JPS59191415A - ガス絶縁機器 - Google Patents
ガス絶縁機器Info
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- JPS59191415A JPS59191415A JP58063784A JP6378483A JPS59191415A JP S59191415 A JPS59191415 A JP S59191415A JP 58063784 A JP58063784 A JP 58063784A JP 6378483 A JP6378483 A JP 6378483A JP S59191415 A JPS59191415 A JP S59191415A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、母線、遮断器、断路器、接地開閉器のような
種々の高電圧電気機器を、ガス絶縁媒体を封入したタン
ク内に収容したガス絶縁機器に関する。 〔発明の背景〕 このようなガス絶縁機器においては、製作、組立の過程
において、機器内に導電性異物が混入しないように充分
７゛よ注意かはられれる。しかしながら、組立後に小さ
な導電ａ異物が混入するの娑避けることはできず、又、
機器が司動ｉ１ｓ’に有するものであれば、その可動部
から導電性異物が発生し、いずれにしても、タンク内の
導′屯性異物を皆無にすることはできない。このような
導電性異物は電界等によりタンク内で浮遊し、機器の絶
縁上好ましくない結果ケ招くことがある。例えは、金属
線状の異物の場合には、比較的弱い電界下でも浮上し、
高電圧部あるいは絶縁支持物に接触し、大幅な絶縁低下
を惹き起こす危険性を生じる。これを第１図および第２
図に基づいて説明する。 第１図は従来のガス絶縁母線の断面図、第２図は第１図
に示す中心導体と導電性異物とのギャップに対する破壊
電圧の特性図である。図で、１は接地された円筒形状の
タンク、２はタンク１内にこれと同心状態で収容された
中心２！Ｉ体である。タンクｌ内には絶縁特性の責れた
Ｓ１′、ガス等が刺入されている。３はタンク内に混入
し、又はタンク内で発生した小さな導電性異物を示す。 もし、賦圧に変動があったり、又は機械的振動があった
りすると、導電性異物３は力を受けて図の点線に示すよ
うに絶縁ガス望間紮浮遊する場合がある。そして、この
導電性異物３は、捕るような状、暢を示しながら中心導
体２に接近する。 このように、浮遊する尋「ａ性異物３が存在する場合の
中心導体２とタンク１等の他の部分との間の破敵′ｗｉ
、ＥＥは、中心導体２と導電性異物３とのギャップ長ｇ
の影響全党け、これにより太き（変化することが実験に
より明らかにされている。第２図はギャップ長ｇに対す
る破壊取圧十゛。Ｖの特性を示すものである。図から明
らかなように、破壊電圧が最も低（なるのは、尋゛電住
異物３が中心導体２に接触する場合ではなく、中心導体
２から若干ギヤツブ長ｇイ、７だけ隔たっている場合で
ある。 このギャップ長ｇゎ、は、ＳＦ、ｌガス中において０．
２ｍ〜１．０朝程度であることが実験によって見出され
ている。ギャップ長ｇか太き（なると、破壊電圧Ｅ’ｏ
Ｖも急速に上昇１−ろ。 従来から、上記絶縁低下の危険性ヶ生じる導電性異物３
を捕獲する方法が釧々検討されてきているが、これを完
全に捕獲′１−るのは困９１Ｌであり、現在に至っても
導電性異物３による絶縁低下の危険性は］祥消されてい
ない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来のｌｉ＋１題点ケｌｌｊイ決
し、導゛籠性異物による絶縁低下を防止することができ
、υ・いては、絶縁的・性の優れたガス絶縁機器全提供
するにある。 〔発明の概要〕 この目的全達成するため、本発明は、接地されたタンク
とこのタンク内に収容された高電圧部との間の空１ｉ４
１内において、等１に性異物が浮遊接近するおそれのあ
る高電圧部ケ選択し、この選択された部分に、この部分
と微少間Ｎ ’（（隔てて絶縁バリヤを配置したこと葡
０畝とする。 し発明の実施例〕 以下、本発明を図示の実施例に基づいて８Ｆ絹に６兄明
′１″る。 第３図は不発明の絽１の実施扮１に係るガス絶縁〜、ｎ
カの縦１９＋面図である。図で、第１図に示す部分と同
一部分には同一符号か付しである。１０は中心ｍ体２を
囲んで配置される絶縁バリヤ、１１は中心導体２と絶縁
バリヤ１０との間に介在するスペーサである。絶縁バリ
ヤ１０は、エポキシ拉１脂又はテフロンのように絶縁ガ
ス内で使用しても劣化せ１゛、しかも、ガス空隙部の電
界年中Ｔ抑え宿る誘ｒＨ，率０）小さな材料で形成され
ろ。Ｔは杷Ｗζバリヤ１０の厚み、Ｇはスペーサｌｌｉ
／（ｍより保持された絶線バリヤ１０の内壁と中心等体
２０表面との間のギャップである。 本実施例では、唇電性ｙく物音捕獲する考えは採用せず
、導電性異物が中心高体２に接近するの
種々の高電圧電気機器を、ガス絶縁媒体を封入したタン
ク内に収容したガス絶縁機器に関する。 〔発明の背景〕 このようなガス絶縁機器においては、製作、組立の過程
において、機器内に導電性異物が混入しないように充分
７゛よ注意かはられれる。しかしながら、組立後に小さ
な導電ａ異物が混入するの娑避けることはできず、又、
機器が司動ｉ１ｓ’に有するものであれば、その可動部
から導電性異物が発生し、いずれにしても、タンク内の
導′屯性異物を皆無にすることはできない。このような
導電性異物は電界等によりタンク内で浮遊し、機器の絶
縁上好ましくない結果ケ招くことがある。例えは、金属
線状の異物の場合には、比較的弱い電界下でも浮上し、
高電圧部あるいは絶縁支持物に接触し、大幅な絶縁低下
を惹き起こす危険性を生じる。これを第１図および第２
図に基づいて説明する。 第１図は従来のガス絶縁母線の断面図、第２図は第１図
に示す中心導体と導電性異物とのギャップに対する破壊
電圧の特性図である。図で、１は接地された円筒形状の
タンク、２はタンク１内にこれと同心状態で収容された
中心２！Ｉ体である。タンクｌ内には絶縁特性の責れた
Ｓ１′、ガス等が刺入されている。３はタンク内に混入
し、又はタンク内で発生した小さな導電性異物を示す。 もし、賦圧に変動があったり、又は機械的振動があった
りすると、導電性異物３は力を受けて図の点線に示すよ
うに絶縁ガス望間紮浮遊する場合がある。そして、この
導電性異物３は、捕るような状、暢を示しながら中心導
体２に接近する。 このように、浮遊する尋「ａ性異物３が存在する場合の
中心導体２とタンク１等の他の部分との間の破敵′ｗｉ
、ＥＥは、中心導体２と導電性異物３とのギャップ長ｇ
の影響全党け、これにより太き（変化することが実験に
より明らかにされている。第２図はギャップ長ｇに対す
る破壊取圧十゛。Ｖの特性を示すものである。図から明
らかなように、破壊電圧が最も低（なるのは、尋゛電住
異物３が中心導体２に接触する場合ではなく、中心導体
２から若干ギヤツブ長ｇイ、７だけ隔たっている場合で
ある。 このギャップ長ｇゎ、は、ＳＦ、ｌガス中において０．
２ｍ〜１．０朝程度であることが実験によって見出され
ている。ギャップ長ｇか太き（なると、破壊電圧Ｅ’ｏ
Ｖも急速に上昇１−ろ。 従来から、上記絶縁低下の危険性ヶ生じる導電性異物３
を捕獲する方法が釧々検討されてきているが、これを完
全に捕獲′１−るのは困９１Ｌであり、現在に至っても
導電性異物３による絶縁低下の危険性は］祥消されてい
ない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来のｌｉ＋１題点ケｌｌｊイ決
し、導゛籠性異物による絶縁低下を防止することができ
、υ・いては、絶縁的・性の優れたガス絶縁機器全提供
するにある。 〔発明の概要〕 この目的全達成するため、本発明は、接地されたタンク
とこのタンク内に収容された高電圧部との間の空１ｉ４
１内において、等１に性異物が浮遊接近するおそれのあ
る高電圧部ケ選択し、この選択された部分に、この部分
と微少間Ｎ ’（（隔てて絶縁バリヤを配置したこと葡
０畝とする。 し発明の実施例〕 以下、本発明を図示の実施例に基づいて８Ｆ絹に６兄明
′１″る。 第３図は不発明の絽１の実施扮１に係るガス絶縁〜、ｎ
カの縦１９＋面図である。図で、第１図に示す部分と同
一部分には同一符号か付しである。１０は中心ｍ体２を
囲んで配置される絶縁バリヤ、１１は中心導体２と絶縁
バリヤ１０との間に介在するスペーサである。絶縁バリ
ヤ１０は、エポキシ拉１脂又はテフロンのように絶縁ガ
ス内で使用しても劣化せ１゛、しかも、ガス空隙部の電
界年中Ｔ抑え宿る誘ｒＨ，率０）小さな材料で形成され
ろ。Ｔは杷Ｗζバリヤ１０の厚み、Ｇはスペーサｌｌｉ
／（ｍより保持された絶線バリヤ１０の内壁と中心等体
２０表面との間のギャップである。 本実施例では、唇電性ｙく物音捕獲する考えは採用せず
、導電性異物が中心高体２に接近するの
【妨げ、第２図
に示すキャップ長ｇ勿大きくして破壊電圧■ｉ″ｏ■を
太き（し、絶縁低下盆防止するものである。即′ら、絶
Ｘ；、Ｊ芝バリヤ１０ばこのために６己置されたもので
あり、高電圧部である中心導体２（ｌ−絶縁バリヤｊＯ
で囲むことにより、タンク１内に存在する導電性異物が
中心ｍ体２に浮遊接近しようとしても、中心導体２０表
面からキャップシ（Ｇ＋Ｔ）以内には接近し得ないので
ある。さきに述べたように、ギャップ長ｇ 、ｉｎ Ｉ
ｔ工０．２ｓ＊〜１．０ｔａｎであるので、前記キャッ
プ−＊（Ｕ＋’Ｊ’）？ｒ数前節程度選定すれば、導電
性異物による７把縁低−Ｆは充分に阻止することができ
る。 このように、本実施例では、タンク内の尚賀正部である
中心導体を絶縁バリヤで包囲したので、タンク内に存在
する導電性異物は中心２Ｊト体に向っである範囲以上接
近することはできず、導電性異物による絶縁低下を防止
することかできる。又、中心導体表面と絶縁バリヤ内壁
との寸法を大きくすることにより、絶縁バリヤ金薄くす
ること＼１できる。 第４図は本発明の第２の実施例に係るガス絶縁母線の横
■１面図である。図で第３図に示す゛部分と同一部分に
は同一符号が付しである。本実施例が第１の実施例と異
なるのは、スペーサ１１の配置でＡｂる。絶縁バリヤ１
０は中心導体２の周囲に配置された仮数側のスペーサ１
１により支持されるのであるが、本実施例においては、
スペーサ１１は下部側に配し−されていない。以下、そ
の理由を述べろ。 導電性異物が存在するのは、タンク１の底部か多く、し
たがって、導電性異物が中心導体２に接近する確率は、
下部ｆｕｌｌからの接近か極めて高い。 そして、下部側から接近した導電性異物か絶縁バリヤ下
部に付着した最悪状態金考えたとき、本実施例の構成で
は、そのイ」溜部からみて、絶縁バリヤ１０と中心導体
２との間は′″４−べて絶縁ガス箪間となる。それ故、
上記最悪状態に７．Ｃっても、絶縁バリヤ１０に多少の
劣化かみられるものの、絶縁ガス空間の効果により破壊
１４圧の低下、即ち絶縁低下は充分に阻止することかで
きる。 このように、本実施例では、中心導体を絶縁バＩＪ ’
Ｉ’で包囲し、この絶縁バリヤと中ノ（）導体の下部（
Ｉｌｌ空間會絶縁カス窒間としたので、さきの実施例と
同じ効果をより一層４ｒ＋ｉ？実に達成することができ
る。 第５図は本発明の第３の実施例に係るガス絶縁母線の横
１０１而図である。図で、第３．４図に示す部分と同一
部分には同一符号が伺しである。本実施例か第１、第２
の実施例と異なるのは、スペーサ１１會除いた点にある
。即ち、本実施例では絶縁バリヤ１０全直接中心導Ｈ＜
２に支持するものである。 この場合、絶線バリヤ１０の住を中心導体２の径より若
干大径とすることにより、絶縁バリヤ１０は上部側で中
心導体２に支４゛ｙされ、かつ、下部測りこギャップ長
（ｑ＋’ｒ）ケ形）氷１−ることかできる。このため、
第２の実施例の説つ」で述べた理由により絶縁低下を充
分に阻止〕−ろことかできる。本実施例の絶縁バリヤは
スペーサ１１に支持されないので、スペーサ１１の厚み
分だけその径を小さくすることができ、又、単に中心導
体２に挿入するのみであるので、取付容易となり、肋に
近年、ガス絶縁母線の長さが長くなる傾向にｋ）ろので
、この取付容易となる効果は太きい３゜ このように、本実施例では、中心導体に直接絶縁バリヤ
金取付けるようにしたので、誹１、第２の実施例と同じ
効果音ダするとともに、絶縁バリヤの径を小さくするこ
とができ、さらにその取付けを容易に実施することがで
きる。 第６図は本発明の第４の実施例に係るカス絶縁母勝の横
断面図である。図で、１．２はさきの各実施例と同じく
、タンクおよび中心導体である。 ２０はさぎの各実施例の絶縁バリヤ１０に相当する板状
の絶縁バリヤ、２】はこの絶縁バリヤ２ｔＪ勿支持ずろ
支持体である。さきの各実施例における絶縁バリヤ１０
が中心導体２を包囲する円筒状に構成されているのに対
して、本実施例に１６ける絶縁バリヤｍは板状に構成さ
れている。絶縁バリヤ２０は第２の実施例で説明した理
由により中心導体２の下部側に、ギャップ長（Ｇ＋Ｔ）
２維持して配置されている。 このように、・本実施例では、中心導体の下部側に所定
のギャップ長をもって板状の絶縁バリヤ金配置したので
、導電性異物が中心導体に浮遊接近するの會阻止し、絶
縁低下を防止することができる。又、絶縁バリヤが板状
に構成されるので、その製造および組立が容易であり、
特に長いガス絶縁母線に適用する場合有利である。 第７図は本発明の第５の実施例に係るガス絶縁母線の端
部の縦断面図である。図で、１はタンク、力はタンク１
に支持された絶縁支持筒、３１は絶縁支持筒に支持され
た母線端部である高電圧部、３１ａは高電圧部３１の周
囲からその径方向に延びた支持金具、３２は支持金具３
１ａに固定された円筒状のシールド、４０は円筒状のシ
ールド：３２の外側に数句けられた円筒状の絶縁バリヤ
、４１はシールド３２と絶縁バリヤ４０との間に介在す
るスペーサである。 高′亀圧部３１からは、図示されて（・ないｊ方部に母
線が引き出され、ブッシングを介してタンク１外に延長
せしめられる。この高電圧部３１の電界緩和のため円筒
状シールド３２が設けられている。Ｅｍａｘは高い電界
となる部分の電界？示し、Ｅは低い電界部分における電
界を示す。スペーサ４１は高い電界部分は避け、低い電
界部分にのみ設けられる。 シールド３２と絶縁バリヤ４０との間にはギャップ長（
Ｇ＋Ｔ ）が維持されている。ところで、導電性異物は
、その浮遊時、高電界部に引寄せられる傾向にある。即
ち、最初低い電界部の方向に浮遊している導′屯性異物
は、近傍に高電界部がある場合、＃遊しながら高電界部
に接近してゆき、遂には前記ギャップ長ｇｍ＆に到達ず
ろ場合が多い。そこで、本実施例では、さきの実施例の
ように中心導体全部又はその大部分に組体バリーヤ？成
けるのではなく、高電界部のみに絶縁バリヤ４０を配置
するものである。 なお、絶縁バリヤは円筒状とせづ、前述の理由によりシ
ールドの下側部分のみｋｉｔうような形状とすることも
できる。 このように、本実施例では、高電圧部における高電界部
のみに絶縁バリヤ分設けたので、極めて効率的かつ社済
的に絶縁低下を防止することができる。 第８図は本発明の第６の実施例に係るカス絶縁母線の端
部の縦断面Ｎ、第９図は＠８図に示すリング状シールド
および絶縁バリヤの拡大断面図である。図で、第７図に
示す部分と同一部分には同一符号が付しである。３１ｂ
は高′屯圧部：３１の端部周囲から延出した支持金具、
５０は支持金具３１ｂに支持され、高電圧部３１の端部
周囲を堤状にとり巻くリング状シールド、５１はリング
状シールド５０に装着された絶縁バリヤ、５２は絶縁バ
リヤ５１に設けられた突起である。リング状シールド５
０は、さきの実施例に示される円筒状シールド３２と同
じく電界緩和のため設けられている。本実施例の場合、
絶縁バリヤ５１は高電界となるリング状シールド５０の
みに配置されている。この絶Ａ、タバリャ５１は管状体
に形成されていて、リング状シールド５０のほぼ全周を
捏うものである。そして、絶縁バリヤ５１に設けられた
突起５２により、リング状シールド５０の表面と絶縁バ
リヤ５１の外面との間にギャップ長（Ｇ＋′ｒ）勿維持
する。 なお、絶縁バリヤはリング状シールドのリングの下半部
のみを覆うように設置することもできるし、又、電界そ
の他の条件によってはリング状シールドの断面下半部の
みを覆うように設置することもできる。 このように、本実施例では、高電圧部のリング状シール
ドに絶縁バリヤを設けたので、第５の実施例と同じ効果
を奏するものである。 なお、上記各実施例では、ガス絶縁機器としてガス絶縁
母線を例示して述べたが、ガス絶縁母線に限ることはな
く、その他のガス絶縁機器に適用できるのは当然である
。又、絶縁バリヤの設置個所として、高電界部への設置
ケ例示したか、Ｓｓ性異物の発生ずる機器の可動部近辺
に設置することができるのも当然である。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明では、高電圧部の所要部分に
、この所要部分と微少間隙全隔てて７館縁バリヤ會配置
にしたので、導電性異物による絶縁低下勿防止すること
ができる。
に示すキャップ長ｇ勿大きくして破壊電圧■ｉ″ｏ■を
太き（し、絶縁低下盆防止するものである。即′ら、絶
Ｘ；、Ｊ芝バリヤ１０ばこのために６己置されたもので
あり、高電圧部である中心導体２（ｌ−絶縁バリヤｊＯ
で囲むことにより、タンク１内に存在する導電性異物が
中心ｍ体２に浮遊接近しようとしても、中心導体２０表
面からキャップシ（Ｇ＋Ｔ）以内には接近し得ないので
ある。さきに述べたように、ギャップ長ｇ 、ｉｎ Ｉ
ｔ工０．２ｓ＊〜１．０ｔａｎであるので、前記キャッ
プ−＊（Ｕ＋’Ｊ’）？ｒ数前節程度選定すれば、導電
性異物による７把縁低−Ｆは充分に阻止することができ
る。 このように、本実施例では、タンク内の尚賀正部である
中心導体を絶縁バリヤで包囲したので、タンク内に存在
する導電性異物は中心２Ｊト体に向っである範囲以上接
近することはできず、導電性異物による絶縁低下を防止
することかできる。又、中心導体表面と絶縁バリヤ内壁
との寸法を大きくすることにより、絶縁バリヤ金薄くす
ること＼１できる。 第４図は本発明の第２の実施例に係るガス絶縁母線の横
■１面図である。図で第３図に示す゛部分と同一部分に
は同一符号が付しである。本実施例が第１の実施例と異
なるのは、スペーサ１１の配置でＡｂる。絶縁バリヤ１
０は中心導体２の周囲に配置された仮数側のスペーサ１
１により支持されるのであるが、本実施例においては、
スペーサ１１は下部側に配し−されていない。以下、そ
の理由を述べろ。 導電性異物が存在するのは、タンク１の底部か多く、し
たがって、導電性異物が中心導体２に接近する確率は、
下部ｆｕｌｌからの接近か極めて高い。 そして、下部側から接近した導電性異物か絶縁バリヤ下
部に付着した最悪状態金考えたとき、本実施例の構成で
は、そのイ」溜部からみて、絶縁バリヤ１０と中心導体
２との間は′″４−べて絶縁ガス箪間となる。それ故、
上記最悪状態に７．Ｃっても、絶縁バリヤ１０に多少の
劣化かみられるものの、絶縁ガス空間の効果により破壊
１４圧の低下、即ち絶縁低下は充分に阻止することかで
きる。 このように、本実施例では、中心導体を絶縁バＩＪ ’
Ｉ’で包囲し、この絶縁バリヤと中ノ（）導体の下部（
Ｉｌｌ空間會絶縁カス窒間としたので、さきの実施例と
同じ効果をより一層４ｒ＋ｉ？実に達成することができ
る。 第５図は本発明の第３の実施例に係るガス絶縁母線の横
１０１而図である。図で、第３．４図に示す部分と同一
部分には同一符号が伺しである。本実施例か第１、第２
の実施例と異なるのは、スペーサ１１會除いた点にある
。即ち、本実施例では絶縁バリヤ１０全直接中心導Ｈ＜
２に支持するものである。 この場合、絶線バリヤ１０の住を中心導体２の径より若
干大径とすることにより、絶縁バリヤ１０は上部側で中
心導体２に支４゛ｙされ、かつ、下部測りこギャップ長
（ｑ＋’ｒ）ケ形）氷１−ることかできる。このため、
第２の実施例の説つ」で述べた理由により絶縁低下を充
分に阻止〕−ろことかできる。本実施例の絶縁バリヤは
スペーサ１１に支持されないので、スペーサ１１の厚み
分だけその径を小さくすることができ、又、単に中心導
体２に挿入するのみであるので、取付容易となり、肋に
近年、ガス絶縁母線の長さが長くなる傾向にｋ）ろので
、この取付容易となる効果は太きい３゜ このように、本実施例では、中心導体に直接絶縁バリヤ
金取付けるようにしたので、誹１、第２の実施例と同じ
効果音ダするとともに、絶縁バリヤの径を小さくするこ
とができ、さらにその取付けを容易に実施することがで
きる。 第６図は本発明の第４の実施例に係るカス絶縁母勝の横
断面図である。図で、１．２はさきの各実施例と同じく
、タンクおよび中心導体である。 ２０はさぎの各実施例の絶縁バリヤ１０に相当する板状
の絶縁バリヤ、２】はこの絶縁バリヤ２ｔＪ勿支持ずろ
支持体である。さきの各実施例における絶縁バリヤ１０
が中心導体２を包囲する円筒状に構成されているのに対
して、本実施例に１６ける絶縁バリヤｍは板状に構成さ
れている。絶縁バリヤ２０は第２の実施例で説明した理
由により中心導体２の下部側に、ギャップ長（Ｇ＋Ｔ）
２維持して配置されている。 このように、・本実施例では、中心導体の下部側に所定
のギャップ長をもって板状の絶縁バリヤ金配置したので
、導電性異物が中心導体に浮遊接近するの會阻止し、絶
縁低下を防止することができる。又、絶縁バリヤが板状
に構成されるので、その製造および組立が容易であり、
特に長いガス絶縁母線に適用する場合有利である。 第７図は本発明の第５の実施例に係るガス絶縁母線の端
部の縦断面図である。図で、１はタンク、力はタンク１
に支持された絶縁支持筒、３１は絶縁支持筒に支持され
た母線端部である高電圧部、３１ａは高電圧部３１の周
囲からその径方向に延びた支持金具、３２は支持金具３
１ａに固定された円筒状のシールド、４０は円筒状のシ
ールド：３２の外側に数句けられた円筒状の絶縁バリヤ
、４１はシールド３２と絶縁バリヤ４０との間に介在す
るスペーサである。 高′亀圧部３１からは、図示されて（・ないｊ方部に母
線が引き出され、ブッシングを介してタンク１外に延長
せしめられる。この高電圧部３１の電界緩和のため円筒
状シールド３２が設けられている。Ｅｍａｘは高い電界
となる部分の電界？示し、Ｅは低い電界部分における電
界を示す。スペーサ４１は高い電界部分は避け、低い電
界部分にのみ設けられる。 シールド３２と絶縁バリヤ４０との間にはギャップ長（
Ｇ＋Ｔ ）が維持されている。ところで、導電性異物は
、その浮遊時、高電界部に引寄せられる傾向にある。即
ち、最初低い電界部の方向に浮遊している導′屯性異物
は、近傍に高電界部がある場合、＃遊しながら高電界部
に接近してゆき、遂には前記ギャップ長ｇｍ＆に到達ず
ろ場合が多い。そこで、本実施例では、さきの実施例の
ように中心導体全部又はその大部分に組体バリーヤ？成
けるのではなく、高電界部のみに絶縁バリヤ４０を配置
するものである。 なお、絶縁バリヤは円筒状とせづ、前述の理由によりシ
ールドの下側部分のみｋｉｔうような形状とすることも
できる。 このように、本実施例では、高電圧部における高電界部
のみに絶縁バリヤ分設けたので、極めて効率的かつ社済
的に絶縁低下を防止することができる。 第８図は本発明の第６の実施例に係るカス絶縁母線の端
部の縦断面Ｎ、第９図は＠８図に示すリング状シールド
および絶縁バリヤの拡大断面図である。図で、第７図に
示す部分と同一部分には同一符号が付しである。３１ｂ
は高′屯圧部：３１の端部周囲から延出した支持金具、
５０は支持金具３１ｂに支持され、高電圧部３１の端部
周囲を堤状にとり巻くリング状シールド、５１はリング
状シールド５０に装着された絶縁バリヤ、５２は絶縁バ
リヤ５１に設けられた突起である。リング状シールド５
０は、さきの実施例に示される円筒状シールド３２と同
じく電界緩和のため設けられている。本実施例の場合、
絶縁バリヤ５１は高電界となるリング状シールド５０の
みに配置されている。この絶Ａ、タバリャ５１は管状体
に形成されていて、リング状シールド５０のほぼ全周を
捏うものである。そして、絶縁バリヤ５１に設けられた
突起５２により、リング状シールド５０の表面と絶縁バ
リヤ５１の外面との間にギャップ長（Ｇ＋′ｒ）勿維持
する。 なお、絶縁バリヤはリング状シールドのリングの下半部
のみを覆うように設置することもできるし、又、電界そ
の他の条件によってはリング状シールドの断面下半部の
みを覆うように設置することもできる。 このように、本実施例では、高電圧部のリング状シール
ドに絶縁バリヤを設けたので、第５の実施例と同じ効果
を奏するものである。 なお、上記各実施例では、ガス絶縁機器としてガス絶縁
母線を例示して述べたが、ガス絶縁母線に限ることはな
く、その他のガス絶縁機器に適用できるのは当然である
。又、絶縁バリヤの設置個所として、高電界部への設置
ケ例示したか、Ｓｓ性異物の発生ずる機器の可動部近辺
に設置することができるのも当然である。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明では、高電圧部の所要部分に
、この所要部分と微少間隙全隔てて７館縁バリヤ會配置
にしたので、導電性異物による絶縁低下勿防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のガス絶縁母線の断面図、第２図は第１図
に示す中心導体と導電性異物とのギャップに対する破壊
電土の船性図、第３図は本発明の第１の実施例に係るガ
ス絶縁母線の縦断面図、第４図、第５図および第６図は
それぞれ本発明の第２、第３および第４の実施しｂに係
るガス絶縁母線の横断面図、第７図および第８図はそれ
ぞれ本発明の第５および第６の実施例に係るガス絶縁母
線の端部の縦断面図、第９図は第８図に示すリング状シ
ールドおよび絶縁バリヤの拡大断面図である。 １・・・・・・タンク、２・・・・・・中心導体、１０
．２０．４０．５０・・・・・・絶縁バリヤ、３２・・
・・・・円筒状シールド、５０・・・・・リンク状シー
ルド。 第１図 １ 第２図 へ゛ツア長−： ｑ ２３３図 第４図 第５図
に示す中心導体と導電性異物とのギャップに対する破壊
電土の船性図、第３図は本発明の第１の実施例に係るガ
ス絶縁母線の縦断面図、第４図、第５図および第６図は
それぞれ本発明の第２、第３および第４の実施しｂに係
るガス絶縁母線の横断面図、第７図および第８図はそれ
ぞれ本発明の第５および第６の実施例に係るガス絶縁母
線の端部の縦断面図、第９図は第８図に示すリング状シ
ールドおよび絶縁バリヤの拡大断面図である。 １・・・・・・タンク、２・・・・・・中心導体、１０
．２０．４０．５０・・・・・・絶縁バリヤ、３２・・
・・・・円筒状シールド、５０・・・・・リンク状シー
ルド。 第１図 １ 第２図 へ゛ツア長−： ｑ ２３３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、１に地されたタンクと、このタンク内に配置された
尚’ｔｊ、 ＥＬ ｈＶＩと、前記タンク内に封入され
たガス絶縁媒体とを侃えているガス絶縁機器において、
１）１」記タンクと前記高′紙圧部で形成される窒間内
で、前記高電圧部における選択されたル［要部分に、こ
のＤ［扱部分と微小間隙を隔てて絶縁バリヤを配’ｍ。 したこと娑１時陵と１−るガス絶に様器。 ２、特許６１″］求の範囲第１項において、前記選択さ
れた所要部分は、電界強度の大きい部分であることを１
４！ｆ徴と１−るガス絶縁機器。 ３ 牛５許晶求の範囲第１項において、前記選択された
所要部分は、異物発生個Ｉ力の近傍であることを特徴と
するガス絶縁機器。 ４、特許請求の範囲第１〕貝において、前記絶縁バリヤ
は、前記選択された所要部分の全周勿包囲する構成であ
ることを％徴とするガス絶縁機器。 ５、府許請求の範囲第１項において、前記絶縁バリヤば
、前記選択された所要部分の前記タンク底部に面する側
のみを１でう形状に４（＋）成されていることを％徴と
するガス絶縁機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58063784A JPS59191415A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | ガス絶縁機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58063784A JPS59191415A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | ガス絶縁機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191415A true JPS59191415A (ja) | 1984-10-30 |
| JPH0254005B2 JPH0254005B2 (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=13239344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58063784A Granted JPS59191415A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | ガス絶縁機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007274822A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | ガス絶縁機器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0579205U (ja) * | 1992-03-30 | 1993-10-29 | 株式会社トヨトミ | 石油ストーブ用バーナ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163721U (ja) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 |
-
1983
- 1983-04-13 JP JP58063784A patent/JPS59191415A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163721U (ja) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007274822A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | ガス絶縁機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254005B2 (ja) | 1990-11-20 |
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