JPS5919455B2 - ピンチロ−ラの位置制御装置 - Google Patents
ピンチロ−ラの位置制御装置Info
- Publication number
- JPS5919455B2 JPS5919455B2 JP52103149A JP10314977A JPS5919455B2 JP S5919455 B2 JPS5919455 B2 JP S5919455B2 JP 52103149 A JP52103149 A JP 52103149A JP 10314977 A JP10314977 A JP 10314977A JP S5919455 B2 JPS5919455 B2 JP S5919455B2
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- JP
- Japan
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- voltage
- pinch roller
- plunger
- transistor
- solenoid
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はピンチローラの位置制御装置に係り、プランジ
ャの停止位置を任意に制御しうるプランジャソレノイド
装置を、ピンチローラ駆動機構に適用することにより、
極めて簡単な回路構成によりピンチローラの位置を制御
しうる装置を提供することを目的とする。
ャの停止位置を任意に制御しうるプランジャソレノイド
装置を、ピンチローラ駆動機構に適用することにより、
極めて簡単な回路構成によりピンチローラの位置を制御
しうる装置を提供することを目的とする。
記録再生装置は記録又は再生の際に、一時停止（ポーズ
）を行なう機能を一般に有しており、このポーズを行な
うにはピンチローラをキヤプスタンから若干離間させて
いる。
）を行なう機能を一般に有しており、このポーズを行な
うにはピンチローラをキヤプスタンから若干離間させて
いる。
このような記録再生装置はストップモード、プレイモー
ド及びポーズモードを行ないうるが、従来これらのモー
ドを得るためには単一のプランジャをもつてしては不可
能であつた。例えばプランジャの吸引動作をもつてする
機構では２個のプランジャを用い、第１のプランジャは
ストップモード時及びプレイモード時にピンチローラを
吸引し、第２のプランジャがストップモード時及びポー
ズモード時に吸引動作を行なうなどの構成をとつていた
。このため、プランジャソレノイド装置を２組必要とし
、構成が比較的複雑になるという欠点があつた。本発明
は上記の動作を単一のプランジャソレノイド装置で行な
うことにより、上記の欠点を除去したものであり、以下
第１図及び第２図と共にその一実施例について説明する
。
ド及びポーズモードを行ないうるが、従来これらのモー
ドを得るためには単一のプランジャをもつてしては不可
能であつた。例えばプランジャの吸引動作をもつてする
機構では２個のプランジャを用い、第１のプランジャは
ストップモード時及びプレイモード時にピンチローラを
吸引し、第２のプランジャがストップモード時及びポー
ズモード時に吸引動作を行なうなどの構成をとつていた
。このため、プランジャソレノイド装置を２組必要とし
、構成が比較的複雑になるという欠点があつた。本発明
は上記の動作を単一のプランジャソレノイド装置で行な
うことにより、上記の欠点を除去したものであり、以下
第１図及び第２図と共にその一実施例について説明する
。
第１図は本発明装置の要部の一実施例の具体的回路図、
第２図は本発明装置の一実施例の概略機構の平面図を示
す。
第２図は本発明装置の一実施例の概略機構の平面図を示
す。
両図中、１は摺動抵抗器で、端子Ａ、Ｃ間を摺動する摺
動子２を有しており、摺動子２の端子Ｂは抵抗を介して
ＮＰＮトランジスタＱ１のベースに接続されている。Ｎ
ＰＮトランジスタＱ２はこのトランジスタＱｌと共に差
動増幅器を構成しており、トランジスタＱ２のコレクタ
が抵抗を介してＰＮＰトランジスタＱ３のベースに接続
されている。このトランジスタＱ３のコレクタは抵抗Ｒ
１、コンデンサＣ，を直列に介して上記トランジスタＱ
１のベースに接続される一方、ＮＰＮトランジスタＱ４
のベースに接続され、更に抵抗Ｒ２を介して接地されて
いる。トランジスタＱ４のエミツタと接地間には単一の
ソレノイド３が接続されている。摺動抵抗器１と同一の
抵抗値に選定された抵抗Ｒ３の一端は開閉成スイツチＳ
Ｗｌを介して正の直流電源電圧入力端子に接続される一
方、切換スイツチＳＷ２の接点ａに接続され、また抵抗
Ｒ３の他端は接地されている。
動子２を有しており、摺動子２の端子Ｂは抵抗を介して
ＮＰＮトランジスタＱ１のベースに接続されている。Ｎ
ＰＮトランジスタＱ２はこのトランジスタＱｌと共に差
動増幅器を構成しており、トランジスタＱ２のコレクタ
が抵抗を介してＰＮＰトランジスタＱ３のベースに接続
されている。このトランジスタＱ３のコレクタは抵抗Ｒ
１、コンデンサＣ，を直列に介して上記トランジスタＱ
１のベースに接続される一方、ＮＰＮトランジスタＱ４
のベースに接続され、更に抵抗Ｒ２を介して接地されて
いる。トランジスタＱ４のエミツタと接地間には単一の
ソレノイド３が接続されている。摺動抵抗器１と同一の
抵抗値に選定された抵抗Ｒ３の一端は開閉成スイツチＳ
Ｗｌを介して正の直流電源電圧入力端子に接続される一
方、切換スイツチＳＷ２の接点ａに接続され、また抵抗
Ｒ３の他端は接地されている。
また抵抗Ｒ３のタツプは上記スイツチＳＷ２の接点ｂに
接続されている。上記スイツチＳＷ２の可動接片は前記
トランジスタＱ２のベースに接続されている。まず、開
閉成スイツチＳＷ，が開成されている場合には第１図示
の回路に電源電圧が供給されないため、回路は動作せず
、ソレノイド３に電流が流れないので第２図示のプラン
ジヤ４は復帰用スプリング５のバネカにより最大位置ま
で引出されている。
接続されている。上記スイツチＳＷ２の可動接片は前記
トランジスタＱ２のベースに接続されている。まず、開
閉成スイツチＳＷ，が開成されている場合には第１図示
の回路に電源電圧が供給されないため、回路は動作せず
、ソレノイド３に電流が流れないので第２図示のプラン
ジヤ４は復帰用スプリング５のバネカにより最大位置ま
で引出されている。
第２図中、６はアームで、上記復帰用スプリング５の一
端がその略中央部に固定されており、またアーム６の一
端に設けられた軸７を中心にして回動自在に構成されて
いる。またアーム６の他端にはピンチローラ８が固着さ
れている。更にアーム６の軸７側端部の付近には、一端
が摺動抵抗器１の摺動子２に固定され、ブランジヤ４と
一体的に変位すべくブランジヤ４に取付けられている作
動片９の他端が固定されている。ブランジヤ４の先端部
と上記作動片９のブランジヤ４の取付部との間には衝撃
吸収用スプリング１０が設けられている。従つて、上記
開閉成スイツチＳＷｌの開成時はピンチローラ８は第２
図中実線で示す如くキヤプスタン１１と離間した位置で
静止した状態とされる。このとき、記録再生装置はスト
ツプモード時である。次に、プレイモード時の動作につ
き説明するに、第１図示のスイツチＳＷｌを閉成すると
同時に切換スイツチＳＷ２を接点ａ側に接続する。
端がその略中央部に固定されており、またアーム６の一
端に設けられた軸７を中心にして回動自在に構成されて
いる。またアーム６の他端にはピンチローラ８が固着さ
れている。更にアーム６の軸７側端部の付近には、一端
が摺動抵抗器１の摺動子２に固定され、ブランジヤ４と
一体的に変位すべくブランジヤ４に取付けられている作
動片９の他端が固定されている。ブランジヤ４の先端部
と上記作動片９のブランジヤ４の取付部との間には衝撃
吸収用スプリング１０が設けられている。従つて、上記
開閉成スイツチＳＷｌの開成時はピンチローラ８は第２
図中実線で示す如くキヤプスタン１１と離間した位置で
静止した状態とされる。このとき、記録再生装置はスト
ツプモード時である。次に、プレイモード時の動作につ
き説明するに、第１図示のスイツチＳＷｌを閉成すると
同時に切換スイツチＳＷ２を接点ａ側に接続する。
これによりトランジスタＱ２のベースには電源電圧が殆
ど分圧されることなくスイツチＳＷ２を介して印加され
ると同時に、摺動子２よりトランジスタＱ１のベースに
上記電源電圧が摺動抵抗器１により分圧されて印加され
る。従つて、トランジスタＱ，はオフに近い状態となり
、トランジスタＱ２がオンに近い状態となる。このため
、トランジスタＱ３のベース電位が小となり、このトラ
ンジスタＱ３はオンに近い状態になる。これにより、ト
ランジスタＱ４はそのベースに大なる正の直流電圧を印
加されるので、大なるコレクタ電流が流れ、このコレク
タ電流はソレノイド３に励磁電流として流れる。ソレノ
イド３の通電によつてプランジヤ４がスプリング５のバ
ネカに抗して吸引され、これに伴なつて摺動抵抗器１の
摺動子２が端子Ａ方向へ摺動される。この摺動子２の移
動に応じてトランジスタＱ，のベース電位が上昇し、ト
ランジスタＱ２のコレクタ電位すなわちトランジスタＱ
３のベース電位が上昇していく。従つて、トランジスタ
Ｑ４のベース電位が減少していき、トランジスタＱ４の
コレクタ電流が減少していく。このようにして、プラン
ジヤ４は所定位置まで吸引されて停止するが、それはソ
レノイド３の吸引力と復帰用スプリング５の張力とが等
しくなつたところである。
ど分圧されることなくスイツチＳＷ２を介して印加され
ると同時に、摺動子２よりトランジスタＱ１のベースに
上記電源電圧が摺動抵抗器１により分圧されて印加され
る。従つて、トランジスタＱ，はオフに近い状態となり
、トランジスタＱ２がオンに近い状態となる。このため
、トランジスタＱ３のベース電位が小となり、このトラ
ンジスタＱ３はオンに近い状態になる。これにより、ト
ランジスタＱ４はそのベースに大なる正の直流電圧を印
加されるので、大なるコレクタ電流が流れ、このコレク
タ電流はソレノイド３に励磁電流として流れる。ソレノ
イド３の通電によつてプランジヤ４がスプリング５のバ
ネカに抗して吸引され、これに伴なつて摺動抵抗器１の
摺動子２が端子Ａ方向へ摺動される。この摺動子２の移
動に応じてトランジスタＱ，のベース電位が上昇し、ト
ランジスタＱ２のコレクタ電位すなわちトランジスタＱ
３のベース電位が上昇していく。従つて、トランジスタ
Ｑ４のベース電位が減少していき、トランジスタＱ４の
コレクタ電流が減少していく。このようにして、プラン
ジヤ４は所定位置まで吸引されて停止するが、それはソ
レノイド３の吸引力と復帰用スプリング５の張力とが等
しくなつたところである。
このときピンチローラ８は第２図中１点鎖線１で示す位
置にまで回動されて所定方向に回転しているキヤブスタ
ン１１に磁気テープ１２を介して圧接し、磁気テープ１
２を挾持走行せしめる。次に、上記のブレイモード時か
らポーズモード動作を行なう場合につき説明する。
置にまで回動されて所定方向に回転しているキヤブスタ
ン１１に磁気テープ１２を介して圧接し、磁気テープ１
２を挾持走行せしめる。次に、上記のブレイモード時か
らポーズモード動作を行なう場合につき説明する。
ボーズ動作を行なうときはスイツチＳＷ２を接点ｂへ切
換える。一方、スイツチＳＷｌは閉成し続けられている
。このスイツチＳＷ２の接点ｂへの切換えにより、電源
電圧は抵抗Ｒ３により分圧されることになり、従つてト
ランジスタＱ２のベース電位はトランジスタＱ１のベー
ス電位よりも低くなる。従つて、トランジスタＱ２のコ
レクタ電流が減少し、トランジスタＱ３のベース電位が
上昇する。これにより、トランジスタＱ４のベース電位
及びトランジスタＱ４のコレクタ電流が減少する。従つ
て、ソレノイド３の励磁電流は前記ブレイモード時より
も減少するのでソレノイド３の吸引力が小となり、復帰
用スプリング５のバネカによりプランジヤ４が若干引出
され、これと同時に摺動子２が端子Ｃ側へ移動し、ソレ
ノイド３の吸引力と復帰用スプリング５のバネカとが等
しくなつた所でプランジヤ４の引出しが停止する。この
停止位置はトランジスタＱ２のベース電位に応じて決ま
る。しかして、このポーズモード時のトランジスタＱ２
のベ一ス電位は前記ブレイモード時よりもやや低いため
、プランジヤ４はプレイモード時よりも若干引出された
位置で停止する。従つて、このときのピンチローラ８の
停止位置は第２図中２点鎖線で示す位置となり、キヤプ
スタン１１に対しやや離間した位置となる。ピンチロー
ラ８のキヤブスタン１１からの離間によつて磁気テープ
１２の走行は一時停止せしめられることになる。なお、
上記ポーズモード時及び前記ブレイモード時において、
ブランジヤ４及びピンチローラ８は、ソレノイド３の吸
引又は引出しによる慣性とスプリング５のバネ定数とに
より決まる周期をもつて振動し、この振動が漸次減少し
て上記の安定位置に至る。
換える。一方、スイツチＳＷｌは閉成し続けられている
。このスイツチＳＷ２の接点ｂへの切換えにより、電源
電圧は抵抗Ｒ３により分圧されることになり、従つてト
ランジスタＱ２のベース電位はトランジスタＱ１のベー
ス電位よりも低くなる。従つて、トランジスタＱ２のコ
レクタ電流が減少し、トランジスタＱ３のベース電位が
上昇する。これにより、トランジスタＱ４のベース電位
及びトランジスタＱ４のコレクタ電流が減少する。従つ
て、ソレノイド３の励磁電流は前記ブレイモード時より
も減少するのでソレノイド３の吸引力が小となり、復帰
用スプリング５のバネカによりプランジヤ４が若干引出
され、これと同時に摺動子２が端子Ｃ側へ移動し、ソレ
ノイド３の吸引力と復帰用スプリング５のバネカとが等
しくなつた所でプランジヤ４の引出しが停止する。この
停止位置はトランジスタＱ２のベース電位に応じて決ま
る。しかして、このポーズモード時のトランジスタＱ２
のベ一ス電位は前記ブレイモード時よりもやや低いため
、プランジヤ４はプレイモード時よりも若干引出された
位置で停止する。従つて、このときのピンチローラ８の
停止位置は第２図中２点鎖線で示す位置となり、キヤプ
スタン１１に対しやや離間した位置となる。ピンチロー
ラ８のキヤブスタン１１からの離間によつて磁気テープ
１２の走行は一時停止せしめられることになる。なお、
上記ポーズモード時及び前記ブレイモード時において、
ブランジヤ４及びピンチローラ８は、ソレノイド３の吸
引又は引出しによる慣性とスプリング５のバネ定数とに
より決まる周期をもつて振動し、この振動が漸次減少し
て上記の安定位置に至る。
従つてプランジヤ４及びピンチローラ８を短時間で安定
な位置に静止させるためには、上記の振動を軽減する必
要がある。そこで、本実施例では第１図に示す抵抗Ｒ１
、コンデンサＣ１よりなる直列回路を上記振動周期に対
応した周波数特性を有する負帰還回路として設け、上記
周期に対しては回路全体の利得を低下することにより、
上記プランジヤ４及びピンチローラ８の振動はす速く減
衰せしめられる。この場合、負帰還回路の周波数特性は
、上記振動周期の大きさに応じて適宜選択的に設定され
る。なお、上記の振動はブランジヤ４及びピンチローラ
８が安定位置にあつたとき外乱によつて生ずることもあ
るが、本実施例はこのような外乱に対しても有効である
。なお、抵抗Ｒ３を可変抵抗器とし、その摺動子をスイ
ツチＳＷ２の接点ｂに接続し、この摺動子位置を可変す
ることにより、ピンチローラ８の停止位置を任意に微調
整することができる。
な位置に静止させるためには、上記の振動を軽減する必
要がある。そこで、本実施例では第１図に示す抵抗Ｒ１
、コンデンサＣ１よりなる直列回路を上記振動周期に対
応した周波数特性を有する負帰還回路として設け、上記
周期に対しては回路全体の利得を低下することにより、
上記プランジヤ４及びピンチローラ８の振動はす速く減
衰せしめられる。この場合、負帰還回路の周波数特性は
、上記振動周期の大きさに応じて適宜選択的に設定され
る。なお、上記の振動はブランジヤ４及びピンチローラ
８が安定位置にあつたとき外乱によつて生ずることもあ
るが、本実施例はこのような外乱に対しても有効である
。なお、抵抗Ｒ３を可変抵抗器とし、その摺動子をスイ
ツチＳＷ２の接点ｂに接続し、この摺動子位置を可変す
ることにより、ピンチローラ８の停止位置を任意に微調
整することができる。
上述の如く、本発明になるピンチローラ位置制御装置は
、プランジヤの位置に対応した電圧を発生する位置電圧
発生手段と、プレイモードでは第１の電圧を発生しポー
ズモードでは第２の電圧を発生する設定電圧発生手段と
、上記位置電圧発生手段及び設定電圧発生手段よりの両
発生電圧を夫夫比較して得た電圧によりソレノイドの励
磁電流レベルを制御する励磁電流制御手段と、上記プラ
ンジヤにピンチローラを接続し、このブランジヤの停止
位置に対応して上記第１の電圧発生時にはピンチローラ
をキヤプスタンに圧接しかつ第２の電圧発生時にはピン
チローラをキヤプスタンと近接した位置に離間せしめる
機械手段と、上記プランジヤの復帰用スプリングと、上
記ソレノイドの吸引による慣性と該ブランジヤの復帰用
スプリングのバネ定数とにより決まる振動の周波数に対
して利得を低下させるように働く周波数特性を有し上記
励磁電流制御手段にて比較して得た電圧を上記位置電圧
発生手段の出力側に負帰還する負帰還手段とよりなるた
め、前記第１又は第２の電圧の発生に対応してピンチロ
ーラの位置を単一のプランジヤソレノイド装置で制御す
ることができ、従つて従来にくらべて構成を簡単にする
ことができ、また第１又は第２の電圧を可変しうる構成
とすることにより、ピンチローラの停止位置を任意に微
調整し得、又、上記振動周期に対しては回路全体の利得
を低下せしめ得、これにより、ピンチローラをソレノイ
ドの吸引による慣性とスプリングのバネ定数とによつて
決まる周期で振動させるεとなく、安定な状態で変位せ
しめ得る等の特長を有するものである。
、プランジヤの位置に対応した電圧を発生する位置電圧
発生手段と、プレイモードでは第１の電圧を発生しポー
ズモードでは第２の電圧を発生する設定電圧発生手段と
、上記位置電圧発生手段及び設定電圧発生手段よりの両
発生電圧を夫夫比較して得た電圧によりソレノイドの励
磁電流レベルを制御する励磁電流制御手段と、上記プラ
ンジヤにピンチローラを接続し、このブランジヤの停止
位置に対応して上記第１の電圧発生時にはピンチローラ
をキヤプスタンに圧接しかつ第２の電圧発生時にはピン
チローラをキヤプスタンと近接した位置に離間せしめる
機械手段と、上記プランジヤの復帰用スプリングと、上
記ソレノイドの吸引による慣性と該ブランジヤの復帰用
スプリングのバネ定数とにより決まる振動の周波数に対
して利得を低下させるように働く周波数特性を有し上記
励磁電流制御手段にて比較して得た電圧を上記位置電圧
発生手段の出力側に負帰還する負帰還手段とよりなるた
め、前記第１又は第２の電圧の発生に対応してピンチロ
ーラの位置を単一のプランジヤソレノイド装置で制御す
ることができ、従つて従来にくらべて構成を簡単にする
ことができ、また第１又は第２の電圧を可変しうる構成
とすることにより、ピンチローラの停止位置を任意に微
調整し得、又、上記振動周期に対しては回路全体の利得
を低下せしめ得、これにより、ピンチローラをソレノイ
ドの吸引による慣性とスプリングのバネ定数とによつて
決まる周期で振動させるεとなく、安定な状態で変位せ
しめ得る等の特長を有するものである。
第１図は本発明装置の要部の一実施例の具体的回路図、
第２図は本発明装置の一実施例の概略機構の平面図であ
る。 １・・・・・・摺動抵抗器、２・・・・・・摺動子、３
・・・・・・ソレノイド、４・・・・・・ブランジヤ、
５・・・・・・復帰用スプリング、８・・・・・・ピン
チローラ、１１・・・・・・キヤプスタン。
第２図は本発明装置の一実施例の概略機構の平面図であ
る。 １・・・・・・摺動抵抗器、２・・・・・・摺動子、３
・・・・・・ソレノイド、４・・・・・・ブランジヤ、
５・・・・・・復帰用スプリング、８・・・・・・ピン
チローラ、１１・・・・・・キヤプスタン。
Claims (1)
- １ プランジャの位置に対応した電圧を発生する位置電
圧発生手段と、プレイモードでは第１の電圧を発生しポ
ーズモードでは第２の電圧を発生する設定電圧発生手段
と、該位置電圧発生手段及び設定電圧発生手段よりの両
発生電圧を夫々比較して得た電圧によりソレノイドの励
磁電流レベルを制御する励磁電流制御手段と、前記プラ
ンジャにピンチローラを接続し該プランジャの停止位置
に対応して前記第１の電圧発生時には該ピンチローラを
キヤプスタンに圧接しかつ前記第２の電圧発生時には該
ピンチローラをキヤプスタンと近接した位置に離間せし
める機械手段と、上記プランジャの復帰用スプリングと
、上記ソレノイドの吸引による慣性と該プランジャの復
帰用スプリングのバネ定数とにより決まる振動の周波数
に対して利得を低下させるように働く周波数特性を有し
上記励磁電流制御手段にて比較して得た電圧を上記位置
電圧発生手段の出力側に負帰還する負帰還手段とより構
成したことを特徴とするピンチローラの位置制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52103149A JPS5919455B2 (ja) | 1977-08-30 | 1977-08-30 | ピンチロ−ラの位置制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52103149A JPS5919455B2 (ja) | 1977-08-30 | 1977-08-30 | ピンチロ−ラの位置制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5436908A JPS5436908A (en) | 1979-03-19 |
| JPS5919455B2 true JPS5919455B2 (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=14346441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52103149A Expired JPS5919455B2 (ja) | 1977-08-30 | 1977-08-30 | ピンチロ−ラの位置制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919455B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6449132U (ja) * | 1987-09-21 | 1989-03-27 | ||
| JPH0217262Y2 (ja) * | 1984-05-10 | 1990-05-14 | ||
| JPH0330208Y2 (ja) * | 1986-01-20 | 1991-06-26 | ||
| JPH0349346Y2 (ja) * | 1986-01-22 | 1991-10-22 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851410U (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-07 | 株式会社富士通ゼネラル | ソレノイド駆動回路 |
| US5985059A (en) * | 1996-11-25 | 1999-11-16 | Aluminum Company Of America | Transition metal salt compositions that eliminate hydrogen absorption and enhance hydrogen degassing of metal and metal alloys |
| US6120618A (en) * | 1997-07-18 | 2000-09-19 | Alcoa Inc. | Hydrocarbon phosphonic acid surface treatment that eliminates hydrogen absorption and enhances hydrogen degassing of aluminum at elevated temperatures |
-
1977
- 1977-08-30 JP JP52103149A patent/JPS5919455B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217262Y2 (ja) * | 1984-05-10 | 1990-05-14 | ||
| JPH0330208Y2 (ja) * | 1986-01-20 | 1991-06-26 | ||
| JPH0349346Y2 (ja) * | 1986-01-22 | 1991-10-22 | ||
| JPS6449132U (ja) * | 1987-09-21 | 1989-03-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5436908A (en) | 1979-03-19 |
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