JPS59193288A - 第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法 - Google Patents
第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法Info
- Publication number
- JPS59193288A JPS59193288A JP58065628A JP6562883A JPS59193288A JP S59193288 A JPS59193288 A JP S59193288A JP 58065628 A JP58065628 A JP 58065628A JP 6562883 A JP6562883 A JP 6562883A JP S59193288 A JPS59193288 A JP S59193288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quaternary ammonium
- ammonium hydroxide
- membrane
- group
- electrolytic cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第４アンモニウム塩水溶液を電解して第４アン
モニウム水酸化物を製造する方法に関する。
モニウム水酸化物を製造する方法に関する。
第４アンモニウム水酸化物は金属イオンを含まない強塩
基性有機化合物として有用であり、弱酸の非水溶媒滴定
の塩基の標準液として分析に用いられたり、塗料のビヒ
クルへの添加剤、シリカゾル、珪酸アルカリ等の結合剤
への添加剤、更には特殊な洗浄剤及び現像液として電子
工業におけるＩＣ基板の製造等に広く用いられている。
基性有機化合物として有用であり、弱酸の非水溶媒滴定
の塩基の標準液として分析に用いられたり、塗料のビヒ
クルへの添加剤、シリカゾル、珪酸アルカリ等の結合剤
への添加剤、更には特殊な洗浄剤及び現像液として電子
工業におけるＩＣ基板の製造等に広く用いられている。
従来、第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法として
は、例えば特公昭４５−２８５６４号（第４アンモニウ
ム水酸化物の電解製造法）、特公昭４（Ｓ−１４８８５
号（第４アンモニウム化合物類の電解製造法）、特開昭
５７−１５５３９０号（イオン交換膜を使用する水酸化
有機アンモニウムの製造法）および特開昭５７−１８１
３８５号（第４アンモニウム水酸化物の電解による製造
法）が提案されているが、これらの方法はいずれも陽イ
オン交換膜により陽極室と陰極室に区分された電解槽を
使用するものであり、必要電解電圧が５．５〜６０■と
高く、工業的に量産する上で使用電力コストの面に問題
が残されている。しかもこれらの方法では電解電圧をで
きるだけ下げるために予め陰極室中に第４アンモニウム
水酸化物を一定濃度で供給しておかなければならないと
いう問題もあった。
は、例えば特公昭４５−２８５６４号（第４アンモニウ
ム水酸化物の電解製造法）、特公昭４（Ｓ−１４８８５
号（第４アンモニウム化合物類の電解製造法）、特開昭
５７−１５５３９０号（イオン交換膜を使用する水酸化
有機アンモニウムの製造法）および特開昭５７−１８１
３８５号（第４アンモニウム水酸化物の電解による製造
法）が提案されているが、これらの方法はいずれも陽イ
オン交換膜により陽極室と陰極室に区分された電解槽を
使用するものであり、必要電解電圧が５．５〜６０■と
高く、工業的に量産する上で使用電力コストの面に問題
が残されている。しかもこれらの方法では電解電圧をで
きるだけ下げるために予め陰極室中に第４アンモニウム
水酸化物を一定濃度で供給しておかなければならないと
いう問題もあった。
本発明者は電解電圧が低く、工業的な量産に適した方法
を得るべ（鋭意研究した結果、陽イオン交換膜の片面あ
るいは両面に有孔金属層または有孔金属酸化物層を設け
た複合膜を使用した電解槽を用い前記有孔金属層等を電
極とすればよいことに想到し本発明を完成させるに至っ
た。
を得るべ（鋭意研究した結果、陽イオン交換膜の片面あ
るいは両面に有孔金属層または有孔金属酸化物層を設け
た複合膜を使用した電解槽を用い前記有孔金属層等を電
極とすればよいことに想到し本発明を完成させるに至っ
た。
すなわち、本発明は陽イオン交換膜の片面あるいは両面
に電極として作用する有孔金属層または有孔金属酸化物
層を形成した複合膜により陽極室と陰極室に区分された
電解槽を用いて、陽極室に一般式 （式中、Ｒ０〜Ｒ４は同一であっても異なっていてもよ
く、各々炭素数１〜１０個のアルキル基もしくはヒドロ
キシアルキル基、炭素数２〜１０個のアルコキシアルキ
ル基、またはアリール基もしくはヒドロキシアリール基
を表わし、Ｘは酸基を表わす。） で示される第４アンモニウム塩水溶液を供給し、陰極室
に水を供給して電極間に直流電流を通電することにより
陰極室から第４アンモニウム水酸化物を得ることを特徴
とする。
に電極として作用する有孔金属層または有孔金属酸化物
層を形成した複合膜により陽極室と陰極室に区分された
電解槽を用いて、陽極室に一般式 （式中、Ｒ０〜Ｒ４は同一であっても異なっていてもよ
く、各々炭素数１〜１０個のアルキル基もしくはヒドロ
キシアルキル基、炭素数２〜１０個のアルコキシアルキ
ル基、またはアリール基もしくはヒドロキシアリール基
を表わし、Ｘは酸基を表わす。） で示される第４アンモニウム塩水溶液を供給し、陰極室
に水を供給して電極間に直流電流を通電することにより
陰極室から第４アンモニウム水酸化物を得ることを特徴
とする。
本発明の方法℃用いる電解槽は陽イオン交換膜の両面ま
たは片面が電極として作用する複合膜を使用する点で、
隔膜と陽極液および陰極液を介して陽極および陰極を対
向して設ける通常の電解槽とは異なる。
たは片面が電極として作用する複合膜を使用する点で、
隔膜と陽極液および陰極液を介して陽極および陰極を対
向して設ける通常の電解槽とは異なる。
この複合膜は、
（１）陽イオン交換膜にＮａＢＨ４、ヒドラジン、エチ
レンジアミン、次亜リン酸ソーダ等の還元剤を含浸させ
た後、Ｐｔ、 Ｒｈ、 Ｒｕ、Ｉｒ、 Ｐａ、 Ｎｉ、
Ｇｕ等の水溶性金属塩、好ましくは塩化物の水溶液に浸
漬して膜の両面に金属あるいはその酸化物を析出させる
方法、または （２）陽イオン交換膜を介して片側に前記の還元剤、他
方に金属塩水溶液を用意し、膜の背面からの還元剤の浸
透によって金属塩水溶液側の膜表面に金属あるいはその
酸化物を析出 る方法により調製することができる。
レンジアミン、次亜リン酸ソーダ等の還元剤を含浸させ
た後、Ｐｔ、 Ｒｈ、 Ｒｕ、Ｉｒ、 Ｐａ、 Ｎｉ、
Ｇｕ等の水溶性金属塩、好ましくは塩化物の水溶液に浸
漬して膜の両面に金属あるいはその酸化物を析出させる
方法、または （２）陽イオン交換膜を介して片側に前記の還元剤、他
方に金属塩水溶液を用意し、膜の背面からの還元剤の浸
透によって金属塩水溶液側の膜表面に金属あるいはその
酸化物を析出 る方法により調製することができる。
（１）の方法によれば陽イオン交換膜の両面に同種の金
属層または金属酸化物層を形成することができる。
属層または金属酸化物層を形成することができる。
一方（２）の方法によれば膜の片面のみに金属層または
金属酸化物層を形成することができるが、−この方法で
片面に電極を形成した後、膜の電極面側に還元剤、他方
の側に同一または異なる金属塩水溶液を用意して同様の
還元反応を行うことにより膜の両面に同種または異種金
属の層または異種金属酸化物の層を形成することができ
る。
金属酸化物層を形成することができるが、−この方法で
片面に電極を形成した後、膜の電極面側に還元剤、他方
の側に同一または異なる金属塩水溶液を用意して同様の
還元反応を行うことにより膜の両面に同種または異種金
属の層または異種金属酸化物の層を形成することができ
る。
前記複合膜を用いる電解反応ではイオン交換膜内で電解
を行わせるものであり、従って膜に形成する金属または
金属酸化物層はイオン多透過する多孔性の層でなければ
ならない。
を行わせるものであり、従って膜に形成する金属または
金属酸化物層はイオン多透過する多孔性の層でなければ
ならない。
膜の片面のみに電極を形成した複合膜を用いる場合には
、膜上の電極を陽極としても、また陰極としてもよいが
、これに対向する陰極あるいは陽極を別個に用意する必
要がある。
、膜上の電極を陽極としても、また陰極としてもよいが
、これに対向する陰極あるいは陽極を別個に用意する必
要がある。
複合膜に形成する電極となる金属または金属酸化物の層
、あるいは膜上の電極に対向して使用する電極の材料と
しては陽極は第４アンモニウム塩の電解により発生する
ノ・ロゲン、酸素等に対して耐久性のあるものがよく、
鉛、白金族金属あるいはその酸化物の層または電極を用
いるのがよい。
、あるいは膜上の電極に対向して使用する電極の材料と
しては陽極は第４アンモニウム塩の電解により発生する
ノ・ロゲン、酸素等に対して耐久性のあるものがよく、
鉛、白金族金属あるいはその酸化物の層または電極を用
いるのがよい。
また陰極用材料は陽極の場合はど化学的安定性は要求さ
れず、例えば、鉄、ニッケル、コノＺルトの層あるいは
電極のほか、炭素電極でもよい。
れず、例えば、鉄、ニッケル、コノＺルトの層あるいは
電極のほか、炭素電極でもよい。
前記電解槽の陰極室に水溶液として供給される第４アン
モニウム塩の具体例としては、一般式におけるＲ□〜Ｒ
４が、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル基およ
びこれらのヒドロキシ誘導体；メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシまたはブトキシ基で置換されたメチル、エチル
、プロピル、メチルマタはぼンチル基；フェニルベンジ
ル、フェネチル基およびそれらの基中のベンゼン環がヒ
ト９０キシ基で置換された基を表わして、酸基（アニオ
ン）Ｘｉ；ハロゲンイオン、 Ｈ８Ｏ４−１ＣＨＣＯＯ
−１ＮＯ−１ｐｏ −１ＢＦ４−１ＰＦ６− ヲ表ｂｔ
３ ３ ３ ものが挙げられ、例えばテトラメチルアンモニウムクロ
ライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラ
エチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニ
ウムブロマイド、テトラエチルアンモニウム硫酸塩、ト
リメチルエタノールアンモニウムクロライド、トリメチ
ルメトキシアンモニウムクロ２イト９、ジメチルジメト
キシアンモニウムクロライド、ジメチルジェタノールア
ンモニウムクロライド、メチルトリエタノールアンモニ
ウムクロライド、テトラエタノールアンモニウムクロラ
イビ、ペンジルメチルジエタノールアンモニウムクロシ
イド、フェニルトリメチルアンモニウムクロライド、フ
ェニルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルト
リメチルアンモニウムクロライド９、ヘンシルジメチル
フェニルアンモニウムクロライド９等がある。
モニウム塩の具体例としては、一般式におけるＲ□〜Ｒ
４が、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル基およ
びこれらのヒドロキシ誘導体；メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシまたはブトキシ基で置換されたメチル、エチル
、プロピル、メチルマタはぼンチル基；フェニルベンジ
ル、フェネチル基およびそれらの基中のベンゼン環がヒ
ト９０キシ基で置換された基を表わして、酸基（アニオ
ン）Ｘｉ；ハロゲンイオン、 Ｈ８Ｏ４−１ＣＨＣＯＯ
−１ＮＯ−１ｐｏ −１ＢＦ４−１ＰＦ６− ヲ表ｂｔ
３ ３ ３ ものが挙げられ、例えばテトラメチルアンモニウムクロ
ライド、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラ
エチルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモニ
ウムブロマイド、テトラエチルアンモニウム硫酸塩、ト
リメチルエタノールアンモニウムクロライド、トリメチ
ルメトキシアンモニウムクロ２イト９、ジメチルジメト
キシアンモニウムクロライド、ジメチルジェタノールア
ンモニウムクロライド、メチルトリエタノールアンモニ
ウムクロライド、テトラエタノールアンモニウムクロラ
イビ、ペンジルメチルジエタノールアンモニウムクロシ
イド、フェニルトリメチルアンモニウムクロライド、フ
ェニルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルト
リメチルアンモニウムクロライド９、ヘンシルジメチル
フェニルアンモニウムクロライド９等がある。
これらの第４アンモニウム塩は１０〜５０重量％の水溶
液で用いられる。１０重量％未満では電流効率が悪くな
り、また５０重量％を越えると第４アンモニウム塩の結
晶が析出するおそれがあるので好ましくない。
液で用いられる。１０重量％未満では電流効率が悪くな
り、また５０重量％を越えると第４アンモニウム塩の結
晶が析出するおそれがあるので好ましくない。
また、電解反応においては液温な５０Ｕ以下に保つよう
にすべきである。５０Ｃ以上になると陽極液の腐食性が
上昇し、また陰極液では目的物が分解し、アンモニア臭
のある煙を発生するので好ましくない。
にすべきである。５０Ｃ以上になると陽極液の腐食性が
上昇し、また陰極液では目的物が分解し、アンモニア臭
のある煙を発生するので好ましくない。
なお−第４アンモニウム水溶液は電解槽内を０．１〜０
．３７１Ｌ／秒の流速で供給する。これより高過ぎると
槽が圧損するおそれがあり、低いと電解電圧が上昇する
ので好ましくない。
．３７１Ｌ／秒の流速で供給する。これより高過ぎると
槽が圧損するおそれがあり、低いと電解電圧が上昇する
ので好ましくない。
また前記複合膜により形成される陰極室には水のみを供
給すればよい。但し片面のみに陽極層を設けた膜を使用
するときには陰極室に目的物の第４アンモニウム水酸化
物を少量加えておくことが好ましい。
給すればよい。但し片面のみに陽極層を設けた膜を使用
するときには陰極室に目的物の第４アンモニウム水酸化
物を少量加えておくことが好ましい。
本発明の電解製造方法においては、電流密度を陽極、陰
極とも１〜１００Ａ／ｃｔが、好ましくは１０〜５０
ｋ／ｄｍ２の条件で直流電圧を印加する。
極とも１〜１００Ａ／ｃｔが、好ましくは１０〜５０
ｋ／ｄｍ２の条件で直流電圧を印加する。
この場合電解電圧は２．５〜４■程度であり、陰極室か
ら第４アンモニウム水酸化物を製品濃度１〜４０重量％
で得ることができる。
ら第４アンモニウム水酸化物を製品濃度１〜４０重量％
で得ることができる。
本発明の製造方法によれば、必要電解電圧は従来の電解
法に比べてＩＡ〜１／１０で足り、電力コストを大幅に
節減できるので、第４アンモニウム水酸化物の工業的量
産に好適である。さらに両面に電極層を設けた膜または
陰極層のみを設けた膜を使用する場合には予め第４アン
モニウム水酸化物を添加する必要がなく電解操作を簡略
化することができる。
法に比べてＩＡ〜１／１０で足り、電力コストを大幅に
節減できるので、第４アンモニウム水酸化物の工業的量
産に好適である。さらに両面に電極層を設けた膜または
陰極層のみを設けた膜を使用する場合には予め第４アン
モニウム水酸化物を添加する必要がなく電解操作を簡略
化することができる。
以下に実施例を挙げて本発明の電解製造方法を具体的に
説明する。
説明する。
実施例 １
Ｎａｆｉｏｎ １１７ （デュポン社製フッ素樹脂系陽
イオン交換膜）を槽を２分するように槽の中央部に装着
し、ＮａＢＨ４の５％水溶液を一方の側に、そして他方
の側に塩化白金酸の２％水溶液を供給し、室温で２０分
間処理して陽イオン交換膜の片側に白金を析出させた。
イオン交換膜）を槽を２分するように槽の中央部に装着
し、ＮａＢＨ４の５％水溶液を一方の側に、そして他方
の側に塩化白金酸の２％水溶液を供給し、室温で２０分
間処理して陽イオン交換膜の片側に白金を析出させた。
次にＮａＢＨ，ｓの５％水溶液と塩化白金酸の２係水溶
液とを入れる室を交換し、前記と同様の処理を行ない、
陽イオン交換膜の両側に有孔性の強固な白金層を有する
複合膜を製造した。
液とを入れる室を交換し、前記と同様の処理を行ない、
陽イオン交換膜の両側に有孔性の強固な白金層を有する
複合膜を製造した。
この複合膜を電解槽に取付け、複合膜の各白金層を陽極
および陰極とし、陽極室にテトラメチルアンモニウムク
ロライド９０４０重量係水溶液、陰極室に純水を液流速
０．２７７１／秒で供給し、液温３０Ｃにて２０ Ａ／
ｄ、ｍ２の電流密度で直流電圧を印加して電解を行った
ところ、電解電圧２．５〜２．７■、電流効率８２％で
テトラメチルアンモニウム水酸化物の２０．３重量％水
溶液が得られた。
および陰極とし、陽極室にテトラメチルアンモニウムク
ロライド９０４０重量係水溶液、陰極室に純水を液流速
０．２７７１／秒で供給し、液温３０Ｃにて２０ Ａ／
ｄ、ｍ２の電流密度で直流電圧を印加して電解を行った
ところ、電解電圧２．５〜２．７■、電流効率８２％で
テトラメチルアンモニウム水酸化物の２０．３重量％水
溶液が得られた。
実施例 ２
Ｎａｆｉｏｎ １１７の代わりにＮａｆｉｏｎ ９０１
（デュポン社製フッ素樹脂系陽イオン交換膜）を使用
した化物の２０．６重量％水溶液が得られた。
（デュポン社製フッ素樹脂系陽イオン交換膜）を使用
した化物の２０．６重量％水溶液が得られた。
実施例 ６
Ｎａｆｉｏｎ ３１５ （デュポン社製フッ素樹脂系陽
イオン交換膜）を槽の中央部に槽を２分するように装着
し、実施例１と同様にして陽イオン交換膜の片面に白金
を析出させた後、白金層を有する側にＮａＢＨ４を５ｆ
ｌ−／ｌ含有する水溶液、他方の側にＮ１ＣＪ・５Ｈ２
０を３０ ｔ／ｌ含有する２８％アンモニア水を入れて
７０℃で４時間処理して二”ツケル層を析出させた。こ
の複合膜を電解槽に取付け、白金層を陽極、ニッケル層
を陰極とし、陽極室にテトラメチルアンモニウムクロラ
イドの４０重量％水溶液、陰極室に純水を流速０．２Ｖ
秒で、液温６０Ｃにて２ ＯＡ／ｃｔ−の電流密度で直
流電圧を印加して電解を行ったところ、電解電圧２．７
〜６．０■、電流効率８６％でテトラメチルアンモニウ
ム水酸化物の１９８重量％水溶液が得られた。
イオン交換膜）を槽の中央部に槽を２分するように装着
し、実施例１と同様にして陽イオン交換膜の片面に白金
を析出させた後、白金層を有する側にＮａＢＨ４を５ｆ
ｌ−／ｌ含有する水溶液、他方の側にＮ１ＣＪ・５Ｈ２
０を３０ ｔ／ｌ含有する２８％アンモニア水を入れて
７０℃で４時間処理して二”ツケル層を析出させた。こ
の複合膜を電解槽に取付け、白金層を陽極、ニッケル層
を陰極とし、陽極室にテトラメチルアンモニウムクロラ
イドの４０重量％水溶液、陰極室に純水を流速０．２Ｖ
秒で、液温６０Ｃにて２ ＯＡ／ｃｔ−の電流密度で直
流電圧を印加して電解を行ったところ、電解電圧２．７
〜６．０■、電流効率８６％でテトラメチルアンモニウ
ム水酸化物の１９８重量％水溶液が得られた。
実施例 ４
実施例６で使用した電解槽を使用し、陽極室に６６．４
重量％のテトラメチルアンモニウムブロマイド水溶液、
陰極室に純水を液流速０．２ ｍ１秒にて供給し、液温
３０Ｕで２ＱＡ／ｌｒｎ”の電流密度にて直流電圧を印
加して電解を行ったところ電解電圧２．５〜２．８Ｌ電
流効率８０チでテトラメチルアンモニウム水酸化物の２
０，３重量％水溶液が得られた。
重量％のテトラメチルアンモニウムブロマイド水溶液、
陰極室に純水を液流速０．２ ｍ１秒にて供給し、液温
３０Ｕで２ＱＡ／ｌｒｎ”の電流密度にて直流電圧を印
加して電解を行ったところ電解電圧２．５〜２．８Ｌ電
流効率８０チでテトラメチルアンモニウム水酸化物の２
０，３重量％水溶液が得られた。
実施例 ５
Ｎａｆｉｏｎ ３１５を使用したこと以外は実施例１と
同様に処理して両側に有孔性の強固な白金層を有する複
合膜を得、これを電解槽に取付け、陽極室にジメチルジ
メトキシアンモニウムクロライドの３５．４重量％水溶
液、陰極室に純水を供給し、実施例１と同様の条件で電
解を行ない、電解電圧２．７〜２゜９■、電流効率 り
ｉ％ でジメチルジメトキシアンモニウム水酸化物
の２０．６重量％（ほか３名）
同様に処理して両側に有孔性の強固な白金層を有する複
合膜を得、これを電解槽に取付け、陽極室にジメチルジ
メトキシアンモニウムクロライドの３５．４重量％水溶
液、陰極室に純水を供給し、実施例１と同様の条件で電
解を行ない、電解電圧２．７〜２゜９■、電流効率 り
ｉ％ でジメチルジメトキシアンモニウム水酸化物
の２０．６重量％（ほか３名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 陽イオン交換膜の片面あるいは両面に電極として作用す
る有孔金属層または有孔金属酸化物層を形成した複合膜
により陽極室と陰極室に区分された電解槽を用いて、陽
極室に一般式 （式中、Ｒ□〜Ｒ４は同一であっても異なっていてもよ
く、各々炭素数１〜１０個のアルキル基もしくはヒドロ
キシアルキル基、炭素数２〜１０個のアルコキシアルキ
ル基、またはアリール基もしくはヒドロキシアリール基
を表わし、Ｘは酸基を表わす。） で示される第４アンモニウム塩水溶液を供給し、陰極室
に水を供給して電極間に直流電流を通電することにより
陰極室から第４アンモニウム水酸化物を得ることを特徴
とする第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065628A JPS59193288A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065628A JPS59193288A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193288A true JPS59193288A (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13292469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58065628A Pending JPS59193288A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193288A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110644014A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-03 | 盐城泛安化学有限公司 | 一种四乙基氢氧化铵的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181385A (en) * | 1981-03-18 | 1982-11-08 | Chlorine Eng Corp Ltd | Production of quaternary ammonium hydroxide by electrolysis |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58065628A patent/JPS59193288A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181385A (en) * | 1981-03-18 | 1982-11-08 | Chlorine Eng Corp Ltd | Production of quaternary ammonium hydroxide by electrolysis |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110644014A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-01-03 | 盐城泛安化学有限公司 | 一种四乙基氢氧化铵的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2071152A (en) | Catalytic electrodes | |
| SE440240B (sv) | Katod for anvendning i en reaktion, vid vilken vetgas utvecklas vid katoden, sett att tillverka katoden samt elektrolyscell innefattande katoden | |
| JP5732111B2 (ja) | ニッケル電極の性能を向上させる方法 | |
| US3974058A (en) | Ruthenium coated cathodes | |
| JPS60131986A (ja) | 高純度第４級アンモニウム水酸化物の製造方法 | |
| JPWO2010061766A1 (ja) | 電解用活性陰極の製造方法 | |
| JPH04501885A (ja) | 水酸化第四アンモニウムの精製法 | |
| GB2026037A (en) | Catalytic electrode | |
| JPS60131985A (ja) | 高純度第４級アンモニウム水酸化物の製造法 | |
| JPH0681181A (ja) | パラジウムアミン水酸化物化合物の合成方法 | |
| JPS59193288A (ja) | 第４アンモニウム水酸化物の電解製造方法 | |
| JP3265495B2 (ja) | 次亜燐酸ニッケルの製造方法 | |
| JP3264535B2 (ja) | ガス電極構造体及び該ガス電極構造体を使用する電解方法 | |
| JP2018111874A (ja) | 電解用電極 | |
| JPS59193289A (ja) | 高純度第４アンモニウム水酸化物の製造方法 | |
| JP2686597B2 (ja) | イリジウムの無電解めっき浴および電解用接合体の製造方法 | |
| US2485258A (en) | Electrodepositing lead on copper from a nitrate bath | |
| JP2692736B2 (ja) | 金−イオン交換膜接合体の製造方法 | |
| CN106044961B (zh) | 电解水生产设备及方法 | |
| CN106044962B (zh) | 电解设备及电解水生产方法 | |
| JP2574678B2 (ja) | 過酸化物を含有する水溶液の製造装置 | |
| CN106115861B (zh) | 电解装置及生产电解水的方法 | |
| CN106115862B (zh) | 电解水生产装置及方法 | |
| JP3539521B2 (ja) | 電解用白金族電極膜接合体の製造方法 | |
| JPS63216988A (ja) | フツ素系陰イオン交換膜−電極接合体 |