、７は溶接ワイヤ４ａの先端の溶滴と母材４ｂ
との接触状態を検出する接触状態検出器、８は接触状＠
レベ、ｌし設定器である。

９は接触状態検出器７の検出出力が接触状■レベル設定
器８の設定レベルに達した時、信号を出力する。この比
較器９の高力信号は＠接電源１に印加され、該溶接電源
１の出力電流を増大さする。

なおこの種の溶接装置においては浴接ワイヤよ母材との
間の短絡からアーク再生に至る区間において残３図に示
すように溶接ワイヤ４ａの電流を、短絡初期ｉａ）にて
Ｏに近い値とし、またアーク再生直前１（溶滴のくびれ
が生じた時点（Ｃ）〜ｆｄ）で電流を低下するための制
御回路（図示せず）が設けられる。

第１４図は第１３図の装置（Ｉておいて、上述の第の １の空用御方法に用いられる回路を示し、接触状態検出
器７としては、電圧検出器５が用いられ、溶接トーチ４
Ｃと母材４ｂ間の電圧Ｖを比較器９に印加する。接触状
態レベ）ｖ検出器８は電流検出器８の出力をに倍増幅す
る増幅器１０が用いられこの増幅器１０は溶接ワイヤの
電流を■とすると、　ｋｌ　　１の出力を生じる。比Ｖ
器９はＶ（ｋＩＩのとき信号を溶接電源１に与えて、第
３図（ｂ）〜（ｃｌで四路電流を増大さ亡る。

第１５図は箔２の例の制御方法に用いられる回路を示し
ている。

接触状■検出器は溶接トーチ４Ｃと母材４ｂ間の接触抵
抗Ｒを検出する抵抗検出器であり、抵抗ｋを示す信号を
出力する。接触状態レベル設定器８は基準値出力器１２
であり一定値に１を出力する。従って比較器９はに≦に
１　　の時短絡電流を増加するための信号を発生する。

第１６図は第３の例の制御方法に用いられる回路である
。接触状１隻検出器７は電圧検出器５と炉絡後の電圧Ｖ
を記憶する記憶器１３と加減算器１４から構成きれ、加
減算器１４が記憶器１３の出力■１から電圧検出器５の
出力Ｖを減算したＭＶｌ−Ｖを出力する。接触状態レベ
ル設定器８は、電流検出器６と増；陥器ｌＯから構成さ
れ、増幅器１０が電流検出器の出力■にに２を乗じ、に
２１を出力する。従って、比較器９はＶｌ　　−Ｖ≧に
２　１の時に短絡電流を増加するだめの信号を出力する
。

第１７図は上述の第４の例の制御方法に用いられる回路
図である。接触状態検出器７は溶接トーチ４Ｃと母：目
４ｂ間の抵抗を検出する抵抗検出器１１と、溶接ワイヤ
と母材間の連絡後の抵抗に１を記憶する記憶器１３と加
減蕗器１４とで構成され、加減算器１４が記憶器１３の
出力Ｒ１から抵抗検出器１１の出力Ｒを減算した随Ｒ１
−Ｒを出力する。接触状非レベル設定器８ば、基準値出
力器１２であり一定値に２　ｋ出力する。従って、比較
器はＲ１−ＲΣ１（２の時に短絡パ匡流を増加すべき信
号を出力する。

第１８図は適５の例の制御方法に用いられる回路図であ
る。接触状態検出器７け、電圧検出器５カするものであ
る。接触状態レベル設定器８は、電流検出器６と増幅器
１０から構成さ汎、電流検出器６の出力Ｉに定数に３を
乗じた幀に３　１を出力する。

従って比較器９１ｒｉｄＶ／ｄｉ≦に３Ｉの時に短、絡
准流を増加すべき信号を出力する。

第１９図は上述の第６の例の制御方法に用いられる回路
図である。接触状態検出器７ば、抵抗倹ｄＲ／ｄｔを出
力する。接触状態レベル設定器８．、ｄ、基準値出力器
１２であり一定値に３を出力する。

従って比較器９はｄＲ／ｄｔ≦に３の時に短絡′１−Ｌ
流を増加すべき１Ｂ号を出力する。

次に第２．第４．第６の各個において用いている抵抗検
出器１１の詳細を第２０図に示す。抵抗検出器１１は、
電圧検出器５と電流、検出器６と除箕詣１７から構成さ
れ、除算器１７が電圧検出器の出力■を電流便出器の出
力Ｉで割った値Ｖ／Ｉを出力する。ここで除算器１７は
、市販のＩＣ除算器でも良いし、又対数変換器と加＠算
器で構成本発明の方法についての詳細な説明の中で接触
が強固（でなったと判断するレベルを出力増加の最適時
期より手前に設定する場合はレベルに到達後ある一定時
間の遅れをもって出力を増大すると述べた。この遅れ（
ｄ、前述の比較器９に遅れ回路２２を含ませれは良く、
第２１図ＩＣ示すようにコンパレータ２１、抵抗１８、
コンデンナ１９、ゲー　トＩＣ２０で容易に達成できる
。

以上に装置の具体例について説明したが、本発明全槁゛
成する回路は、比較的安価で実用的な回路で構成されて
おシ、信頼度も比較的得やすい。しかし、ケーブルが長
い場合にはケーブル内のインダクタンスや抵抗の影響を
受ける場合もあり、このような時は電圧検出器の入力を
１匠源の出力ターミナルで々く、トーチと母材間に取る
必要が生じる。

以上に本発明の方法と装置について詳細に説明して来た
が、本発明によれば、短絡初期に発生する大粒のスパッ
タを防止しつつ、短絡時間の減少を達成できるため、ス
パッタに起因する様々な弊害を取り除くことができ、工
業上有益である。

【図面の簡単な説明】

第１図は短絡時の溶滴の移行過程全示す図第２図は、リ
アクトルにより電流変化を制御している定電圧電源の電
流電圧波形を示す図、第３図は、スパッタを減させるた
めに試作した電源の電流、電圧波形を示す図、 第４図、第７図、第９図は短絡初期の制御された重数波
形を示す図、 第５図１ｄ、第４図の電圧波形図、 第６図１は、第４図の＠杭波形図、 第８図は、第７図の電圧波形図、 第１０図は、免９図の抵抗波形図、 ＠１１図は、りろ８図の波形を微分した電圧敵方波形を
示す図、 第１２１Ａは、第１０図の波形を微分した抵抗微分波形
を示す図、 第１３図は、本発明の一実施例の要部を示す回路図、 第１４図〜第１９図１は、接触状態検出器７と接回路図
である。 １〜出力回路 ２　、３〜ケーフ゛ル ４〜アーク ５〜電圧検出器 ６〜″准流検出器 ７〜接触状昨検出器 ８〜接触状４［Ｆ］レベル設定器 ９〜比較器 １０〜増幅器 １１〜抵抗検出器 １２〜基準１直出力器 １３〜叡Ｉ意器 １４〜加減算器 １５．１６〜微分器 １７〜除算器 ２１〜コンパレータ ２２〜遅れ回路 特許出願人　株式会社　神戸製鋼所 代理人弁理士青山　葆外２名 第１８図 ７ ７ノ 第２０図 Ｌ　　　　　　　　　　Ｊ −７１ 、Ｊ′ 第１９図 ン ｄ′ 第２１区 多２ −一−−一ソー一一一一−

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）溶接ワイヤと母材との間で短絡とアーク再生とを
   交互にくシ返す短絡を伴なう溶接において、短絡直後の
   溶接ワイヤ先端の溶滴の母材への接触状態を検出し、該
   検出値が所定値に達した時溶接ワイヤ電流を増加させる
   ことを特徴とする短絡を伴なう溶接の′電流制御方法。
2. （２）溶滴と母材との接触状ｕｆｔ溶接ワイヤと母材と
   の間の電圧で検出したものであり、所定値は溶接ワイヤ
   の電流■に定数ｋｌを乗じたものである特許請求の範囲
   第１項に記載の制御方法。
3. （３）溶滴と母材との接触状傳は溶接ワイヤと母材間の
   抵抗値で検出したものであシ、所定値は一定ｆＩ貞にで
   ある特許請求の範囲第１項に記載の制御方法。
4. （４）溶滴と母相との接触状態は短絡後の溶接ワイヤと
   母料との間の抵抗Ｒ１とその後の抵抗にとの差すなわち
   Ｒ１−Ｒで検出し、所定値が一定値に２である特許請求
   の範囲第１項に記載の制御方法。
5. （５）接触状態を抵抗微分値ｄＲ／ｄ【で検出し、所定
   値が一定値に３　である特許請求の範囲′第１項に記載
   の制御方法。
6. （６）接触状態を短絡後の溶接ワイヤの電圧ｖ１　　と
   その後の電圧■との差すなわちＶｌ　−Ｖで検出し、所
   定値が電流Ｉにある定数に２　ｆ乗じだに２Ｉであ。 る特許請求の範囲第１項に記載の制訂方法。
7. （７）接触状弗を電圧微分値ｄＶ／ｄｔで検出し、所定
   値が電流■にある定数に３　を乗じたに３１であを特許
   請求の範囲第１項に記載の制御方法。
8. （８）　　所定値に達した時の信号が所定時間遅れて出
   力回路の出力を増大させる特許請求の範囲第１項に記載
   の制御方法。
9. （９）短絡を伴う溶接に用いる電源の出力を制御する装
   置において、短絡直後のワイヤ先端の溶滴の接触状■を
   検出する接触状弗検出器と、接触状部レベル設定器と、
   接触ナル検出器の出力が接触状態レベル設定器の出力に
   達した時信号を発生する比較器とから構成され、前記比
   較器の信号により出力回路の出力を増大させることを特
   徴とする溶接電源の出力制御装置。 ０の接触状態検出器は電圧検出器であり、接触状態レベ
   ル設定器が電流検出器、増幅器を含み、増幅器で電流検
   出器の出力■に定・数ｋｌ　を乗じた値ＪＩを出力する
   ものである特許請求の範囲＠９項に記載の制御装置。 ｃｕ）接触状態検出器は電圧検出器と短絡後の電圧ｖ１
   を記憶する記・重器と加減算器から構成され、加減算器
   が記憶器の出力■１　から電圧検出器の出力Ｖを減算し
   た敏Ｖ１　−Ｖを出力するものであり、接触法曹レベル
   設定器が電流検出器と増幅器を含み、電流検出器の出力
   Ｉにに２　を乗じた値ｋｚＩを出力するものである特許
   請求の範囲第９項に記載の制御装置。 （］２）接触状態検出器が電圧検出器と電圧微分器から
   構成され、電圧微分器が電圧検出器の出力を微分した須
   ｄＶ／ｄｔを出力するものでおり、接触レベル設定器が
   電流検出器と増幅器から構成され、電流検出器の出カニ
   に定数に３全乗じた値に３Ｉを出力するものである特許
   請求の範囲第９項に記載の制御装置。 Ｑ３）接触状態検出器は抵抗検出器であり、接触状態レ
   ベル設定器が一定値に１を出力する基準値出力器である
   特許請求の範囲第９項に記載の制御装置。 ０４）接触状態検出器は抵抗検出器と抵抗微分器とから
   構成され抵抗検出器の出力Ｒを抵抗微分器で微分したｄ
   Ｒ／ｄｔを出力するものであり、接触状態レベル設定器
   は一定値に３を出力するものである特許請求の範囲第９
   項に記載の制御装置。 Ｑ５）接触状態検出器は抵抗検出器と句絡後の抵抗Ｒ１
   を記憶する記憶器と加減算器から構成され、加減算器が
   記憶器の出力Ｒ１から抵抗検出器の出力Ｒを減算した値
   Ｒ１−Ｒを出力するものであり、接触状態レベル設定器
   が一定値に２　を出力する基準出力器である特許請求の
   範囲寿９項に記載の制御装置。